DD146625A1

DD146625A1 - Vorrichtung zum ionengestuetzten beschichten und ionenaetzen von substraten

Info

Publication number: DD146625A1
Application number: DD21595379A
Authority: DD
Inventors: Guenter Reisse; Manfred Rost; Hans-Joerg Erler; Jochen Klemm; Christian Weissmantel
Original assignee: Guenter Reisse; Manfred Rost; Erler Hans Joerg; Jochen Klemm; Christian Weissmantel
Priority date: 1979-10-02
Filing date: 1979-10-02
Publication date: 1981-02-18
Also published as: DD146625B1

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum ionengestuetzten Beschichten und Ionenaetzen von Substraten, die in der Beschichtungs, der Oberflaechenveredlungs- und der Oberflaechenbearbeitungstechnik verwendbar ist. Das Ziel sowie die zu loesende Aufgabe der Erfindung besteht in der Erhoehung der Effektivitaet der Beschichtung und des Ionenaetzabtrages mit einer Vorrichtung, die die Erzeugung von teilweise ionisierten Teilchenstroemen oder von Ionenstrahlen hoher Dichte und grossen Querschnittes ermoeglicht. Erfindungsgemaess besteht die Vorrichtung aus der Reflexionselektrode, einer Anordnung von Gluehkatoden, der Anode sowie der Spiegel-, Beschleunigungs- und Bremselektrode, die in der genannten Reihenfolge ineinander angeordnet sind und die Substrathalterung mit den Substraten koaxial umgeben. Beim Anlegen geeigneter Spannungen an die Elektroden wird ein Teil der neutralen Teilchen, die sich im Raum zwischen der Reflexions- und Spiegelelektrode befinden, ionisiert, mit Hilfe der Beschleunigungselektrode extrahiert und auf die Substrate gerichtet, wo je nach der verwendeten Beschleunigungsspannung die Schichtbildung oder der Ionenaetzabtrag stattfinden. Anwendungsgebiet der Erfindung: Mikroelektronik, Oberflaechenverguetung, Verschleissminderung, Korrosionsschutz.

Description

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Vorrichtung zum ionengestützten Beschichten und Ionenätzen von Substraten

Anwendungsgebiete der Erfindung

Die Erfindung ist anwendbar in den Gebieten der Technik, die Schichten mit spezifischen Eigenschaften oder einen definierten Ätzabtrag von Pestkörperoberflächen benötigen, wie zum Beispiel die Beschichtung und Schichteinbringung sowie den Ätzabtrag in der Mikroelektronik, der Optoelektronik und der Optik, die Beschichtung und Schichteinbringung zur Oberflächenvergütung, für den Korrosionsschutz und zur Verschleißminderung.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen

Es sind bereits Vorrichtungen zum ionengestützten Beschichten und Ionenätzen von Substraten bekannt. Dazu gehören die bias-Plasmazerstäubungsbeschichtungs- und Plasmazer st äubungsätzvorrichtungen, Ionenstrahlablagerungs- und Ionenstrahlätzvorrichtungen, Ionenstrahlzerstäubungsablagerungs- und ion-plating Vorrichtungen. Die bias-Plasmazerstäubungsvorrichtung (US-PS 3*021.271) besteht aus der gekühlten Targethalterung mit dem zu zerstäubendem Material, der geerdeten Targetabschirmung und der Substrathalterung, die ein negatives Potential gegenüber dem Plasmapotential der Entladung erhält, so daß die

auf dein Substrat aufwachsende Schicht ständig von energiereichen Ionen des Arbeitsgases und des vom Target abgestäubten Materials bombardiert wird.

Bei der Plasmazerstäubungsätzvorrichtung wird das zu ätzende Pestkörpermaterial als Target geschaltet. Plasmazerstäubungsvorrichtungen sind planar oder koaxial ausgebildet und arbeiten bei relativ hohen Drücken von 1 bis 1O~ Pascal. Auf Grund des speziellen Entladungsmechanismus ist die Energiestreuung der zerstäubenden Ionen groß.

