DD143330A5 - Photographisches verfahren zum aufkopieren einer bildstruktur einer kathodenstrahlroehre - Google Patents
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- DD143330A5 DD143330A5 DD79212422A DD21242279A DD143330A5 DD 143330 A5 DD143330 A5 DD 143330A5 DD 79212422 A DD79212422 A DD 79212422A DD 21242279 A DD21242279 A DD 21242279A DD 143330 A5 DD143330 A5 DD 143330A5
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 39
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 2
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 2
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 2
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001323319 Psen Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- VXPFEVUAMVPPQU-UHFFFAOYSA-N dioxosilane nickel Chemical compound [Ni].O=[Si]=O VXPFEVUAMVPPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIAPNRBXEJNZKV-UHFFFAOYSA-N nickel silicic acid Chemical compound [Ni].[Si](O)(O)(O)O VIAPNRBXEJNZKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2271—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines by photographic processes
- H01J9/2272—Devices for carrying out the processes, e.g. light houses
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Description
PhotographischesVerfahren zum Aufkopieren einer Bildstruktur einer Kathodenstrahlröhre
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1,
Es ist bekannt, Bildschirmstrukturen, z.B. eine schwarze, lichtabsorbierende Matrix oder eine Leuchtstoffschicht, durch photographische Verfahren herzustellen. Dabei ist es auch bekannt, ein Intensitätskorrekturfilter (IK-Filter) das eine "maßgeschneiderte" Lichttransmission hat, zur Einstellung der Lichtintensität in einem projizierten Lichtfeld zu verwenden. Solche Filter hat man bisher aus nach Maß geschliffenem Glas, aus einer Schicht aus aufgedämpften Metall teilchen, aus einer Schicht aus Silberteilchen in Gelatine oder aus einer Schicht von Kohleteilchen in Gelatine hergestellt, siehe z.B. die ÜS-Psen 3 420 150, 3 982 252, 3 582 und 3 592 112.
Diese bekannten Filtertypen sind zwar brauchbar, es ist jedoch schwierig und verhältnismäßig teuer, sie zuverlässig zu reproduzieren, was die Anlagekosten erhöht. Die drei letzterwähnten Typen bestehen aus einer Schicht okaper Teilchen variierender Dichte und/ oder variierender Schichtdicke. Wenn die Teilchen relativ groß und/ oder die Schichten relativ dick sind, streut das Filter in unerwünschtem Maße das Licht, was die Qualität der hergestellten Bildschirmstruktur beeinträchtigt,, Eine Lichtstreuung kann auch durch Kratzer, kleine Löcher, Blasen und andere Fehler in oder auf der Schicht verursacht werden. Bei den beiden letzten Filtertypen, die
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organische Bindemittel enthalten, ist eine zuverlässige Reproduktion etwas leichter und billiger als bei den ersterwähnten zwei Typen, sie weisen jedoch häufig feine Löcher, Blasen und ähnliche lichtstreuende Fehler auf. Die beiden letzterwähnten Typen haben außerdem eine niedrige Abriebsfestigkeit und werden beim normalen Handhaben in der Röhrenfabrik leicht beschädigt.
Es isind ferner Lichtfilter mit im wesentlichen gleichförmiger Lichttransmission bekannt, die aus einer Cermet- oder Metallkeramikschicht bestehen, siehe J. Applied Physics 44 (1973) S» 2763-2?64 und J. Vacuum Science Technology 12 (1975) S. 643 bis 645. Die Cermst-Schicht enthält opake anorganische Metallteilchen in einem transparenten anorganischen Medijim oder KontinuuBi. Solche Metallkeramikschichten lassen sich dadurch herstellen, daß man die gewünschten Materialien verdampft, z.B. durch erhitzen oder Zerstäuben und die verdampften Materialien dann auf einer Träger- oder Substratfläche niederschlägt. Die bekannten Metallkeramikschichten sollen eine über ihre Oberfläche im wesentlichen gleichförmige Lichttransmission haben. Wenn die Lichttransmission ungleichförmig ist, ist dies nicht beabsichtigt, nicht auf einen speziellen Zweck zugeschnitten und daher nicht leicht und zuverlässig reproduzierbar. Die erwähnten Metallkeramikschichten können mit sehr kleinen Teilchen in sehr dünnen, dichten und eine glatte Oberfläche aufweisenden Schichten hergestellt werden, die verhältnismäßig frei von Fabrikationsfehlern sind, eine hohe Abriebfestigkeit haben und das Licht verhältnismäßig wenig streuen.
