DD160568B1 - Verfahren zur oberflaechenstabilisierung von siliziumhalbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zur oberflaechenstabilisierung von siliziumhalbleiterbauelementen

Info

Publication number
DD160568B1
DD160568B1 DD23090581A DD23090581A DD160568B1 DD 160568 B1 DD160568 B1 DD 160568B1 DD 23090581 A DD23090581 A DD 23090581A DD 23090581 A DD23090581 A DD 23090581A DD 160568 B1 DD160568 B1 DD 160568B1
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
silicon semiconductor
semiconductor components
surface stabilization
stabilization
silicon
Prior art date
Application number
DD23090581A
Other languages
English (en)
Other versions
DD160568A1 (de
Inventor
Dietrich Scheller
Margot Jahn
Manfred Dressler
Harald Roesler
Original Assignee
Dietrich Scheller
Margot Jahn
Manfred Dressler
Harald Roesler
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dietrich Scheller, Margot Jahn, Manfred Dressler, Harald Roesler filed Critical Dietrich Scheller
Priority to DD23090581A priority Critical patent/DD160568B1/de
Publication of DD160568A1 publication Critical patent/DD160568A1/de
Publication of DD160568B1 publication Critical patent/DD160568B1/de

Links

DD23090581A 1981-06-18 1981-06-18 Verfahren zur oberflaechenstabilisierung von siliziumhalbleiterbauelementen DD160568B1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD23090581A DD160568B1 (de) 1981-06-18 1981-06-18 Verfahren zur oberflaechenstabilisierung von siliziumhalbleiterbauelementen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD23090581A DD160568B1 (de) 1981-06-18 1981-06-18 Verfahren zur oberflaechenstabilisierung von siliziumhalbleiterbauelementen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DD160568A1 DD160568A1 (de) 1983-09-14
DD160568B1 true DD160568B1 (de) 1987-08-05

Family

ID=5531664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD23090581A DD160568B1 (de) 1981-06-18 1981-06-18 Verfahren zur oberflaechenstabilisierung von siliziumhalbleiterbauelementen

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD160568B1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63213347A (ja) * 1987-02-27 1988-09-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
KR940011569B1 (ko) * 1990-10-24 1994-12-21 미쯔비시덴끼 가부시끼가이샤 저 반사막을 갖는 음극선관

Also Published As

Publication number Publication date
DD160568A1 (de) 1983-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE58907710D1 (de) Verfahren zur Konservierung der Oberfläche von Siliciumscheiben.
DE69325325D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben
DE3778589D1 (de) Verfahren zur oberflaechenmodifizierung von feinverteilten siliciumdioxid.
DE3856135D1 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiterplättchens
DE3750076D1 (de) Verfahren zur Veränderung der Eigenschften von Halbleitern.
DE69431385D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Silizium-Halbleiterplättchen
DE68929069D1 (de) Verfahren zur thermischen Strukturierung von Halbleitersubstraten
DE59107615D1 (de) Verfahren zur Rekristallisierung voramorphisierter Halbleiteroberflächenzonen
PT74887B (de) Verfahren zur verbesserung der fullfahigkeit von tabaken
DE58908255D1 (de) Verfahren zur nasschemischen Oberflächenbehandlung von Halbleiterscheiben.
ATE33623T1 (de) Verfahren zur thermischen behandlung von isolierenden materialien.
DE3650547D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterlasern
DE69224004D1 (de) Verfahren zur Qualitätsprüfung von Silizium-Plättchen
DE69022269D1 (de) Verfahren zur thermischen Behandlung von Silizium.
DE69126153D1 (de) Verfahren zur Herstellung von verbundenen Halbleiterplättchen
AT378945B (de) Verfahren zur behandlung von soleabschlaemmungen
EP0128159A4 (de) Vorrichtung und verfahren zur thermischen behandlung von halbleitersubstraten.
DE3782151D1 (de) Verfahren zur fabrikation von alkylhalosilanen und silizium dafuer.
DE3888736D1 (de) Verfahren zur Epitaxieabscheidung von Silizium.
DD160568B1 (de) Verfahren zur oberflaechenstabilisierung von siliziumhalbleiterbauelementen
DE68922409D1 (de) Verfahren zur gasartigen reinigung von halbleiterbauelementen.
ATA1079A (de) Verfahren zur gewinnung von maltosekristallen
DE69314914D1 (de) Verfahren zur Stabilisierung von verbrauchten Silizium-Kontaktmassen
DE69225115D1 (de) Verfahren zur Behandlung von porösem Silizium zur Zurückgewinnung von Lumineszenz
DE2833826A1 (de) Verfahren zur trennung und spaeteren reinigung von halbleitersubstraten

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee