CZ306250B6 - Způsob pasivace povrchu tantalového kovu a zařízení k provádění způsobu - Google Patents
Způsob pasivace povrchu tantalového kovu a zařízení k provádění způsobu Download PDFInfo
- Publication number
- CZ306250B6 CZ306250B6 CZ2013-807A CZ2013807A CZ306250B6 CZ 306250 B6 CZ306250 B6 CZ 306250B6 CZ 2013807 A CZ2013807 A CZ 2013807A CZ 306250 B6 CZ306250 B6 CZ 306250B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- oxygen
- tantalum
- argon
- heat treatment
- containing gas
- Prior art date
Links
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 312
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 252
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 168
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 168
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 168
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 137
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 126
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 116
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 73
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 90
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 32
- 238000005273 aeration Methods 0.000 claims description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 92
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 58
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 17
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 8
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100536354 Drosophila melanogaster tant gene Proteins 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- GWPLDXSQJODASE-UHFFFAOYSA-N oxotantalum Chemical compound [Ta]=O GWPLDXSQJODASE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- APLLYCDGAWQGRK-UHFFFAOYSA-H potassium;hexafluorotantalum(1-) Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[Ta+5] APLLYCDGAWQGRK-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- -1 rare earth alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
- C23C8/12—Oxidising using elemental oxygen or ozone
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Způsob pasivace povrchu tantalového prášku ochlazení tantalového kovu na teplotu 32 .degree.C a pasivaci povrchu tantalového kovu plynem obsahujícím kyslík o teplotě 0 .degree.C nebo nižší. Zařízení pro provádění způsobu pasivace povrchu tantalového kovu obsahuje pec pro tepelné zpracování a zařízení pro nucené chlazení argonu a/nebo zařízení pro chlazení plynu obsahujícího kyslík.
Description
Způsob pasivace povrchu tantalového kovu a zařízení k provádění způsobu
Oblast techniky
Předložený vynález se týká oblasti výroby tantalového kovu, a zejména způsobu a zařízení na výrobu tantalového prášku nebo porézního tantalového kovu pro elektrolytický kondenzátor.
Dosavadní stav techniky
Tantalový kov se zejména používá pro výrobu tantalových elektrolytických kondenzátorů. Avšak způsob výroby tantalových elektrolytických kondenzátorů obvykle obsahuje lisování tantalového prášku do výlisku, slinování výlisku ve vakuové peci do porézního tělesa, ve kterém jsou částice vzájemně spojeny, podrobení porézního aglomerátu anodické oxidaci ve vhodném elektrolytu, aby se vytvořil homogenní, vzájemně spojený dielektrický oxidační film na povrchu porézních částic, tj. vytvořila se anoda, pokrývající kationaktivní materiál na povrchu oxidového filmu, a potom se obalila a vytvořila anoda a katoda kondenzátorů. Parametry použité pro zhodnocení tantalových elektrolytických kondenzátorů zejména obsahují kapacitní odpor, DC (svodový stejnosměrný proud) a ekvivalentní sérii odporů (ESR). Vývojová tendence kondenzátorů je to, aby měly vysokou kapacitu, nízký svodový proud a nízký ekvivalent sérií odporů (nízký tg6 anody). Množství nečistot v hladině tantalového prášku kondenzátorů, který je hlavním výchozím produktem tantalových elektrolytických kondenzátorů, zejména množství kyslíku, má největší vliv na svodový proud. Nízký svodový proud vyžaduje, aby tantalový prášek měl nízký obsah kyslíku.
Obvykle by měly být tantalové prášky pro elektrolytické kondenzátory vystaveny tepelnému zpracování, za účelem vyčištění tantalových prášků na jedné straně a kondenzaci tantalových mikročástic do porézních částic na druhé straně, tak aby se zlepšily fyzikální vlastnosti, jako je tekutost tantalových prášků, a tak aby se zlepšily vlastnosti elektrolytických kondenzátorů vyrobených z nich, jako je kapacita, svodový proud a ekvivalentní série odporů (ESR) kondenzátorů. Patent US 3 473 915 popisuje tepelné zpracování tantalových prášků, obsahující tepelnou kondenzaci 2 až 30 pm tantalových prášků při 1200 až 1500 °C pod inertní atmosférou, aby se vytvořily mnohonásobně spojené porézní částice, aby se tak získaly kondenzované tantalové prášky. V nedávných několika desetiletích, výrobci tantalových prášků a výrobci kondenzátorů prováděli extenzivní studie tepelného zpracování tantalových prášků během vývoje tantalových prášků, majících vysokou měrnou povrchovou plochou a malých typů kondenzátorů. Stav techniky týkající se aglomerace (kondenzace) tepelného zpracování tantalových prášků lze najít v následujících patentových dokumentech: JP 2-34701, US 5 954 856, WO 99/61 184, CN 1 197 707 A, CN 1 238 251 A, CN 1 899 730 A.
Dezoxidační tepelné zpracování tantalových prášků obvykle obsahuje smíchání příslušného množství redukčního prostředku obsahujícího alkalické kovy nebo kovy vzácných zemin nebo jejich hydridy s tantalovými prášky, podrobení tepelnému zpracování při 700 až 1100 °C ve vakuu nebo inertní atmosféře, aby tantalové prášky zkondenzovaly a odstranil se kyslík. Známý stav techniky, týkající se dezoxidačního tepelného zpracování tantalových prášků lze najít v následujících patentových dokumentech. US 4 483 819, US 4 537 641, CN 1 052 070 A, atd.
Protože tantalový kov je kov, mající silnou afinitu ke kyslíku, tantal a kyslík jsou chemicky vázány na Ta2O5, což je exotermická reakce. Jestliže povrch tantalových prášků má vrstvu hustého kyslíkového filmu, tantal může být chráněn proti dalšímu zoxidování. Když se takové tantalové částice pokryté hustým kyslíkovým filmem ohřejí na teplotu nad 300 °C, oxid tantalu popraská a poškodí se, nějaký kyslík se rozpustí v tantalovém substrátu a nějaký kyslík se rozptýlí nebo koncentruje. Proto se ohřáté tantalové prášky oxidují po ochlazení směrem od povrchu a ve styku s médiem obsahujícím kyslík. Prášky adsorbují nový kyslík a obsah kyslíku se zvyšuje. Jestliže . i .
rychlost adsorpce kyslíku nemůže být účinně řízena, tantalové prášky se samočinně vznítí. Proto se vyvinula technologie pasivace tantalových prášků s řízenou oxidací. Taková pasivace tantalu znamená, že když se oxidační film tantalových prášků poškodí v kontaktu s médiem obsahujícím kyslík, rychlost přivádění kyslíku je uměle řízena, aby se řídila rychlost oxidace a teplota tantalových prášků při řízených podmínkách, aby se tak vytvořil pasivovaný oxidový film na povrchu tantalových prášků a zabránilo se prudké oxidaci. Proto tantalové prášky mající vysokou měrnou povrchovou plochu (měrná povrchová plocha nad 0,1 m2/g) by měly být podrobeny pasivaci po tepelném zpracování.
Pasivace povrchu tantalového kovu popsaná v předloženém popisu obsahuje povrchovou pasivaci tantalových prášků a povrchovou pasivaci porézního tělesa, vytvořeného slisováním tantalových prášků.
Protože elektronické součásti se vyvíjejí směrem k miniaturizaci, jsou potřeba tantalové mikročástice mající vetší měrnou povrchovou plochu. Pokud se týká tantalových prášků majících vysokou měrnou povrchovou plochu, když tantalový prášek na jednotku objemu vytvořil během pasivace více tepla, teplota tantalového prášku se během pasivace zvyšuje mnohem rychleji. Během pasivace tantalového prášku po tepelném zpracování se často zjistilo, že se teplota zvýší náhle. To je v důsledku skutečnosti, že tantalové prášky začnou oxidovat prudce, a provzdušňovací pasivace se musí okamžitě zastavit. Potom co se teplota snížila, provzdušňovací pasivace mohla pomalu pokračovat. Po pasivaci a vyprázdnění se zjistilo, že na povrchu tantalových prášků byly bílé destičky z oxidu tantalu a tantalový prášek, který neměl žádný bílý oxid tantalu, také měl vysoký obsah kyslíku. Když se pasivace přesně neřídí, tantalový prášek se může vznítit. Proto se stává obtížnou pasivace tantalového prášku a klíčová technologie pro vývoj tantalových prášků s vysokou měrnou povrchovou plochou.
Ačkoliv se povrchová plocha porézních výlisků vytvořených z tantalových prášků majících vysokou měrnou povrchovou plochu, např. tantalové výlisky na výrobu anod elektrolytických kondenzátorů, sníží po slinování, plocha porézního aglomerátu se také oxiduje a vytváří vysokou teplotu, aby se vyrobil porézní aglomerát obsahující nadměrný kyslík a tantalové dráty křehké, nebo i způsobil prudkou oxidaci porézního tantalového aglomerátu. Tantalová anoda vyrobená s takovým tantalovým aglomerátem má vysoký svodový proud. Tak porézní aglomerát vytvořený z tantalových prášků s vysokou měrnou povrchovou plochou by se měl podrobit pasivačnímu zpracování po slinování.
Známý stav obsahující US 6 927 967 B2, US 6 435 161 Bl, US 6 238 456 Bl, CN 1 919 508 A, CN 101 404 213 A, US 6 992 881 B2, US 7 485 256 B2 a CN 1 899 728 A popisuje pasivaci tantalových prášků. Avšak tento známý stav techniky vyžaduje zavedení plynu obsahujícího kyslík při pokojové teplotě do vakuové pece vystavené tepelnému zpracování a ochlazené na pokojovou teplotu nebo vyšší, aby došlo k pasivaci tantalových prášků. Takové zpracování a pasivace potřebuje dlouhou dobu a způsobuje prudkou oxidaci tantalových prášků. Čínská patentová přihláška CN 101348891 A popisuje způsob redukce kyslíku řízenou pasivaci tantalového prášku a zpracování hořčíku, kde se zpracování pasivaci provádí s použitím čistého kyslíku. Tento způsob není vhodný pro pasivaci tantalových prášků s vysokou měrnou povrchovou plochou a zpracování pasivaci spotřebuje dlouhou dobu a má nízký výnos.
