DD223568A1

DD223568A1 - SEMICONDUCTOR DISC WITH IDENTIFICATION PANEL

Info

Publication number: DD223568A1
Application number: DD26269784A
Authority: DD
Inventors: Berthold Schulze; Frank Petschke
Original assignee: Mikroelektronik Zt Forsch Tech
Priority date: 1984-05-04
Filing date: 1984-05-04
Publication date: 1985-06-12

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterscheibe mit Kennzeichnungsfeld, wobei die Kennzeichnung durch Gravur auf der Scheibenvorderseite aufgebracht werden soll und nach der Kennzeichnung nicht die Moeglichkeit besteht, den durch die Gravur entstandenen Grat zu beseitigen, ohne die Scheibenoberflaeche zu beschaedigen und nochmals polieren zu muessen. Es ist Ziel der Erfindung, die Kennzeichnung so vorzunehmen, dass vor der nachfolgenden Bearbeitung, insbesondere der lithografischen Bearbeitung, keine Beseitigung der an den Raendern der Gravurgraeben (4) gebildeten Werkstoffanhaeufungen (3) erforderlich ist, welche zur Beschaedigung der auf die Scheibenoberflaeche aufzubringenden Schablonen fuehren. Gemaess Figur 2 wird dazu der fuer die Kennzeichnung vorgesehene Bereich der Halbleiterscheibe in seiner Dicke um einen Betrag verringert, der mindestens der Hoehe der Werkstoffanhaeufungen (3) an den Raendern der Gravurgraeben (4) entspricht. Fig. 2The invention relates to a semiconductor wafer with marking field, wherein the marking is to be applied by engraving on the front of the disc and after the identification is not possible to eliminate the burr caused by the engraving, without beschaedigen the Scheibenoberflaeche and polish again. It is an object of the invention to make the marking so that prior to the subsequent processing, in particular the lithographic processing, no elimination of the material on the edges of the gravure (4) formed Materialanhaeufufungen (3) is required, which for damaging the stencils to be applied to the Scheibenoberflaeche to lead. According to FIG. 2, the area of the semiconductor wafer provided for the marking is reduced in its thickness by an amount which corresponds at least to the height of the material appendages (3) on the edges of the engraved rakes (4). Fig. 2

Description

Halbleiterscheibe mit Kennzeichnungsfeld Anwendungsgebiet der ErfindungSemiconductor wafer with marking field Field of application of the invention

Die Erfindung betrifft eine zu kennzeichnende Halbleiterscheibe, wobei die Kennzeichnung durch Lasergravur auf der Scheibenvorderseite aufgebracht werden soll und nach der Kennzeichnung nicht die Möglichkeit besteht, den durch die Gravur entstandenen Grat- zu beseitigen, ohne die Oberfläche der Halbleiterscheibe zu beschädigen und nochmals polieren zu müssen.The invention relates to a semiconductor wafer to be marked, wherein the marking is to be applied by laser engraving on the wafer front side and after the marking is not possible to eliminate the burr caused by the engraving, without having to damage the surface of the semiconductor wafer and polish again ,

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Es ist bekannt, daß beim Gravieren von Halbleiterscheiben mittels Laserstrahlen an den Markierungsrändern auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe Werkstoffanhäufungen in Form eines Grates entstehen. Da dieser Grat bei der lithografischen Bearbeitung'der Halbleiterscheibe zu Beschädigungen der Schablone führen würde, muß er durch nachträgliche Bearbeitung der Scheibenoberfläche entfernt werden. Dies geschieht durch Ätzen und Polieren im Anschluß an die Gravur, wie es in der Zeitschrift "Elektronik Produktion und Prüftechnik¹¹ 03/83, Leinfelden-Echterdingen, Konradin—Verlag beschrieben ist. Aus technologischen Gründen ist diese nachträgliche Bearbeitung im Anwenderbetrieb von Halbleiterscheiben, der die Kennzeichnung vornimmt, nicht immer möglich.It is known that arise when engraving semiconductor wafers by means of laser beams at the marking edges on the surface of the semiconductor wafer material accumulations in the form of a ridge. Since this burr would cause damage to the template during the lithographic processing of the semiconductor wafer, it must be removed by subsequent processing of the wafer surface. This is done by etching and polishing subsequent to the engraving, as described in the magazine "Electronics Production and Testing ¹¹ 03/83, Leinfelden-Echterdingen, Konradin-Verlag.For technological reasons, this subsequent processing in the application of semiconductor wafers, the marking does not always work.

Ziel der Erfindung . ,Object of the invention. .

Ss ist Ziel der Erfindung, die Kennzeichnung der Halbleiterscheibe so durchzuführen, daß die nachfolgenden Bearbeitungsschritte, insbesondere die lithografische Bearbeitung, nicht beeinträchtigt werden.It is an object of the invention to carry out the marking of the semiconductor wafer so that the subsequent processing steps, in particular the lithographic processing, are not impaired.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Ber Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die maschinenlesbare Kennzeichnung von Halbleiterscheiben ohne nachträgliche Bearbeitung der Halbleiterscheiben zur Beseitigung der an den Rändern der Gravurgräben gebildeten Werkstoffanhäufungen zu ermöglichen. Ber invention is based on the object to enable the machine-readable marking of semiconductor wafers without subsequent processing of the semiconductor wafers to eliminate the material accumulations formed at the edges of the engraving trenches.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß der für die Kennzeichnung vorgesehene Bereich der Halbleiterscheibe in seiner Dicke um einen Betrag verringert wurde, der mindestens der Höhe der Werkstoffanhäufungen an den Rändern der Gravurgräben entspricht.According to the invention the object is achieved in that the designated area for the marking of the semiconductor wafer has been reduced in its thickness by an amount which corresponds at least to the height of the material accumulations at the edges of the engraving trenches.

