DD225524A1 - Auswahlanordnung fuer auf einer leiterplatte bestueckte eprom - Google Patents

Abstract

Die Erfindung ist in allen Geraeten und Anlagen der elektronischen Datenverarbeitungstechnik anwendbar, die Speicherplatinen mit mehreren EPROM enthalten, d. h. in einem speziellen Programmiervorgang durch Organisierung von vom normalen Arbeitsregime abweichenden elektrischen Sonderbedingungen mit Information beschreibbare und bei Bedarf ebenfalls durch die Gewaehrleistung von speziellen Bedingungen wieder loeschbare Speicherschaltkreise. Aufgabe der Erfindung ist eine Anordnung der oben angegebenen Art, bei der sowohl die Speicherzellen- und Schaltkreisauswahlschaltungen fuer den normalen Lesebetrieb als auch die fuer den Programmierbetrieb durch weitgehend identische Schaltungsteile realisiert sind. Die Auswahlschaltungen fuer beide Betriebsarten sollen eine moeglichst abgeschlossene Einheit darstellen in der Form, dass nur wenige Steckverbinderanschluesse von der bestueckten Leiterplatte nach aussen fuehren. Erfindungsgemaess wird das entsprechend dem Anspruch geloest. Fig. 1

Description

sf

Titel der Erfindung

Auswahianordnung für auf einer Leiterplatte bestückte EPROf.'

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die Erfindung ist in allen Geräten und Anlagen der elektronischen Datenverarbeitungstechnik anwendbar, die Speicherplatinen (bestückte Leiterplatten) mit mehreren EPROM, d. n. in einen speziellen Programniervorgang durch Organisierung von von normalen Arbeitsregime abweichenden elektrischen Sonderbedingungen mit Information beschreibbare und bei Bedarf ebenfalls durch die Gewährleistung von speziellen Bedingungen wieber löschbare Speicherschaltkreise, enthalten.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen Bei einem bekannten EPROf,', auf dessen Parameter im weiteren Bezug genommen wird, kann durch Anlegen einer Programmierspannung, die wesentlich höher als die Betriebsspannung bein Lesen ist, an einen Programmiereingang in einer durch die Adressierung des EPROM ausgewählten Speicherzelle die nach dem Löschvorgang vorhandene und einer "L" entsprechende Leerinfornation in eine "0* umgewandelt werden, er kann also programmiert v/erden. Die Adressierung über AdreGleitungen erfolgt byteweise, die der "0" entsprechenden Bits eines Bytes werden über 3 Datenleitungen vorgegeben. Bei angelegter Programnierspannung können des weiteren Steuerinformationen an den Chipselektier- und Ausgangsakti viarungseingüngen ^.cz ΕΡΠΟ?.! entscheiden, ob die Information in die Zellen eines Bytes einzuschreiben ist, ob ei'ne Kontrolleoung der einqeschriebenen

Information durchgeführt wird oder ob die Programmierung unterbrochen ist. Beim Progranmieren liegt an den beiden genannten Steuereingängen im Vergleich zu den Lesevorgängen das entgegengesetzte Potential an. Nur beim Lesen sind die Dateneingänge/-ausgänge des EPROM niederohmig und liefern den dem Speicherzelleninhalt entsprechenden Wert auf die angeschlossenen Leitungen, in den anderen Fällen sind die Ausgänge hochohmig (3-state-Ausgö.nge) gesteuert. Durch Adressenv/eiterschaltung und Anlegen der den Adressen zugeordneten Datenbytes werden nacheinander alle Zellen des EPROM programmiert.

Die ^programmierspannung muß dabei für jede Zelle eine Mindestzeit anliegen, die die Zeit für den normalen Speicherlesezyklus erheblich übersteigt, z. B. Speicherzykluszeit einige 100 ns, Länge des Programmieriraoulses dagegen mindestens 50 ms. Oie Betriebsspannung des bekannten EPROM beträgt 5 V, die Programoierspannung dagegen 25 V. Gelöscht v/erden EPROM im allgemeinen durch UV-Bestrahlung.

Die Organisation des beschriebenen Programmiervorganges der EPROM ist prinzipiell auf spezielle Programmiergeräte ausaerichtet, die die Einschreibbedinqunaen einschließlich Adressenauswahl und die Bedingungen für das Kontrollesen gewährleisten und mittels derer die EPROM programmiert v/erden. Nach der Programmierung v/erden die EPROM in die Geräte bzw. Anlagen, für die sie bestimmt sind, eingebracht. EPROM, deren Information sich nicht mehr ändert, r/erden eingelötet. EPROM, die ab und zu umprogrammiert v/erden müssen, werden mittels Fassungen aufgesteckt. Letzteres ist der Normalfall, da nicht mehr umzuprogrammierende EPROM bei größeren Stückzahlen auch durch billigere ROM mit einer festen internen Informationsstruktur ersetzbar sind.

Oft kommt es jedoch vor, daß bereits fest eingelötete EPROM oder ROM sich als fehlerhaft erweisen, z. 3. durch Fehler im EPROM (ROM) selbst, aber auch infolge von durch den Einsatzzweck notwendiae Informationsänderunaen . Deshalb wurden

bereits Einrichtungen zur operativen Korrektur der fehlerhaften Speicherzellen vorgeschlagen.

So ist eine Lösung mit einem Hilfsspeicner (z. B. RAM) bekannt, der die richtigen Informationen enthält, und einem Adreßumsetzer, der jedesmal anstelle der fehlerhaften Information aus dem RO'.! die richtige Information aus dem RAM ausliest (DE-AS 2S 4G 162). Eine andere bekannte Lösung weist einen HilfsSpeicher, einen Adreßumsetzer und einen Prioritütskodierer zur Festleaunq von Prioritäten bei mehreren zu ersetzenden fehlerhaften Informationen auf (DE-AS 25 46 163). Bei einer v/eiteren bekannten Lösung erfolgt die Speicherung der richtigen Informationen in einem Arbeitsspeicherteil. Eine Adressenmodifikationsanordnung ersetzt die fehlerhafte Information im Festspeicherteil durch die richtige Information aus dem ArbeitsspeicherteiT (DE-AS 24 öl 527).

Gekannt ist auch eine Reservierung von Vorratszellen im ROf.!, die bei Bedarf anstelle der fehlerhaften Zellen mit den richtigen Informationen beschrieben und während 6er Operationsabarbeitung angesteuert werden (DE-AS 23 54 975). Eine andere bekannte Einrichtung (DE-AS 22 43 591) beschreibt ein gesondertes Gerät, das in der Programm- bzw. Anwendungserprobungsphase mit einem einen EPROM-Speicher enthaltenden Steuergerat verbunden ist und einen speziellen RAM besitzt, in dem während dieser Erprobunnszeit die Informationen operativ gespeichert sind. Nach ausreichender Erprobung bzw. Überprüfung des Programms werden diese Informationen mittels einer Übertragungseinrichtung in den endgültigen EPROM-Spei eher übertragen und das gesonderte Gerät mit Speicher und Übertragungseinrichtung abgekoppelt.

Es ist auch schon vorgeschlagen worden" (IVP GOöF/255 029.3), zum Einschreiben von Informationen in EPROM, die im Gerät, in dem die EPROM bestückt sind, vorhandenen Baugruppen, wie Prozessor und Leitwerk, Operativspeicher und Prcgrammspeicheransteuerungen, Taktzentrale, Speieherzellenadressiervorrichtung mit Adreßleitungen, Soeicherchipselektierung,