Ionenstrahlablagerungs- und Ionenstrahlätzvorrichtungen bestehen aus einer Ionenquelle und der Substrathalterung mit den Substraten. Bei der lonenstrahlablagerung (DS-OS 2.113.375) wird ein Materialionenstrahl in einer Ionenquelle erzeugt und mit Energien von einigen 10 bis einigen 100 Elektronenvolt auf die Substrate gerichtet, wo die Schichtbildung stattfindet; bei der Ionenstrahlatzung hingegen wird das als Substrat geschaltete Pestkörpermaterial mit Hilfe eines inerten oder reaktiven Ionenstrahls höherer Energie abgetragen.

Vorrichtungen zur ioneninduzierten Ionenstrahlzerstäubungsablagerung (DD-WP 130157) bestehen aus wenigstens zwei Ionenquellen, der Targethalterung mit dem Target und der Substrathalterung mit den Substraten. Mit Hilfe des Ionenstrahls aus einer Ionenquelle wird das Target zerstäubt. Die dabei auf dem Substrat aufwachsende Schicht wird gleichzeitig mit einem Ionenstrahl aus einer zweiten Ionenquelle bombardiert.

Das gemeinsame der Ionenstrahlanlagen besteht darin, daß die Energiestreuung der gerichteten Ionenstrahlen gering ist und daß die Schichtbildung oder der Ätzabtrag im Hochvakuum stattfinden kann. Die planare Substratanordnung und die daraus resultierenden kleinen Substratflächen, die begrenzte Ionenstromdichte und die damit verbundenen geringen Schichtwachstums- und Ätageschwindigkeiten sowie der hohe Aufwand für.die Konstruktion und den Betrieb von lonenstrahlvorrichtungen haben den effektiven Einsatz dieser Anlagen bislang verhindert.

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Ion-plating-Vorrichtungen (DE-AS 1-521.561) bestehen aus dem Dampf- oder Gaserzeuger, beispielsweise einer Verdampfungsvorrichtung, der Ionisierungsvorrichtung und der Substrathalterung mit den Substraten. In der Ionisierungsvorrichtung wird der dampf- oder gasförmige Teilchenstrom durch Elektronenstoßionisation teilweise ionisiert, die entstehenden Ionen werden durch entsprechend angelegte elektrische Felder auf die Substrate beschleunigt und bilden gemeinsam mit den zum Substrat gelangenden Neutralteilchen die Schicht. Der Ionenanteil im Teilchenstrom zu den Substraten ist gering und beträgt 0,01 bis 0,001. Es ist des weiteren eine planare Vorrichtung zur Ionisierung von Gasen oder Dämpfen vorgeschlagen worden (DD-WP 124859)» die aus folgenden vorzugsweise transparent ausgebildeten Elektroden besteht: Spiegelelektrode, Glühkatode, Anode und Extraktionselektrode. Unter der Spiegelelektrode sind wahlweise eine Sperrelektrode und ein 'Verdampfer angebracht. Die mit Hilfe dieser Vorrichtung beschichtbaren Substratflächen sowie die erzielbare Ionendichte auf.den Substraten und die damit verbundene Schichtaufwachsgeschwindigkeit sind be- » grenzt. Eine Erhöhung der Ionendichte auf den Substraten kann nur durch Erhöhung der Ionendichte im lonisierungsraum erreicht werden. Des weiteren ist die Beschichtung zylindrischer Körper mit Hilfe dieser Vorrichtung sehr aufwendig, und die Beschichtung von isolierenden Substraten ist erschwert.

Ziel der Erfindung

Es ist das Ziel der Erfindung, die BeSchichtungsflächen zu vergrößern, die Schichtaufwachsgeschwindigkeit oder die Ätzgeschwindigkeit zu erhöhen und gleichzeitig die Qualität der Schichten oder der Ätsstrukturen zu verbessern.