V důsledku shora uvedených problémů stavu techniky je proto žádoucí vytvořit způsob a zařízení pro výrobu tantalových prášků s nízkým obsahem kyslíku a porézních tantalových aglomerátů a tento způsob a zařízení může zabránit prudké oxidaci během pasivace tantalového kovového povrchu.
. 7 CZ 306250 B6
Podstata vynálezu
Z hlediska problémů existujících u stavu techniky, cílem předloženého vynálezu je vytvořit způsob pasivace povrchu tantalového kovu, kterým se může zabránit prudké oxidaci během pasivace. Dalším cílem vynálezu je vytvořit zařízení pro provádění způsobu pasivace povrchu tantalového kovu.
Předloženým vynálezem se dosáhne shora uvedených cílů vytvořením způsobu a zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu. U tohoto způsobu se tantalový kov podrobí tepelnému zpracování a potom se ochladí a pasivace se provádí s použitím plynů obsahujících kyslík při nízké teplotě.
Zejména předložený vynález poskytuje následující technická řešení:
(1) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu, charakterizovaný tím, že obsahuje následující kroky:
(a) vytvoření tantalového kovu, který byl podroben tepelnému zpracování;
(b) snížení teploty tantalového kovu na teplotu 32 °C nebo nižší, s výhodou pod 30 °C a ještě výhodněji na 10 až 30 °C, s použitím ochlazených inertních plynů;
(c) přivedení plynu obsahujícího kyslík, pro pasivaci povrchu tantalového kovu;
(d) případné opakování kroku (c) jednou nebo vícekrát.
(2) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu, charakterizovaný tím, že obsahuje následující kroky:
(a) vytvoření tantalového kovu, který byl podroben tepelnému zpracování;
(b) snížení teploty tantalového kovu na pokojovou teplotu;
(c) přivedení plynu obsahujícího kyslík při teplotě 0 °C nebo nižší, s výhodou 0 až - 40 °C, aby se pasivoval povrch tantalového kovu; a (d) případné opakování kroku (c) jednou nebo vícekrát.
(3) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu, charakterizovaný následujícími kroky:
(a) vytvoření tantalového kovu, který byl podroben tepelnému zpracování;
(b) snížení teploty tantalového kovu na teplotu 32 °C nebo nižší, s výhodou pod 30 °C, a ještě výhodněji 10 až 30 °C, s použitím ochlazených inertních plynů;
(c) zavedení plynu obsahujícího kyslík při teplotě 0 °C nebo nižší a s výhodou 0 až - 40 °C, aby se pasivoval povrch tantalového kovu.; a (d) případné opakování kroku (c) jednou nebo vícekrát.
(4) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle technického řešení (1) nebo (2) nebo (3), charakterizovaný tím, že plyn obsahující kyslík je vzduch, směsný plyn inertního plynu a kyslíku, nebo směsný plyn inertního plynu a vzduchu.
(5) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle technického řešení (1) nebo (2) nebo (3) charakterizovaný tím, že plyn obsahující kyslík je směsný plyn z argonu a vzduchu.
(6) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle technického řešení (1) nebo (2)nebo (3), charakterizovaný tím, že koncentrace kyslíku v plynu obsahujícím plyn je 21 % obj. nebo nižší, s výhodou 5 až 20 % obj.
(7) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle technického řešení (1) nebo (3), charakterizovaný tím, že inertní plyn je argon.
(8) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahující pec pro tepelné zpracování a zařízení pro nucené chlazení argonu, kde pec pro tepelné zpracování obsahuje: nístěj, plášť
-3CZ 306250 B6 s vodou chlazeným opláštěním tvořící nístěj, přívod pasivačního vzduchu obsahujícího kyslík, přívod argonu, vstupujícího do nístěje, výstup argonu umístěný v horní části pece pro tepelné zpracování, topné těleso uspořádané v nístěji a tyglík pro tepelné zpracování pro umístění zpracovávaného tantalového kovu; zařízení pro nucené chlazení argonem obsahuje chladič, výměníkovou komoru tepla, přívod ochlazovaného argonu, výstup ochlazovaného argonu a cirkulační čerpadlo;
kde přívod ochlazovaného argonu je připojen k výstupu argonu v horní části nístěje pece pro tepelné zpracování; během pasivačního zpracování argon o vysoké teplotě v peci pro tepelné zpracování vychází z výstupu argonu, prochází spojovacím potrubím ochlazovaný chladicí vodou na obvodu, a vstupuje do výměníkové komory zjedné strany výměníkové komory; ve výměníkové komoře se vstupující argon ochlazuje, a potom vychází z výstupu argonu na druhé straně výměníkové komory a přivádí se do cirkulačního čerpadla, ochlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem a prochází spojovacím potrubím do pece pro tepelné zpracování z přívodu argonu ve spodní části pece pro tepelné zpracování, aby se redukoval pasivovaný tantalový kov na teplotu 32 °C nebo nižší, aby se pasivoval plynem obsahujícím kyslík.
(9) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahující pec pro tepelné zpracování a chladicí systém pro plyny obsahující kyslík, kde pec pro tepelné zpracování obsahuje: nístěj, plášť s vodou chlazeným opláštěním tvořící tuto nístěj, přívod plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci vnitřku nístěje, odsávací trubky, topné těleso uspořádané uvnitř nístěje a tyglík pro tepelné zpracování pro umístění zpracovávaného tantalového kovu; chladicí systém plynů obsahujících kyslík obsahuje: chladič, výměníkovou komoru, přívod plynů obsahujících kyslík spojený s jednou stranou výměníkové komory, přívod argonu, a výstup plynů obsahujících kyslík spojený s druhou stranou výměníkové komory;
kde, během zpracování pasivaci, plyny obsahující kyslík a argon se přivádějí ze svých příslušných přívodů do výměníkové komory a smíchají se, smísené plyny se ochladí na teplotu pod 0 °C výměnou tepla s trubkou média ve výměníkové komoře, ochlazené plyny obsahující kyslík vycházejí zjiného výstupu plynů obsahujících kyslík z výměníkové komory, procházejí tepelně izolačními potrubími a přivádějí se do pece pro tepelné zpracování z horní části pece pro tepelné zpracování pro pasivaci pasivovaného tantalového kovu.
(10) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahující pec pro tepelné zpracování, zařízení pro nucené chlazení argonu, a chladicí systém pro plyn obsahující kyslík, kde pec pro tepelné zpracování obsahuje: nístěj, plášť s vodou chlazeným opláštěním tvořící tuto nístěj, přívod plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, aby se přivedl do nístěje, přívod argonu přiváděného do nístěje, výstup argonu, umístěný v horní části pece pro tepelné zpracování, topné těleso uspořádané uvnitř nístěje a tyglík pro tepelné zpracování pro umístění zpracovávaného tantalového kovu;
zařízení pro nucené chlazení argonu obsahuje chladič, výměníkovou komoru, přívod ochlazovaného argonu, výstup ochlazeného argonu a cirkulační čerpadlo; kde přívod ochlazovaného argonu je spojen s výstupem argonu na horní části nístěje pece pro tepelné zpracování, během zpracování pasivaci argon s vysokou teplotou v peci pro tepelné zpracování vychází z výstupu argonu, prochází spojovacími potrubími ochlazovaný chladicí vodou po obvodu a vstupuje do výměníkové komory zjedné strany výměníkové komory; ve výměníkové komoře je přiváděný argon ochlazován, a potom vychází z výstupu argonu na druhé straně výměníkové komory a vede se do cirkulačního čerpadla, ochlazený argon se vytlačuje ven cirkulačním čerpadlem a přivádí se procházením přes spojovací potrubí do pece pro tepelné zpracování z přívodu argonu v dolní části pece pro tepelné zpracování, aby se redukoval pasivovaný tantalový kov na teplotu 32 °C nebo nižší; a chladicí systém plynů obsahujících kyslík obsahuje chladič, výměníkovou komoru tepla, přívod plynu obsahujícího kyslík spojený s jedním koncem výměníkové komory, přívod argonu a výstup plynu obsahujícího kyslík spojený s druhým koncem výměníkové komory; během pasivačního zpracování plyny obsahující kyslík a argon vstupují ze svých odpovídajících přívodů do výměníkové komory a směšují se, smíšené plyny se ochlazují na teplotu pod 0 °C výměnou tepla s potrubím média ve výměníkové komoře, ochlazené plyny obsahující kyslík vycházejí z výstupů na druhé straně výměníkové komory, procházejí tepelně izolačními potrubími a vstupují do pece z horní části pece pro tepelné zpracování pro pasivaci pasivovaného tantalového kovu.
(11) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu podle technického řešení (8) nebo (10), charakterizované tím, že tantalový kov se ochladí na 10 až 30 °C pomocí zařízení pro nucené chlazení argonu tak, aby se pasivoval plyny obsahujícími kyslík.
(12) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu podle technického řešení (9) nebo (10) charakterizované tím, že smísené plyny se ochlazují, aby se vytvořil plyn obsahující kyslík pro pasivaci při - 40 až 0 °C.
Výhody způsobu pro pasivaci povrchu tantalového kovu jsou bezpečnost, spolehlivost a vysoký výtěžek a získané tantalové prášky mají nízký obsah kyslíku a vodíku a anody a tantalové elektrolytické kondenzátory vyrobené z tantalových prášků vykazují dobré elektrické vlastnosti.
Je nutno chápat, že shora uvedené všeobecné popisy a následující podrobný popis ve spojení s výkresy a podrobný popis výhodných příkladů jsou demonstrativní popisy, které jsou použity pro další vysvětlení nárokovaného vynálezu, neomezující vynález.
