CZ148799A3 - Strukturní spoj pro dlaždice z odlévatelného materiálu - Google Patents

Description

Přihlašovaný vynález se týká optického proj^K^n1hp g q systému a obzvláště se týká jednak sestavy Μ x N te^ikovrst-| vových ovládaných zrcadel, kdy každé z těchto tenkovrstvový^j^ __ ovládaných zrcadel pro použití v systému má dvousložkovou strukturu, a jednak způsobu jejich výroby.

Dosavadní stav techniky

Mezi radou různých vldeoprojekčních systémů, které jsou dostupné v této oblasti techniky, je znám optický projekční systém se schopností poskytovat vysoce kvalitní zobrazování ve značném rozsahu. V takovém projekčním systému osvětluje světlo z lampy rovnoměrně soustavu například Μ x N ovládaných zrcadel, kdy každé z těchto zrcadel je připojeno ke příslušnému ovladači. Ovladače mohou být vyrobeny z elektricky posunovatelného materiálu, jako je piezoelektrický nebo elektrostrlkční materiál, který se deformuje v reakci na vytvoření elektrického pole.

Odražený světelný paprsek z každého zrcadla dopadá do otvoru například optické přepážky. Přivedením elektrického signálu do každého ovladače se poloha zrcadla ve vztahu k dopadajícímu světelnému paprsku mění, což způsobuje vychýlení optické dráhy odraženého paprsku od jednotlivých zrcadel. Tím, že se optická dráha jednotlivých odražených paprsků mění, mění se i množství odraženého světla od každého ze zrcadel, které prochází otvorem, takže dochází k modulování intenzity paprsku. Modulované paprsky procházející otvorem jsou přenášeny na zobrazovací plochu prostřednictvím příslušného optického zařízení, jako jsou zobrazovací čočky, kde je snímaný obraz zobrazen.

- 2 Na obr. 1A až 1G jsou znázorněny kroky výrobního postupu používané pří výrobě soustavy 10 Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel 1.1, kdy M a N jsou celá čísla uváděná v souběžně vyřizované a společně vlastněné patentové přihlášce USA, sériové číslo 08/430628, nazvané ”Tenkovrstvová ovládaná zrcadlová sestava.

Postup výroby sestavy 10 začíná přípravou aktivní matrice 20, která má horní povrch a která obsahuje substrát 22, sestavu Μ x N tranzistorů (není předvedeno), soustavu vedení vodičů (není předvedeno) a uspořádání Μ x N připojovacích vývodů 24.

V průběhu následujícího kroku je na horním povrchu aktivní matrice 20 vytvořena tenká pomocná vrstva 40 použitím rozprašovacího nebo odpařovacího způsobu vytváření povlaku tehdy, když je tenká pomocná vrstva 40 zhotovována z kovu, použitím chemického srážení kovových par CCVD), když je tenká pomocná vrstva 40 vyrobena z polysilanů, nebo odstřeďovacím potahovacím způsobem, když je tenká obětní vrstva 40 zhotovována z fosforečného křemičitého skla (PSG).

Poté je vytvořena nosná vrstva 15 obsahující sestavu Μ x N nosných součástí 30, která je obklopena tenkou pomocnou vrstvou 40, přičemž nosná vrstva jL5 je zhotovována vytvořením sestavy Μ x N prázdných drážek (není předvedeno) na tenké pomocné vrstvě 40 použitím fotolitografického způsobu, kdy každá z těchto drážek je vedena kolem všech připojovacích vývodů 24; a vytvořením nosných součástí 30 ve všech prázdných drážkách vedených kolem každého z připojovacích vývodů 24 s použitím rozprašovacího způsobu nebo způsobu srážení kovových par, jak je předvedeno na obr. 1A. Nosné součásti 30 jsou vyrobeny z izolačního materiálu.

V průběhu provádění následujícího kroku je na nosnou vrstvu 15 nanesena s použitím Sol-Gelu, rozprašovacího způsobu nebo způsobu srážení kovových par pružná vrstva 70 z téhož izolačního materiálu, který byl použit při zhotovování nosných součástí 30.