jDar legung des VJe se ns der Erfindung;
Wie bei den bekannten Vorfahren wird bei dem Verfahren gemäß der Erfindung ein Lichtfeld durch ein IK-Filter und ein photographi-
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sches Master (Kopier- oder Projektionsvorlage) auf eine photoempfindliche Schicht geworfen. Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird jedoch ein IK-Filter verwendet, das eine Cerraet- oder Metallkeramikschicht aus anorganischen Lichtabsorbieren-
den etallteilchen in einem anorganischen lichtdurchlässigen Medium enthält, vobei die Teilchen im Medium derart ungleichförmig verteilt sind, daß sich die auf den vorgesehenen Verwendungszweck zugeschnittene Lichttransmission der Schicht ergibt.
Die Verwendung eines Metallkeramik-IK-Filters mit der zugeschnittenen Lichttransmission hat aus einem oder mehreren der folgenden Gründe verschiedene Vorteile gegenüber dem Stand der Technik. Als erstes ist das Filter leichter und zuverlässiger für die Verwendung. in dem vorliegenden Verfahren reproduzierbar als jeder der be- . kannten Filtertypen» .· .
Zweitens kann die Lichttransmission des Filters längs einer Fläche in einer bestimmten Weise und in einem sehr großen Transmissionsoder Extinktionsbereich stetig abgestuft werden. Drittens ist das Filter sehr abriebfest und es kann mit seife und Wasser gereinigt werden, es ist daher sehr unempfindlich gegen
Beschädigung bei der βnutzung. Viertens kann das Filter wegen
T der Verwendung wesentlich kleinerer eilchen, dünnerer Schichten
i
und glatterer Oberflächen einen wesentlich geringeren Anteil des durchfallenden Lichtfeldes streuen als die bekannten IK-Filter. Das IK-Filter kann ferner mit einer reflexionsverminderten Beschichtung auf der Metallkeramikschicht versehen sein. I Ergebnis stellt das Verfahren gemäß der Erfindung einen Fortschritt hinsichtlich des Wirkungsgrades und der Qualität des hergestellten Produktes einen erheblichen Fortschritt gegenüber dem Stand der Technik dar.
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Altsführungsbeispiele:
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig, 1 eine schematische Querschnittsansicht von Tailen eines Belichtungsgerätes, das mit dem Verfahren gemäß der Erfindung arbeitet;
Fig. 2 eine Draufsicht auf ein Korabinations-Zerstäubungstarget zur Herstellung eines Ni (SiO9) -Metallkeramik-IK-Filters und
Fig. 3 eine graphische Darstellung der Transraissionsvertellung eines IK-Filters gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Zur Erläuterung des Verfahrens gemäß der Erfindung ist in Fig. 1 schematisch eine Lichtquelle 21 dargestellt, die ein Lichtfeld 23 auf eine lichtempfindliche Schicht 25 wirft, welche auf einer Innenfläche eines Frontplattenteiles 27 einer Kathodenstrahlröhre · angeordnet ist. Das Lichtfeld 23 fallt durch ein Intensitätskorrektur-Filter (IK-Filter) 29 aus einer Cermet- oder Metallkeramikschicht, die auf einem Substrat oder Träger 31 aus klarem Glas angeordnet ist, ferner durch eine Korrekturlinse 33» die ein brechendes optisches Element darstellt und durch eine Kopiervorlage oder photographisches Master 35t das im vorliegenden Falle eine im Frontplattenteil montierte Lochmaske ist. Mit der Ausnahme des IK-Filters sind Verfahren der hier interessierenden Art und Einrichtungen zur Durchführung solcher Verfahren in der Patentliteratur beschriaben, beispielsweise in den ersten vier der oben genannten Patentschriften, Bai dem Verfahren gemäß der Erfindung kann mit Vorteil z.B. ein Belichtungsgerät verwendet werden, wie es in dar ÜS-PS 3 592 112 be-
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schrieben ist. Hinsichtlich des verwendeten Belichtungsgerätes sind jedoch vile Variationen möglich, mit Ausnahme eines Austausches des IK-Filters, ohne den Rahmen der Erfindung zu überschreiten. Man kann bekanntlich z.B. andere Lichtquellen* Linsen und photoempfindliche Schichten verwenden.
