CZ294871B6 - Oboustranně řiditelný tyristor - Google Patents
Oboustranně řiditelný tyristor Download PDFInfo
- Publication number
- CZ294871B6 CZ294871B6 CZ19981556A CZ155698A CZ294871B6 CZ 294871 B6 CZ294871 B6 CZ 294871B6 CZ 19981556 A CZ19981556 A CZ 19981556A CZ 155698 A CZ155698 A CZ 155698A CZ 294871 B6 CZ294871 B6 CZ 294871B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- region
- cathode
- regions
- thyristor
- anode
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/141—Anode or cathode regions of thyristors; Collector or emitter regions of gated bipolar-mode devices, e.g. of IGBTs
- H10D62/148—Cathode regions of thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D18/00—Thyristors
- H10D18/80—Bidirectional devices, e.g. triacs
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
Oboustranně řiditelný tyristor obsahuje v polovodičovém tělese mezi první hlavní plochou (2) a druhou hlavní plochou (3) první tyristorovou strukturu s první anodovou oblastí (4), s první n-bází (5), s první p-bází (6), s první katodovou oblastí (7) a s první centrální hradlovou oblastí (8), a antiparalelně s ní druhou tyristorovou strukturu s druhou anodovou oblastí (9), s druhou n-bází (10), s druhou p-bází (11), s druhou katodovou oblastí (12) a s druhou centrální hradlovou oblastí (13). První anodová oblast (4), druhá katodová oblast (12) a druhá centrální hradlová oblast (13) jsou přiřazeny první hlavní ploše (2) a druhá anodová oblast (9), první katodová oblast (7) a první centrální hradlová oblast (8) jsou přiřazeny druhé hlavní ploše (3). Na obou hlavních plochách (2, 3) obsahuje vždy jednu dělicí oblast (14), která je uspořádána mezi oběma tyristorovými strukturami mezi první anodovou oblastí (4) a druhou katodovou oblastí (12) a mezi druhou anodovou oblastí (9) a první katodovou oblastí (7). Tyristor dále obsahuje první zkratové oblasti (16), které zkratují první p-bázi (6) a druhou p-bázi (11) skrz první katodovou oblast (7), popřípadě druhou katodovou oblast (12), prostřednictvím pokovení, překrývajícího tyto katodové oblasti (7, 12). Počet prvních zkratových oblastí (16) na plošnou jednotku se směrem k dělicí oblasti (14) zvětšuje a těsně u dělicí oblasti (14) dosahuje maximální hodnoty.ŕ
Description
Oblast techniky
Vynález se týká oboustranně řiditelného tyristoru, obsahujícího v polovodičovém tělese mezi první hlavní plochou a druhou hlavní plochou první tyristorovou strukturu s první anodovou oblastí, s první n-bází, s první p-bází, s první katodovou oblastí a s první centrální hradlovou oblastí, a antiparalelně s ní druhou tyristorovou strukturu s druhou anodovou oblastí, s druhou nbází, s druhou p-bází, s druhou katodovou oblastí a s druhou centrální hradlovou oblastí, přičemž první anodová oblast, druhá katodová oblast a druhá centrální hradlová oblast jsou přiřazeny první hlavní ploše a druhá anodová oblast, první katodová oblast a první centrální hradlová oblast jsou přiřazeny druhé hlavní ploše, dále na obou hlavních plochách vždy jednu dělicí oblast, která je uspořádána mezi oběma tyristorovými strukturami mezi první anodovou oblastí a druhou katodovou oblastí a mezi druhou anodovou oblastí a první katodovou oblastí, jakož i první zkratové oblasti, které zkratují první p-bázi a druhou p-bázi skrz první katodovou oblast, popřípadě druhou katodovou oblast, prostřednictvím pokovení, překrývajícího tyto katodové oblasti.