Darlegung des Wesens der Erfindung.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung

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zu entwickeln, die die Erzeugung von teilweise ionisierten Teilchenströmen oder von Ionenstrahlen hoher Dichte und großen Querschnittes und die Beschleunigung der ionisierten Teilchen auf vorgegebene einheitliche Energien ermöglicht sowie die Schichtabseheidung auch auf prismatischen und zr/lindrisehen Körpern gestattet· Gleichzeitig sollen die Dickenhomogenität der Schichten und die Ätztiefenhomogenität verbessert v/erden* Die Mängel der bekannten technischen Lösungen sind darauf zurückzuführen, daß auf Grund der vorwiegend planaren Elektrodenanordnung der Ionenanteil im Teilchenstrom zum Substrat und folglich die Schichtaufwachsgeschwindigkeit oder die Dichte des Ionenstrahles und somit die Ätzgeschwindigkeit bei vorgegebener Ionenenergie nur durch Erhöhung der Ionendichte im lonisierungsraum vergrößertwerden können, die Vergrößerung der Substratfläche relativ große Vakuumkammern und die Erhöhung der Schichtdickenhomogenität oder der Ätztiefenhomogenität aufwendige mechanische Bewegungsvorrichtungen für die Substrate erfordern und zylindrische oder prismatische Körper nur bei Drehung um ihre Längsachse homogen beschichtet oder geätzt werden können·

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß eine Reflexionselektrode, eine Anordnung von Glühkatoden, eine Anode, eine Spiegelelektrode, eine Beschleunigungselektrode und eine Bremselektrode, die vorzugsweise eine hohe und wahlweis© verschiedene Transparenz besitzen, z^lindermantelförmig oder prismenmantelförmig ausgebildet, in der genannten Reihenfolge ineinander angeordnet und stirnseitig von jeweils einer scheibenringförmig ausgebildeten Abschirmelektrode begrenzt sind und die zylinderförmig oder prismatisch ausgebildete Substrathalterung mit den Substraten koaxial umgebene Als Transparenz wird hier in bekannter Weise das Verhältnis aus der Gesamtfläche der Öffnungen in den Elektroden und der Gesamtelektrodenflache bezeichnet« Wenn die Anode gegenüber den Glühkatoden, der Reflexionselektrode, den Abschirmelektroden und der Spiegelelektrode, die verzugsweise-

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das gleiche Potential'erhalten, positiv vorgespannt ist, so wird bei Zuführung eines geeigneten Arbeitsgases in den von der Reflexions-, der Spiegel- und den Abschirmelektroden begrenzten Ionisierungsraum eine teilweise Ionisierung der Gästeilchen durch die von der Glühkatode emittierten und zwischen Reflexions- und Spiegelelektrode in einer Potentialmulde pendelnden Elektronen erreicht. Bei genügend hohem Arbeitsdruck und ausreichender Ionisierungsausbeute kann im Ionisierungsraum eine Plasmaentladung gezündet und aufrechterhalten werden, wobei auf Grund der angelegten Potentiale und der koaxialen Bauweise der Vorrichtung ein geometrischer Einschluß der Elektronen zwischen Reflexions- und Spiegelelektroden ähnlich wie in einer Hohlkatodenentladung stattfindet· Eine Erhöhung der Lebensdauer der Elektronen und somit der Ionisierungsausbeute und der lonendichte im Entladungsplasma ist möglich durch parallel oder senkrecht zur Achse der Vorrichtung gerichtete Magnetfelder, die mit Hilfe entsprechend angebrachter Magnetspulen oder Permanentmagneten erzeugt werden. Durch Anlegen einer gegenüber der Spiegelelektrode negativen Spannung an die Beschleunigungselektrode und einer gegenüber der Beschleunigungselektrode vorzugsweise positiven Spannung an die Bremselektrode und an den Substrathalter mit den Substraten wird ein positiver Ionenstrom aus dem Ionlsierungsraum extrahiert und auf die Substrate beschleunigt, der bei Verwendung niedriger Beschleunigungsspannungen und eines Arbeitsgases, welches da3 Schichtmaterial enthält, mit dem gleichzeitig auf die Substrate auftreffenden gaskinetischen Teilchenstrom die Schichtbildung verursacht oder bei Verwendung höherer Beschleunigungsspannungen und inerter oder geeigneter reaktiver Arbeitsgase die Ionenätzung des als Substrat geschalteten Festkörpermaterials gestattet. Ein gegenüber der Beschleunigungselektrode positives Potential der Bremselektrode bewirkt, daß die radial nach außen in -Richtung der Vorrichtung fliegenden Elektronen, die zum Beispiel durch Restgasionisation (^-Prozeß) entstehen, vor der Beschleuni~