Das bei dem Verfahren gemäß der Erfindung verwendete IK-Filter enthält eine dünne Metallkeramikschicht mit einer auf den vorgesehenen Verwendungszweck zugeschnittenen Transmission oder Durchlässigkeit. Die selektive Bemessung der Transmission erfolgt durch lokale Änderungen-der Dicke und/oder Zusammensetzung der Metallkeramikschicht· Solche Schichten können nun wirtschaftlich durch Hochfrequenz-Kombinationszerstäubung hergestellt werden, um nur eines von mehreren brauchbaren Verfahren zu ennen. Solche Cermet- oder Metallkeramikschichten haben noch weitere wichtige Vorzüge· In optischer Hinsicht haben sie ein niedriges Reflexionsvermögen und ein niedriges Streuvermögen für das einfallende Licht und ihre spektralen Eigenschaften sind für den ganzen sichtbaren Spektralbereich und das nahe Ultraviolett im wesentlichen gleich. ' In mechanischer Hinsicht weisen sie eine gute Haftung an Substraten aus optischen Gläsern auf und sie sind chemisch stabil, dauerhaft, kratzfest und können mit wässerigen Lösungen gesäubert werden. Außerdem lassen sie sich auch mit komplizierten, maßgeschneiderten unsymmetrieschen Transmissionsprofilen oder -Verteilungen wirtschaftlich herstellen. Die Kombination dieser Eigenschaften macht ihre Verwendung für das Kopieren oder Aufprojezieren von Bildschirmstrukturen von Kathodenstrahlröhren nicht nur wünschenswert, sondern auch nicht naheliegend.
Mit gewissen Abwandlungen der bekannten Herstellungsverfahren läßt sich das bei dem vorliegenden Verfahren verwendete IK-Filter durch bekannte Technologien entwerfen und herstellen. Es ist bekannt, daß
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das Verhältnis der Intensität I des auf eine Filterschicht ein-
fallenden Lichtes zur Intensität I des durch diese Filterschicht durchgelassenen Lichtes für eine vorgegebene Wellenlänge durch die Gleichung
0 s I0 e"0"1 (1)
ausgedruckt werden kann, wobei d die Dicke und ocder Extinktionskoaffizient der Schicht sind. Für eine Metallkeramikschicht ist bei konstanter Temperatur und Wellenlänge eine Funktion des Metallanteils OO in der Metallkeramik und der Dielektrizitätskonstanten
des Metalls (£„), des Dielektrikums (£D) und der Metallkeramik oder „) :
des Cermets (
Der Extinktionskoeffizient nimmt ungefähr linear mit dem Metallanteil in der Schicht zu. Die Transmission T ist definiert und ffij als
O)
und nimmt daher bei konstanter Zusammensetzung der Schicht mit zunehmender Schichtdicke mit zunehmendem Metallgehalt exponentiell ab. Diese Abhängigkeit lassen sich beim Entwurf und der Herstellung von Metallkeramik-IK-Filtern mit Erfolg verwenden.
Cermets oder Metallkeramik in Form von Schichten oder Filmen lassen sich am einfachsten durch gemeinsames Hochfrequenzzerstäuben her- stellen, wie es aus der Metallkeramik-Technologie bekannt ist /2-J7· Bei einem solchen Verfahren wird eine Targstelektroda (die 'Kathode) mit einem scheibenförmigen Target aus einem der Materialien, z.Be Siliziuradioxid oder Quarz, beschichtet und ein Stück oder mehrere
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Stücke eines oder mehrerer anderer Targetmaterialien ( im vorliegenden ^aIIe metallisches Nickel) werden auf die Oberfläche der Targetscheiba gelegt· Gegenüber den Target und parallel zu diesen wird in einem Abstand von etwa 3 bis 8 cm ein Substrat, wie eine Glasscheibe, angeordnet. Das Target und das Substrat befinfen sich in einer Vakuumkammer, die zuerst evakuiert und dann wieder mit einem Inertgas, wie Argon, bis zu einem Druck von etwa 1 bis 15 Millitorr gefüllt wird« Durch ein Hochfrequenzfeld von einigen hundert bis zu wenigen tausend Volt (effektiv) zwischen dem Target und Masse wird dann eine Gasentladung erzeugt. Durch die. in der Gasentladung entstehenden Ionen werden Siliziumdioxidmoleküle und Nickelatome vom Target freigesetzt, die sich dann als Mischung in Form einer Cermet- oder Me- · tallkeramikschicht auf der Oberfläche des Substrats niederschlagen· Die