Dosavadní stav techniky
Tyristor výše uvedeného druhuje popsán například ve spise DE 44 39 012 Al. Jedná se přitom o oboustranně řiditelný tyristor, u něhož jsou v jednom polovodičovém substrátu integrovány dvě antiparalelně zapojené tyristorové struktury. Tyto tyristorové struktury jsou na plochách součástí odděleny vždy jednou dělicí oblastí, která má s výhodou sníženou životnost nosičů nábojů. Dělicí oblast mezi tyristorovými strukturami je nutná zejména ze dvou důvodů. Předně při zapnutí jedné z tyristorových struktur by neměly vznikat žádné parazitní proudové dráhy k druhé tyristorové struktuře, avšak ani při komutaci by nemělo docházet ke vzájemnému působení mezi oběma tyristorovými strukturami. Toto známé řešení může být sice v mnoha případech postačující, avšak nežádoucí migraci nosičů nábojů z jedné již sepnuté tyristorové struktury do druhé ještě nesepnuté tyristorové struktury může být blokující tyristorová struktura zničena lokálním nekontrolovatelným sepnutím.
Podstata vynálezu
Úkolem vynálezu je vytvořit oboustranně řiditelný tyristor, který se vyznačuje zlepšeným oddělením obou tyristorových struktur. Zejména by nemělo docházet k nekontrolovanému spínání blokující struktury nežádoucí migrací nosičů nábojů.
Uvedený úkol splňuje oboustranně řiditelný tyristor, obsahující v polovodičovém tělese (a) mezi první hlavní plochou a druhou hlavní plochou první tyristorovou strukturu s první anodovou oblastí, s první n-bází, s první p-bází, s první katodovou oblastí a s první centrální hradlovou oblastí, a antiparalelně s ní druhou tyristorovou strukturu s druhou anodovou oblastí, s druhou n-bází, s druhou p-bází, s druhou katodovou oblastí a s druhou centrální hradlovou oblastí, přičemž první anodová oblast, druhá katodová oblast a druhá centrální hradlová oblast jsou přiřazeny první hlavní ploše a druhá anodová oblast, první katodová oblast a první centrální hradlová oblast jsou přiřazeny druhé hlavní ploše, (b) na obou hlavních plochách vždy jednu dělicí oblast, která je uspořádána mezi oběma tyristorovými strukturami mezi první anodovou oblastí a druhou katodovou oblastí a mezi druhou anodovou oblastí a první katodovou oblastí, jakož i
- 1 CZ 294871 B6 (c) první zkratové oblasti, které zkratují první p-bázi a druhou p-bázi skrz první katodovou oblast, popřípadě druhou katodovou oblast, prostřednictvím pokovení, překrývajícího tyto katodové oblasti, podle vynálezu, jehož podstatou je, že počet prvních zkratových oblastí na plošnou jednotku se směrem k dělicí oblasti zvětšuje a těsně u dělicí oblasti dosahuje maximální hodnoty.
Druhá zkratová oblast je s výhodou provedena souvislá ve tvaru přímky a probíhá u prvních zkratových oblastí podél dělicích oblastí, mezi katodovými oblastmi a dělicími oblastmi.
Kolem první centrální hradlové oblasti a druhé centrální hradlové oblasti je mezi těmito hradlovými oblastmi a sousedními anodovými oblastmi s výhodou upravena v podstatě zvlášť vysoce ohmická oblast v podstatě ve tvaru podkovy, přičemž otvor podkovy je přivrácen k první katodové oblasti, popřípadě k druhé katodové oblasti. Oblast ve tvaru podkovy přispívá rovněž k tomu, že nosiče nábojů, přítomné v obvodu hradlo-katoda, se nemohou pohybovat po žádné parazitní dráze mezi hradlovou oblastí a anodovou oblastí druhé tyristorové struktury téže hlavní plochy.
Každá tyristorová struktura obsahuje s výhodou zesilující hradlovou přípojnou strukturu, která vychází z příslušné centrální hradlové oblasti a je na první hlavní ploše, popřípadě druhé hlavní ploše, integrována do příslušné katodové oblasti, přičemž úhel mezi dělicími oblastmi a hradlovými přípojnými strukturami je větší než nula a zejména má hodnotu v podstatě 45°.
