CS277384B6 - Emitter follower engagement with a voltage gain greater than one - Google Patents
Emitter follower engagement with a voltage gain greater than one Download PDFInfo
- Publication number
- CS277384B6 CS277384B6 CS912807A CS280791A CS277384B6 CS 277384 B6 CS277384 B6 CS 277384B6 CS 912807 A CS912807 A CS 912807A CS 280791 A CS280791 A CS 280791A CS 277384 B6 CS277384 B6 CS 277384B6
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- emitter follower
- voltage gain
- transistor
- gain greater
- circuit
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Zapojenie emitorového sledovača s napáťovým zosilnením váčším než jedna je určené pre elektronické zosilňovače. Podstata zapojenia spočívá v tom, že vstupná svorka (J) spátnovázbového obvodu (SO) je spojená s výstupnou svorkou (2) emitorového sledovača a výstupná svorka (K) spátnovázbového obvodu (SO)je spojená s hradlom zaťažovacieho tranzistora (T2) a uzemňovacia svorka (Z) spátnovázbového obvodu (SO)je spojená so spoločnou uzemnovacou svorkou (O). Zapojenie emitorového sledovača s napáťovým zosilnením váčším než jedna možno využiť v elektrotechnickom priemysle, najma pri výrobě elektronických súčiastok a prístrojovThe emitter follower circuit with a voltage gain greater than one is designed for electronic amplifiers. The essence of the circuit is that the input terminal (J) of the feedback circuit (SO) is connected to the output terminal (2) of the emitter follower, and the output terminal (K) of the feedback circuit (SO) is connected to the gate of the load transistor (T2), and the ground terminal (Z) of the feedback circuit (SO) is connected to the common ground terminal (O). The emitter follower circuit with a voltage gain greater than one can be used in the electrical industry, especially in the production of electronic components and devices.
Description
1 CS 277384 B61 CS 277384 B6
Zapojenie emitorového sledovača s napátovým zosilnením váčším než j ednaConnecting the emitter follower with a voltage boost greater than one
Oblast technikyTechnical field
Vynález sa týká zapojenia emitorového sledovača s'napátovýmzosilnením váčším než jedna.The present invention relates to the engagement of an emitter follower with a thickened reinforcement greater than one.
Potěrajší stav technikyThe better state of the art
Doteraz používané zapojenia emitorových sledovačov využívajú-ce tranzistor ako aktívnu súčiastku, sa skládájú zo vstupnéhotranzistora a zo zatažovacieho odporu, alebo prúdového zdroja,zapojeného medzi emitor vstupného tranzistora a zem. Nevýhodoutohoto zapojenia je to, že jeho napátové zosilnenie je vždy men-šie než jedna. Napátové zosilnenie emitorového sledovača závisína viacerých faktoroch, napr. na napátovom zosilňovacom činitelivstupného tranzistora, druhu zátaže a podobné, čím váčší je napá-tový zosilňovací činitel vstupného tranzistora, tým viac sa blížinapátové zosilnenie emitorového sledovača k jednej. Pri použitíprúdového zdroja ako zátaže sa toto zosilnenie přiblíží k jednejnajviac: Ak sa vytvoří emitorový sledovač .z diskrétnych bipolár-nych tranzistorov, alebo na čipe integrovaného obvodu realizova-ného bipolárnou technológiou, možno dosiahnut napátové zosilnenievelmi blízké jednej. Nepriaznivá je situácia u tranzistorov ria-dených elektrickým polom v dósledku ich malého napátového zosil-ňovacieho činitela. Z toho dóvodu sa pohybuje bežne dosiahnutelnénapátové zosilnenie emitorových sledovačov používajúcich tranzis-tory riadené elektrickým polom přibližné v rozsahu A = 0,7 až0,95.Up to now, emitter tracker wiring utilizing a transistor as an active component consists of an input transistor and a load resistor or current source connected between the emitter of the input transistor and the ground. The disadvantage of this connection is that its voltage amplification is always less than one. The voltage amplifier of the emitter follower depends on a number of factors, e.g., the voltage amplification factor of the transistor, the type of load and the like, the greater the voltage amplifier of the input transistor, the more the voltage amplifier of the emitter follower approaches one. By using the current source as a load, this amplification approaches one of the following: If an emitter follower is formed from discrete bipolar transistors, or on an integrated circuit chip implemented by bipolar technology, voltage gains can be achieved close to one. The unfavorable situation is in the case of electric field-controlled transistors due to their small voltage amplification factor. For this reason, the commonly obtainable voltage gain of emitter trackers using electric field driven transistors is approximately in the range of A = 0.7 to 0.95.