Potom je v každé nosné součásti 30 zhotoveno vedení 35 z kovu tak, že nejdříve se leptáním vytvoří sestava N x M děr (není předvedeno), kdy každá z těchto děr prochází od vrchu pružné vrstvy 70 k vrchu každého z připojovacích vývodů 24, po čemž následuje vyplnění těchto děr kovem, takže? výsledkem je vytvoření vedení 35, jak je předevedeno na obr, 1B.

Přl provádění dalšího kroku je na vrchu pružné vrstvy 70 obsahující vedení 35 zhotovena druhá tenká vrstva 60 s použitím rozprašovacího způsobu pokovování. Druhá tenká vrstva 60 je elektricky připojena k tranzistorům přes vedení 35 vytvořená v nosných součástech 30.

Poté je na vrchu druhé tenké vrstvy 60 vytvořena s použitím rozprašovacího způsobu, způsobu srážení kovových par nebo pomocí Sol-Gelu tenká, elektricky posunovatelna vrstva 80 z piezoelektrického materiálu, například zirkontitanátu s příměsí olova, což je znázorněno na obr. 1C.

V následujícím kroku je provedeno vzorování tenké, elektricky posunovate1né vrstvy 80, druhé tenké vrstvy 60 a pružné vrstvy 70 do sestavy Μ x N tenkovrstvových, elektricky posunovate1ných součástí 85, sestavy Μ x N druhých tenkovrstvových elektrod 65 a sestavy Μ x N pružných součástí 75 s použitím fotolitograflekého způsobu nebo způsobu laserového odstrihování potud, až se obnaží nosná vrstva 15, jak je předvedeno na obr. ID. Všechny druhé, tenkovrstvové elektrody 56 jsou elektricky připojeny k příslušným tranzistorům přes vedení 35, která jsou vytvořena v každé nosné součásti a která plní funkci signálních elektrod v tenkovrstvových ον1ádaných zrcad1ec h 11.

Každá z tenkovrstvových, elektricky posunovate1ných součástí 85 je tepelně upravena při vysoké teplotě, například zirkontitanát s příměsí olova přibližně při teplotě 650°C, aby bylo umožněno konání fázového přechodu, čímž je vytvořena sestava Μ x N teplem upravených struktur (nejsou předvedeny). Protože každá z tepelně upravených tenkovrstvových, elektricky posunovate1ných součástí 85 je dostatečně tenká, nevzniká potřeba jejich polarizování v případě, že jsou vyrobeny z piezoelektrického materiálu, který může být polarizován elektrickým signálem přiváděným v průběhu činnosti tenkovrstvových ovládaných zrcadel 11.

Po předchozím kroku je utvořena sestava Μ x N prvních, tenkovrstvových elektrod 50 z elektricky vodivého a světlo

- 4 odrážejícího materiálu na vrchu tenkovrstvových, elektricky posunovatelných součástí 85 v sestavě Μ x N tepelně upravených struktur tak. že nejdříve je vytvořena vrstva 88 z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, která úplně pokrývá vrch sestavy Μ x N tepelně upravených struktur včetně předtím obnažené nosné vrstvy 15 , s použitím způsobu pokovování rozprašováním, jak je předvedeno na obr. IE, a následně odstranění vrstvy 88 leptáním , výsledkem čehož je vytvoření sestavy 90 Μ x N ovládaných zrcadlových struktur 95, kdy každá z těchto ovládaných zrcadlových struktur 95 obsahuje horní povrch a čtyři boční povrchy, jak je ukázáno na obr. 1F. Každá z prvních, tenkovrstvových elektrod 50 účinkuje jako zrcadlo a rovněž jako naklánějící se elektroda v tenkovrstvových ovládaných zrcadlech.

Po právě uvedeném kroku následuje úplné povlečení horního povrchu a čtyř bočních povrchů všech ovládaných zrcadlových struktur 95 tenkou ochrannou vrstvou (není předvedeno).

Tenká pomocná vrstva 40 nosné vrstvy 15 je následně odstraněna leptáním. Nakonec je odstraněna tenká ochranná vrstva a je? vytvořena sestava 10 Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel 11, která je předvedena na obr. 1G.