Okraje centrálních hradlových oblastí, přivrácené ke katodovým oblastem, jsou s výhodou nasměrovány přesně na anodové oblasti příslušné tyristorové struktury.
Dělicí oblasti probíhají s výhodou diametrálně a mají šířku asi 10 difuzních délek minoritních nosičů nábojů.
Oblast ve tvaru podkovy je s výhodou vytvořena leptáním.
Oblast ve tvaru podkovy je s výhodou vytvořena implantací části dotovacích látek, tvořících pbáze.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález bude dále blíže objasněn na příkladech provedení podle přiložených výkresů, na nichž obr. 1 znázorňuje pohled shora na tyristor podle vynálezu, obr. 2 pohled zdola na tyristor podle vynálezu, obr. 3 řez podél čáry A-A z obr. 1 tyristorem podle vynálezu a obr. 4 řez podél čáry B-B z obr. 1 tyristorem podle vynálezu.
Příklady provedení vynálezu
Obr. 1 znázorňuje tyristor 1 podle vynálezu při pohledu shora. V polovodičovém tělese jsou mezi první hlavní plochou 2, označovanou též jako horní, a druhou hlavní plochou 3, označovanou též jako dolní, která je vidět na obr. 2, uspořádány dvě tyristorové struktury. Shora jsou vidět první
-2CZ 294871 B6 anodová oblast 4 první tyristorové struktury, druhá katodová oblast 12 druhé tyristorové struktury, druhá centrální hradlová oblast 13 druhé tyristorové struktury, okrajový uzávěr 18 a zesilující hradlová přípojná struktura 15 ve tvaru prstů. Mezi tyristorovými strukturami je uspořádána dělicí oblast 14. Tato dělicí oblast 14 je provedena zvlášť vysoce ohmická a její oblast 19 ve tvaru podkovy obklopuje druhou centrální hradlovou oblast 13. V části druhé katodové oblasti 12 jsou upraveny první zkratové oblasti 16, které jsou vidět pouze na vyobrazeních v řezu. Aby se zabránilo nežádoucí migraci nosičů nábojů z již sepnuté tyristorové struktury na jinou ještě nesepnutou, což by mohlo vyvolat nekontrolované sepnutí ještě nesepnuté tyristorové struktury, zvětšuje se počet prvních zkratových oblastí 16 směrem k dělicí oblasti 14. Tento počet dosahuje u hranice s dělicí oblastí 14 maximální hodnoty, přičemž tato hranice je s výhodou tvořena druhou zkratovou oblastí 17 ve tvaru přímé linie, probíhající podél dělicí oblasti 14.
Na obr. 2 je tyristor 1 znázorněn při pohledu zespodu. Na druhé hlavní ploše 3 jsou vidět druhá anodová oblast 9 druhé tyristorové struktury, první katodová oblast 7 první tyristorové struktury, první centrální hradlová oblast 8 první tyristorové struktury, oblast okrajového uzávěru 18 a zesilující hradlová přípojná struktura 15. Mezi tyristorovými strukturami je rovněž upravena dělicí oblast 14. Tato dělicí oblast 14 je rovněž vytvořena kolem první centrální hradlové oblasti 8 ve tvaru podkovy a je provedena jako zvlášť vysoce ohmická. V první katodové oblasti 7 jsou rovněž upraveny první zkratové oblasti 16, které jsou viditelné pouze na vyobrazeních v řezu. Aby se zabránilo nežádoucí migraci nosičů nábojů z již sepnuté tyristorové struktury na jinou ještě nesepnutou, což by mohlo vyvolat nekontrolované sepnutí ještě nesepnuté tyristorové struktury, zvětšuje se i zde počet prvních zkratových oblastí 16 směrem k dělicí oblasti 14. Tento počet dosahuje u hranice s dělicí oblastí 14 maximální hodnoty, přičemž tato hranice je rovněž s výhodou tvořena druhou zkratovou oblastí 17 ve tvaru přímky, probíhající podél dělicí oblasti 14. Dělicí oblast 14 probíhá diametrálně na obou hlavních plochách 2 a 3 a má šířku asi 10 difuzních délek minoritních nosičů nábojů.