Podstata vynálezuSUMMARY OF THE INVENTION
Vyššie uvedené nedostatky odstraňuje v podstatnej miere za-poj enie emitorového sledovača s napátovým zosilnením váčším nežjedna, pozostávajúce zo vstupného tranzistora, zatažovaciehotranzistora a spátnovázbového obvodu, ktorého podstata spočíváv tom, že vstupná svorka spátnovázbového obvodu je spojená s vý-stupnou svorkou emitorového sledovača, výstupná svorka spátnováz-bového obvodu je spojená s hradlom zatažovacieho tranzistoraa uzemňovacia svorka spátnovázbového obvodu je spojená so spoloč-nou uzemňovacou svorkou.The above drawbacks are substantially obviated by the inclusion of a voltage amplifier emitter follower consisting of an input transistor, a load transistor, and a backbone circuit, the principle of which is that the input terminal of the backbone circuit is coupled to the output terminal of the emitter follower. the reverse circuit terminal is coupled to the gate of the retracting transistor and the ground terminal of the reverse circuit is coupled to a common ground terminal.
Vynález zapojenia emitorového sledovača s napátovým zosilne-ním váčším než jedna umožňuje dosiahnut vstupnú část elektronic-kých zosilňovačov s kvalitativně novými vlastnostami. Okrem zná-mého kladu emitorových sledovačov, velkej vstupnéj impedancie,umožní dosiahnut u nich napátové zosilnenie váčšie než jedna.Prehlad obrázkov na výkreseThe invention of the emitter follower engagement with a voltage amplification greater than one allows the input of electronic amplifiers with qualitatively new characteristics to be achieved. In addition to the known emitter trackers, the large input impedance, they can achieve a gain greater than one in them.
Na připojených výkresoch je schematicky znázorněné zapojenieemitorového sledovača s napátovým zosilnením váčším než jednapričom na obr. 1 je znázorněné blokové zapojenie emitorového sle-dovača s napátovým zosilnením váčším než jedna, na obr. 2 kon-krétny příklad zapojenia a na obr. 3 je znázorněný příklad prie-behu napátového zosilnenia emitorového sledovača z obr. 2 v zá-1 is a schematic representation of a emitter follower with a voltage amplification greater than one; FIG. 2 illustrates a specific example of the connection; and FIG. of the emitter follower voltage boost of FIG. 2 in FIG.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS912807A CS277384B6 (en) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Emitter follower engagement with a voltage gain greater than one |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS912807A CS277384B6 (en) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Emitter follower engagement with a voltage gain greater than one |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS280791A3 CS280791A3 (en) | 1992-08-12 |
| CS277384B6 true CS277384B6 (en) | 1993-01-13 |
Family
ID=5366239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS912807A CS277384B6 (en) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Emitter follower engagement with a voltage gain greater than one |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS277384B6 (en) |
-
1991
- 1991-09-13 CS CS912807A patent/CS277384B6/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS280791A3 (en) | 1992-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1322516A (en) | Signal translating stage | |
| CA2244720A1 (en) | Charge sensitive amplifier with high common mode signal rejection | |
| US3815037A (en) | Current translating circuits | |
| US4015215A (en) | Push-pull power amplifier circuit | |
| US3050688A (en) | Transistor amplifier | |
| CS277384B6 (en) | Emitter follower engagement with a voltage gain greater than one | |
| EP0403174A3 (en) | Differential amplifying circuit operable at high speed | |
| US20110169573A1 (en) | Amplifier circuit with step gain | |
| EP0181752A3 (en) | Extended range amplifier circuit | |
| JPH02246603A (en) | Circuit device of amplifier storge | |
| EP0321701A3 (en) | An audio amplifier having a low-noise input stage | |
| JPS6231523B2 (en) | ||
| JPS6216021Y2 (en) | ||
| SU1716597A1 (en) | Amplifier | |
| CA1293031C (en) | Sample holding circuit | |
| GB2307609A (en) | Modified Darlington and Sziklai amplifiers | |
| GB2405275A (en) | A discrete transistor boost amplifier for an audio driver IC, wherein the boost amplifier is automatically activated at high output levels | |
| DE60303046D1 (en) | IMPROVED TWO-STAGE AMPLIFIER WITH LARGE BANDWIDTH WITH DIODES IN PARALLEL RECONDITIONING STRUCTURE | |
| EP0388529A3 (en) | Logic circuits using a status holding circuit | |
| JPH0139001Y2 (en) | ||
| EP0249055A3 (en) | Power amplifiers for driving inductive loads | |
| SU1352616A1 (en) | Push-pull power amplifier | |
| RU1774468C (en) | Broadband amplifier | |
| JPS57135510A (en) | Gain control circuit | |
| SU1647873A1 (en) | Hysteretic section |