DD200954A1 - Mikrodraht aus aluminium fuer das drahtbonden - Google Patents

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DD200954A1 DD81234215A DD23421581A DD200954A1 DD 200954 A1 DD200954 A1 DD 200954A1 DD 81234215 A DD81234215 A DD 81234215A DD 23421581 A DD23421581 A DD 23421581A DD 200954 A1 DD200954 A1 DD 200954A1
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Klaus Berndt
Frank Rudolf
Peter Symmank
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Wolfgang Werner
Klaus Berndt
Frank Rudolf
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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Mikrodraht mit dem Hauptbestandteil Aluminium fuer das Drahtbonden, insbesondere fuer das Kugelbondverfahren. Erfindungsgemaess wird die Aufgabe dadurch geloest, dass der Aluminiumdraht mit einer duennen Schicht aus Kupfer, Nickel, Silber, Gold oder einem in bezug auf die Oxidhautbildung aehnlichen Metall einschichtig, mehrschichtig oder in Legierung ueberzogen ist. Es wurde festgestellt, dass sich ein Mikrodraht mit einer Umhuellung aus einem Material der angegebenen Art sehr gut zum Anschmelzen gleichmaessiger Verdickungen eignet. Selbst bei laengerer Lagerung weist ein z.B. mit Kupfer beschichteter Aluminiumdraht eine deutlich hoehere Ausbeute auf.

Description

BiLkrodraht aus Aluminium für das Drahtbonden
.Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft einen Mikrodraht mit dem Hauptbestandteil Aluminium für das Drahtbonden, insbesondere für das Kugelbondverfahrenβ
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen-
Nach DS-OS 2621138 und DE-OS 2832o5o ist bekannt, daß zum Kugelanschmelzen auch Mikrodrahte aus Aluminium und seinen Legierungen, vorzugsweise AlSiI und AlMgI, verwendet werden* Das Kugelanschmelzen erfolgt durch Kondensatorentladung unter Schutzgas; das Bonden im aligemeinen mit Ultraschall,Die dabei erreichte Ausbeute ist trotz des Schutzgases, vor allem durch die Ungleichmäßigkeit der angeschmolzenen Verdickungen, noch nicht ausreichend. Sie liegt deutlich unter den vierten, die beispielsweise mit Mikrodraht aus Gold erreicht werden,
Ziel der Erfindung
Das Ziel der Erfindung ist ein Mikrodraht mit dem Hauptbestandteil Aluminium, der sich vorteilhaft zum Kugelbonden einsetzen läßt e
Darlegung des Wesens der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist ein .Mikrodraht mit dem Hauptbestandteil Aluminiumj an den gleichmäßige Verdickungen angeschmolzen und mit dem zuverlässige Kontakte hergestellt v/erden können. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß der Aluminiumdraht mit einer dünnen Schicht aus Kupfer,Nickel,Silber, Gold oder einem in bezug auf die Oxidhautbildung ähnli-
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— 2 —
chen Metall, einschichtig, mehrschichtig oder in Legierung überzogen ist« Es wurde festgestellt, daß sich ein Mikrodraiit mit einer umhüllung aus einem Material der angegebenen Art sehr gut zum Anschmelzen gleichmäßiger Verdickungen eignete Selbst bei längerer Lagerung weist ein z.B. mit Kupfer beschichteter Aluminiumdraht eine deutlich höhere Ausbeute auf.
Ausführungsbeispiel
Ein dickerer Aluminiumdraht wird mit Kupfer ummantelt und auf die übliche Mikrodrahtstärke von z. B. 3o /um gezogen. Die Stärke der Kupferschicht beträgt ca. 1-2 ,um. Durch beispielsweise ätzchemisches Abtragen werden typische Schichtdicken zv/ischen 2o nm und 2ooo nm einstellbar. Die Ausbeute beim Kugelanschmelzen mit diesem Mikrodraht liegt in der Mhe der V/erte, die mit Go i ami kr ο draht erreicht werden. Die Gleichmäßigkeit der angeschmolzenen Yerdickimgen ist mit der bei Gcldmikrodraht vergleichbare

Claims (3)

indungsanspruch
1. Mikrodraht mit dem Hauptbestandteil Aluminium, gekennzeichnet dadurch5 daß der Mikrodraht mit einer dünnen Schicht; eines anderen Metalls überzogen ist, welches sich in bezug, auf die Oxidhautbildung anders verhält als Aluminium»
2* Mikrodraht nach Punkt 1» gekennzeichnet dadurch, daß dei? Mikrodraht mit einer dünnen Schicht aus Kupfer, Nikkei, Silber, Gold oder einem in bezug auf die Oxidhautbildung ähnlichen Metall, einschichtig, mehrschichtig oder in Legierung überzogen ist.
3<» Mikrodraht nach Punkt 1 und 2, gekennzeichnet dadurch, daß die dünne Schicht eine Dicke zwischen 2o run und 2ooo nm aufweista
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3435489A1 (de) * 1983-09-28 1985-05-02 Hitachi Ltd Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
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DE4232745A1 (de) * 1992-09-30 1994-03-31 Univ Dresden Tech Bonddraht zum Ultraschallbonden

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