Na obr. 1 a 2 je kromě toho znázorněna ještě zesilující hradlová přípojná struktura 15. Tato zesilující hradlová přípojná struktura 15 nemá, na rozdíl od dosavadního stavu techniky uvedeného v úvodu, žádnou část, která by probíhala podél dělicí oblasti 14, nýbrž hradlové přípojné struktury 15 svírají s dělicí oblastí 14 úhel, který je alespoň větší než nula a jeho hodnota činí s výhodou 45°. Tím hradlová přípojná struktura 15 na jedné straně zajišťuje účinnou spínací reakci, na druhé straně však brání nežádoucímu sepnutí v oblasti mezi oběma tyristorovými strukturami.
Obr. 3 znázorňuje část tyristoru podle vynálezu v řezu podél čáry A-A z obr. 1. Je zřetelně vidět, jak je druhá zkratová oblast 17 uspořádána na obou hlavních plochách 2 a 3 podél dělicí oblasti 14. Druhá zkratová oblast 17 může být, jak je znázorněno, z výrobních důvodů uspořádána v mírném odstupu od sousední katodové oblasti 12, 7. Plošná hustota, to znamená počet prvních zkratových oblastí 16 na plošnou jednotku, se uvnitř odpovídající katodové oblasti 7, 12 směrem k souvislé druhé zkratové oblasti 17 ve tvaru přímky zvětšuje. První zkratové oblasti 16 a druhá zkratová oblast 17 zkratují první p-bázi 6 a druhou p-bázi 11 skrz první katodovou oblast 7, popřípadě druhou katodovou oblast 12, pokovením, které pro přehlednost není znázorněno, a které překrývá katodovou oblast 7, 12. Vyšší počet prvních zkratových oblastí 16 směrem k dělicí oblasti 14 a zejména i souvislá druhá zkratová oblast 17 ve tvaru přímky zaručují, že při vypnutí se nosiče nábojů odstraní dostatečně rychle a může se zabránit nekontrolovanému sepnutí, vedoucímu k destrukci. Proto případné nosiče nábojů neodcházejí přes katodovou oblast 7, 12, nýbrž zkraty. Proto nemohou ani způsobit žádné nekontrolované sepnutí.
Zmíněné p-báze 6 a 11 jsou dimenzovány jako souvislé vrstvy, do nichž jsou nadifundovány více dotované anodové oblasti 4, 9 emitoru. Dělicí oblasti 14 jsou vytvořeny na obou stranách částmi p-bází 6,11, vyskytujícími se na povrchu.
-3 CZ 294871 B6
Z obr. 1 a 2 je dále patrná ve tvaru podkovy provedená oblast 19 dělicí oblasti 14, která obklopuje centrální hradlovou oblast 8, 13. Otevřený konec podkovy je přivrácen k první katodové oblasti 7, popřípadě k druhé katodové oblasti 12. Oblast 19 ve tvaru podkovy zesiluje dělicí účinek mezi oběma tyristorovými strukturami a brání tomu, aby nosiče nábojů, nacházející se v obvodu, obsahujícím centrální hradlovou oblast 8, 13 a katodovou oblast 7, 12, nesledovaly parazitní proudový obvod mezi kontaktem centrální hradlové oblasti 8, 13 a anodovou oblastí 4, 9 druhé tyristorové struktury téže hlavní plochy 2, 3. Vyššího odporu je možno dosáhnout leptáním existujícího dotovacího profilu nebo selektivní implementací vhodné dotovací látky, skryté v oblasti 19.