Zusammensetzung der niedergeschlagenen Schicht hängt von der Geometrie der Targetanordnung ab, der Lage des Targets bezüglich. des Substrats und den relativen Zerstäubungsgeschwindigkeiten ab. Für eine vorgegebene Geometrie bei der Zerstäubung hängt die Dicke der Schicht von der Hochfrequenzleistung und der Zerstäubungsdauer - ab· Es gibt Verfahren, mit denen die Zusammensetzung und die Dicke der Schicht an jedem Punkt des Substats errechnet werden können /ßt 3t *l7· Diese Parameter können ihrerseits wieder zum Errechnen der zu erwartenden Lichttransmission der Schicht an jedem Punkt des Substrates mit Hilfe der Gleichungen (2) und (3) verwendet werden und die Transmission kann in Form von Konturen als Funktion der Substratkoordinaten aufgezeichnet werden. Das oben beschriebene ^erfahren ermöglicht die Transmission für ein gewünschtes IK-Filter zu entwerfen. Man kann wie folgt vorgehen: Zuerst wird die Lichtintensitätsverteilung im Beleuchtungsgerät (Beleuchtungskasten) an bestimmten Punkten in der Filterebene gemessen, ohne daß ein Filter eingesetzt ist. Die Lichtintensitätsverteilung (Lichtintensitätsprofil) wird dann in eine gewünschte Lichttransmissionsverteilung
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umgesetzt. Eine Transmissionsverteilung, die aus einem ungleichmäßigen Lichtfeld ein gleichmäßiges Lichtfeld macht, kann man dadurch erhalten, daß man die gemessenen Lichtintensitäten für jeden Punkt in eine konstaste gewünschte Lichtintensität teilt, die etwa niedriger ist, beispielsweise um 20%, als die höchste gemessene Lichtintensität. Wenn ein anderes Profil die gemessene Lichtintensität durch einen konstanten großen Bruchteil der gewünschten Intensität teilt. Als nächstes wird eine Zerstäubungstar ge tau Ordnung gewählt, die dem gewünschten Transmissionsprofil möglichst gut angenähert ist. Die Metallkeramikzusammensetzung und Dicke sowie die entsprechende Transraissionsgradverteilung worden errechnet. Durch Itteration dieses Verfahrens erhält man die gewünschte Zerstäubungstargetanordnung. Durch Zerstäuben dieser Targ©tanordnung erhält man ein IK-FiIter. Die Transmissionsverteilung (Transmissionsprofil) des resultierenden IK-FiIters wird gemessen und mit der gewünschten Transmissionsverteilung verglichen. Nötigenfalls werden die Zerstäubungsparameter und/oder die Zerstäubungstargetanordnung in der erforderlihen Weise geändert, bis man an IK-Filter mit der gewünschten Transmissionsverteilung erhält.
Ein sehr brauchbares Verfahren zur Änderung der IK-Filtercharaktefistik besteht darin, eine vorgegebene Zerstäubungstragetanordnung beizubehalten und die Zerstäubungs dauer zu ändern. Durch diese Maßnahme wird die Schichtdicke d überall um den gleichen Prozentsatz geändert« Die Transmission ändert.sich exponential mit der Dick© ( siehe Gleichung (3) ), da sich jedoch der Extinktionskoeffizient mit der Zusammensetzung ändert, verstärken sich die Trans« aissionsänderungen. Mit verhältnismäßig kleinen Änderungen der Zarstäub ungsdauer lassen sich daher erhebliche Änderungen des Lichttransmissionsprofils erreichen.
Die Cermetschicht wird durch lichtabsorbierende Metallteilchen in
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einem lichtdurchlässigen Medium gebildet. Das Medium soll in den gewünschten Wellenlängenbereich hochtransparent sein. Das lichtabsorbierende Metall soll so gewählt werden, daß sich ein Cermet ergibt, dessen Spektralcharakteristik sich in dem gewünschten Wellenlängenbereich relativ wenig ändert. Sowohl das lichtdurchlässige Medium als auch die absorbierenden Teilchen sollen in der Atmosphäre und unter den Bedingungen bei der Verwendung der Cermetschicht chemisch stabil sein» Für den sichtbaren Spektralbereich eignen sich Metalle wie Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Re, Os, Ir und Pt zur Lichtabsorption.^ Als lichtdurchlässiges Medium eignen-sich Dielektrika, wie Sio«, AIpO-, MgO, f Borosilikatgläser und dgl.
