DD219086A3 - Wechselspannungsangesteuerte lumineszenzdioden - Google Patents
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Abstract
Das Ziel der Erfindung besteht darin, Lumineszenzdioden ohne erheblichen Mehraufwand durch geeignete konstruktive Anordnung der pn-Uebergaenge an die Amplitude von Wechselspannungen im Frequenzbereich bis 100 Hz und hoeher anzupassen und weitgehend flimmerfrei fuer Beleuchtungs- und Anzeigezwecke einzusetzen. Dabei werden zwei pn-Uebergaenge, die in geeigneter Folge in Durchlass- und Sperrichtung gepolt sind und als Reihen-, Antiparallel- oder mit Widerstaenden versehenen Schaltung von einer Wechselspannung angesteuert und zur Lichtemission angeregt. Die Aussteuerung erfolgt vorzugsweise bis in den Saettigungsbereich der Lichtstaerke. Aufgrund der Ausdehnung der pn-Uebergaenge entstehen leuchtende Flaechen, die in Richtung des Betrachters direkt uebereinander oder sich teilweise ueberdeckend oder durch einen geringen Abstand getrennt nebeneinander angeordnet sind oder durch Spiegelung in diese Lage scheinbar gebracht werden. Fig. 7
Description
V/echselspannungsangesteuerte Lumineszenzdioden
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft die zweckmäßige konstruktive Anordnung und die Ansteuerung von Lumineszenzdioden, die für den Betrieb mit Wechselspannungen, für Beleuchtungs- und Anzeigezwecke einsetzbar sind.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Bei pn-Übergängen der Halbleitermaterialien GaAs, GaAsP, GaP, SiC usw. wird eine Injektionslumineszenz für lichtemittierende opto-, elektronische Bauelemente, die Lumineszenzdioden, im nachfolgenden LSD genannt, ausgenutzt.
Da die Lichtemission von der Höhe des Injektionsstromes abhängt, ist sie nur bei Durchlaßspannungen merklich (K.-H. Rumpf, "Bauelemente "der Elektronik", VBB Verlag Technik Berlin 1978, S-. 267).
Beispielsweise ist bei einer Aussteuerung mit der Iletzfrequenz von 50 Hz infolge der nur in einer Halbwelle leuchtenden pn-Übergänge der LED eine pulsmäßige Aussteuerung von 25 Hz vorhanden. Das Auge braucht aber zum flimmerfreien Betrachten bei bisherigen konstruktiven Lösungen Frequenzen von 30 Hz und größer. Bs müssen also Konstruktionen und Anordnungen gesucht werden, die trotz geringer Aussteuerungsfrequenzen einen weitgehend flimmerfreien Lichteindruck gestatten. ' . ... .
-UAK.19 8-2* 9814-22
Sine dazu bekannte technische lösung ist in der DE-AS 2110904 aufgezeigt. Dort wird eine Phosphorschicht benutzt, die durch nachleuchten ein flimmerfreies Betrachten.garantiert. Weiterhin ist nachteilig, daß bei den bisherigen LED für die Ansteuerung die Durchlaßspannungen nur etwa 1,5 bis 2,5 V betragen. Bei einer Ansteuerung mit Wechselspannungen ist eine Transformation von z. B. Hetzspannung 220 Y auf diese Durchlaßspannungen mit Transformatoren notwendig, was kostenerhb'hend ist.
Ziel der Erfindung v
Es ist das Ziel der Erfindung, LED im Frequenzbereich bis 100 Hz und höher an die Amplituden "von Wechselspannungen ohne zusätzliche Transformationen anzupassen und weitgehend flimmerfrei· für Beleuchtungs- und Anzeigezwecke einzusetzen. .