Objasnění výkresů
Obr. 1 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu podle stavu techniky.
Obr. 2 znázorňuje zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení inertního plynu podle předloženého vynálezu.
Obr. 3 znázorňuje příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu s chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu.
Obr. 4 znázorňuje příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení inertního plynu a chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu.
Obr. 5 znázorňuje jiné schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu podle stavu techniky.
Obr. 6 znázorňuje jiný příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro chlazení inertního plynu podle předloženého vynálezu.
Obr. 7 znázorňuje další příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu s chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu.
Obr. 8 znázorňuje další příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení inertního plynu a chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu.
Příklady uskutečnění vynálezu
Předložený vynález je dále popsán s odkazem na výkresy a výhodné příklady:
-5i
V popisu, jednotka ppm označuje „částice na milion založené na hmotnostním poměru, pokud to není jinak výslovně uvedeno.
Předloženým vynálezem je vytvořen způsob pasivace povrchu tantalového kovu. U způsobu podle předloženého vynálezu tantalovým kovem, který se má tepelně zpracovat a pasivovat, mohou být chemicky redukované tantalové prášky, které nebyly tepelně zpracovány, např. tantalové prášky připravené redukcí fluoridu tantalu se sodíkem, prášek surového materiálu získaný hydrogenací a mletím tantalových ingotů a tepelně zpracované tantalové prášky a porézní tantalové aglomeráty vytvořené slisováním tantalových prášků, atd. Před tepelným zpracováním jsou tantalové prášky s výhodou peletizovány, zejména podrobeny sféroidizační granulaci. Během granulace tantalových prášků každou chemickou látku prospěšnou pro řízení rychlosti smršťování tantalových prášků při vysoké teplotě slinování a snižující ztráty povrchové plochy při požadovaném poměru lze přidat jako ohnivzdorný prostředek, jako je například látka obsahující fosfor, dusík, bor, kyslík. U způsobu podle vynálezu tantalové prášky mohou být podrobeny tepelnému zpracování známými technologiemi, například, způsoby uvedenými v CN 1410 209 A, CN 1 238 251 A a CN 1 899 730 A, které jsou zde zahrnuty v odkazech.
U způsobu podle vynálezu zařízení pro nucené chlazení inertního plynu lze použít pro ochlazení tepelně zpracovávaného tantalového kovu na teplotu pod 32 °C. Inertním plynem může být argon, helium, xenon nebo jejich směs. Avšak z hlediska nákladů se pro provádění nuceného ochlazování používá přednostně argon.
Podle způsobu podle předloženého vynálezu není tvar částic tantalových prášků, které se mají tepelně zpracovat, omezen; mohou být zrnité, ploché, ve tvaru mnohoúhelníku nebo jakákoliv jejich kombinace. Měrná povrchová plocha tantalových prášků není zvláště nutná a může být 0,1 m2/g až 102/g, s výhodou 0,2 až 5 m2/g.
Dezoxidační tepelné zpracování tantalových prášků v redukční atmosféře lze provádět o sobě známými technologiemi. Obvykle lze přidat do tantalových prášků malé množství redukčního prostředku, majícího afinitu ke kyslíku větší než tantal ke kyslíku, jako jsou alkalické kovy vzácných zemin, kovy vzácných zemin a jejich hydridy; nejobvykleji se přidává do tantalových prášků prášek kovového hořčíku v množství 0,5 až ž 4 %, vztaženo k hmotnosti tantalu.
Obr. 1 je schéma zařízení 100 pro pasivaci povrchu tepelně zpracovaného tantalového kovu podle stavu techniky. Zařízení pro pasivaci povrchu tepelně zpracovaného tantalového kovu obsahuje: nístěj HO, plášť 111 s vodou chlazeným opláštěním, majícím přívod 111-1 vody a výstup 111-2 vody, plášť tvoří nístěj 110 a podtlakový tlakoměr 112 spojený s nístějí 110, přívod 120 pasivačního plynu obsahujícího kyslík vstupujícího do nístěje HO, přívod 140 argonu, odsávací potrubí 141, tepelně izolační stínítko 130 uspořádané v nístěji, topné těleso 150 uspořádané v tepelně izolačním stínítku 130, termočlánek 160 pro měření teploty, tyglík 180 pro tepelné zpracování a tantalový prášek 170, který se má v tyglíku 180 tepelně zpracovat.
Obr. 2 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení argonu podle předloženého vynálezu. Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahuje: nístěj 210, plášť 211 s vodou chlazeným opláštěním, mající přívod 211-1 vody a výstup 211-2 vody, plášť tvoří nístěj 2J_0, a podtlakový tlakoměr 212 spojený s nístějí 210, přívod plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, přívod 240 argonu, odsávací potrubí 241, tepelně izolační stínítko 230 uspořádané v nístěji 210, topné těleso 250 uspořádané v tepelně izolačním stínítku 230, termočlánek 260 pro měření teploty, tyglík 280 pro tepelné zpracování a zpracovávaný tantalový prášek 270 naplněný v tyglíku 280. Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu dále obsahuje zařízení 200A pro nucené chlazení argonu; součásti v zařízení 200A pro nucené chlazení argonu a jejich funkce jsou následující: výstup 207 v horní části pece pro tepelné zpracování, argon o vysoké teplotě vychází z výstupu 207 argonu, prochází spojovacími trubkami 208, ochlazovaný chladicí vodou na obvodu, a přivádí se do výměníkové komory 201 z přívodu 202 argonu na jedné straně výměníkové komory. Ve výměníkové komoře 201 je potrubí 204 média chlazené chladičem 200, chladič 200 umožňuje, aby chladicí médium procházelo výměníkovou komorou 201; ve výměníkové komoře 201 se argon ochladí a potom vychází z výstupu 205 a vede se do cirkulačního čerpadla 209, ochlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem 209 a přivedený prochází spojovacími trubkami do pece pro tepelné zpracování z výstupu 240 argonu ve spodní části pece pro tepelné zpracování, přičemž chladicí voda na obvodu trubky 208 vstupuje z 208-1 na jedné straně výměníkové komory vedle chladicí výměníkové komory a vychází z 208-2 vedle jedné strany pece pro tepelné zpracování, před tím než se tantalový prášek pasivuje, je nucené chlazen pomocí zařízení pro nucené chlazení argonu, aby se snížila teplota tantalového prášku na teplotu 30 °C nebo nižší, s výhodou na 10 až 30 °C, aby se účinně řídila oxidace tantalového prášku a zabránilo se prudké oxidaci tantalového prášku. Během nuceného chlazení argonem tlak systému se udržuje mezi 0,09 až 0,11 MPa přiváděním argonu do cirkulačního systému nebo odsáváním.
Obr. 3 znázorňuje zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu s chladicím systémem plynem obsahujícím kyslík pro pasivaci povrchu tantalového kovu. Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahuje: nístěj 310. plášť 311 s vodou chlazeným opláštěním, majícím přívod 3111 vody a výstup 311-2 vody, plášť tvoří nístěj 310 a podtlakový tlakoměr 312 spojený s nístějí 310, přívod 320 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci v horní části nístěje, přívod 340 argonu, odsávací trubky 341, tepelně izolační stínítko uspořádané v nístěji, topné těleso 350 uspořádané v tepelně izolačním stínítku 330, termočlánek 360 pro měření teploty, tyglík 380 pro tepelné zpracování a zpracovávaný tantalový prášek 370 obsažený v tyglíku 380. Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu dále obsahuje chladicí systém 390A plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, chladicí systém 390A plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci obsahuje: chladič 390, výměníkovou komoru 391, médium ochlazené chladičem prochází výměníkovou komorou 391; plyn obsahující kyslík a argon vstupuje z přívodu 392, a resp. přívodu 393, argonu do výměníkové komory 391 a smíchá se, potrubí 394 směsného plynu obsahujícího kyslík a chladicího média spojené s chladičem 390 se podrobí výměně tepla, ochlazený plyn obsahující kyslík vychází z výstupu 395 na druhé straně výměníkové komory 391, prochází tepelně izolačními trubkami 396 spojujícími výstup 395 a přívod 320 v horní části pece pro tepelné zpracování a vede se do nístěje 310; ve které je tlakoměr 398 spojený s výměníkovou komorou 391, teploměr 397 je uspořádán poblíž výstupu 395 plynu obsahujícího kyslík; a výstup 399 vody uspořádaný na dnu výměníku tepla 391. Když se pasivace dávky tantalového kovu dokončí, každá součást ve výměníku tepla se vyčistí s použitím horkého vzduchu, rozpuštěná voda proudí ven výstupem 399 vody. Plyny obsahující kyslík se ochladí pod 0 °C, s výhodou pod - 10 °C, ještě výhodněji na-10 °C až-40 °C.