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gungselektrode reflektiert werden und die Raumladung des extrahierten Ionenstromes und/oder die Oberflächenladung isolierender-Substrate wenigstens teilweise kompensieren. Durch Variation des Potentials der Bremselektrode kann auch die Energie der extrahierten Ionen variiert werden. Da der extrahierte Ionenstrom auf Grund der koaxialen.Bauweise radial zur Symmetrieachse der Vorrichtung gerichtet ist, vergrößert sich die Ionenstromdichte am Substratort gegenüber der extrahierten Ionenstromdichte um etwa das Verhältnis aus der Gesamtfläche der Spiegelelektrode zur Gesamtoberfläche der Substrathalterung. Beim Beschichten oder Ionenätzen von wärmeempfindlichen Substraten, beispielsweise von Kunststoffen, werden zwischen der Anordnung von Glühkatoden und der Anode ein oder mehrere Strahlungsschirme angebracht, die vorzugsweise Katodenpotential erhalten und so ausgebildet sind, daß die Wärmestrahlung der Glühkatode die Substrate nicht belastet.

Die Abscheidung von Schichten oder das lonenätzen von Festkörperoberflächen kann erfindungsgemäß auch mit vereinfachten koaxialen Vorrichtungen erfolgen: Die Bremselektrode kann beispielsweise weggelassen werden, wobei die Substrathalterung mit den Substraten vorzugsweise das Potential der Beschleunigungselektrode erhält. Des weiteren ist es möglich, die Vorrichtung ohne Brems- und Beschleunigungselektrode oder ohne Brems-, Beschleunigungs- und Spiegelelektrode zu betreiben, wobei die Substrathalterung mit den Substraten das zur Extraktion und Beschleunigung der positiven Ionen erforderliche negative Potential erhält. Beim Nichtvorhandensein der Brems-, Beschleunigungs- und Spiegelelektrode wirkt die Substrathalterung mit den Substraten wie eine negative Sonde im Plasma; in diesem Falle kann eine Beschichtung oder Ionenätzung von Substraten auch erreicht werden, wenn die Substrathalterung mit den Substraten elektrisch isoliert angebracht ist«

Zur Abscheidung von Ve.rbindungsschichten und legierten oder dotierten Schichten werden außerhalb der Vorrichtung ein oder mehrere Teilchenquellen angeordnet, beispielsweise Verdampfungseinrichtungen oder Targetsysterne zur lonenzerstäubung, die einen Teilchenstrom aus wenigstens einer Komponente der Verbindung oder des Legierungs- oder des Dotierungsmaterials erzeugen· Der Teilchenstrom gelangt durch die transparent ausgebildeten Elektroden in die Vorrichtung, wird im Jonisierungsraum teilweise ionisiert und ebenfalls auf den Substraten abgeschieden.