Tvar centrálních hradlových oblastí 8 a 13 je podlouhlý a zasahuje do katodových oblastí 7 a 12. Konec centrální hradlové oblasti 8 a 13, který se nachází nejblíže k příslušné katodové oblasti 7, 12, je uspořádán přesně nad anodovou oblastí 4 a 9 téže tyristorové struktury. Toto přesné ustavení přispívá rovněž ke zlepšenému oddělení obou tyristorových struktur a zejména zaručuje reprodukovatelné vlastnosti polovodičových prvků.
Obr. 4 znázorňuje řez podél čáry B-B z obr. 1. Je zřetelně vidět, jak mezi centrálními hradlovými oblastmi 13 a 8 a sousedními anodovými oblastmi 4 a 9 vystupuje p-báze 6 a 11 na povrch a tvoří dělicí oblast 19 ve tvaru podkovy. Tyto p-báze 6 a 11 obsahují p-dotovanou vrstvu 22, která je dotována přídavně k dotování p-bází 6 a 11 a je celoplošně vytvořena až do oblasti, na níž je vytvořena oblast 19 ve tvaru podkovy. Toto přídavné dotování p-dotované vrstvy 22 v podstatě určuje vodivost p-bází 6 a 11. Dělicí oblast 19 ve tvaru podkovy je provedena jako vysoce ohmická, protože přídavné dotování je v této dělicí oblasti 19 ve tvaru podkovy vypuštěno. Toho je možno dosáhnout leptáním existujícího dotovacího profilu nebo selektivní implementací pdotované vrstvy 22, skryté v požadované oblasti. Na konci centrální hradlové oblasti 8, 13, který je protilehlý k dělicí oblasti 19 ve tvaru podkovy, je upravena n-dotovaná pomocná katoda 20 ap+ dotovaná kontaktní oblast 24. Následuje katodová oblast 12 s prvními zkratovými oblastmi 16, jejichž hustota, neboli počet, se, jak již bylo uvedeno, směrem ke středu polovodičové součástky zvětšuje.
Celkově vznikne tyristor vodivý v obou směrech, u něhož je podstatně zlepšeno vzájemné oddělení obou tyristorových struktur, takže může být s jistotou použit v každé provozní situaci.
Claims (8)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Oboustranně řiditelný tyristor, obsahující v polovodičovém tělese (a) mezi první hlavní plochou (2) a druhou hlavní plochou (3) první tyristorovou strukturu s první anodovou oblastí (4), s první n-bází (5), s první p-bází (6), s první katodovou oblastí (7) as první centrální hradlovou oblastí (8), a antiparalelně s ní druhou tyristorovou strukturu s druhou anodovou oblastí (9), s druhou n-bází (10), s druhou p-bází (11), s druhou katodovou oblastí (12) a s druhou centrální hradlovou oblastí (13), přičemž první anodová oblast (4), druhá katodová oblast (12) a druhá centrální hradlová oblast (13) jsou přiřazeny první hlavní ploše (2) a druhá anodová oblast (9), první katodová oblast (7) a první centrální hradlová oblast (8) jsou přiřazeny druhé hlavní ploše (3), (b) na obou hlavních plochách (2, 3) vždy jednu dělicí oblast (14), která je uspořádána mezi oběma tyristorovými strukturami mezi první anodovou oblastí (4) a druhou katodovou oblastí (12) a mezi druhou anodovou oblastí (9) a první katodovou oblastí (7), jakož i-4CZ 294871 B6 (c) první zkratové oblasti (16), které zkratují první p-bázi (6) a druhou p-bázi (11) skrz první katodovou oblast (7), popřípadě druhou katodovou oblast (12), prostřednictvím pokovení, překrývajícího tyto katodové oblastí (7, 12), vyznačující se tím, že počet prvních zkratových oblastí (16) na plošnou jednotku se směrem k dělicí oblasti (14) zvětšuje a těsně u dělicí oblasti (14) dosahuje maximální hodnoty.
