DD209052B1 - Verfahren zum stoerungsarmen vereinzeln von a hoch iii b hoch v - halbleiterscheiben - Google Patents

Verfahren zum stoerungsarmen vereinzeln von a hoch iii b hoch v - halbleiterscheiben

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Klaus Laskowski
Joerg Denecke
Petra Lentzsch
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DE3435138A1 (de) * 1984-09-25 1986-04-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verbesserung zu einem verfahren zum vereinzeln von halbleiter-bauelementen, die durch brechen aus halbleiter-wafern gewonnen sind
DE3826736A1 (de) * 1988-08-05 1990-02-08 Siemens Ag Verfahren zum trennen von monolithisch auf einer halbleitersubstratscheibe erzeugten led-chip-anordnungen

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