Obr. 4 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení argonu a chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu, obsahující: nístěj 410, plášť 411 s vodou chlazeným opláštěním, majícím přívod 411-1 vody a výstup 411-2 vody, plášť tvoří nístěj 410 a podtlakový tlakoměr 412 spojený s nístějí 410, přívod 420 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, přívod 440 argonu, odsávací trubky 441. tepelně izolační stínítko 430 uspořádané v nístěji, topné těleso 450 uspořádané v tepelně izolačním stínítku 430, termočlánek 460 pro měření teploty, tyglík 480 pro tepelné zpracování a zpracovávaný tantalový prášek 470 obsažený v tyglíku 480, charakterizované tím, že zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu dále obsahuje: zařízení pro nucené chlazení argonu 400A a chladicí systém 490A plynu obsahujícího kyslík, přičemž součásti zařízení 400A pro nucené chlazení argonu a jeho funkce jsou následující: výstup 407 argonu na horní části pece pro tepelné zpracování, argon při vysoké teplotě v peci vychází z výstupu 407 argonu, prochází spojovacími potrubími 408, ochlazuje se chladicí vodou, přivádí se z 408-1 a vychází z 408-2 na obvodu a přivádí se do výměníkové komory 401 z jedné strany výměníkové komory 401, ve výměníkové komoře 401 je potrubí 404 média chlazené chladičem, ve výměníkové komoře 401 se argon ochladí, a vychází z výstupu 405 argonu na druhé straně výměníkové komory 401, prochází potrubím 406 a vstupuje do cirkulačního čerpadla 409, vychlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem 409 a přivedený prochází spojovacími trubkami do pece 410 pro tepelné zpracování z přívodu 440 ve spodní části pece pro tepelné zpracování, součásti v chladicím systému 490A plynu obsahujícího . 7 .
kyslík a jejich funkce jsou následující: chladicí médium se ochlazuje chladičem 490; ochlazené médium proudí a prochází potrubím 494 média do výměníkové komory 491, ve které je tlakoměr 498 spojený s výměníkovou komorou 491; ve výměníkové komoře 491 plyn obsahující kyslík a argon se přivádějí ze svých příslušných přívodů 492, a resp. 493, do výměníkové komory 491 a směšují se; smísený plyn obsahující kyslík se ochlazuje výměnou tepla s potrubím 494 média ve výměníkové komoře 491, ochlazený plyn obsahující kyslík vychází z jiného výstupu 495 výměníkové komory 491, prochází tepelně izolačními potrubími 496 a přivádí se do pece 410 pro tepelné zpracování z výstupu 420 v horní části pece pro tepelné zpracování, teploměr 497 je uspořádán poblíž výstupu plynu obsahujícího kyslík, teploměr se používá pro měření teploty plynu obsahujícího kyslík; výstup vody 499 je uspořádán na dně výměníkové komory 491. Když je pasivace dávky tantalového kovu dokončena, každá součást ve výměníku tepla se vysuší s použitím horkého vzduchu, rozpuštěná voda proudí ven z výstupu 499 vody.
Obr. 5 je schéma známého zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu poté, co byl tantalový prášek podroben dezoxidačnímu tepelnému zpracování vnějším ohříváním (neznázoměno), obsahujícího: reaktor 510 pro dezoxidační tepelné zpracování, horní kryt 511, vstupní trubku 540 argonu, uspořádanou na horním krytu 511, odsávací potrubí 541, vstupní trubku 542 dusíku, vstupní trubku 520 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, podtlakový tlakoměr 512 pro měření tlaku v reaktoru, tantalový tyglík 580 uspořádaný v reaktoru 510, tantalový prášek smísený s hořčíkovým práškem obsažený v tyglíku 580, termočlánek 561, 562 a 563 pro měření teploty horní části, střední části a resp. spodní části reaktoru a sestavu 550 tepelně izolačního stínítka umístěnou v horní části tyglíku 580.
Obr. 6 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu poté, co byl tantalový prášek podroben dezoxidačnímu tepelnému zpracování vnějším ohříváním (neznázoměno) se zařízením na nucené ochlazování inertního plynu podle předloženého vynálezu, obsahujícího: reaktor 610 pro dezoxidační tepelné zpracování, vstupní trubku 640 argonu, uspořádanou na horním krytu 611 a protaženou do spodní části reaktoru 610, odváděči potrubí 641, vstupní trubku 642 dusíku, vstupní trubku 620 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, podtlakový tlakoměr 612 pro měření tlaku v reaktoru, tantalový tyglík 680 uspořádaný v reaktoru, tantalový prášek 670 smísený s hořčíkovým práškem obsažený v tyglíku 680, termočlánek 661, 662 a 663 pro měření teploty v horní části, střední části a resp. spodní části reaktoru a sestavu 650 tepelně izolačního stínítka, umístěnou na horní části tyglíku 680, charakterizované tím, že dále obsahuje zařízení 600A pro nucené chlazení argonu, zařízení 600A pro nucené chlazení argonu obsahuje: výstup argonu 607 na horní části reaktoru 610, argon o vysoké teplotě vychází z výstupu 607 argonu, prochází spojovacím potrubím 608, ochlazovaný chladicí vodou přiváděnou z 608-1 a vycházející z 608-2 na obvodu, a přivádí se do výměníkové komory 601 z jedné straně výměníkové komory 601, ve výměníkové komoře 601 je potrubí 604 média ochlazované chladičem, ve výměníkové komoře 601 se přivedený argon ochlazuje a vychází z výstupu 605 argonu na druhé straně výměníkové komory 601, prochází potrubím 607 a vede se do cirkulačního čerpadla 609, ochlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem 609, a přivádí se procházením spojovacími potrubími do pece 610 pro tepelné zpracování z výstupu 640 na spodní části pece pro tepelné zpracování. Nuceným ochlazováním argonem se teplota tantalového prášku sníží na teplotu 30 °C nebo nižší, s výhodou na 10 až 20 °C, před pasivaci tantalového prášku.
Obr. 7 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu poté, co byl tantalový prášek podroben dezoxidačnímu tepelnému zpracování vnějším ohříváním (na obrázku neznázoměno) s chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu, obsahujícího: reaktor 710 pro dezoxidační tepelné zpracování, horní kryt 711, vstupní trubku 740 argonu uspořádanou na horním krytu 711, odsávací potrubí 741, vstupní trubku 742 dusíku, vstupní trubku 720 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, podtlakový tlakoměr 712 pro měření tlaku v reaktoru, tantalový tyglík 780 uspořádaný v reaktoru 710, tantalový prášek 770 smísený s hořčíkovým práškem obsažený v tyglíku 780, termočlánky 761. 762 a 763 pro měření teploty horní části, střední části a resp. spodní části reaktoru a sestavu 750 tepelně izolačního stínítka, umístěného na horní části tyglíku 780, charakterizované tím, že dále obsahuje chladicí systém 790A
Q plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, chladicí systém 790A plynu obsahujícího kyslík obsahuje: chladič 490 pro chlazení chladicího média; ochlazené médium proudí potrubím 794 média do výměníkové komory 791, ve které je tlakoměr 798 spojený s výměníkovou komorou 791; ve výměníkové komoře 791 plyn obsahující kyslík a argon se přivádějí ze svých příslušných vstupů 792 a 793 do výměníkové komory 791 a směšují se; smísený plyn obsahující kyslík je podroben reakci tepelného zpracování s potrubím 794 média ve výměníkové komoře 791 a tak se ochladí, plyn obsahující kyslík vychází s výstupu 795 na druhé straně výměníkové komory 791, prochází tepelně izolačními potrubími 796 a přivádí se do reaktoru 710 z výstupu 720 na horní části reaktoru, teploměr 797 je uspořádán poblíž výstupu plynu obsahujícího kyslík, teploměr se používá pro měření teploty plynu obsahujícího kyslík; výstup 799 vody je uspořádán na dně výměníkové komory 791.
Když se pasivace dávky tantalového kovu dokončí, každá součást výměníku tepla se vysuší s použitím horkého vzduchu, rozpuštěná voda proudí ven výstupem 799 vody.
Obr. 8 je schéma zařízeni pro pasivaci povrchu tantalového kovu, poté, co byl tantalový prášek podroben dezoxidačnímu tepelnému zpracování se zařízením pro nucené ochlazování inertního plynu a chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu, obsahujícího: reaktor 810 pro dezoxidační tepelné zpracování, horní kryt 811, vstupní trubku 840 argonu, uspořádanou na horním krytu 811 a procházející do spodní části reaktoru 810, odsávací potrubí 841, vstup 842 dusíku, vstupní trubku 820 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, podtlakový tlakoměr 812 pro měření tlaku v reaktoru, tantalový tyglík 880 uspořádaný v reaktoru 810, tantalový prášek 870 smísený s hořčíkovým práškem obsažený v tyglíku 880, termočlánky 861, 862 a 863 pro měření teploty horní části, střední části a resp. spodní části reaktoru a sestavu 850 tepelně izolačního stínítka, umístěného v horní části tyglíku 880, charakterizovaného tím, že dále obsahuje zařízení 800A pro nucené ochlazování argonu a chladicí systém 890A plynu obsahujícího kyslík, součásti zařízení 800A pro nucené chlazení argonu a jejich funkce jsou následující: výstup 807 argonu uspořádaný na horní části reaktoru 810, argon o vysoké teplotě v peci vychází z výstupu 807 argonu, prochází spojovacími potrubími 808 chlazenými chladicí vodou vstupující z 808-1 a vycházející z 808-2 na obvodu, a vstupuje do výměníkové komory 801 z jedné strany výměníkové komory 801, ve výměníkové komoře 801 je potrubí 804 média ochlazované chladičem, ve výměníkové komoře přivedený argon se ochlazuje a vychází z výstupu 805 argonu na druhé straně výměníkové komory 801, prochází potrubím 807 a přivádí se do cirkulačního čerpadla 809, ochlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem 809 a přivedený prochází spojovacími potrubími do pece 810 pro tepelné zpracování z výstupu 840 na spodní části reaktoru. Součásti v chladicím systému 890A plynu obsahujícího kyslík a jejich funkce je následující: chladicí médium se ochlazuje chladičem 890; ochlazené médium proudí potrubím 894 média do výměníkové komory 891, ve které je tlakoměr 898 spojený s výměníkovou komorou 891; ve výměníkové komoře 891 plyn obsahující kyslík a argon vstupují ze svých příslušných přívodů 892 a 893 do výměníkové komory 891 a směšují se; smísený plyn obsahující kyslík podstupuje výměnu tepla s potrubím 894 média ve výměníkové komoře 891 a tím se ochlazuje, ochlazený plyn obsahující kyslík vychází z výstupu 895 na druhé straně výměníkové komory 891, prochází tepelně izolačními potrubími 896 a vstupuje do reaktoru 810 z přívodu 820 na horní části reaktoru, teploměr 897 je uspořádán poblíž výstupu plynu obsahujícího kyslík, teploměr se používá pro měření teploty plynu obsahujícího kyslík; výstup 899 vody je uspořádán na dně výměníkové komory 891.