In weiterer Ausbildung der Erfindung ist die Reflexionselektrode nicht transparent ausgeführt. Die Abschirmelektroden und/oder die Reflexionselektroden besitzen Zuführungen für den Gas- und/oder Dampfeinlaß. Die Zuleitungen für die Stromversorgung der Glühkatoden und der Anode sind isoliert und gasdicht in der Reflexionselektrode oder den Abschirmelektroden befestigt. Ferner sind die Reflexionselektrode, die Spiegelelektrode und die Abschirmelektroden gasdicht miteinander verbunden. Die Spiegelelektrode, die Beschleunigungselektrode und die Bremselektrode besitzen Öffnungen gleicher Geometrie, die aufeinander justiert sind; es entsteht somit bei reduzierter Transparenz der Spiegelelektrode ein Druckgefälle zvdschen dem Ionisierungsraum und der Vakuumkammer. In dieser Ausführung dient die Vorrichtung als Ionenquelle zur Erzeugung eines Ionenstrahles im Hochvakuum, der beispielsweise zur Ionenstrahlablagerung oder zum Ionenstrahlätzen von Pestkörperoberflächen eingesetzt werden kann.

Eine effektive Beschichtung oder Ionenätzung isolierender Substrate mit Hilfe der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann erreicht werden durch zusätzliche Kompensation der von den Ionen verursachten positiven Aufladung der Substrat- oder Schichtoberfläche, beispielsweise durch Einstrahlung von Elektronen gemäß DD-WP-74998. · '

Des weiteren ist die Substrathalterung um ihre Achse drehbar und axial verschiebbar ausgeführt« Durch axiale Verschie=

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bung und Rotation der Substrathalterung während des Beschichtungs- oder Ionenätzprozesses kann die Dickenhomogenitat der abgeschiedenen Schichten oder die Itztiefenhomogenität erhöht v/erden«

Die vorgeschlagene Vorrichtung eignet sich wegen ihrer koaxialen Bauweise insbesondere auch zur Beschichtung und zum Ionenätzen von rohrförmigen, zylindrischen, prismatic sehen und drahtförmigen Substraten· Bei Verwendung von Vakuumschleusen können diese Substrate wahlweise kontinuierlich in die Vakuumkammer ein- und ausgeführt werden·

Ausführungsbeispiel

Nachfolgend wird die Erfindung an-zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert· In den zugehörigen Zeichnungen zeigen

Pig· 1 die Vorrichtung mit hochtransparenten Elektroden

und Pig· 2 die Vorrichtung als Ionenquelle·

Im ersten Ausführungsbeispiel (Fig· 1) sind die Reflexionselektrode 1, die Anode 2, die Spiegelelektrode 3 und die Beschleunigungselektrode 4 als z^lindermantelförmige Drahtnetze ausgebildet und stirnseitig an Tragringen 5 befestigt· Die stabförmigen Glühkatoden 6 sind als zylindermantelförmiges Gitter angeordnet und beidseitig in Katodentragringen 7 mittels Klemmverbindung befestigt· Die Tragringe 5» 7 der Elektroden dienen zur Halterung und zur Stromzuführung· Stirnseitig wird die Vorrichtung durch je eine scheibenringförmige Abschirmelektrode 8 begrenzt· Die als sechseckiges Prisma ausgebildete Substrathalterung 9 mit den Substraten 10 ist in der Achse der Vorrichtung angeordnet. Die Reflexionselektrode 1, die Spiegelelektrode 3 und die Abschirmelektroden 8 erhalten vorzugsweise Katodenpotential» die Anode 2 wird gegenüber den Glühkatoden 6 positiv vorgespannto Die Heizung der Glühkatoden 6 erfolgt mit Wechsel- oder Gleichstrom, wobei die StromeinjS£>eisung über die Katodentragringe 7 erfolgt· Die von der Glühkatode 6 emittierten