Existují však určité nedostatky, jež souvisí s uvedeným způsobem výroby sestavy 10 Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel 11. Vytváření tenkovrstvových, elektricky posunovatelných součástí 85 vyžaduje vysokou teplotu, a proto musí být vyžadována zvláštní opatrnost při výběru vhodného materiálu pro tenkou pomocnou vrstvu, který by byl schopen vydržet uvedenou vysokou teplotu. Protože způsob výroby sestavy 10 zahrnuje, jak bylo uvedeno, postup v podmínkách vysokých teplot, musí být materiály použité pro elektrody v tenkovrstvových ovládaných zrcadlech 11 a pro rozvody vodičů v aktivní matrici 20 rovněž schopny vydržet vysoké teploty a takové materiály jsou obvykle cenově drahé, což v této souvislosti prodražuje výrobní náklady.

Vysoká teplota vyžadovaná při vytváření tenkovrstvových, elektricky posunovatelných součástí 85 může navíc nepřízniznivě ovlivnit strukturální celistvost jednotlivých ovládaných

- 5 zrcadel 11. která za takových okolností nohou snížit kvalitu celkového výkonu soustavy 10.

F*odstata vynálezu

Proto je prvořadým cílen přihlašovaného vynálezu vytvořit sestavu Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel pro použití v optickén projekčním systému, při jejíž výrobě nebude vyžadována úprava v podmínkách vysokých teplot.

Dalším cílem přihlašovaného vynálezu je vyvinout způsob pro výrobu sestavy Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel pro použití v optickém projekčnín systému, kdy tento způsob nebude uplatňovat úpravu v podmínkách vysokých teplot, čímž se usnadní výběr materiálu pro tenkou pomocnou vrstvu.

Podle jednoho znaku přihlašovaného vynálezu je vytvořena sestava Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel pro použití v optickém projekčním systému, kdy M a N jsou celá čísla, přičemž každé z těchto tenkovrstvových ovládaných zrcadel má dvousložkovou strukturu, a tato sestava se skládá : z aktivní matrice mající horní povrch a obsahující substrát se sestavou M x N připojovacích vývodů a sestavou Μ x N tranzistorů; a ze sestavy Μ x N ovládacích struktur, kdy každá z těchto ovládacích struktur má bližší konec a vzdálenější konec a kdy každá z těchto ovládacích struktur obsahuje druhou tenkovrstvovou elektrodu pro plnění funkce druhé, vychylující se elektrody, dolní, elektricky posunovatelnou součást mající horní povrch a dolní povrch, prostřední tenkovrstvovou elektrodu pro plnění funkce signální elektrody, horní, elektricky posunovatelnou elektrodu mající horní povrch a dolní povrch a první tenkovrstvovou elektrodu pro plnění funkce zrcadla a zároveň první, vychylující se elektrody, přičemž horní, elektricky posunovatelná součást a dolní, elektricky posunovatelná součást jsou od sebe odděleny prostřední tenkovrstvovou elektrodou, první tenkovrstvová elektroda je umístěna na horním povrchu horní, elektricky posunovatelné součásti, druhá tenkovrstvová elektroda je umístěna na dolním povrchu dolní, elektricky posunovatelné součásti, prostřední tenkovrstvová elektroda je elektricky

- 6 připojena ke všem tranzistorům přes příslušné připojující vývody a bližší konec každé z ovládaných struktur je připevněn k hornímu povrchu aktivní matrice, čímž je vytvořeno tenkovrstvové ovládané zrcadlo mající dvousložkovou strukturu