Když se pasivace dávky tantalového kovu dokončí, každá součást ve výměníku tepla se vysuší s použitím horkého vzduchu, rozpuštěná vody proudí ven z výstupu 899 vody.
U předloženého vynálezu není dávkování tantalového prášku do pece pro tepelné zpracování zvláště omezeno. Avšak, se, zřetelem k stejnoměrnosti tepla, nitridaci a stejnoměrnosti pasivace a výkonnosti, tloušťka tantalového prášku je s výhodou 60 mm nebo menší a s výhodou 40 až 50 mm. Za účelem bezpečnosti a vyššího výtěžku, tantalový prášek je s výhodou pozvolna dávkován do tyglíku a srovnán. Předložený vynález obvykle využívá kruhový nebo čtvercový tyglík
-9CZ 306250 B6 s mělkou hloubkou, jako je tantalový tyglík, mající délku x šířku x hloubku asi 350 x 210 x 75 mm.
Teplota tepelného zpracování a doba zdržení tantalového práškuje stanovena na základě různých typů tantalových prášků a požadavcích, obvyklé zdržení je 30 až 90 minut při teplotě 900 až 1400 °C a podtlak je nižší než 1,33 x 10'1 Pa.
Tepelně zpracovávaný tantalový prášek je optimálně nitridován přiváděním dusíku během chlazení.
Poté co byl tantalový prášek vystaven udržovací teplotě 900 až 1400 °C, ochladí se ve vakuové peci, a potom ho lze chladit pláštěm s vodou chlazeným opláštěním, tantalový prášek se ochladí argonem s pokojovou teplotou na teplotu asi 80 °C nebo nižší, a potom podrobí nucenému cirkulačnímu ochlazování argonem pod pokojovou teplotu tak, aby tantalový prášek byl ochlazen na teplotu 30 °C nebo nižší, s výhodou 20 °C nebo nižší, například na 10 až 20 °C, a potom podroben pasivačnímu zpracování přivedením plynu obsahujícího kyslík.
Plyn obsahující kyslík se smíchá s plynem obsahujícím argon a kyslík, s ohledem na ekonomiku plyn obsahující kyslík je s výhodou směsný plyn obsahující vzduch a argon. Podle předloženého vynálezu koncentrace kyslíku vplynu obsahujícím kyslík je 21 % obj. nebo nižší; čím je nižší koncentrace kyslíku, tím účinněji může být řízena oxidace tantalu. Protože čím je měrné teplo plynu nižší, s ohledem na účinek je žádoucí, aby koncentrace kyslíku v plynu obsahujícím kyslík byla co možná nejnižší. Avšak, s ohledem na výtěžek a ekonomiku, na začátku pasivace s výhodou je obsah kyslíku v plynu obsahujícím kyslík 5 až 15 % obj.
Pokud se týká tantalového prášku majícího malou měrnou povrchovou plochu, je dostatečné, aby se pasivace prováděla jednou. Pokud se týká tantalového prášku majícího značnou měrnou povrchovou plochu, je výhodné, aby se pasivace prováděla dvakrát nebo vícekrát. První pasivace se provádí s použitím plynu s nízkým obsahem kyslíku, a potom se koncentrace plynu obsahujícího kyslík postupně zvyšuje, koncentrace je až do koncentrace kyslíku ve vzduchu, okolo 21 % obj.
Podle předloženého vynálezu se plyn obsahující kyslík a přídavný plyn, např. argon, přiváděly ze svých příslušných přívodů do výměníkové komory v objemovém poměru vypočítaném z tlaku plynu, plyny se směšují a procházejí výměnou tepla ve výměníku tepla, teplota odváděného plynu obsahujícího kyslík se měřila na výstupu. Teplota plynu obsahujícího kyslík popsaná v předloženém vynálezu znamená teplotu vypouštěného plynu měřenou na výstupu.
Když se tantalový prášek pasivoval, pec pro tepelné zpracování se vyčerpala na asi 200 Pa, a potom plyn obsahující kyslík se plynule nebo přerušovaně přivedl do pece pro tepelné zpracování, aby konečný tlak v peci pro tepelné zpracování dosáhl asi 0,1 MPa.
Tepelné zpracování zde popsané znamená průběh ohřívání tantalového prášku při teplotě nad 300 °C ve vakuu nebo inertní atmosféře nebo redukční atmosféře a obsahuje slinování porézního tantalového výlisku, např. slinování pro výrobu anody tantalového elektrolytického kondenzátoru, a lze použít zařízení podobné tepelnému zpracování tantalového prášku, např. zařízení, které je znázorněno na obr. 2 až obr. 4.
Obsah kyslíku v tantalovém prášku zde popsaný byl stanoven pomocí společného determinátoru TC-436 kyslík dusík; obsah vodíku tantalového prášku byl stanoven pomocí determinátoru obsahu vodíku RH-404. Údaje o elektronických vlastnostech tantalového prášku za mokra zde popsané se měřily následovně: tantalový prášek se slisoval do válcového výlisku s hustotou 4,5 g/cm3, průměrem 3,0 mm a výškou 4,72 mm, do kterého byl vložen 0,3 mm tantalový drát, každý výlisek obsahoval asi 150 mg tantalového prášku; výlisek se slinoval při 1320 °C po dobu 10 minut, aby se vytvořil aglomerát; aglomerát se vložil do 0,1 % hmotn. kyseliny fosforečné při 80 °C, napětí bylo zvýšeno na 30 V při hustotě proudu 60 mA/g a napětí se udržovalo po dobu 120 mi
Λ nut, aby se vytvořila anoda, u které byl povrch tantalových částic pokryt dielektrickým filmem; svodový proud anody byl stanoven v 0,1 % hmotn. kyselině fosforečné při 25 °C a měrná elektrická kapacita (měrná jímavost) a ztráty byly stanoveny v 20 % hmotn. roztoku kyseliny sírové.
Aby se dále vysvětlil předložený vynález, výhodná provedení předloženého vynálezu jsou popsána následujícím způsobem kombinováním příkladů a výkresů. Avšak je nutno chápat, že tyto popisy jsou pouze další vysvětlení znaků a výhod předloženého vynálezu, ale neznamenají omezení rozsahu vynálezu.
Příklady uskutečnění vynálezu
Příklad 1
Vytvořil se výchozí prášek, který se připravil redukcí fluoridu draselno-tantalového se sodíkem; výchozí prášek měl měrnou povrchovou plochu 1,82 m2/g, objemová hmotnost 0,51 g/cm3 a obsah kyslíku 6200 ppm. Surový prášek se smíchal se 120 ppm fosforu, vztaženo k hmotnosti tantalového prášku, byl granulovaný žíháním na měkko, aby se získaly sférické částice s objemovou hmotností 1,02 g/cm3. Na měkko žíhaný granulovaný tantalový prášek se dávkoval do tyglíku a tyglík se umístil do zařízení pro pasivaci tepelným zpracováním tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 4, ohříván ve vakuu pod 1,33 x 101 Pa na 1200 °C a podržen po dobu 30 minut, a potom se ohřívání zastavilo a teplota se snížila na 200 °C; přivedl se argon, aby se snížila teplota na 80 °C, byl uveden v činnost systém 400A pro nucené chlazení argonu, argon o vysoké teplotě v peci pro tepelné zpracování vycházel z výstupu 407, procházel potrubím 408 chlazeným chladicí vodou, přivedl se do výměníkové komory 401 z přívodu plynu 402 a podstoupil výměnu tepla s trubkou 404 chladicího média spojenou s chladičem; argon se ochladil výměnou tepla, ochlazený argon vycházel z výstupu 405, čerpal s použitím cirkulačního čerpadla 409. aby procházel potrubím 406 a přivedl se do pece pro tepelné zpracování z přívodu 440 plynu pece pro tepelné zpracování, což představuje cirkulaci argonu. Cirkulující argon způsobil, že se tyglík a tantalový prášek v peci pro tepelné zpracování ochladí, po ochlazení po dobu asi 2 hodiny se teplota v peci snížila na 25 °C a tantalový prášek byl pasivován. Způsob pasivace obsahuje vyprázdnění plynu z pece zavzdušňovacím potrubím 441 na podtlak asi 200 Pa, chladicí systém 490A plynu obsahujícího kyslík se uvede v činnost, aby se vzduch a argon přivedl do výměníkové komory 491 z 492 a resp. 493 za následujících podmínek, smíchají se, podrobí výměně tepla s 494. a potom vycházejí z výstupu 495. procházejí tepelně izolačním potrubím 496 a přivádějí se do nístěje 410 z přívodu 420; nejprve se plyn obsahující kyslík s koncentrací kyslíku asi 5 % obj. (1 díl obj. vzduchu a 3 díly obj. argonu se zavedly tlakoměrem z přívodu 492 a výstupem 493 do výměníkové komory 491) podrobil výměně tepla s trubkou 494 chladicího média, spojenou s chladičem, a tím se ochladil, plyn obsahující kyslík o teplotě -10 do -20 °C vychází z výstupu 495 plynu obsahujícího kyslík, prochází tepelně izolační trubkou 496 a přivádí se do pece pro tepelné zpracování z přívodu 420 plynu na horní části pece pro tepelné zpracování, tlak se zvýšil v 8 stupních a za 3 hodiny z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/30 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/30 minut, (0,1 až 0,02 MPa)/20 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/20 minut, 0,03 až 0,045 MPa)/20 minut, (0,045 až 0,06 MPa)/20 minut, 0,06 až 0,08 MPa)/20 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/20 minut, celkově 3 hodiny; zadruhé, plyn obsahující kyslík při -10 až -20 °C s koncentrací kyslíku 10% obj. (1 díl obj. vzduchu a 1 díl obj. argonu se smíchaly) se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa za 3 hodiny k prvnímu postupu aerace; za třetí, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa za 3 hodiny s použitím vzduchu při -10 až -20 °C stejným způsobem jako u prvního postupu; za čtvrté, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa ve čtyřech stupních celkem 2 hodiny s použitím vzduchu při -10 až -20 °C: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,10 MPa)/30minut. Provedly se čtyři pasivace za celkem 11 hodin. Během celého postupu, teplota v peci se nejdříve postupně zvýšila na 28 °C, potom byla teplota postupně stálá a měněna mezi 25 a 28 °C a nakonec se teplota snížila postupně na 25 °C. Po vyprázdnění se tantalový prášek vyjmul a nenastala žádná prudká oxidace. Te
- 11 CZ 306250 B6 pelně zpracovaný tantalový prášek se proséval sítem s 80 oky, aby se získal S-lh tantalový prášek. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. 2% hmotn. hořčíkový prášek, vztaženo ktantalovému prášku, se smíchal, aby vytvořil smíšený prášek, smísený prášek se dávkoval do reaktoru pro dezoxidaci tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 6, podrží při 850 °C po dobu 3 hodin, aby se provedlo dezoxidační zpracování, ohřívání se zastavilo a teplota se snížila a zpracovaný tantalový prášek se nitridoval při 280 °C, ochladil argonem, kdy byla teplota tantalového prášku snížena na 15 °C, podle postupu pasivace podobnému shora popsanému tepelnému zpracování přiváděl se plyn obsahující kyslík při 31 °C a pasivace se prováděla 4krát s použitím plynu obsahujícího kyslík s koncentrací kyslíku asi 5 % obj., 10 % obj., 21 % obj. a 21 % obj., první 3 pasivace se prováděly každá po dobu 3 hodin a poslední pasivace se prováděla po dobu 2 hodin, celkově 11 hodin. Po vyprázdnění pasivovaný tantalový prášek se mořil, promýval vodou a sušil, aby se získal S-ld tantalový prášek. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. Stanovil se elektrický výkon tantalového prášku a výsledky jsou znázorněny v tabulce 2.