- 2. Oboustranně řiditelný tyristor podle nároku 1, vyznačující se tím, že druhá zkratová oblast (17) je provedena ve tvaru souvislé přímé linie a probíhá u prvních zkratových oblastí (16) podél dělicích oblastí (14), mezi katodovými oblastmi (7, 12) a dělicími oblastmi (14).
- 3. Oboustranně řiditelný tyristor podle jednoho z nároků 1 nebo 2, vyznačující se tí m , že kolem první centrální hradlové oblasti (8) a druhé centrální hradlové oblasti (13) je mezi těmito hradlovými oblastmi (8, 13) a sousedními anodovými oblastmi (4, 9) upravena v podstatě zvlášť vysoce ohmická oblast (19) v podstatě ve tvaru podkovy, přičemž otevřený konec podkovy je přivrácen k první katodové oblasti (7), popřípadě k druhé katodové oblasti (12).
- 4. Oboustranně řiditelný tyristor podle jednoho z předcházejících nároků, vyznačující se tím, že každá tyristorová struktura obsahuje zesilující hradlovou přípojnou strukturu (15) ve tvaru prstů, která vychází z příslušné centrální hradlové oblasti (8, 13) a je na první hlavní ploše (2), popřípadě druhé hlavní ploše (3), integrována do příslušné katodové oblasti (7, 12), přičemž úhel mezi dělicími oblastmi (14) a hradlovými přípojnými strukturami (15) je větší než nula a zejména má hodnotu v podstatě 45°.
- 5. Oboustranně řiditelný tyristor podle jednoho z předcházejících nároků, vyznačující se tím, že okraje centrálních hradlových oblastí (8, 13), přivrácené ke katodovým oblastem (7, 12), jsou nasměrovány přesně na anodové oblasti (4, 9) příslušné tyristorové struktury.
- 6. Oboustranně řiditelný tyristor podle jednoho z předcházejících nároků, vyznačující se tím, že dělicí oblasti (14) probíhají diametrálně a mají šířku asi 10 difuzních délek minoritních nosičů nábojů.
- 7. Oboustranně řiditelný tyristor podle jednoho z nároků 3 až 6, vyznačující se tím, že oblast (19) ve tvaru podkovy je vytvořena leptáním.
- 8. Oboustranně řiditelný tyristor podle jednoho z nároků 3 až 6, vyznačující se t í m , že oblast (19) ve tvaru podkovy je vytvořena implantací části dotovacích látek, tvořících p-báze (6, 11).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19721365A DE19721365A1 (de) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Beidseitig steuerbarer Thyristor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ155698A3 CZ155698A3 (cs) | 1998-12-16 |
| CZ294871B6 true CZ294871B6 (cs) | 2005-04-13 |
Family
ID=7830146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ19981556A CZ294871B6 (cs) | 1997-05-22 | 1998-05-20 | Oboustranně řiditelný tyristor |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6078065A (cs) |
| EP (1) | EP0880182B1 (cs) |
| JP (1) | JP4585632B2 (cs) |
| CN (1) | CN1155098C (cs) |
| CZ (1) | CZ294871B6 (cs) |
| DE (2) | DE19721365A1 (cs) |
| RU (1) | RU2194339C2 (cs) |
| UA (1) | UA57716C2 (cs) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2815471B1 (fr) * | 2000-10-12 | 2003-02-07 | St Microelectronics Sa | Composant vertical a tenue en tension elevee |
| WO2016096956A1 (en) | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Abb Technology Ag | Bidirectional power semiconductor device |
| US10297684B2 (en) * | 2017-09-29 | 2019-05-21 | Nxp Usa, Inc. | Bidirectional power MOSFET structure with a cathode short structure |
| EP3766101B1 (en) * | 2018-02-13 | 2021-07-21 | ABB Power Grids Switzerland AG | Bidirectional thyristor device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5013634B1 (cs) * | 1970-12-29 | 1975-05-21 | ||
| US3792320A (en) * | 1972-05-22 | 1974-02-12 | J Hutson | Semiconductor switch devices having improved shorted emitter configurations |
| CH609714A5 (en) * | 1974-07-15 | 1979-03-15 | Agfa Gevaert Ag | Process for the production of a hydrophilic surface on silicone rubber mouldings |
| US4063277A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-13 | Rca Corporation | Semiconductor thyristor devices having breakover protection |