Podle dalšího znaku přihlašovaného vynálezu je vyvinut způsob výroby sestavy Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel pro použití v optickém projekčním systému, kdy M a N jsou celá čísla, přičemž každé z těchto tenkovrstvových ovládaných zrcadel má dvousložkovou strukturu, a tento způsob obsahuje kroky: zhotovení aktivní matrice mající horní povrch a obsahující substrát se sestavou Μ x N tranzistorů a sestavou M x N připojovacích vývodů; potažení horního povrchu aktivní matrice tenkou pomocnou vrstvou; odstranění částí tenké pomocné vrstvy z vršku každého z připojovacích vývodů; vytvoření druhé, tenkovrstvové elektrody udělané ze druhého, elektricky vodivého materiálu na vrchu aktivní matrice obsahující tenkou pomocnou vrstvu; odstranění částí druhé, tenké elektrodové vrstvy z vršku každého připojovacího vývodu vyvedeného z aktivní matrice; uložení dolní, elektricky posunovatelné vrstvy na vrch aktivní matrice a druhé, tenké elektrodové vrstvy; vytvoření sestavy Μ x N děr, aby každá tato díra měla vnitřní povrch a aby procházela od vrchu dolní, elektricky posunovatelné vrstvy k vršku příslušného připojovacího vývodu; vytvoření prostřední, tenké elektrodové vrstvy zhotovené z prvního, elektricky vodivého materiálu na vrchu dolní, elektricky posunovatelné vrstvy a na vnitřních površích všech děr; umístění horní, elektricky posunovatelné vrstvy na vrch prostřední, tenké elektrodové vrstvy se současným vyplněním děr; vytvoření první, tenké elektrodové vrstvy zhotovené z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu na vrchu horní, elektricky posunovatelné vrstvy, čímž je sestavena vícevrstvová struktura obsahující první, tenkou elektrodovou vrstvu, horní, elektricky posunovatelnou vrstvu, prostřední, elektrodovou vrstvu, dolní, elektricky posunovatelnou vrstvu a druhou, tenkou elektrodovou vrstvu; vzorování vícevrstvové struktury do sestavy Μ x N polohotových ovládaných struktur, kdy každá z těchto polohotových

- 7 struktur obsahuje první, tenkovrstvovou elektrodu, horní, elektricky posunovatelnou součást, prostřední, tenkovrstvovou elektrodu, dolní, elektricky posunovatelnou součást a druhou, tenkovrstvovou elektrodu; a odstranění tenké pomocné vrstvy, čímž je vytvořena řečená sestava Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel.

Přehled obrázků na výkrese

Uvedené a další cíle a znaky přihlašovaného vynálezu se stanou jasnější po prostudování následujícího popisu upřednostňovaných provedení, ke kterému se vztahují přiložené výkresy, na nichž =

Obr. 1A až 1G jsou schematické průřezy znázorňující způsob výroby sestavy Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel, které již byly vynalezeny.

Obr. 2 je perspektivní pohled na průřez sestavy Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel podle přihlašovaného vynálezu.

Obr. 3A až 3H jsou schematické průřezy znázorňující způsob výroby sestavy tenkovrstvových ovládaných zrcadel podle přihlašovaného vynálezu.

Příklady provedení vynálezu

Na obr. 2 je vidět perspektivní pohled na průřez a obr. 3A až 3H předvádějí schematické průřezy znázorňující způsob výroby příslušných upřednostňovaných provedení podle přihlašovaného vynálezu sestavy 100 řečených Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel pro použití v optickém projekčním systému, kdy M a N jsou celá čísla. Mělo by být zaznamenáno, že stejné součásti objevující se na obr. 2 a obr. 3A až 3H jsou označeny stejnými vztahovými značkami.

Na obr. 2 je nakreslen perspektivní pohled na sestavu 100 řečených Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel 101. podle vynálezu obsahující aktivní matrici 120 a sestavu Μ x N ovládacích struktur 111, kdy každá z těchto ovládacích struktur 111 má dvojsložkovou strukturu.

- 8 Aktivní matrice 120 má horní povrch a obsahuje substrát 122 se sestavou Μ x N připojovacích vývodů 124, soustavu vedení vodičů (není předvedeno) a sestavu Μ x N tranzistorů (není předvedeno), kdy každý připojovací vývod 124 je elektricky připojen k příslušnému tranzistoru.