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Elektronen pendeln in einer Potentialmulde zwischen Reflexions1 und Spiegelelektrode 3 und ionisieren das in den lonisierungsraum eingebrachte Arbeitsgas· Beim Anlegen eines gegenüber der Spiegelelektrode 3 negativen Potentials an die Beschleunigungselektrode 4 und die Substrathalterung 9 mit den Substraten 10 werden positive Ionen aus dem Ionisierüngsraum extrahiert und auf die Substrate beschleunigt* Betragen die Heizleistungen der Katoden je U_H · Ig = 50 V/, die Anodenspannung TJ^ = 100 V, die Beschleunigungsspannung U-g = 300 Y und wird beispielsweise Benzol als Arbeitsgas verwendet, so erfolgt auf den Substraten 10 bei einem Druck von 3 · 1O~ Pascal die Abscheidung von harten Kohlenstoffschichten mit einer Aufwachsgeschwindigkeit von 30 nm/min. Durch axiale Drehung und Verschiebung der Substrathalterung 9 . während des Beschichtüngsprozesses kann eine Schichtdickenhomogenität über die gesamte Charge von besser 2 % erreicht werden· Die Haftfestigkeit der Schichten kann erhöht werden, durch lonenätzen der Substrate vor der Beschichtung bei Verwendung von inerten Arbeitsgasen, vorzugsweise Krypton, und Beschleunigungsspannung von 3 ^V, wobei der Übergang vom lonenätzen zum Beschichten durch kontinuierlichen Arbeitsgaswechsel und Verringerung der Beschleunigungsspannung kontinuierlich erfolgt·

Eine Vereinfachung der Betriebsweise der Vorrichtung kann beim Beschichten von leitenden oder halbleitenden Substraten durch Weglassen der Beschleunigungselektrode 4 erreicht werden· Auch ohne Beschleunigungs- 4 und Spiegelelektrode 3 ist die Beschichtung möglich; in diesem Falle erfüllt die Substrathalterung 9 niit äen Substraten 10 die Funktionen der Beschleunigungselektrode 4 für die Ionen und der Spiegelelektrode 3 für die Elektronenpendelung; Ionenstromdichte und Ionenenergie können jedoch nicht mehr unabhängig von- ' einander variiert werden«

Im zweiten Ausführungsbeispiel (Fi'g· 2) ist die Reflexionselektrode 1 nicht transparent ausgeführt und die Abschirmelektroden δ besitzen Zuführungen für den Gaseinlaß 11 und

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für die Stromversorgung 12 der Glühkatoden 6 und der Anode 2<» Die Reflexionselektrode 1, die Spiegelelektrode 3 und die Abschirmelektroden 8 sind gasdicht miteinander verbunden· Des weiteren besitzen die Spiegelelektrode 3» die Beschleunigüngseiektrode 4 und 'die wahlweise angeordnete Bremseleki?rode 13 Bohrungen gleicher Geometrie, die aufeinander justiert sind, so daß bei reduzierter Transparenz in Abhängigkeit von der Saugleistung des Vakuumpumps:? stems zwischen Ionisierungsraum und Substratraum ein Druckgefälle von wenigstens einer Größenordnung entsteht· Die elektrische Verschaltung der Elektroden ist prinzipiell die gleiche wie im ersten Aüsführungsbeispiel mit dem Unterschied, daß beim Einsatz der Bremselektrode 13 auch die Substrathalterung 9 mit den Substraten 10 das Potential der Bremselektrode 13 erhalten·

Betragen die Heizleistung der Glühkatoden I^ · U^ = 50 W, die Anodenspannung TJ^ = 80 V-, die Beschleunigungsspannung U-D =. 2,0 kV, die Bremsspannung Up = 400 V und wird Krypton als Arbeitsgas verwendet, so können bei einer Transparenz der Spiegelelektrode von 0,4 Kryptonionenstrahlen mit Stromdichten bis zu 2,5 mA · cm" extrahiert werden«

Claims

- 11 - 21 5953 Erfindungsanspruch .

1· Vorrichtung sum ionengestützten Beschichten und Ionenätzen von Substraten unter Verwendung von Mitteln zur Vakuumerzeugung, zum Gas- und/oder Dampfeinlaß und zur Strom- und Spannungsversorgung, gekennzeichne t d a du r c h, daß eine Reflexionselektrode (1), eine Anordnung von Glühkatoden (6), eine Anode (2), eine Spiegelelektrode (3), eine Beschleunigungeelektrode (4) und eine Bremselektrode (13), die vorzugsweise eine hohe und wahlweise verschiedene Transparenz besitzen, zylindermantelfb'rmig ©der prismenmantelförmig ausgebildet,- in der genannten Reihenfolge ineinander angeordnet und etirnseitig von jeweils einer scheibenringförmig ausgebildeten Abschirmelektrode (8) begrenzt sind und die zylinderförmig oder prismatisch.ausgebildete Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) koaxial umgeben.