| CH598696A5 (cs) * | 1976-10-08 | 1978-05-12 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| JPS5749269A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Bidirectional thyristor |
| JPS59132167A (ja) * | 1983-01-18 | 1984-07-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| SU1574122A1 (ru) * | 1985-09-13 | 1997-02-27 | Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина | Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением |
| EP0438700A1 (de) * | 1990-01-25 | 1991-07-31 | Asea Brown Boveri Ag | Abschaltbares, MOS-gesteuertes Leistungshalbleiter-Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE4439012A1 (de) * | 1994-11-02 | 1996-05-09 | Abb Management Ag | Zweirichtungsthyristor |
-
1997
- 1997-05-22 DE DE19721365A patent/DE19721365A1/de not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-03-05 RU RU98104021/28A patent/RU2194339C2/ru active
- 1998-03-20 CN CNB981041965A patent/CN1155098C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-24 US US09/046,522 patent/US6078065A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 DE DE59814199T patent/DE59814199D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-14 EP EP98810444A patent/EP0880182B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-15 JP JP13250198A patent/JP4585632B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-20 CZ CZ19981556A patent/CZ294871B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 UA UA98052680A patent/UA57716C2/uk unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| UA57716C2 (uk) | 2003-07-15 |
| JPH118377A (ja) | 1999-01-12 |
| EP0880182A2 (de) | 1998-11-25 |
| JP4585632B2 (ja) | 2010-11-24 |
| EP0880182A3 (de) | 1999-10-27 |
| EP0880182B1 (de) | 2008-03-26 |
| US6078065A (en) | 2000-06-20 |
| CN1155098C (zh) | 2004-06-23 |
| RU2194339C2 (ru) | 2002-12-10 |
| DE19721365A1 (de) | 1998-11-26 |
| DE59814199D1 (de) | 2008-05-08 |
| CN1200576A (zh) | 1998-12-02 |
| CZ155698A3 (cs) | 1998-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100687079B1 (ko) | 바이폴라 ｍｏｓｆｅｔ 디바이스 | |
| US4821095A (en) | Insulated gate semiconductor device with extra short grid and method of fabrication | |
| EP0990268B1 (en) | Latch-up free power mos-bipolar transistor | |
| US6118150A (en) | Insulated gate semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US11276757B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP7805428B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN116601773A (zh) | 用于半导体装置的边缘终止结构 | |
| EP4053915B1 (en) | Gate-commuted thyristor cell with a base region having a varying thickness | |
| JP2022015727A (ja) | 半導体装置、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機 | |
| US20240297247A1 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method for producing same | |
| KR890011026A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| CZ294871B6 (cs) | Oboustranně řiditelný tyristor | |
| US4137545A (en) | Gate turn-off thyristor with anode rectifying contact to non-regenerative section | |
| US5014101A (en) | Semiconductor IGBT with improved turn-off switching time | |
| US7071503B2 (en) | Semiconductor structure with a switch element and an edge element | |
| US5894141A (en) | Bipolar semiconductor power controlling devices with heterojunction | |
| JP4042617B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
| US20250113532A1 (en) | Transistor device with an edge termination structure and method | |
| JP7636435B2 (ja) | 電気接点領域用のバリア層 | |
| EP4386857A1 (en) | A triac device with high commutating capability | |
| JPH0786567A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH025016B2 (cs) | ||
| IE48892B1 (en) | Solid state switching device | |
| JPS621263B2 (cs) | ||
| WO2026059766A1 (en) | Power semiconductor devices including deep shielding regions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD00 | Pending as of 2000-06-30 in czech republic | ||
| MK4A | Patent expired |
Effective date: 20180520 |