Příklad 2
Výchozí tantalový prášek, který byl použit v příkladu 1, byl dávkován do pece pro tepelné zpracování tantalového prášku se zařízením pro nucené chlazení argonu, jak je znázorněno na obr. 2, a podroben tepelnému zpracování za stejných podmínek jako v příkladu 1, když se teplota tantalového prášku snížila na asi 200 °C, přivedl se argon a uvedl se v činnost systém 200A pro nucené chlazení argonu, argon s vysokou teplotou v peci pro tepelné zpracování vycházel z výstupu 207 v horní části pece, procházel vodou chlazeným potrubím 208, přiváděl se do výměníkové komory 201 z přívodu plynu 202 a podrobil se tepelné výměně s trubkou 204 chladicího média spojenou s chladičem 200; argon se ochladil výměnou tepla, ochlazený argon vycházel z výstupu 205, procházel potrubím 206, čerpal se s použitím cirkulačního čerpadla 209, aby se přivedl do pece 210 pro tepelné zpracování z přívodu plynu 240 pece pro tepelné zpracování, což představuje cirkulaci argonu; cirkulovaný argon způsobí, že se tyglík a tantalový prášek v peci pro tepelné zpracování ochladí, když se chlazení provádělo po dobu 4 hodiny, tyglík a tantalový prášek se nucené chladil argonem na teplotu 10 °C a tantalový prášek se pasivoval. Pec pro tepelné zpracování se vyprázdnila na asi 200 Pa; zaprvé, plyn obsahující kyslík při 32 °C s koncentrací kyslíku asi 5 % obj. se zvýšil v 8 stupních a 4 hodinách z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/30 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,02 MPa)/30 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,045 MPa)/30 minut, (0,045 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/30 minut; za druhé, plyn obsahující kyslík při 32 °C s koncentrací kyslíku asi 10 % obj. se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa ve 4 hodinách podle prvního postupu aerace; za třetí: tlak se zvýšil z 200 Pa až 0,1 MPa za 4 hodiny s použitím vzduchu při 32 °C podle stejného postupu jako u prvního postupu; za čtvrté, plyn obsahující kyslík se zvýšil z 200 Pa až 0,1 MPa ve 4 stupních za celkem 2 hodiny s použitím vzduchu při 32 °C: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/ 30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 za 0,10 MPa)/30 minut. Čtyři pasivace se prováděly celkem 14 hodin. Během celého postupu se teplota pece nejprve zvýší postupně na 33 °C, potom se teplota postupně ustálila a měnila mezi 28 a 32 °C. Po vyprázdnění tantalový prášek se vyjmul, žádný znak prudké oxidace nenastal. Tepelně zpracovaný tantalový prášek se nechal projít 80 okovým sítem, aby se získal tantalový prášek S-2h. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. 2% hmotn. hořčíkový prášek vztaženo k tantalovému prášku, se smíchal v tantalovém prášku S-2h, aby se vytvořil smísený prášek, smísený prášek se dávkoval do reaktoru pro dezoxidaci tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 7, podržel při 850 °C tři hodiny, aby se provedlo zpracování dezoxidaci, ohřívání se zastavilo a teplota se snížila, a zpracovaný tantalový prášek se nitridoval při 280 °C, a potom se snížila teplota tantalového prášku v reaktoru na 31 °C, plyn obsahující kyslík při -10 až -40 °C se přivedl čtyřikrát, podle postupu pasivace podobné shora popsanému tepelnému zpracování, a tantalový prášek se pasivoval s použitím plynu obsahujícího kyslík s koncentrací kyslíku asi 5 % obj., 10 % obj., 21 % obj. a 21 % obj., první tři pasivace se prováděly každá 3 hodiny a poslední pasivace se prováděla 2 hodiny, celkem 11 hodin. Po vyprázdnění se pasivovaný tanta . i?.
lový prášek mořil, promýval vodou a sušil, aby se získal tantalový prášek S-2d. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. Stanovil se elektrický výkon tantalového prášku a výsledky jsou uvedeny v tabulce 2.
Příklad 3
Použilo se zařízení pro tepelné zpracování znázorněné na obr. 3 a stejný tantalový prášek jako v příkladu 1 se podrobil tepelnému zpracování za stejných podmínek, které byly popsány v příkladu 1. Po tepelném zpracování se plášť ochladil vodou na nižší teplotu a 12 hodin se přiváděl argon, aby se snížila teplota na 30 °C a tantalový prášek se pasivoval. Postup pasivace obsahuje: odsání argonu v peci na asi 200 Pa, chladicí systém 390A plynu obsahující kyslík se uvedl do činnosti, aby se vzduch a argon přivedl do výměníkové komory 391 z 392 a 393 při následujících podmínkách, smísil a podrobil výměně tepla s 394, a potom se odvedl výstupem 395. prošel tepelně izolačním potrubím 396. a přivedl se do nístěje 310 z přívodu 320; za prvé, plyn obsahující kyslík s koncentrací asi 5 % obj. se ochladil na -2 až -40 °C a zvýšil v osmi stupních z 200 Pa až 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/30 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,02 MPa)/30 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,045 MPa)/30 minut, (0,045 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/30 minut, celkem 4 hodiny; za druhé, plyn obsahující kyslík při -20 až -40 °C s koncentrací kyslíku asi 10 % obj. se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa za 4 hodiny podle prvního postupu aerace; za třetí, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa za 4 hodiny s použitím vzduchu při -20 až -40 °C podle stejného postupu, jako je první postup; za čtvrté, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa ve 4 stupních s použitím vzduchu při -20 až -40 °C: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,10 MPa)/30 minut. Čtyři pasivace se prováděly celkem 14 hodin. Teplota v peci se nejprve zvýšila postupně na 35 °C, potom se postupně ustálila a měnila mezi 32 a 35 °C. Po vyprázdnění se tantalový prášek vyjmul, žádný znak prudké oxidace nenastal. Tepelně zpracovaný tantalový prášek procházel 80 okovým sítem, aby se získal tantalový prášek S-3h. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzoval, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. 2% hmotn. hořčíkový prášek, vztažený na tantalový prášek, se smíchal v tantalovém prášku S-3h, aby se vytvořil smísený prášek, smísený prášek se dávkoval do reaktoru pro dezoxidaci tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 8, držel při 850 °C 3 hodiny, aby se provedlo dezoxidační zpracování, ohřívání se zastavilo a teplota se snížila a zpracovaný tantalový prášek se nitridoval při 280 °C, a potom nucené chladil argonem, když se teplota tantalového prášku snížila na 15 °C, přivedl se plyn obsahující kyslík při -10 až -40 °C čtyřikrát, podle postupu pasivace podobné tepelnému zpracování, jak bylo popsáno shora, se tantalový prášek pasivoval plynem obsahujícím kyslík s koncentrací kyslíku asi 5 % obj., 10 % obj., 21 % obj. a 21 % obj., první 3 pasivace se každá prováděla 3 hodiny a poslední pasivace se prováděla 2 hodiny, celkem 11 hodin. Po vyprázdnění pasivovaný tantalový prášek se mořil, promýval vodou a sušil, aby se získal tantalový prášek S-3d. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. Stanovil se elektrický výkon tantalového prášku a výsledky jsou uvedeny v tabulce 2.