Die ideale Zusammensetzung der Cermetschichten in IK-FiItern, die bei dem Verfahren gemäß der Erfindung verwendet werden, sollte zwischen etwa 4 und 50 Volumenprozent Metallteilchen, Rest lichtdurchlässiges Medium enthalten. Der Hauptgrund dafür, daß der Metallanteil 50 % nicht überschreiten sollte, liegt darin, daß sich das Lichttransmissionsprofil bei höheren Konzentrationen aus der Theorie nicht leicht errechnen läßt. Ferner nimmt das Reflexionsvermögen der Schicht, das nicht erwünscht ist, mit zunehmendem Metallanteil zu. Eerner nimmt die Größe der Metallteilchen mit zunehmendem Metallanteil zu, was im Hinblick auf die Lichtstreuung nicht erwünscht ist. Es gibt zwar keine untere Grenze für die Metallkonzentration im Cermet, in der Praxis haben jedoch Cermets mit Metallkonzentrationen unter etwa 4 % sehr hohe Transmissionsgrade und werden daher kaum als optische Filter verwendet werden. Vorzugsweise bestehen Nickel-Siliziuradioxid-Cermetschichtan im wesentlichen aus h bis 20 Volumenprozent Nickel, Rest Siliziumdioxid.
Die Größen der Metallteilchen, die in Cerm©-t-IK-FiI tern verwendet werden, hängen von dem verwendeten Metall und der Zusammensetzung
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der Schicht ab» Weiche Metalle, wie Blei, Zinn, Silber und Gold, die nicht so leicht mit der Atmosphäre reagieren, neigen dazu, . große Metallteilchen zu bilden und werden daher nicht bevorzugt. Metalle mit hohem Schmelzpunkt neigen in Cermets zu kleineren Teilchengrößen. Im allgemeinen nimmt die Teilchengröße mit dem Metallgehalt zu. In einer Nickel-Siliziuradioxid-Cermetschicht ändert sich die Teilchengröße im Zusammensetzungsbereich von 4 bis 50 Volumenprozent Nickel von 10 bis 40 R, Diese Größenwerte sind ein kleiner Bruchteil der Wellenlänge von ultraviolettem Licht, wie es in Beleuchtungsgeräten der hier interessierenden Art im allgemeinen verwendet wird und verursachen daher keine nennenswerte Streuung des Lichtes.
Die Schichtdicken, die für Cermetfilter verwendet werden, betragen typischerweise 400 bis 2100 K. Für die meisten Zwecke dürfte die maximal erforderliche Dicke 2000 £ betragen. Dünne Schichten sind aus mehreren Gründen vorteilhaft. Ein Grund besteht darin, daß dünne Cermetschichten glatter sind als dicke und daher auch weniger Licht streuen. In dünnen Cermetschichten entstehen auch veniger Spannungen und sie neigen daher auch weniger zum Abblättern. Bei dünnen Schichten ist auch die Gefahr von Transmissionsänderungen durch Interferenz geringer.
Bei einem Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Niederschlagen einer Nickel-Siliziumdioxid-Cermetschicht mit zugeschnittener Lichttransmission wurde die in Fig. 2 dargestellte Targetanordnung verwendet. Die TargetanOrdnung besteht aus einer Targetscheibe 41 aus geschmolzenem SiOp, die einen Durchmesser von etwa 33 cm und eine Dicke von 0,32 cm hatte und auf der Rückseite versilbert war um einen guten Elektrodenkontakt zu gewährleisten. Symmetrisch bezüglich einerJC- und Y-Achse waren elf Streifen 43 aus Nickelmetall verteilt, die etwa 0,05 cm dick und 0,4 cm breit waren und verschiedene
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Längen hatten. Das verwendete Substrat war eine kreisscheibenförmige Glasplatte mit einem Durchmesser von etwa 26,7 cm und einer Dicke von 0,32 cm, die bezüglich des Targets zentriert und 5»3 cm oberhalb von diesem angeordnet war. Als Zerstäubungsgas wurde Argon unter einem Druck von etwa 5 Millitorr verwendet. Die zur Zerstäubung verwendete Hochfrequenzleistung betrug etwa 200 Watt bei der Frequenz von etwa 13t56 MHz. Die Zerstäubungsdauer betrug etwa 36 Minuten. Das mit weißem Licht gemessene Transmissionsprofil ist in Fig. 3 in Prozent dargestellt. Die erzeugte Cermetschicht haftet fest am Glassubstrat, ist kratzfest gegenüber einer Rasierklinge und kann mit Seife und Wasser gereinigt werden. Die Transmission der Cermetschicht, die ein IK-FiI-ter bildet, zeigte bei Lagerung der Schicht in Luft für mindestens 2,5 Monate keine Änderung. Die Änderung der Lichttransmission in Abhängigkeit vom Ort ist stetig und gleichmäßig. Die Lichtstreuung die bei Verwendung von fokussiertem Licht einen sehr wichtigen Parameter darstellt, ist so klein, daß sie nicht gemessen werden konnte.