Každá z ovládacích struktur 111 mající bližší konec a vzdálenější konec obsahuje druhou, tenkovrstvovou elektrodu 165 pro plnění funkce druhé naklánějící se elektrody, dolní, elektricky posunovatelnou součást 185 mající horní povrch a dolní povrch, prostřední, tenkovrstvovou elektrodu 135 pro plnění funkce signální elektrody, horní, elektricky posunovatelnou součást 175 mající horní povrch a dolní povrch a první, tenkovrstvovou elektrodu pro plnění funkce zrcadla a současně i první naklánějící se elektrody, přičemž bližší konec všech ovládacích struktur 11.1 je připevněn k hornímu povrchu aktivní matrice 120 a první, tenkovrstvové elektrodě! 155 je elektricky vzájemně propojena s druhou, tenkovrstvovou elektrodou 165- Horní, elektricky posunovatelná součást 175 je od dolní, elektricky posunovatelné součásti 185 oddělena prostřední, tenkovrstvovou elektrodou 135. První, tenkovrstvová elektroda 155 je umístěna na horním povrchu horní, elektricky posunovatelné součásti 175 - Prostřední, tenkovrstvová elektroda 135 je elektricky připojena ke každému z tranzistorů přes příslušné připojovací vývody 124. Horní, elektricky posunovatelná součást 175 i dolní, elektricky posunovatelná součást 185 každého z tenkovrstvových ovládaných zrcadel 101 jsou vyrobeny z krystalograficky asymetrického materiálu, například oxidu zinečnatého CZnO), kdy takový materiál se vyznačuje tím, že nevykazuje žádnou hysterezní smyčku; a že může být zpracováván při teplotě v rozsahu od 200°C do 300°C. Proto použití takového materiálu pro horní, elektricky posunovatelnou součást 175 a i dolní, elektricky posunovatelnou součást 185 umožňuje použití levnějších materiálů jako hliník (AD nebo stříbro (Ag) v první, tenkovrstvové elektrodě 155, druhé, tenkovrstvové elektrodě 165 a prostřední, tenkovrstvové elektrodě 135, čímž jsou celkové náklady na výrobu sestavy 100 sníženy.

- 9 Polarizační směr horní, elektricky posunovatelné součásti 175 je stejný, jako je tomu v případě dolní, elektricky posunovatelné součásti 185. Je-li elektrické pole vytvořeno na horní, elektricky posunovatelné součásti 175 a dolní, elektricky posunovatelné oblasti 185 v každém z tenkovrstvových zrcadel 101, shoduje se polarizační směr v jedné elektricky posunovatelné součásti s elektrickým polem a polarizační směr druhé elektricky posunovatelné součásti je opačný ve vztahu k elektrickému poli. V takovém případě se bude elektricky posunovatelné součást, jejíž polarizační směr se shoduje s elektrickým polem, natahovat svisle a smršťovat, vodorovně a elektricky posunovatelné součást, jejíž směr polarizace je opačný od elektrického pole, se bude smršťovat svisle a natahovat vodorovně, což dává možnost rozvinutí dvous1ožkového rež i mu.

Obr. 3A až 3H jsou schematické průřezy znázorňující způsob výroby sestavy 100 řečených Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel 101 podle přihlašovaného vynálezu.

Postup výroby sestavy 100 začíná přípravou aktivní materice 120 mající horní povrch a obsahující substrát 122 se sestavou Μ x N připojovacích vývodů 124, soustavu vedení vodičů (není předvedeno ) a sestavu Μ x N tranzistorů (není předvedeno), přičemž substrát 122 je vyroben z Izolačního materiálu, jako je například sklo.

Následuje utvoření tenké pomocné vrstvy 140, která má tloušťku od 1 do 2 pm, nanesením oxidu, například ZnO, nebo polymeru, například polyimidu, na vrch aktivní matrice 120 s použitím způsobu rozprašování nebo vakuového odpařovacího způsobu tehdy, když je tenká pomocná vrstva 140 utvářena z oxidu, a s použitím odstředivého potahovacího způsobu tehdy, když je tenká pomocná vrstva 140 utvářena z polymeru. Jak již bylo v předchozím textu uvedeno, použití oxidu zinečnatého (ZnO) při vytváření horní, elektricky posunovatelné součásti 175 a dolní, elektricky posunovatelné součásti 185 odstraňuje potřebu uplatnění už známého výrobního postupu vyžadujícího vysoké teploty, takže výběr vhodného materiálu pro tenkou pomocnou vrstvu 140 je daleko snadnější-ιόν průběhu následujícího kroku jsou části tenké pomocné vrstvy 140 utvořené na vršku každého z připojovacích vývodů 124 na aktivní matrici 120 odstraněny s použitím fotolitografického způsobu tak, jak je to předvedeno na obr. 3fl.