Darlegung des Wesens der Erfindung
Es ist Aufgabe der Erfindung, die bisher notwendige Betriebsspannung von etwa I1S - 2,5 für LED ohne erheblichen Mehraufwand durch eine geeignete konstruktive Anordnung der pn-Übergänge an die Amplitude von Wechselspannungen anzupassen und Lösungen für einen weitgehend flimmerfreien Lichteindruck zu finden.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß zwei leuchtende Flächen übereinander in Richtung des'Betrachters angeordnet sind. Die leuchtenden Flächen werden von pn-Übergängen erzeugt, die vom Durchlaßstrom durchflossen werden und dabei Licht mittels Injektionslumineszenz emittieren. Die obere leuchtende Fläche entsteht, wenn beispielsweise die positive Halbwelle der Wechselspannung am oberen pn-übergang liegt. Dann liegt die negative Halbwelle über dem darunter angeordneten pnübergang der unteren'leuchtenden Fläche. Sie bewirkt keine' Lichtemission, sondern nur das Fließen eines Sperrstroms. Ändert sich die Polarität der,Wechselspannung, so wird jetzt nur die untere leuchtende Fläche dieser beiden z. B. elektrisch gegeneinander geschalteten pn-übergänge Licht emittieren und die-obere nicht. ,
Ist der pn-übergang der oberen leuchtenden Fläche in einem optisch durchsichtigen Halbleitermaterial, z. B. GaP, untergebracht, so wird er von dem Licht der unteren leuchtenden Fläche, die auch in einem optisch durchsichtigen Material angebracht sein kann, durchstrahlt, und der Betrachter hat fast über'der ganzen Periode der Wechselspannung den Sindruck einer konstanten Lichtemission von einer Fläche, die aus zwei übereinander angeordneten einzelnen besteht.
Die Lichtemission wird nur in dem Intervall um die Polaritätsänderung der Wechselspannung unterbrochen. Um dieses Intervall möglichst gering zu halten, ist es zweckmäßig, den Durchlaßstrom so weit zu erhöhen, daß er die pn-Übergänge in den Sättigungsbereich der Lichtstärke aussteuert. Dann ist die Lichtemission über sehr große Zeiträume während einer Periode der.Wechselspannung annähernd konstant. Dem Betrachter erscheint wegen der Trägheit des Auges ein bis zu verhältnismäßig geringen Frequenzen reichender flimmerfreier Lichteindruck. Die leuchtenden Flächen können auch gegeneinander in,dem Maße verschoben werden, wie das Auge die beiden leuchtenden Flächen noch als eine auflöst. Die wechselseitige Ansteuerung der leuchtenden Flächen mit den entsprechenden Halbwellen der Wechselspannung und die Anpassung an ihre Amplitude ist durch eine geeignete elektrische Schaltung der pn-Übergänge in Reihe, antiparallel, gegeneinander und mit . Widerständen realisierbar. Die Anzahl der pn-Übergänge mit ihren leuchtenden Flächen ist der Höhe der Amplitude der Wechselspannung anpaßbar. Die konstruktive Anordnung der leuchtenden Fläche über- bis nebeneinander ist dann nicht zwingend, wenn durch Spiegelung dem Betrachter der gleiche, weitgehend flimmerfreie Lichteindruck von beliebig angeordneten leuchtenden Flächen dargeboten wird. Zum Beispiel ist durch Spiegel und/oder Prismen eine Einkopplung der leuchtenden Fläche in den "Strahlengang zum Betrachter möglich.
Mehrere pn-Übergänge der leuchtenden Flächen werden gegeneinander in Reihe geschaltet, bis die Summe aus den einzelnen Durch-, laß- und Sperrspannungen- z. B. 220 V effektiv bzw, 310 V Spitzenspannung oder einen Teil davon erreicht.
Eine Variante der "Verschaltung besteht darin, eine bestimmte Anzahl von pn-Übergängen in Durchlaßrichtung und dann die gleiche Anzahl in Sperrichtung zu schalten. ·.
Dieser Vorteil gestattet beispielsweise bei einer mehrfarbigen Anzeigetafel eine oder mehrere Farben besonders hervorzuheben oder die konstruktive Anordnung auf dem Chip günstiger zu gestalten.
Des weiteren besteht die Möglichkeit, die Anzahl der in Durchlaßrichtung geschalteten pn-Übergänge gegenüber der Anzahl der in Sperrichtung geschalteten unterschiedlich zu wählen. Insbesondere gilt dies, wenn die Wechselspannung nicht symmetrisch ist und für die eine Halbwelle eine größere Anzahl von in Reihe geschalteten pn-Übergängen benötigt wird als für die andere;
Zweckmäßig ist auch,: zwei pn-Übergänge antiparallel und dann diese Anordnung gegebenenfalls in Reihe zu schalten, bis die Summe der Durchlaßspannungen in jeder Halbwelle der Wechselspannungsamplitude oder einem Teil davon entspricht. .
Wenn die WechselSpannungsamplitude schwankt, kann bei direktem Anschluß hintereinandergeschalteter pn-Übergänge eine überlastung bis zur Zerstörung erfolgen.
Erfindungsgemäß wird deshalb eine Anordnung in der Art einer Kettenbruchs chaltung gewählt. Das ist ei,ne Verschaltung in der Art ^ daß ein oder mehrere oder alle.hintereinandergeschalteten pn-Übergänge jeweils an Widerstände angeschlossen sind, die integriert sein können und deren gemeinsamer Pol an einer Elektrode der Wechselspannung liegt.
Pur den einen pn-übergang kann auch die Antiparallelschaltung und/oder die Reihenschaltung von in Durchlaß- und Sperrichtung geschalteten pn-Übergängen gesetzt werden.
Bei kleiner ,Wechselspannung leuchten nur die ersten LED, bei hoher schließlich alle. Dadurch ist es auch möglich, Skalen oder Markierungen anzubringen, die für eine grobe Abschätzung der Amplitude der Wechselspannung geeignet sind.
Weiterhin kann der Überlastung vorgebeugt werden, indem die elektrische Zusammenschaltung mit im Querschnitt verminderten Stellen versehen wird, die bei Überlastung schmelzen. Geeignet dazu sind z. B. Bonddrähte mit geringem Querschnitt.
Eine sehr einfache konstruktive Ausführung der dargelegten technischen Lösung ist gegeben, wenn in einem· Chip auf beiden Seiten ein p-Gebiet angeordnet und der Halbleiterkörper n-leitend ist. . '
Bei Anlegen einer Wechselspannung an die p-Gebiete bildet sich jeweils eine leuchtende Fläche in jeder Halbwelle heraus. Ist das Material des Chips, in dem die pn-Übergänge sich befinden, optisch durchsichtig, so wird es vom emittierten Licht der leuchtenden Flächen durchstrahlt, und der Betrachter sieht einmal die obere und dann die untere leuchtende Fläche an der gleichen Stelle im Takte der Halbwellen der Wechselspannung Licht emittieren. Dadurch entsteht ein flimmerfreier Gesamteindruck."Die durch die genannte Anordnung gebildete elektrische Reihenschal- tung eines pn- und np-Überganges ergibt, für jede Halbwelle einen in purchlaß- und in Sperrichtung geschalteten pn-übergang. Die Anpassung an. die Amplitude der Wechsel spannung ist hier aus der. Summe von Durchlaß- und Sperrspannung gegeben.
Bisher ist davon ausgegangen worden, daß die leuchtenden Flächen gleich groß sind. Das ist nicht zwingend, wenn besondere Wirkungen z. B-. an den Rändern erzielt werden sollen. Auch die geometrische Form ist variabel zu gestalten. Ebenfalls können Lichtfarbe und Lichtstärke variiert werden. So ist die Erhöhung der Lichtstärke der unteren leuchtenden Fläche mittels Stromerhöhung durch den entsprechenden pn-übergang zweckmäßig, wenn der Absorptionsverlust beim Durchstrahlen des optisch durchsichtigen Chips ausgeglichen werden soll oder eine Streuung in den Bauelementeparametern vorliegt. Die Lichtfarbe kann variiert werden, um z. B. Mischfarben zu erzeugen. 'Weiterhin'ist die Anordnung der leuchtenden Flächen neben- und/oder übereinander vorsehbar. Dadurch entstehen größere flimmerfrei leuchtende Flächen. Ihre elektrische Schaltung ist in der zuvor dargestellten Weise in verschiedener Form möglich.
Sine weitere konstruktive Ausführung der erfindungsgemäßen Lösung ist durch das beidseitige Aufbringen eines optisch durchsichtigen Halbleiterkörpers, ζ. B. aus GaP, in dem pn-Übergänge vorhanden sind, auf einen ebenfalls durchsichtigen Trägerkörper, z. B. Glas, Plaste o.a., gegeben.
Die pn-Übergänge und deren leuchtende Flächen sind in-Richtung zum Betrachter übereinander angeordnet.
Die p-Gebiete, die z. B. durch das großflächige Aufbringen einer p-Schicht auf den n-Halbleiterkörper und durch anschließendes Einsägen und Trennen nach den DP-WP H 01 L/213111 und G 06 K/ 213046 entstehen, werden kontäktiert und mittels Verbindungsleitungen, z. B. Bonddrähte, elektrisch in Reihe ,verschaltet. v
Die erste und letzte Verbindungsleitung dient zur Einspeisung der Wechselspannung. Die Verbindungsleitungen lassen sich außerdem als Sicherungselement nutzen, wenn sie' in ihrem Querschnitt vermindert und bei erhöhtem Stromfluß zerstört werden.
Die Anzahl der p-Gebiete und somit die Größe der· konstruktiven Anordnung richtet sich nach der Höhe der Weohselspannungsamplitude» ' ' '"."'..'..' ,
In der positiven Halbwelle der Wechselspannung geben die leuchtenden Flächen, deren pn-Übergänge in- Durchlaßrichtung geschaltet sind, Licht ab. Dabei durchstrahlen die unterhalb des optisch durchsichtigen Trägerkörpers angeordneten leuchtenden Flächen den Trägerkörper und den oberen Halbleiterkörper, so daß mit den oberhalb des Trägerkörpers angeordneten leuchtenden Flächen eine kontinuierlich leuchtende größere Einheit entsteht. In der negativen Halbwelle werden die vorher in Sperrichtung geschalteten pn-Übergänge in Durchlaßrichtung geschaltet und damit oben und unten leuchtende Flächen vertauscht; die kontinuierlich leuchtende größere Einheit aber bleibt erhalten.
Die vorgenannte konstruktive Ausführung kann vereinfacht werden, indem der Trägerkörper und/oder einer der Halbleiterkörper entfallen oder die hybridintegrierte Form durch eine vollständig integrierte ersetzt wird.
ς,-
Genügt bei zu geringen Frequenzen 'der Wechselspannung die bisher erreichte Flammerfreiheit nicht, können die erfindungsgemäßen konstruktiven Ausführungen hinter nachleuchtenden Schirmen angebracht bzw. mit nachleuchtenden Umhüllungen versehen werden.
Ausführungsbeispiel ^
Die Erfindung soll nachstehend an Ausführungsbeispielen erläutert werden. , / ·
Es zeigen
Fig. 1 . Wechselspannungsangesteuerte LED, die elektrisch in Reihe abwechselnd gegeneinander verschaltet sind,
Fig. 2 wechselspannungsangesteuerte LED, wobei die Anzahl der ». gegeneinander geschalteten LED unterschiedlich ist,
Fig. 3 wechselspannungsangesteuerte, antiparallelgeschaltete LSD,'mit Widerständen verschaltet,
Fig. 4 die Darstellung des- Kennlinienverlaufs der Lichtstärke B' in Abhängigkeit von der Spannung U, V
Fig. 5 die Darstellung der Kennlinienverläufe der Lichtstärke B und der Spannung ü über der Zeit t bei Aussteuerung in die Sättigung, .
Fig. 6 zwei übereinander angeordnete leuchtende Flächen, die durch pn-Übergänge in Halbleiterkörpern erzeugt werden
Fig. 7 leuchtende Flächen mit ihren pn-Übergängen, die auf beiden Seiten eines durchsichtigen Trägerkörpers angebracht sind.
Die Fig. 1 zeigt wechselspannungsangesteuerte LSD 1, die elektrisch in Reihe abwechselnd in Durchlaß- bzw. in Sperrichtung geschaltet sind, bis die Summe aus den Durchlaß- und Sperrspannungen der Amplitude der angelegten Wechselspannung entspricht.
In Fig. 2 ist eine Reihenschaltung von wechselspannungsangesteuerten LSD 1. dargestellt, wobei in einer Wechselfolge die An-
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zahl der in Durchlaßrichtung geschalteten IED gegenüber der Anzahl der in Sperrichtung geschalteten unterschiedlich ist.
Die Fig. 3 zeigt wechselstromangesteuerte antiparallelgeschaltete LED 1, die so oft in Reihe geschaltet werden, bis die Summe der Durchlaßspannungen in jeder Halbwelle der Wechselspannungsamplitude oder einem Teil davon entspricht. v
Zum Schutz vor einer spannungsmäßigen Überlastung der LED 1 erfolgt nach jedem antiparallelgeschalteten LED-Paar die Zwischenschaltung von Widerständen 2. Diese bewirken, daß je nach Größe der Wechselspannung, ein Teil oder alle LED 1 aufleuchten.
Diese Schaltungsart ist daher vorteilhaft für Änzeigezwecke bei sich ändernden Wechselspannungen geeignet und in diskreter, integrierter, hybridintegrierter Form oder deren Kombinationen realisierbar. '
Die 'Pig. 4 verdeutlicht den wünschenswerten prinzipiellen Zusammenhang zwischen der Lichtstärke B in Abhängigkeit von der Spannung U. . ',.'. . ( ·
Ab einer bestimmten Spannung ü geht die Lichtstärke B in eine Sättigung. :
Die Ausnutzung dieses Zusammenhangs ist bei der wechselspannungsmäßigen Ansteuerung von LED von Vorteil, da im Sättigungsbereich die Lichtemission über sehr große Zeiträume einer Periode der Wechselspannung annähernd konstant bleibt. Werden beide Polaritäten der Wechselspannung U zur Lichtemission verwendet, so ergibt sich der in Pig. 5 gezeigte, nur bei Polaritätsänderung von der Konstanz der Lichtstärke B abweichende Verlauf,
Pig. 6 zeigt eine konstruktive Ausführung der erfindungsgemäßen Lösung. Vorhanden sind zwei Halbleiterkörper 3, in denen pn-Übergänge enthalten sind, die die leuchtenden Flächen 4. und 5 erzeugen. . ' ' \ ' .. " - ' . . ! An die Elektroden 6 wird die Wechselspannung angeschaltet. Durch die Verbindung 7 erfolgt eine elektrische Gegeneinanderschaltung der beiden pn-Übergänge. Befinden sich beide pn-Übergänge und ihre leuchtenden Flächen 4 und 5 in optisch durchsichtigen Halb-
leitermaterialien, so erfolgt eine sich, abwechselnde Durchstralung, und der Betrachter hat fast über der ganzen Periode jler Wechselspannung den Eindruck einer konstanten Lichtemission von einer Fläche, die aber reell aus zwei übereinander angeordneten einzelnen besteht.
Sine weitere konstruktive Ausführung zeigt Pig. 7.
Vorhanden sind zwei getrennte Halbleiterkörper 3 aus optisch durchsichtigen Halbleitermaterialien, auf die großflächig eine p-Schicht aufgebracht ist.
Diese-Halbleiterkörper 3 werden auf einem ebenfalls optisch durchsichtigen Trägerkörper 8, z.B. Glas, Plast o.a., befestigt, so daß sich die Halbleiterkörper 3 gegenüberstehen.
Anschließend erhalten' die großflächigen p-Schichten auf beiden Seiten der entstandenen konstruktiven Anordnung Sinsagungen 9 und Trennungen 10, die ebenfalls durch Sägen erzeugt sein können, so daß abwechselnd einmal eine Einsägung 9 durch die p-Schichten und ein weiteres Mal eine Trennung 10 durch die Halbleiterkörper 3 erfolgt. Damit entstehen viele voneinander getrennte p-Gebiete 11. .'" _ . ' .
, Die Anzahl der Einsägungen 9, der Trennungen 10 und damit die Länge der konstruktiven Anordnung hängt von der Amplitude der jeweils an die Elektroden 6 anzulegenden Wechselspannung ab.
Die p-Gebiete 11 werden kontaktiert und mittels Verbindungen 7,
z.B. Bonddrähte, die an entsprechenden Stellen mit vermindertem Querschnitt versehen, eine elektrische Sicherung zulassen, elektrisch gegeneinander in Reihe geschaltet.
In der einen Halbwelle der Wechselspannung emittieren die leuchtenden Flächen 5. Dadurch ist für den Betrachter eine weitgehend flimmerfreie Einheit vorhanden.
Claims (15)
- Erfindungsanspruch1. Wechselspannungsangesteuerte Lumineszenzdioden, die auf der Basis der Injektionslumineszenz von in Durchlaßrichtung geschalteten pn-Übergängen Licht emittieren, dadurch gekenn- ' zeichnet, daß die leuchtende Fläche (4) eines pn-Überganges, der durch eine elektrische Schaltung in eine geeignete Folge von in Durchlaß- und Sperrichtung gepolten und als Reihen-, Antiparallel- oder1 mit Widerständen versehenen und vorzugsweise bis in den Sättigungsbereich der Lichtstärke ausge-, steuerte Anordnung gebracht ist, von der einen Halbwelle der Wechselspannung zur Lichtemission angeregt ist, mit einer leuchtenden Fläche ($) eines anderen pn-Überganges, der von der andesren Halbwelle der Wechselspannung zur Lichtemission. angeregt wird, in Richtung des Betrachters direkt übereinander oder sich teilweise überdeckend oder durch einen geringen Abstaiid getrennt nebeneinander angeordnet ist oder durch Spiegelung in dieser Lage scheinbar gebracht ist.
- 2. Lumineszenzdioden nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß die pn-Übergänge der leuchtenden Flächen (4, 5) so in Reihe geschaltet sind, daß die Summe aus Durchlaß- und Sperrspannungen der Amplitude der Wechselspannung oder einem Teil davon entspricht.
- 3. Lumineszenzdioden nach Punkt 2, dadurch gekennzeichnet, daßdie Anzahl der in Durchlaßrichtung geschalteten von der in Sperrichtung geschalteten pn-Übergänge der leuchtenden -Flächen abweicht. . . * .
- 4. Lumineszenzdioden nach Punkt 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß pn-Übergänge antiparallel geschaltet sind.
- 5. Lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, daß ein oder mehrere oder alle pn-Übergänge der leuchtenden Flächen (4, 5) jeweils an. Widerstände angeschlossen sind, deren gemeinsamer Pol an eine Elektrode der Wechselspannung gelegt ist.
- 6. Lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis 5». dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände integriert aufgebaut sind.
- 7. Lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, Λ daß an die leuchtenden Flächen (4, 5) der pn-Übergänge Skalenund/oder Markierungen angebracht sind. . :.
- 8. Lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Zusammenschaltung im Querschnitt verminderte Stellen enthält. ,
- 9. Lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß sich die leuchtenden Flächen (4, 5) in einem Chip befinden. , .. ^1 1 . - '
- 10. Lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis, 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der pn-Übergänge der leuchtenden Fläche (4) und/oder der leuchtenden Fläche (5) optisch durchsichtig ist.