Mit dem neuen Verfahren, bei dem Cermet-IK-Filter verwendet werden, wurden zwei Dreifarben-Lumineszenzschirme für Kathodenstrahlröhren hergestellt und zwei weitere solcher Dreifarben-Lumineszenzschirme wurden entsprechende Verfahren, bei denen Gelatine-Kohlenstoff-Filter verwendet wurden, zu Vergelichszwecken hergestellt. In der folgenden Tabelle ist die prozentuale gegenseitige Überstrahling (Verunreinigung) der verschiedenen Farbfelder für die jeweiligen Lumineszenzschirme dargestellt. Die Überstrahlung ist.ein Maß für den Betrag des im Beleuchtungsgerät auftretenden Streulichtes.
Prozentuale gegenseitige Überstrahlg^
Rot auf Blau
| Filter/Röhre Rot | auf Grün | Blau auf Grün |
| Cermat/ Ko, 1 | 1.3 | 2.3 |
| Cermat/ No, 2 | 0,8 | 2A4 |
| Gel-Kohlenstoff/N0.1 | 1,6 | 2*5 |
| Gel-Kohlenstoff /fto,2 | 1,5 | 2,7 |
4*6 5.4
Durch das neue Verfahren, das mit Cermet-IK-Filtern arbeitet, wurde im Mittel ©ine Reduktion der Überstrahlung bei allen drei Feldern erreicht, Bildschirme für Farbfernsehbildföhren, die nach dem neuen Verfahren hergestellt wurden, bei dem solche Filter in einer Einrichtung der in Fig. 1 dargestellten Art verwendet wurden, wiesen eine bessere Farbreinheit auf als Bildschirme, die nach einem entsprechenden Verfahren unter Verwendung bekannter IK-FiI-ter mit Kohlenstoffteilchen hergestellt worden waren.s
Die Herstellung von mehreren gleichen Cermetfiltern ist einfach; , nachdem eine geeignete Targetanordnung einmal ermittelt worden ist, brauchen die Substrate nur in das Beschichtungsgerät eingebracht, beschichtet und dann entnommen zu werden· Kleinere Modifikationen der Transmissionsprofile von später hergestellten Filtern lassen sich einfach durch Änderung der Anordnung und/oder. Größe der Targetmaterialstücke von Filter zu Filter zu gewährleisten, kann es zweckmäßig sein, das Bestäubungsgerät mit einer Lichtquelle und einer Photozelle auszurüsten, um die Dicke des Niederschlags zu überwachen als sich nur auf die Zerstäubungsdauer zu verlassen·
Auf die Cermet schicht wird vorteilhaftervjeise noch eine reflexionsvermindernde Beschichtung aufgebracht, Cermetzusammensetzungen aus
2f 2 422
A bis 25 Volumenprozent Nickel in Siliziumdioxid haben einen gemessenen Brechungsindex von 1,8 bis 2,14". Eine für den Cermet geeignete Antireflexionsschicht ist SiOp, Auf einen Teil einer Cermetschicht, die gemäß dem obigen Beispiel hergestellt worden war, wurde eine reflexionsvermindernde Viertelwellenlängenschicht aus SiOp aufgedampft. Die Verringerung des Reflexionsvermögens ließ sich mit dem unbewaffneten Auge deutlich erkennen. Sie Mitteltransmission des mit dem Antireflexionsbelag beschichteten Filters stieg von 0,147 auf 0,167 nach dem Niederschlagen der Antireflexionsschicht an·
Die Glasseite des Filters wurde ebenfalls mit einer Antireflexionsschicht überzogen. Für Glas ist ein geeignetes Antireflexionsschichtmaterial MgF2* Kach dem Aufdampfen einer Viertelwellenlängenschicht auf das Glas liegt die Transmission von O,184 auf 0,194. Durch Beschichtung beider Seiten des Filters mit geeigneten Antireflexionsschchten läßt sich also die Lichttransmission meßbar erhöhen und außerdem das Reflexionsvermögen sowie das Streuvermögen für Licht erheblich verringern.