Při provádění navazujícího kroku je s použitím způsobu rozprašování nebo vakuového odpařovacího způsobu utvořena druhá, tenká elektrodová vrstva 160 zhotovená z druhého, elektricky vodivého materiálu, která má tloušťku v rozsahu od 0,1 do 2 um a která se nachází na vrchu aktivní matrice 120 spolu s tenkou pomocnou vrstvou 140.

Poté jsou části druhé, tenké elektrodové vrstvy 160 utvořené na vršcích všech připojovacích vývodů 124 na aktivní matrici 120 odstraněny, jak je vidět na obr. 3B, s použitím fotolitografického způsobu nebo způsobu odřezávání laserem.

Na obr. 3C je vidět, že na vrchu aktivní matrice 120, která již obsahuje druhou, tenkou elektrodovou vrstvou 160. je utvořena dolní, elektricky posunovatelná vrstva l_80 z oxidu zinečnatého (ZnO), jež má tloušťku v rozsahu od 0,1 do 2 pm, s použitím vakuového odpařovacího způsobu nebo způsobu rozprašování. Tenká vrstva z oxidu zinečnatého <ZnO) může být vytvářena při teplotě od 200°C do 300°C.

Při provádění dalšího kroku je s použitím leptacího způsobu vytvořena sestava N x M děr 190 (viz obr. 3D), kdy každá díra 190 má vnitřní povrchy a je vedena od vrchu dolní, elektricky posunovatelné vrstvy 180 aktivní matricí 120 na vršek každého příslušného připojovacího vývodu 124.

Na obr. 3E je vidět, že prostřední, elektrodová vrstva 130, která je vyrobena s použitím rozprašovacího způsobu nebo způsobu vakuového odpařování z prvního, elektricky vodivého materiálu, například hliníku CA1), a která má tloušťku od 0,1 do 2 um, je umístěna na vrchu dolní, elektricky posunovatelné vrstvě 180 obsahující vnitřní povrchy děr 180.

Při provádění následujícího kroku je na vrch prostřední, elektrodové vrstvy 130 při současném vyplňování děr 190 s použitím způsobu vakuového odpařování nebo rozprašovacího způsobu umístěna, jak je předvedeno na obr. 3Γ, horní, elektricky posunovatelná vrstva 170, která je vyrobena z téhož materiálu jako dolní, elektricky posunovatelná vrstva 180 a která má tloušťku od 0,1 do 2 um.

Na obr. 3G je vidět, že první, tenká elektrodová vrstva 150, která je vyrobena z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu, například hliníku CA1) nebo stříbra (Ag), a která má tloušťku od 0,1 do 2 um, je umístěna na vrchu horní elektricky posunovatelné vrstvy 170 s použitím rozprašovacího způsobu nebo způsobu vakuového odpařování, čímž je dokončeno vytvoření vícevrstvové struktury 200 obsahující první, tenkou elektrodovou vrstvu 150, horní, elektricky posunovate1nou vrstvu 170, prostřední elektrodovou vrstvu 130, dolní, elektricky posunovatelnou vrstvu 180 a druhou, tenkou elektrodovou vrstvu 160 Následně je s použitím fotolitografického způsobu nebo způsobu laserového odřezávání prováděno vzorování vícevrstvové struktury 200 do sestavy Μ x N polohotových ovládacích struktur 250 obsahujících první, tenkovrstvovou elektrodu 155 horní, elektricky posunovatelnou součást 175, prostřední, tenkovrstvovou elektrodu 135, dolní, elektricky posunovate1nou součást 185 a druhou, tenkovrstvovou elektrodu 165 do té míry, až se obnaží tenká pomocná vrstva 140.

Při provádění dalšího kroku je pak tenká pomocná vrstva 140 s použitím způsobu leptání odstraněna, čímž je vytvořena sestava 100 Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel 101, která je předvedena na obr. 3H.

