DD213514A1 - Verfahren zur herstellung von calciumfluorid-einkristallen fuer optische zwecke - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Calciumfluorid-Einkristallen fuer optische Zwecke ohne stoerende Absorptionen, Truebungen, Verfaerbungen oder sonstigen Inhomogenitaeten, die eine extrem niedrige Spannungsdoppelbrechung aufweisen und daher fuer optische Bauelemente mit hoechsten polarisationsoptischen Anforderungen geeignet sind. Bei der Herstellung von Calciumfluorid-Einkristallen durch Zucht aus der Schmelze im Vakuum unter Zusatz von Blei-II-fluorid besteht das Wesen der Erfindung darin, dass der nachfolgende Temperprozess in einer Blei-II-fluorid-Atmosphaere erfolgt. Das erfindungsgemaesse Verfahren kann sowohl fuer gezuechtete Kristallrohlinge als auch fuer bereits bis auf den Poliervorgang formgebend bearbeitete optische Kristallbauelemente Anwendung finden.
Description
//
Titel;;, Verfahren zur Herstellung von Caloiumfluorid-Einkristallen für optische Zwecke .
Anwendun^Bgebiet der Erfindungι
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von CaIcium-
Γ fluorid-'(eaF2)"Eiilkristallen für optische Zwecke ohne störende Absorptionen im gesamten Spektralbereich von UV (125 nm) bis zum IR (9000 nm), ohne thermische und mechanische Verspannungen und frei von Teilchenausscheidungen, Trübungen oder'sonstigen Inhomogenitäten oder Verfärbungen, jnsbesondere ist es mit Hilfe der Erfindung möglich, CaF2"2*11""
' ' · . 'kristalle mit extrem niedriger Spannungsdoppelbreehung zu erzeugen und aus den Einkristallen den höchsten polarisationsoptischen Anforderungen genügende optische Bauelemente her»
; i zustellen». ..' :. .'; ' ' · . ' ;, · '·'; ' :" " '.."" ;' '
Ohajcajtejt er is tik der bekannlejn_ t^phnischen !lösung en t
Da Calciumfluorid für einen außerordentlich großen Wellenlängenbereich des elektromagnetischen Spektrums, der sich vom fernen UV bis zum nahen IR erstreckt, eine sehr hohe Durchlässigkeit besitzt, haben CaFg-EiBk^istaile als op-
2Ö tisches Medium große technische Bedeutung erlangt. Darüber hinaus ist CaP2 auf Grund günstiger Dispersionseigenschaften ein wichtiges Material für korrigierte optische Hochleistungssysteme, insbesondere in der Mikroskopie. Daher sind auch die technischen Verfahren zur Herstellung von CaPg-Einkristallen in vielfältiger Weise entwickelt und
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verbesseri; worden. Hauptziolrichtiing der bekannten technischen Lösungen war die Reinigung der saum Einsatz gelangenden hatUrlichen oder synthetischen Calciumfluorid-Rohstoffe und die Gewährleistung der Reinheit und optischen Homogenität während der Kriställzücht aus einer CaFp-
' :- . Schmelze, : ';·' . . -: ': ''.,'...' ' " . ;". '
Sp ist ein Verfahren zur Züchtung von CaFg-Mnkristallen für optische Zwecke aus der Schmelze im Vakuum bekannt, bei dein der GaPgi-Schmelze für die Kristallzucht bis zu 2 % Blei-II-fluorid (PbFg) hinzugesetzt werden,; um Trübungen der CaFg^Kristalle durch Hydrolysenprodukte aufgrund von Restspuren von Wasser in der Kristallsubstanz bzw. aus der Zuchtatmosphäre zu vermeiden (US-Pat. 2.498·186; J. Opt. Soc. Amer. ^, 731 (1949) )· Obgleich deu PbF2-Zu^ satz keinerlei Verunreinigung im gezüchteten Kristall hinterläßt, bestehen die Machteile des Verfahrens insbesondere darin, daß sich in den CaF^-Kristallen wieder Trübungen durch Ausscheidungen von Oxiden oder Oxidfluoriden bilden, wenn die Kristalle nach der Zucht zur Verminderung von Spannungen getempert werden, wodurch eine relativ starke Lichtstreuung hervorgerufen wird. Außerdem sind die so hergestellten Kristalle nach dem Tempern nicht frei von Spannungen, so daß sie bei der mechanischen Bearbeitung leicht zu Bruch gehen. Insbesondere besitzen sie eine beträchtliche Spannungsdoppelbrechung, so daß sie für polärisationsoptische Zwecke nicht einsetzbar sind.
Diese Mängel lassen sich auch mit einem weiteren bekannten Verfahren nicht beseitigen, das in der thermischen Vorbehandlung natürlicher, kristalliner GaFg-Rohstoffein einer Fluor-Atmosphäre besteht, wobei gegebenenfalls bei der nachfolgenden Kristallzuchtphase ein Zusatz von PbF2 zur Zuchtschmelze erfolgt (ÜS-Pat. 2.550.173; SU-Urheberschein 324 219).
Zum bekannten Stand der Technik gehört außerdem ein Verfahren zur Herstellung farbloser CaFg-Kristalie für
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optische Zwecke, bei dem die Kristallzucht aus der Schmelze in Gegenwart einer Atmosphäre aus Kobalt-III- bzw. Mangan-IIlfluorid erfolgt. Gegebenenfalls kann der Schmelzansatz auch Zusätze von PbFg, PbO oder Pb^O^ bzw. Blei oder Vanadium
enthalten (GB-Pat. 1*046.171} DE-AS 1 291 321), Die Mangel dieses Verfahrens bestehen darin, daß die Kristalle zwar im sichtbaren Teil des Spektrums farblos sind, aber störende Absorptionen im UV- und IR-Gebiet nicht vollständig beseitigt werden. Zur Verminderung oder Beseitigung von Spannungen oder der Spannungsdoppelbrechung ist dieses Verfahren in der beschriebenen Form nicht geeignet.
Bekannt ist auch ein Verfahren, bei dem CaF2-KristalIe in einer HF-haltigen He-Atmosphäre gezüchtet und getempert werden (J, Appl. Phys. ^, 2482 (1963) )· Der Hauptnachteil besteht dabei in dem sehr hohen technisch^apparativen Aufτ' wand und den umfangreichen Umwelt- und Arbeitsschutzmaßnahmen, bedingt durch die chemischen und physikalischen Eigenschaften des Fluorwasserstoffs. Trotz hochentwickelter Steuer*· und Regelungstechnik zur Einhaltung der .Kristall-' zuchtparameter und der Bedingungen für den Temperprozeß, sind Blasenbildungen durch HF-Einschlüsse im fertigen Kristall nicht auszuschließen. Obwohl das Tempern des gezüchteten Kristalls zur Beseitigung von Spannungen unmittelbar im Anschluß an die Kristallzucht im Zuchtofen selbst erfolgt, ohne den frischen Kristall der Luftfeuchtigkeit oder dem Einfluß von Sauerstoff in der Luft auszusetzen, ist auch hierdurch eine Verminderung der Spannungsdoppelbrechung unter Werte von 10 - 30 nm/cm nicht erreichbar. Außerdem verschlechtert sich die UV-Durchlässigkeit durch Aufbau einer Absorption bei 200 nm.
Es ist auch bekannt, dieses Verfahren durch Ergänzung der Reinigungsoperation mit Hilfe eines Ionenaustauschprözesses bzw, durch wiederholtes Umkristallisieren in einer He/HF-Atmosphäre mit einem Partialdruck-Verhältnis von H2O : HF<10"5 wirksamer zu gestalten (US-Pat. 3.649*552; 3*935.302) .
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Der Hachteil besteht jedoch in einer weiteren Erhöhung de,s ijec^nisch-appa^ativen sowie" ffieß-^u^ci r nischen Aufwands bei gleichzeititei^SrEBh^ung d§4? der Verfahrensschritte, ohne daßDih Höezug^au^ dii risationsoptischem Eigenschäften^^'VörbeWserujigeii erzielt werden· , " .- ' " ' '. Ϊ ' .' :'- ' ': ' :: ' -. ' '·- '. ;: " - '. ' ·.'.
Das Ziel der Erfindung besteht darin, diej Jiajsh^eiXe der bekannten V.erfahren zur Herstellung von GaPp~Sinkristallen für optische Zwecke zu •4ieeeiMgßÄ«;..JPie-;'.^fi^dung:' verfolgt ingbe#oridW&räa!&-^ Optik-
Bauelemente aus formgebend,bearbeiteten CaP0-*Einkristallen herzustellen, die höchsten polarisationsoptischen An-/ forderungen entßprechen·»' ν---"':~α^:·::.,ι::':,:-:.:,:.- '. . '. . .· ;.
Darlegung des Wesens der Erfindung; ~ Die Erfindung hat die Aufgabe» sowohl die aus dem Kristallzuchtprozess als auch: nach der-formgebenden Bea^^g^^^^g der Gap2-Sinkris^alle ^8/ώ^
wie la.' B· Trübungen und llclits.tr.öRenae ;^s.iB^MWung.en, .
sowie mechanische üiid thermischeJVerspaniii^agen zu beseitigen und deren Wiederentstehung bei dem nach dem Stand der Technik bekannten Temperverfahren zu verhindern, ohne dabei die übrigen optischen Eigenschaften negativ zu beeinflussen· ·; , : · . Ζ':·· .: : '.' :.".,': ...'. . .' . /.': .' . . ' ':.' '':
Damit verbunden ist gleichzeitig die Aufgabe, die Spannungsdoppelbrechung in CaPg-Einkristallen und bei formgebend bearbeiteten CaPo-Optikbauelementen auf Werte von = 1 nm/cm zu senken,
Aufgabe der Erfindung ist es weiterhin, ein Verfahren zur Herstellung von O.aPg'-Siiikristallen für optische Zwecke ohne erhöhten verfahrenstechnischen Aufwand aazuge-. ' ' ben· / . ' ·.; Λ"' ' · . ' -.- ; . ..·.. : ': ; ; ; ; ;
Die Aufgabe wird ©rfindungsgemäß durch ein Verfahren zur Herstellung von Calciumfluorid-CGaFgy-Einkristallen für optische Zwecke durch Züchtung aus der Schmelze im
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Vakuum unter Zusatz von 0,2 bis 2 Gewe«% Blei-II-fluorid (PbPg) und nachfolgendes Tempern gelöst» das dadurch gekennzeichnet ist, daß das Tempern während der Aufheizperiode» der daran anschließenden, fmr eine Dauer von 2 bis 3 Stunden konstant gehaltenen Temperatur von 12000C und der folgenden Abkühlperiode bis herab zu einer Tem·= peratur von 9000C in einer !PbFg^Atmosphäre von 10 bis 1 Torr erfolgt.
Das Verfahren gemäß der Erfindung kann sowohl für aus der Schmelze gezüchtete Kristallrohlinge als auch für bereits bis auf den Poliervorgang formgebend bearbeitete Kristallbauelemente Anwendung finden»
lachstehend wird die Erfindung anhand eines Ausführungs» beispiels erläutert·
In einem Graphit- oder ffiolybdäntiegel werden beispielsweise 20 CaPg-Kristallrohlinge oder bereits bearbei» tete Kristalle (z.B. 20 ram 0, 10 mm dick), die nach dem Stockbarger» oder Bridgman-Verfahren gezüchtet wurden und eine Spännungsdoppelbreohung zwischen 10 und 25 nm/cm auf*» weisen,, so angeordnet, daß sie sich gegenseitig nicht berühren« Der Tiegel wird dann in eine Hochvakuuuanlage mit Molybdänheizung eingesetzt., die eine homogene Temperaturverteilung in der Arbeitszone garantiert, so daß auf die Kristalle keine Temperaturgradienten wirken kennen* Der Tiegel wird mit einem Deckel verschlossen, an dessen In*· nenseite ein Behälter verschraubt wird, der das zur Ausbildung der PbFp-Temperatmosphäre notwendige PbPp analy«=> senrein in einer Menge-enthält, die ausreicht, innerhalb der Aufheizzeit, der Periode der konstanten Maximaltemperatur und während der Abkühlperiode bis zu einer Temperatur von 900° C kontinuierlich zu verdampfen* Zur Ausbildung der PbPg-Atmosphäre im Tiegel und in der übrigen Hochvakuumanlage sind die Gewinde der Verschraubungen des Tiegeldeckels und des PbPg-Behälters am Tiegeldeckel so ausgeführt, daß der PbPp-Dampf durch die Windungen hindurchtreten kann,
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so daß sich gesonderte Verdampfungskanäle erübrigen.