Srovnávací příklad 1
Použil se stejný tantalový prášek jako v příkladu 1 a tepelné zpracování se provádělo při stejné teplotě, poté co se ohřívání zastavilo, teplota se snížila na 200 °C ve vakuu, argon se pro ochlazování přiváděl 12 hodin, když se teplota snížila na 32 °C, začala pasivace; pasivační postup obsahuje: odsání argonu v peci na asi 200 Pa, zaprvé, vzduch se přivedl do pece pro tepelné zpracování v 8 stupních, aby se zvýšil talk v peci z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/120 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/60 minut, (0,01 až 0,02 MPa)/60 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/60 minut, (0,03 až 0,045 MPa)/30 minut, (0,045 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 MPa až 0,1 MPa)/30 minut, celkem 7 hodin, kdy se teplota zvýšila náhle 6krát během aerace, nejvyšší teplota byla až do 60 °C; když se zjistilo, že se teplota zvýšila náhle, aerace se ihned
- 13 CZ 306250 B6 zastavila; a poté co se teplota snížila na asi 32 °C, aerace se v peci prováděla znovu. Za druhé, vzduch při 31 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování v 8 stupních, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/60 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/60 minut, (0,01 až 0,02 MPa)/60 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/60 minut, (0,03 až 0,045 MPa)/30 minut, (0,045 až 5 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/30 minut, celkem 6 hodin;
přičemž se teplota zvýšila náhle najednou na 50 °C. Třetí operace je stejná jako druhá operace, vzduch při 31 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování a pasivace se prováděla 6 hodin. Začtvrté, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa ve 4 stupních s použitím vzduchu při 31 °C: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až io 0,10 MPa )/30 minut, celkem 2 hodiny. Čtyři pasivace se prováděly celkem 21 hodin. Po pasivaci se tantalový prášek vyjmul a skutečně vzniklo teplo. Tepelně zpracovaný tantalový prášek se proséval sítem s 80 oky, aby se získal tantalový prášek E-lh. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1.2% hmotn. hořčíkový prášek, vztaženo k tantalovému prášku, se přimíchal, aby se vytvořil smísený prášek, smísený prášek se dáv15 koval do reaktoru pro dezoxidaci tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 5, držel se na 850 °C 3 hodiny, aby se provedlo dezoxidační zpracování, ohřívání se zastavilo a teplota se snížila a zpracovaný tantalový prášek se nitridoval při 280 °C, pasivačním postupem podobným shora popsanému tepelnému zpracování, když se teplota snížila při 31 °C, vzduch při 31 °C se přivedl 4krát, aby se provedla pasivace. První tři pasivace se prováděly v 8 stupních každý pod dobu 5 20 hodin, a čtvrtá pasivace se prováděla ve 4 stupních po dobu 2 hodin, celkem 17 hodin. Pasivovaný tantalový prášek se mořil, promýval vodou a sušil, aby se získal tantalový prášek E-ld. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. Stanovil se elektrický výkon tantalového prášku a výsledky jsou uvedeny v tabulce 2.
Tabulka 1: Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku
| Tantalový prášek č. | O | H |
| S-lh | 10600 | 70 |
| S-ld | 3800 | 140 |
| S-2h | 11300 | 78 |
| S-2d | 4100 | 140 |
| S-3h | 11600 | 60 |
| S-3d | 400 | 130 |
| E-lh | 16500 | 180 |
| E-ld | 5800 | 200 |
Tabulka 2: měření výsledku elektrického výkonu tantalového prášku
| Tantalový prášek č. | Svodový proud nA/g | Měrná kapacita pF.v/g | Ztráty (tg6)% |
| S-ld | 58 | 85860 | 30.5 |
| S-2d | 59 | 85800 | 31.1 |
| S-3d | 59 | 84900 | 32.8 |
| E-ld | 126 | 85000 | 45.2 |
Jak je zřejmé z výsledků uvedených v tabulce 1 a 2, způsob podle předloženého vynálezu má výhodu krátké výrobní doby a připravený tantalový prášek má nízký obsahy kyslíku a vodíku a nízký svodový proud.
Příklad 4
Tantalový prášek S-ld v příkladu 1 byl po dezoxidačním tepelném zpracování slisován do válcového výlisku o hustotě 4,5 g/cm3, průměru 3,0 mm a výšce 4,72 mm, do kterého byl vložen tantalový drát 0,3 mm, každý výlisek obsahoval asi 150 mg tantalového prášku; v zařízení znázorněném na obr. 4 byl výlisek slinován při 1320 °C po dobu 10 minut, aby se vytvořil tantalový aglomerát, a potom se zahřívání zastavilo, teplota se snížila na 200 °C, přivedl se argon a uvedlo se v činnost zařízení 400A pro nucené chlazení argonu, chlazení se provádělo 3 hodiny, aby se snížila teplota v peci na 20 °C, a tantalový aglomerát se pasivoval. Pasivační postup obsahuje: odsání argonu v peci na podtlak asi 200 Pa; zaprvé, plyn obsahující kyslík při -10 až -40 °C o koncentraci asi 10 % obj. se přivedl do pece pro tepelné zpracování v 5 stupních za 3 hodiny, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,01 MPa)/40 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/40 minut, (0,03 až 0,05 MPa)/40 minut, (0,5 až 0,07 MPa)/30 minut, (0,07 až 0,1 MPa)/30 minut. Za druhé, vzduch při -10 až -40 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování ve 4 stupních a za 2 hodiny, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,10 MPa)/30 minut. Obě pasivace se prováděly celkem 5 hodin. Během celého postupu teplota v peci byla nejprve postupně zvýšena na 32 °C, potom se teplota postupně ustálila a měnila mezi 29 a 31 °C a konečně se teplota snížila postupně na 29 °C. Po vyprázdnění, tantalový prášek se vyjmul a získal se tantalový aglomerát S-4. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového aglomerátu se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 3. Aglomerát se umístil do 0,1% hmotn. kyseliny fosforečné při 80 °C, napětí se zvýšilo při hustotě proudu 60 mA/g na 30 V a udržovalo na konstantním tlaku 120 minut, aby se vytvořila tantalová anoda S-4a; svodový proud anody se stanovil v 0,1% hmotn. kyselině fosforečné při 25 °C a měrná elektrická kapacita (měrná kapacita) a ztráty se stanovily v 20% hmotn. roztoku kyseliny fosforečné, výsledky jsou uvedeny v tabulce 4.
Srovnávací příklad 2
Stejný tantalový prášek jako v příkladu 4 se slisoval do stejného tantalového výlisku, a slinoval za stejných podmínek, teplota se snížila na 200 °C, přivedl se argon, aby se ochladil za asi 6 hodin, aby se snížila teplota v peci na 33 °C a tantalový aglomerát se pasivoval. Postup pasivace obsahuje: odsávání argonu v peci na podtlak asi 200 Pa, zaprvé, vzduch při 32 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování v 6 stupních a za 4,5 hodiny, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa až 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/60 minut, (0,005 až 0,02 MPa)/30 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,05 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,05 MPa)/30 minut, (0,05 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/30 minut. Za druhé, vzduch při 32 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování ve 4 stupních a 2 hodiny, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa až 0,1 MPa: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,10 MPa)30 minut. Dvě pasivace se prováděly celkem 6,5 hodiny. Během celého postupu teplota v peci se nejprve zvýšila postupně na 41 °C. Po vyprázdnění se tantalový aglomerát vyjmul, aby se získal tantalový aglomerát E-2s. Analyzovaly se obsahy kyslíku a vodíku v tantalovém aglomerátu, výsledky jsou uvedeny v tabulce 3. Aglomerát byl vytvarován do anody E-2a za stejných podmínek, které byly popsány v příkladu 3. Stanovil se elektrický výkon aglomerátu a výsledky jsou uvedeny v tabulce 4.
- 15 CZ 306250 B6
Tabulka 3: Obsahy kyslíku a vodíku v tantalovém prášku
| Tantalový aglomerát č. | O | H |
| S-4 | 5200 | 30 |
| E-2 | 6500 | 70 |
Tabulka 4: Výsledky měření elektrického výkonu tantalového aglomerátu
| Tantalový prášek č. | Svodový proud nA/g | Měrná kapacita pF.v/g | Ztráta (tg6)% |
| S-4 | 48 | 85800 | 30,1 |
| E-2 | 93 | 84000 | 44,8 |
Ze shora uvedeného popisuje zřejmé, že tepelné zpracování tantalového prášku způsobem podle vynálezu je bezpečné a spolehlivé, má vysoký výtěžek a tantalový prášek nehoří a připravený tantalový prášek má nízké obsahy kyslíku a vodíku a anoda připravená z tantalového prášku má nízký svodový proud a dobrý elektrický výkon.
Ve shora uvedeném popisu, i když je popis hlavně směrován na tantalový prášek, odborníci v daném oboru mohou chápat, že předložený vynález je také vhodný pro další aktivní kovové prášky, jako je prášek niobu.
Claims (10)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu, vyznačující se tím, že obsahuje následující kroky:(a) vytvoření tantalového kovu, který byl podroben tepelnému zpracování;(b) snížení teploty tantalového kovu na pokojovou teplotu;(c) přivedení plynu obsahujícího kyslík při 0 °C nebo nižší teplotě, s výhodou 0 až -40 °C, pro pasivaci povrchu tantalového kovu; a (d) případné opakování kroku (c) jednou nebo vícekrát.
- 2. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle nároku 1, vyznačující se tím, že v kroku b) se sníží teplota tantalového kovu na 32 °C nebo méně, s výhodou pod 30 °C, a ještě výhodněji na 10 až 30 °C, použitím ochlazených inertních plynů.
- 3. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle nároků 1 a 2, vyznačující se tím, že přivedeným plynem obsahujícím kyslík je vzduch, směsný plyn z inertního plynu a kyslíku nebo směsný plyn z inertního plynu a vzduchu.
- 4. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle nároků laž3, vyznačující se tím, že plyn obsahující kyslík je směsný plyn argonu a vzduchu.1Á _
- 5. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle některého z nároků la2, vyznačující se tím, že koncentrace kyslíku v plynu obsahujícím kyslík je 21 % obj. nebo nižší, s výhodou 5 až 20 % obj.
- 6. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle nároku 2, vyznačující se tím, že inertní plyn je argon.