(1) B.Abeles, Applied Solid State Science 6 (1976) 94-102
(2) J.J. Hanak, J.Materials Science j> (1970) 964
(3) J.J. Hanak et al., J.Appl.Phys. 4J3 (1972) 1666
(4) J ,J. Hanak et al., J.Appl.Phys. 44 (1973) 5142
(5) J.I. Gittleman, U.S. Pat.No. 3.843.420.
Claims (6)
- 212 422Photographisches Verfahren zum Auf kopieren einer Bildstruktur einer KathodenstrahlröhreErfindungsanspruch:1, Photographisches Verfahren zum Aufkopieren einer Bildschirmstruktur einer Kathodenstrahlröhre, bei velchem ein Lichtfeld durch ein Lichttransmissionsfilter, das anorganische, lichtabsorbierende Teilchen enthält und eine derart variierende Trans-mission aufweist, daß die Lichtintensität im Lichtfeld in vorgegebener Weise geändert wird, und ferner durch ein photographisches Master .auf eine photoempfindliche Schicht geworfen wird, gekennzeichnet dadurch, daß ein Filter (29) verwendet wird, welches eine Metallkeramikschicht aus anorganischen, lichtabsorbierenden Metallteichen und einem anorganischen, lichtdurchlässigen Medium enthält, in welchem die Metallteilchen in vorgegebener Weise derart ungleichförmig verteilt sind, daß sich die gewünschte Variation der Transmission des Filters ergibt.
- 2. Verfahren nach Punkt 1,gekennzeichnet dadurch, daß die mittlere Größe der Teilchen im Bereich von etwa 10 bis 40 A liegt.212 422
- 3. -Verfahren nach Punkt 1 oder 2, gekennzeichnet da du r c h, daß die Teilchen aus einem der Metalle Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ag, Ta, Cr, Mo, W, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Re, Os, Ir und Pt bestehen·4« Verfahren nach Punkt 1, 2 oder 3, gekennzeichne t dadurch, daß das Medium dielektrisch ist und aus SiOg, AIpO.,, MgO, TiOg Glas, ZnS, MgFp oder CaFg besteht.
- 5. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dad u r c h, daß die Teilchen aus metallischem Nickel bestehen und das Medium SiOp ist.
- 6. Verfahren nach einem der vorangegangenen Punkte, ge k e η η zeichnet dadurch, daß die Metallkeramikschicht eine Dicke zwischen etwa 400 und 2100 K hat,?· Verfahren nach einem der vorangegangenen Punkte, gekennzeichnet dadurch, daß die Metallkeramikschicht im wesentlichen aus 4 bis 50 Volumenprozent Metallteilchen und zum Rest aus dem anorganischen Medium besteht«8, Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Metallkeramikschicht im wesentlichen aus einer Nickel-Siliziumdioxid-Metallkeramik besteht, die 4 bis 20 Volumenprozent Nickel, Rest Siliziumdioxid enthält.9, Verfahren nach einem der vorangegangenen Punkte, ge kennzeichnet dadurch, daß ein Filter verwendet wird, das einen reflexionsverminderten Überzug in Kombination mit der- Metallkeramikschicht enthält«212 4
- 10. - Lichttransmissionsfilter für die Durchführung eines photographischen Verfahrens zum Aufkopieren einer Bildschirmstruktur für eine Kathodenstrahlröhre, gekennzeichnet dadurch, daß das Filter (29) eine Metallkeramikschicht aus anorganischen, lichtabsörbierenden Metallteilchen, die in einem anorganischen, lichtdurchlässigen Ksdiura in einer solchen Weise ungleichförmig verteilt sind, daß sich eine gewünschte Variation der Lichttransmission ergibt.Hierzu 1 Seite Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/899,247 US4157215A (en) | 1978-04-24 | 1978-04-24 | Photodeposition of CRT screen structures using cermet IC filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD143330A5 true DD143330A5 (de) | 1980-08-13 |
Family
ID=25410662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD79212422A DD143330A5 (de) | 1978-04-24 | 1979-04-23 | Photographisches verfahren zum aufkopieren einer bildstruktur einer kathodenstrahlroehre |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4157215A (de) |