Ausführungsbeispielembodiment

Die Erfindung soll in zwei Ausführungsbeispielen anhand zweier Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigenThe invention will be explained in more detail in two embodiments with reference to two drawings. Show

Figur 1 : eine Halbleiterscheibe mit entlang der Hauptfase abgeschrägtem. Rand als Kennzeichnungsfeld; undFigure 1: a semiconductor wafer with beveled along the main bevel. Edge as a label field; and

Figur 2: eine Halbleiterscheibe mit im Randbereich verringerter Dicke als KennzeichnungsfeldFigure 2: a semiconductor wafer with reduced thickness in the edge region as a marking field

Durch mechanische, chemische bzw. chemomechanische Bearbeitung wird die Dicke eines als Kennzeichnungsfeld vorgesehenen Bereiches der Halbleiterscheibe verringert oder der Rand der Halbleiterscheibe in diesem BereichBy mechanical, chemical or chemo-mechanical processing, the thickness of a designated area of the semiconductor wafer is reduced or the edge of the semiconductor wafer in this area

abgeschrägt. Die Abschrägung 2(gemäi3 Figur 1) muJ3 dabei derart erfolgen, da die bei der Gravur entstehende Werkstoffanhäufung 3 ah den Gravurgräben 4 an jeder Stelle des Kennzeichnungsfeldes unter dem Niveau der Ausgangskontur Ί der Halbleiterscheibe liegt. Bei einer Kennzeichenhöhe von 1,5 mm und einem Abstand der Kennzeichen vom Rand der Halbleiterscheibe von 0,75 mm beträgt die Höhe des Kennzeichnungsfeldes 3,0 mm.beveled. The chamfer 2 (according to FIG. 1) must be made in such a way that the material accumulation 3 produced during the engraving is below the level of the starting contour Ί of the semiconductor wafer at the engraving trenches 4 at each point of the marking field. With a license plate height of 1.5 mm and a distance of the license plate from the edge of the semiconductor wafer of 0.75 mm, the height of the identification field is 3.0 mm.

Die Abschrägung des Kennzeichnungsfeldes muß so erfolgen, daß die Dicke der Halbleiterscheibe am äußeren Rand um 0,2 mm verringert ist. Somit liegt die Werkst of fanhäuf ung 3 unter dem Niveau der Scheibenoberfläche und muß für die weitere Bearbeitung nicht beseitigt werden.The bevel of the identification field must be such that the thickness of the semiconductor wafer is reduced by 0.2 mm at the outer edge. Thus, the work of fanhäufung 3 is below the level of the disc surface and must not be removed for further processing.

In Figur 2 wird eine weitere Lösungsmöglichkeit gezeigt, wobei ein der Größe des Kennzeichnungsfeldes entsprechender Sandbereich der Halbleiterscheibe in seiner Dicke verringert wird. Die Höhe des Kennzeichnungsfeldes beträgt wie im ersten Ausführungsbeispiel 3mm bei einer Kennzeichenhöhe von 1,5 mm und einem Abstand der Kennzeichen vom Rand von 0,75 mm. über das gesamte Kenn— zeichnungsfeld wird die Dicke der Halbleiterscheibe um einen Betrag von 0,05 mm verringert, so daß nach der Gravur die Werkst offanhäufung 3 der Gravurgräben 4 unter dem Niveau der Scheibenoberfläche liegt. Diese Verringerung der Scheibendicke im Bereich des Kennzeichnungsfeldes kann gleich beim Scheibenhersteller realisiert werden, so daß für jeden Anwenderbetrieb die nachträgliche Bearbeitung im Anschluß an die Kennzeichnung mittels Gravur entfällt.FIG. 2 shows a further possible solution, wherein a thickness of the semiconductor wafer corresponding to the size of the marking field is reduced in its thickness. The height of the marking field is as in the first embodiment 3mm with a license plate height of 1.5 mm and a distance of the license plate from the edge of 0.75 mm. Over the entire identification field, the thickness of the semiconductor wafer is reduced by an amount of 0.05 mm, so that after engraving the Werkst offanhäufung 3 of the engraving trenches 4 is below the level of the disk surface. This reduction in the thickness of the pane in the area of the marking field can be realized in the same way at the wheel manufacturer, so that the subsequent processing following the marking by means of engraving is omitted for each user operation.

Claims

- 4 claim of claim "

1. semiconductor wafer with identification field, wherein
the marking is to be applied by engraving on the front of the pane, characterized in that the area of the semiconductor wafer intended for the marking is in its
Thickness has been reduced by an amount that is at least equal to the height of the 'off-stock aggregate (3). corresponds to the edges of the engraved trenches (4),

- See 1 page drawing -