- 7. Zařízení pro provádění způsobu podle nároku 1, obsahující pec pro tepelné zpracování, přičemž tato pec pro tepelné zpracování obsahuje: nístěj (310), plášť (311) s vodou chlazeným opláštěním tvořící nístěj (310), přívod (320) pasivačního plynu obsahujícího kyslík pro přívod do nístěje (310), provzdušňovací potrubí, topné těleso uspořádané uvnitř nístěje (310), a tyglík (380) pro tepelné zpracování pro umístění zpracovávaného tantalového kovu; vyznačující se tím, že dále obsahuje chladicí systém (390A) plynu obsahujícího kyslík, přičemž tento chladicí systém (390A) obsahující kyslík obsahuje:- přívod plynu (320) obsahujícího kyslík, který se používá pro přivádění plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci tantalového kovu;- výměníkovou komoru (391) tepla, ve které se plyn obsahující kyslík ochlazuje pomocí výměny tepla; a- výstup plynu (395) obsahujícího kyslík, kde ochlazený plyn obsahující kyslík opouští výměníkovou komoru (391) výstupem (395) a přivádí se do pece pro tepelné zpracování z horní části pece pro tepelné zpracování tepelně izolačními spojovacími potrubími (396).
- 8. Zařízení k provádění způsobu podle nároku 2, přičemž tímto zařízením je zařízení podle nároku 7, dále obsahující zařízení pro nucené chlazení inertních plynů, vyznačující se tím, že zařízení pro nucené chlazení inertních plynů obsahuje:- přívod (240) ochlazovaných inertních plynů, kde přívod (240) ochlazovaných inertních plynů je spojen s výstupem (207) inertních plynů na horní části pece pro tepelné zpracování argonu;- výměníkovou komoru (201) tepla, pro přívod (202) inertních plynů o vysoké teplotě z pece pro tepelné zpracování přes přívod (240) ochlazovaných inertních plynů pro ochlazení způsobem výměny tepla;- výstup (205) ochlazených inertních plynů, kde ochlazené inertní plyny ve výměníkové komoře se odvádí z výstupu (205) inertních plynů; a- cirkulační čerpadlo (209), kde do cirkulačního čerpadla jsou přiváděny ochlazené inertní plyny z výstupu (240) ochlazených inertních plynů, a dodává ochlazené inertní plyny do pece pro tepelné zpracování z přívodu inertních plynů ve spodní části pece pro tepelné zpracování spojovacími potrubími (208).
- 9. Zařízení podle nároku 8, vyznačující se tím, že zařízení pro nucené chlazení inertních plynů je výhodně zařízením pro nucené chlazení argonu pro ochlazení povrchu tantalového kovu na 32 °C.
- 10. Zařízení podle nároku 7 nebo 8, vyznačující se tím, že chladicí systém (390A) plynu obsahujícího kyslík je vytvořen pro ochlazení plynu obsahující kyslík k pasivaci povrchu tantalového kovu při teplotě 0 °C nebo nižší, s výhodou - 40 až 0 °C.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2011/000488 WO2012126143A1 (zh) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | 钽金属表面钝化方法及装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2013807A3 CZ2013807A3 (cs) | 2014-02-05 |
| CZ306250B6 true CZ306250B6 (cs) | 2016-10-26 |
Family
ID=46878597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ2013-807A CZ306250B6 (cs) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | Způsob pasivace povrchu tantalového kovu a zařízení k provádění způsobu |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140076462A1 (cs) |
| JP (1) | JP5774766B2 (cs) |
| CN (1) | CN103429782B (cs) |
| CZ (1) | CZ306250B6 (cs) |
| IL (1) | IL228504B (cs) |
| WO (1) | WO2012126143A1 (cs) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104524714B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-08-15 | 北京化工大学 | 一种生产设备中易自燃自热材料的气相致钝消敏方法 |
| US11534830B2 (en) * | 2017-12-28 | 2022-12-27 | Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd | Tantalum powder and preparation method therefor |
| CN117600462B (zh) * | 2023-11-29 | 2026-06-19 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 钽粉的钝化方法和反应装置 |
| PL450177A1 (pl) * | 2024-10-31 | 2025-05-12 | Politechnika Warszawska | Sposób wytwarzania dyfuzyjnych warstw utlenianych na podłożu z litego tantalu i jego stopów |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2100755A1 (en) * | 1991-02-18 | 1992-08-19 | Tadahiro Ohmi | Passivating apparatus |
| US5306355A (en) * | 1991-03-18 | 1994-04-26 | Urea Casale S.A. | System for the passivation of metal surfaces affected by operating conditions and agents promoting corrosion |
| US5868879A (en) * | 1994-03-17 | 1999-02-09 | Teledyne Industries, Inc. | Composite article, alloy and method |
| US6612898B1 (en) * | 1996-06-20 | 2003-09-02 | Tadahiro Ohmi | Method for forming oxidation-passive layer, fluid-contacting part, and fluid feed/discharge system |
| US20050150576A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Sridhar Venigalla | Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4423004A (en) * | 1983-03-24 | 1983-12-27 | Sprague Electric Company | Treatment of tantalum powder |
| DE3930671A1 (de) * | 1989-09-14 | 1991-03-28 | Basf Ag | Metall-metalloxidelektrode zur bestimmung von chlor |
| JP2002060803A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-28 | Showa Kyabotto Super Metal Kk | 電解コンデンサ用タンタル焼結体の製造方法 |
| CN1809904A (zh) * | 2003-04-25 | 2006-07-26 | 卡伯特公司 | 一种形成烧结阀金属材料的方法 |
| CN1232373C (zh) * | 2003-04-30 | 2005-12-21 | 北京科技大学 | 微细钽和/或铌粉末的处理方法和由该方法制得的粉末 |
| CN1734187A (zh) * | 2004-08-09 | 2006-02-15 | 乐金电子(天津)电器有限公司 | 空调室外机 |
| US20060269436A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-11-30 | Cabot Corporation | Process for heat treating metal powder and products made from the same |
| DE102007020145A1 (de) * | 2006-05-23 | 2007-11-29 | Bayer Materialscience Ag | Vorrichtung zum Abkühlen von Gasen (Quenche) unter Bildung eines korrosiven Kondensats |
| CN101448559A (zh) * | 2006-05-23 | 2009-06-03 | 拜尔材料科学股份公司 | 形成腐蚀性冷凝物的冷却气体的装置（骤冷器） |
| JP2009260151A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Tokyo Electron Ltd | 金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| CN101613091B (zh) * | 2009-07-27 | 2011-04-06 | 中南大学 | 一种cigs粉末、靶材、薄膜及其制备方法 |
-
2011
- 2011-03-23 JP JP2014500221A patent/JP5774766B2/ja active Active
- 2011-03-23 US US14/006,606 patent/US20140076462A1/en not_active Abandoned
- 2011-03-23 WO PCT/CN2011/000488 patent/WO2012126143A1/zh not_active Ceased
- 2011-03-23 CZ CZ2013-807A patent/CZ306250B6/cs unknown
- 2011-03-23 CN CN201180069256.2A patent/CN103429782B/zh active Active
-
2013
- 2013-09-17 IL IL228504A patent/IL228504B/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2100755A1 (en) * | 1991-02-18 | 1992-08-19 | Tadahiro Ohmi | Passivating apparatus |
| US5306355A (en) * | 1991-03-18 | 1994-04-26 | Urea Casale S.A. | System for the passivation of metal surfaces affected by operating conditions and agents promoting corrosion |
| US5868879A (en) * | 1994-03-17 | 1999-02-09 | Teledyne Industries, Inc. | Composite article, alloy and method |
| US6612898B1 (en) * | 1996-06-20 | 2003-09-02 | Tadahiro Ohmi | Method for forming oxidation-passive layer, fluid-contacting part, and fluid feed/discharge system |
| US20050150576A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Sridhar Venigalla | Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014516382A (ja) | 2014-07-10 |
| IL228504B (en) | 2018-04-30 |
| CZ2013807A3 (cs) | 2014-02-05 |
| JP5774766B2 (ja) | 2015-09-09 |
| CN103429782B (zh) | 2016-12-28 |
| WO2012126143A1 (zh) | 2012-09-27 |
| IL228504A0 (en) | 2013-12-31 |
| CN103429782A (zh) | 2013-12-04 |
| US20140076462A1 (en) | 2014-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9579725B2 (en) | Method for producing metal powders | |
| CN102120258B (zh) | 钽粉的热处理方法 | |
| MXPA02008557A (es) | Metales nitrurados con efecto de valvula y procesos para la preparacion de los mismos. | |
| CN100528418C (zh) | 含氮均匀的阀金属粉末及其制造方法,阀金属坯块和阀金属烧结体以及电解电容器的阳极 | |
| CN102181818B (zh) | 钽金属表面钝化方法及装置 | |
| CZ2013807A3 (cs) | Způsob pasivace povrchu z tantalu a zařízení k provádění způsobu | |
| EP3486338B1 (en) | Flaky tantalum powder and method for preparing the same | |
| CN100535174C (zh) | 阀金属粉末的掺氮方法及由此获得的含氮钽粉和含氮铌粉 | |
| JP5266427B1 (ja) | コンデンサの陽極体の製造方法 | |
| CN100423143C (zh) | 铌粉烧结体、使用了该烧结体的电容器及其制作方法 | |
| JP2002030301A (ja) | 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサ | |
| CN202063985U (zh) | 具有制冷装置的钽金属表面钝化装置 | |
| CN104918734B (zh) | 一种高氮含量电容器级钽粉末的制备方法、由该方法制备的电容器级钽粉以及由该钽粉制备的阳极和电容器 | |
| CN104936729B (zh) | 一种高氮含量电容器级钽粉的制备方法及由其制得的钽粉及钽电容器 | |
| CN202072753U (zh) | 具有氩气强制冷却装置的钽金属表面钝化装置 | |
| CN117840420A (zh) | 一种镁还原氧化钽制备高压高比容钽粉的方法 | |
| US9865402B2 (en) | Anode body for tungsten capacitors | |
| JP5752270B2 (ja) | タングステンコンデンサの陽極及びその製造方法 | |
| CN202072754U (zh) | 具有含氧气体制冷系统的钽金属表面钝化装置 | |
| CN119894624B (zh) | 碱土金属还原氧化钽生产电容器用钽粉的方法 | |
| CN202062083U (zh) | 循环冷却钽金属表面钝化装置 |