| JP (1) | JPS54141557A (de) |
| DD (1) | DD143330A5 (de) |
| DE (1) | DE2916539A1 (de) |
| FR (1) | FR2424624A1 (de) |
| IT (1) | IT1112219B (de) |
| PL (1) | PL215096A1 (de) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3145127C3 (de) * | 1981-03-13 | 1996-08-01 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer Folie für eine Vorrichtung zur gradientenfreien Ausleuchtung von passiven Anzeigevorrichtungen |
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| DE3239559A1 (de) * | 1982-10-26 | 1984-04-26 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Verlustarmes korrekturfilter zur herstellung von leuchtschirmen fuer farbbildroehren |
| US4488793A (en) * | 1982-12-23 | 1984-12-18 | Rca Corporation | Photodepositing a CRT screen structure using discrete-element optical filter |
| US4521501A (en) * | 1983-07-14 | 1985-06-04 | Rca Corporation | Method for reducing degradation of an optical image in an exposure lighthouse |
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| GB8619193D0 (en) * | 1986-08-06 | 1987-01-14 | Pilkington Perkin Elmer Ltd | High emissivity article |
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| JPH08271880A (ja) * | 1995-04-03 | 1996-10-18 | Toshiba Corp | 遮光膜,液晶表示装置および遮光膜形成用材料 |
| KR100209752B1 (ko) * | 1996-05-16 | 1999-07-15 | 구본준 | 마이크로 렌즈 패턴용 마스크 |
| JP3505067B2 (ja) * | 1997-07-17 | 2004-03-08 | 松下電器産業株式会社 | 光量補正フィルター製造装置およびこの装置で製造された光量補正フィルターを用いたカラー受像管製造方法 |
| US6021009A (en) * | 1998-06-30 | 2000-02-01 | Intel Corporation | Method and apparatus to improve across field dimensional control in a microlithography tool |
| KR100615154B1 (ko) * | 1999-08-19 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 콘트라스트가 향상된 음극선관 |
| KR100786854B1 (ko) * | 2001-02-06 | 2007-12-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 디스플레용 필터막, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3582326A (en) * | 1963-10-18 | 1971-06-01 | Sylvania Electric Prod | Photographic process for forming a light intensity correcting filter used in exposing a color crt screen |
| US3582701A (en) * | 1969-03-27 | 1971-06-01 | Zenith Radio Corp | Color tube screen with light-absorbing cermet deposits |
| US3592112A (en) * | 1969-07-25 | 1971-07-13 | Rca Corp | Photographic printing of cathode-ray tube screen structure |
| JPS501215B1 (de) * | 1970-02-25 | 1975-01-16 | ||
| US3667355A (en) * | 1970-11-02 | 1972-06-06 | Sylvania Electric Prod | Optical system for forming a windowed web in a color cathode ray tubescreen structure |
| JPS499580A (de) * | 1972-05-25 | 1974-01-28 | ||
| JPS49126344A (de) * | 1973-04-04 | 1974-12-03 | ||
| JPS49126343A (de) * | 1973-04-04 | 1974-12-03 | ||
| GB1481979A (en) * | 1973-08-29 | 1977-08-03 | Hitachi Ltd | Light exposure apparatus for manufacturing colour picture tube |
-
1978
- 1978-04-24 US US05/899,247 patent/US4157215A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-04-10 IT IT21726/79A patent/IT1112219B/it active
- 1979-04-18 JP JP4847879A patent/JPS54141557A/ja active Pending
- 1979-04-23 DD DD79212422A patent/DD143330A5/de unknown
- 1979-04-23 PL PL21509679A patent/PL215096A1/xx unknown
- 1979-04-23 FR FR7910158A patent/FR2424624A1/fr not_active Withdrawn
- 1979-04-24 DE DE19792916539 patent/DE2916539A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT7921726A0 (it) | 1979-04-10 |
| PL215096A1 (de) | 1980-05-05 |
| US4157215A (en) | 1979-06-05 |
| DE2916539A1 (de) | 1979-10-25 |
| IT1112219B (it) | 1986-01-13 |
| JPS54141557A (en) | 1979-11-02 |
| FR2424624A1 (fr) | 1979-11-23 |
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