Nachdem der so vorbereitete Tiegel in die Hochvakuumanlage eingesetzt worden ist, wird 1 Stunde lang evakuiert, bis das Vakuum einen Wert von 10- Torr erreicht hat· Danach erfolgt ein lineares Aufheizen von Raumtemperatur bis 1200° 0 innerhalb von 6 Stunden· Anschließendwird der Temperansatz 2 bis 3 Stunden bei 1200° C konstant belassen· Dabei bildet sich eine PbF0-Atmosphäre von 10 bis 1 Torr heraus· Die darauf folgende Abkühlung erfolgt mit 100 K/Std bis 900° C und weiter bis auf Raumtemperatur mit einer Rate von 15 K/Std· Die Genauigkeit der Temperaturregelung muß mindestens mit - 2 K möglich sein·
Im Ergebnis des beschriebenen Verfahrens liegen GaF2-Kristalle vor, die eine Spannungsdoppelbrechung von ;..' 1 nm/cm aufweisen, die gleichzeitig keinerlei störende Absorptionen im gesamten Spektralbereich vom UV (125 nm) bis zum IR Θ0ΟΟ nm) aufweisen und die frei von thermischen und mechanischen Spannungen, Verfärbungen, Trübungen öder sonstigen Inhomogenitäten sind* Sie sind für höchste optische Anforderungen, insbesondere polarisationsoptische .·' "Zwecke-,; einsetzbar·'' " . ' . ' :'" '' '. - :, " ' '.' .:;-: ·':- : '·; -
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Claims (1)
- -V-':·Λ ." : " ' .' .' ' - Ί - . ' .. :. :' ' '. .' 'y-" /..'. νErfindungsanspruch:Verfahren zur Herstellung von Calciumfluorid-(GaF2)-Einkristallen fur optische Zwecke durch Züchtung
aus der Schmelze im Vakuum unter Zusatz von 0,2 bis
2 Gew.% Blei-II-fluorid (PbPg) und nachfolgendes Tempera, dadurch gekennzeichnet, daß das Tempern während der Aufheizperiode, der daran anschließenden, für eine Bauer von 2 bis y Stunden konstant gehaltenen Temperatür von 12000O und der folgenden Abkiihlperiode bis herab :su einer Temperatur von 9000G in einer PbPg-Atmosphäre von ΙΟ**· bis
· : 1 Torr erfolgt·.;-': ' ' :' ." '. - ' .' ;::/; '']' : . '/ '. ' . ·..'' ;
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0939147A3 (de) * | 1998-02-26 | 2001-08-16 | Nikon Corporation | Verfahren zur Herstellung von Calciumfluorid und Calciumfluorid für Fotolithographie |
| EP1130136A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-05 | Schott Glas | Verfahren zur Herstellung grossformigen Einkristallen aus Calciumfluorid sowie deren Verwendung in der Fotolitographie |
| EP1271185A3 (de) * | 1998-03-12 | 2003-07-02 | Nikon Corporation | Optisches Element aus einem Fluorid-Einkristall und Verfahren zur Herstellung des optischen Elements |
| EP0919646B2 (de) † | 1997-12-01 | 2006-04-05 | Nikon Corporation | Vefahren zur Herstellung eines Calciumfluoridkristalles und zur Behandelung eines Calciumfluoridpulvers |
| US7968074B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-06-28 | Hellma Materials Gmbh & Co. Kg | Method for making low-stress large-volume crystals with reduced stress birefringence and more uniform refractive index and crystals made thereby |
| EP0869203B2 (de) † | 1997-03-31 | 2014-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Calciumfluorid-Kristall, optischer Gegenstand und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1978
- 1978-11-30 DD DD83247667A patent/DD213514A1/de not_active IP Right Cessation
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0869203B2 (de) † | 1997-03-31 | 2014-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Calciumfluorid-Kristall, optischer Gegenstand und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| EP0919646B2 (de) † | 1997-12-01 | 2006-04-05 | Nikon Corporation | Vefahren zur Herstellung eines Calciumfluoridkristalles und zur Behandelung eines Calciumfluoridpulvers |
| EP0939147A3 (de) * | 1998-02-26 | 2001-08-16 | Nikon Corporation | Verfahren zur Herstellung von Calciumfluorid und Calciumfluorid für Fotolithographie |
| EP1271185A3 (de) * | 1998-03-12 | 2003-07-02 | Nikon Corporation | Optisches Element aus einem Fluorid-Einkristall und Verfahren zur Herstellung des optischen Elements |
| EP1130136A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-05 | Schott Glas | Verfahren zur Herstellung grossformigen Einkristallen aus Calciumfluorid sowie deren Verwendung in der Fotolitographie |
| DE10010485A1 (de) * | 2000-03-03 | 2001-09-13 | Schott Glas | Verfahren zur Herstellung von hochhomogenen, grossformatigen Einkristallen aus Calciumfluorid sowie deren Verwendung |
| US6364946B2 (en) | 2000-03-03 | 2002-04-02 | Schott Glas | Methods for growing large-volume single crystals from calcium fluoride and their uses |
| DE10010485C2 (de) * | 2000-03-03 | 2002-10-02 | Schott Glas | Verfahren zur Herstellung von hochhomogenen, grossformatigen Einkristallen aus Calciumfluorid sowie deren Verwendung |
| US7968074B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-06-28 | Hellma Materials Gmbh & Co. Kg | Method for making low-stress large-volume crystals with reduced stress birefringence and more uniform refractive index and crystals made thereby |
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