Na rozdíl od již známého způsobu výroby sestavy 10 Μ x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel 11, který vyžaduje vysoké teploty při vynucování fázového přechodu elektricky posunovatelného materiálu tvořícího tenkou, elektricky posunovatelnou vrstvu 80, nemusí být při provádění vynalezeného způsobu, kdy jsou horní i dolní, elektricky posunovatelné součásti 175,185 ovšech ovládacích struktur 111 vyrobeny z oxidu zinečnatého CZnO) vysokoteplotní proces vyžadován, což umožňuje provádět výběr materiálu pro výrobu tenké pomocné vrstvy 140 z většího počtu mater i á1ů.

Navíc použití ZnO pro vytváření horní, elektricky posunovatelné součásti 175 a dolní, elektricky posunovatelné

- 12 součásti 185 umožňuje jak uplatnění levnějších materiálů s nižším bodem tavení pro výrobu první, tenkovrstvové elektrody 155, druhé, tenkovrstvové elektrody 165 a prostřední, tenkovrstvové elektrody 135 nacházející se v tenkovrstvových ovládaných zrcadlech 101, tak provádění přímočarého vzorování v důsledku čehož jsou celkové výrobní náklady sníženy Protože je sestava 100 vytvářena bez použití vysokých teplot., může být navíc lépe ochráněna strukturální celistvost a tím i vlastní účinnost.

I když přihlašovaný vynález byl popsán pouze s ohledem na určitá upřednostňovaná provedení, mohou být provedeny další modifikace a varianty, aniž by došlo k opuštění rozsahu přihlašovaného vynálezu, jenž je specifikován v následujících patentových nárocích.

Claims (3)

1. Sestava MxN tenkovrstvových ovládaných zrcadel, pí?? použití v optickém projekčním systému, kdy M a N jsou celá s z i l ς o čísla a kdy každé z těchto tenkovrstvových ovládaných zrcadel má dvousložkovou strukturu, vyznačuj íc í'f'0 se t i m , ze se skládá z aktivní matrice maiíci horní povrch a obsahující substrát se sestavou MxN připojovacích vývodů a sestavou MxN tranzistorů; a ze sestavy M x N ovládacích struktur, kdy každá z těchto ovládacích struktur má bližší konec a vzdálenější konec a kdy každá z těchto ovládacích struktur obsahuje druhou tenkovrstvovou elektrodu pro plnění funkce druhé, vychylující se elektrody, dolní, elektricky posunovatelnou součást mající horní povrch a dolní povrch, prostřední tenkovrstvovou elektrodu pro plnění funkce signální elektrody, horní, elektricky posunovatelnou elektrodu mající horní povrch a dolní povrch a první tenkovrstvovou elektrodu pro plnění funkce zrcadla a zároveň první, vychylující se elektrody, přičemž horní, elektricky posunovatelné součást a dolní, elektricky posunovatelná součást jsou od sebe odděleny prostřední tenkovrstvovou elektrodou, první tenkovrstvové elektroda je umístěna na horním povrchu horní, elektricky posunovatelné součásti, druhá tenkovrstvové elektroda je umístěna na dolním povrchu dolní, elektricky posunovatelné součásti, prostřední tenkovrstvové elektroda je elektricky připojena ke všem tranzistorům přes příslušné připojující vývody a bližší konec každé z ovládaných struktur je připevněn k hornímu povrchu aktivní matrice, čímž je vytvořeno tenkovrstvové ovládané zrcadlo mající dvousložkovou strukturu.

2. Sestava MxN tenkovrstvových ovládaných zrcadel podle nároku 1, vyznačující se tím , že pivní tenkovrstvové elektroda je elektricky připojena ke druhé tenkovrstvové elektrodě.