2. Vorrichtung nach Punkt 1 g e k e η η ζ e i c h η e t

ά a d u r c h, daß die Anode (2) gegenüber den Glühkatoden (6), der Reflexionselektrode (1), der Spiegelelektrode (3) und der Abschirmelektrode (8), die vorzugsweise das gleiche Potential erhalten, positiv vorgespannt ist, daß die Beschleunigungselektrode (4) zur Extraktion positiver Ionen ein negatives Potential gegenüber der Spiegelelektrode (3) erhält, daß die Bremselektrode (13) vorzugsweise positiv gegen die Beschleunigungselektrode (4) vorgespannt ist und daß die Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) vorzugsweise das Potential der Bremselektrode (13) besitzt.

3. Vorrichtung nach Punkt 1 und 2g e k e η η ζ e i c h η ε t dadurch, daß zur Erzeugung von parallel oder senkrecht zur Achse der Vorrichtung gerichteten Magnetfeldern' Magnetspulen oder Permanentmagneten angeordnet sind.

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4. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 3, gekennzeichne t dadurch, daß zwischen der Anordnung von Glühkatoden (6) und der Anode (2) Strahlungsschirme angebracht sind, die vorzugsweise Katodenpotential erhalten.

5. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 4_t gekennzeichnet dadurch, daß wahlweise die Bremselektrode (13) nicht vorhanden ist, wobei die Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) vorzugsweise das Potential der Beschleunigungselektrode (4) erhält, oder die Bremselektrode (13) und die Beschleunigungselektrode (4) .. nicht vorhanden sind, wobei die Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) negativ gegen die Spiegelelektrode (3) vorgespannt ist, oder die Bremselektrode (13)» die Beschleunigungselektrode (4) und die Spiegelelektrode (3) nicht vorhanden sind, wobei die·Substrathalterung (9) mit den Substraten (10) negativ gegen die Anode (2) vorgespannt oder elektrisch isoliert angebracht ist.

6· Vorrichtung nach Punkt 1 bis 5, gekennzeichne t dadurch, daß außerhalb der Vorrichtung ein oder mehrere Teilchenquellen, beispielsweise Verdampfungseinrichtungen oder Targetsysteme zur lonenzerstäubung, angeordnet sind.

7. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch, daß die Reflexionselektrode (1) nicht transparent ausgebildet ist, daß die Abschirmelektroden (8) und/oder die Reflexionselektrode (1) Zuführungen (11) für den Gas- und/oder Dampfeinlaß besitzen, daß die Reflexionselektrode (1), die Abschirmelektroden (8) und die Spiegelelektrode (3) gasdicht miteinander verbunden sind und daß die Spiegelelektrode (3)». die Beschleunigungselektrode (4)« und die Bremselektrode (13) Öffnungen gleicher Geometrie besitzen, die aufeinander justiert sind.

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8. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 7, gekennzeichnet dadurch, daß bei Verwendung isolierender Substrate (10) in der Nähe der Substrathalterung (9) wahlweise Elektronenstrahlquellen angeordnet sind.

9* Vorrichtung nach Punkt 1 bis 8, gekennzeichne t dad u r c h, daß die Substrathalterung (9) um ihre Achse drehbar und axial verschiebbar ausgeführt ist«

10. Vorrichtung nach Punkt 1 bis 9» gekennzeichnet dad u r c h, daß als Substrate (10) drahtförmige, zylindrische, prismatische oder rohrförmige Körper Verwendung finden, die wahlweise kontinuierlich mittels Vakuumschleusen in die Vakuumkammer ein- und ausgeführt werden.

Hierzu_^LSeiien Zeichnungen