DD137531A1 - Vorrichtung zur durchfuehrung von hochtemperaturprozessen an halbleiterscheiben - Google Patents

Vorrichtung zur durchfuehrung von hochtemperaturprozessen an halbleiterscheiben

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DD137531A1 DD20652578A DD20652578A DD137531A1 DD 137531 A1 DD137531 A1 DD 137531A1 DD 20652578 A DD20652578 A DD 20652578A DD 20652578 A DD20652578 A DD 20652578A DD 137531 A1 DD137531 A1 DD 137531A1
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3142586A1 (de) * 1981-10-27 1983-05-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung fuer die hochtemperaturbehandlung von aus silizium, metall und metall/silizium bestehenden, auf substraten aufgebrachten schichten in extrem trockener gasatmosphaere

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3142586A1 (de) * 1981-10-27 1983-05-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung fuer die hochtemperaturbehandlung von aus silizium, metall und metall/silizium bestehenden, auf substraten aufgebrachten schichten in extrem trockener gasatmosphaere

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