3. Způsob výroby sestavy MxN tenkovrstvových ovládaných zrcadel pro použití v optickém projekčním systému, kdy M a

- 14 N jsou celá čísla a kdy každé z těchto tenkovrstvových ovládaných zrcadel má dvousložkovou strukturu, vyznačující se t. í m , ze obsahuje kroky zhotovení aktivní matrice mající horní povrch a obsahující substrát se sestavou Μ x N tranzistorů a sestavou Μ x N připojovacích vývodů; potažení horního povrchu aktivní matrice tenkou pomocnou vrstvou; odstranění částí tenké pomocné vrstvy z vršku každého z připojovacích vývodů; utvoření druhé tenkovrstvové elektrody udělané ze druhého, elektricky vodivého materiálu na vrchu aktivní matrice obsahující tenkou pomocnou vrstvu; odstranění částí druhé, tenké elektrodové vrstvy z vršku každého připojovacího vývodu vyvedeného z aktivní matrice; uložení dolní, elektricky posunovatelné vrstvy na vrch aktivní matrice a druhé, tenké elektrodové vrstvy; vytvoření sestavy Μ x N děr, aby každá tato díra měla vnitřní povrch a aby procházela od vrchu dolní, elektricky posunovatelné vrstvy k vršku příslušného připojovacího vývodu; vytvoření prostřední, tenké elektrodové vrstvy zhotovené z prvního, elektricky vodivého materiálu na vrchu dolní, elektricky posunovatelné vrstvy a na vnitřních površích všech děr; umístění horní, elektricky posunovatelné vrstvy na vrch prostřední, tenké elektrodové vrstvy při současném vyplnění děr; vytvoření první, tenké elektrodové vrstvy udělané z elektricky vodivého a světlo odrážejícího materiálu na vrchu horní, elektricky posunovatelné vrstvy, čímž je sestavena vícevrstvová struktura obsahující první, tenkou elektrodovou vrstvu, horní, elektricky posunovate1nou vrstvu, prostřední, tenkou elektrodovou vrstvu, dolní, elektricky posunovatelnou vrstvu a druhou, tenkou elektrodovou vrstvu; vzorování vícevrstvové struktury do sestavy M x N polohotových ovládaných struktur, kdy každá z těchto polohotových struktur obsahuje první tenkovrstvovou elektrodu, horní, elektricky posunovatelnou součást, prostřední tenkovrstvovou elektrodu, dolní, elektricky posunovatelnou součást a druhou tenkovrstvovou elektrodu; a odstranění tenké pomocné vrstvy, čímž je vytvořena řečená sestava M x N tenkovrstvových ovládaných zrcadel- x Λ

- 15 4.

Způsob podle nároku 3, s e tím

6.

že jak horní, elektricky posunovatelná vrstva, elektricky posunovatelná vrstva je vyrobena graficky asymetrického materiálu.

Způsob podle nároku 4, že krystalografickým materiálem

Způsob podle nároku 3, je ZnO.

že? jak horní, elektricky posunovatelná vrstva, tak i dolní.

krystalotím tak i dolní, elektricky posunovatelná vrstva je utvořena tak, aby její tloušťka byla v rozsahu od 0,1 do 2 um.

Způsob podle nároku 3, vyznačující s e tím, že jak horní, elektricky posunovatelná vrstva, tak 1 dolní, elektricky posunovatelná vrstva je? utvořena s použitím způsobu vakuového odpařování nebo rozprašovacího způsobu.

Způsob podle nároku 3, v y z n a č u j í c í se tím že tenká pomocná vrstva je vyrobena z oxidu nebo polymeru.

9.

Způsob podle? nároku 3, vyznačující se? tím, že tenká pomocná vrstva je utvořena s použitím způsobu vakuového odpařování nebo rozprašovacího způsobu tehdy, když je tato tenká pomocná vrstva zhotovována z oxidu, a s použitím způsobu odstředivého nanášení povlaku tehdy, když je tato tenká pomocná vrstva vyrobena z polymeru.

10 .

Způsob podle? nároku 3, vyznačující se tím, první, tenká elektrodová vrstva, druhá, tenká elektrodová vrstva a prostřední, tenká elektrodová vrstva jsou utvořeny s použitím rozprašovacího způsobu nebo vakuového odpařovacího způsobu.

11 .

Způsob podle nároku 3. vyznačující se tím, že druhá, tenká elektrodová vrstva, prostřední elektrodová vrstva a první, tenká elektrodová vrstva jsou utvořeny tak, že mají tloušťku v rozsahu od 0,1 do 2 um.