- 11. Lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die leuchtende Fläche (4) geometrisch unterschiedliöhe Formen und Größen zur leuchtenden Fläche (5) aufweist oder beide gleichermaßen geeignete geometrische Formen annehmen. . ' . . '
- 12. Lumineszenzdioden nach Punkt i bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die leuchtende Fläche (4) und.die leuchtende Fläche (5) unterschiedliche Lichtfarben und/oder Lichtstärken emittieren. '
- 13. Lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis 1.2, dadurch gekennzeichnet, daß die leuchtenden Flächen (4» 5) wiederholt nebeneinander und/oder übereinander angeordnet sind.
- 14. Lumineszenzdioden nach.Punkt 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß auf .beiden Seiten eines durchsichtigen Trägerkörpers (8) ein Halbleiterkörper (3) mit pn-Übergängen, die elektrisch verbunden sind, aufgebracht ist und die leuchtende Fläche (4) in Richtung zum Betrachter über bzw. unter der leuchtenden Fläche (5) angeordnet ist. - . '15· Lumiheszenzdioden nach Punkt 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper (8) und/oder der Halbleiterkörper (3) auf einer Seite des Trägerkörpers (8) entfällt.ίβ. lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß sie in integrierter oder hybridintegrierter Porm
aufgebaut sind. . - 17. lumineszenzdioden nach Punkt 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß sie hinter nachleuchtenden Schirmen angebracht bzw, mit nachleuchtenden Umhüllungen versehen; sind, 'Dazu 3 Seiten Zeichnungen.
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004058732A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Industrial Technology Research Institute | Struktur von Plättchen von lichtemittierenden Dioden mit Wechselstrom |
| DE102006046038A1 (de) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
| DE102006049081A1 (de) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Noctron Holding S.A. | Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen |
| NL1031772C2 (nl) * | 2005-05-13 | 2008-05-14 | Ind Tech Res Inst | Wisselstroom licht uitzendende inrichting. |
| US7474681B2 (en) | 2005-05-13 | 2009-01-06 | Industrial Technology Research Institute | Alternating current light-emitting device |
| US8704241B2 (en) | 2005-05-13 | 2014-04-22 | Epistar Corporation | Light-emitting systems |
-
1982
- 1982-01-04 DD DD23653382A patent/DD219086A3/de not_active IP Right Cessation
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004058732B4 (de) * | 2004-08-31 | 2010-05-06 | Industrial Technology Research Institute | Struktur von Plättchen von lichtemittierenden Dioden mit Wechselstrom |
| DE102004058732A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Industrial Technology Research Institute | Struktur von Plättchen von lichtemittierenden Dioden mit Wechselstrom |
| US8704241B2 (en) | 2005-05-13 | 2014-04-22 | Epistar Corporation | Light-emitting systems |
| US9985074B2 (en) | 2005-05-13 | 2018-05-29 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| US9490234B2 (en) | 2005-05-13 | 2016-11-08 | Epistar Corporation | Alternative current light-emitting systems |
| NL1031772C2 (nl) * | 2005-05-13 | 2008-05-14 | Ind Tech Res Inst | Wisselstroom licht uitzendende inrichting. |
| US7474681B2 (en) | 2005-05-13 | 2009-01-06 | Industrial Technology Research Institute | Alternating current light-emitting device |
| US9070573B2 (en) | 2005-10-07 | 2015-06-30 | Epistar Corporation | Light-emitting systems |
| US9093292B2 (en) | 2005-10-07 | 2015-07-28 | Epistar Corporation | Light-emitting systems |
| US8283684B2 (en) | 2006-09-28 | 2012-10-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED semiconductor body and use of an LED semiconductor body |
| DE102006046038A1 (de) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers |
| DE102006049081B4 (de) * | 2006-10-13 | 2012-06-14 | Noctron Soparfi S.A. | Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen |
| DE102006049081A1 (de) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Noctron Holding S.A. | Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen |
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