Speicherchipausgangsaktivierung und Datenleitungen für die Programmierung zu nutzen, mit dem Ziel, die EPROM mit wenig Zusatzaufwand im eingelöteten Zustand zu programmieren. Zur Steuerung des Programmiervorganges werden bei diesem Vorschlag redundante Adressen, sog. Leeradressen, genutzt. Die vorangehend genannten Lösungen sind im ersten Teil Hilfsmittel, die geschaffen wurden, weil rn-an davon ausgeht, daß EPROM in eingelöteten Zustand nicht programmierbar sind. Die auswechselbaren EPROi.! führen andererseits zu Kontaktierungsproblemen an den Fassungen. Ferner sind die Lösungen aufwendig, indem sie zusätzliche Speicherplatzreserven, zusätzliche Geräte für die Inbetriebnahmephase u. a. benötigen.

Andererseits sehen die bekannten Lösungen, bei denen viele auf einer bestückten Leiterplatte eingelötete EPROM programmiert werden können, vor, daß die Steuereingänge über Steckverbinder nach außen geführt sind, um sie von außen mit üilfe eines gesonderten Programmiergerätes im Programmierprozeß unterschiedlich zum normalen Leseregime steuern zu können, mit dem Machteil vieler notweniqer Steckverbinderanschlüsse und damit ebenfalls von Kontaktierungsproblemen sowie zusätzlichen Leiterzügen auf öer bestückten Leiterplatte.

Ziel der Erfindung

Ziel der Erfindung ist die Schaffung einer Anordnung zur Auswahl von auf einer Leiterplatte bestückter, EPROM für das Lesen und Programmieren ihrer Informationsinhalte, bei der der schaltungstechnische Aufwand zur Auswahl der EPROM weitgehend minimiert ist. Es sollen viele auf einer bestückten Leiterplatte untergebrachte, insbesondere eingelötete EPROM mit wenig Zusatzaufwand direkt lesbar und programmierbar sein. Weiter sollen im Vergleich zu bekannten Lösungen vereinfachte Apparaturen und Qraanisationsformen für den Proqrammiervornann ermÖGlicht v/erden.

Darlegung des V/esens der Erfindung

Aufgabe der Erfindung ist eine Anordnung der oben angegebenen Art, bei der sov/ohl die Speicherzellen- und Schaltkreisausv/ahlschaltungen für den normalen Lesebetrieb als auch die für den Progranmierbetrieb durch weitgehend identische Schaltungateilo realisiert sind. Die Auswahischcltungen für beide Betriebsarten sollen eine möglichst abgeschlossene Einheit darstellen in der Fora, daß nur wenige Steckverbinderanschlüsse von der bestückten Leiterplatte nach außen führen.

Die erfindungsgenäße Lösung einer Anordnung zur Auswahl von auf einer Leiterplatte bestückten EPROM für das Lesen und Progrannieren ihrer Infornationsinhalte besteht darin, daß ein erster Teil der von einer Adressiereinrichtung kommenden Adreßieitungen bein Lesen und Programmieren mit den Adreßeingängen der EPP.OM verbunden ist und daß zur Selektierung eines von ihnen die EPPOM beim Lesen und Programmieren eine Matrix aus ΞΡΠΟΜ-P.eihen und EPP.CM-Spalten bilden, wobei ein zweiter Teil der Adreßleitungen, dekodiert als ein eine 1-aus-n-Darsteilung führendes Leitungsbündel, mit den Chipselektiereingängen der EPROM-P.eihen verbunden ist, während ein dritter Teil Adreßieitungen, dekodiert als ein eine I-aus-n-Darstellung führendes Leitungsbündel, beim Lesen mit den Ausgangsaktivierungseingängen cer EPP.OM-Spalten und beim Programmieren über Mittel zur Formung cer Signale auf diesen Adreßlei-

dieser hPRCM-Spalten verbunden ist.

Eine vorteilhafte detailliertere Ausführung einer Anordnung zur Auswahl von auf einer Leiterplatte bestückten EPROM für das Lesen und Programmieren ihrer Informationsinhalte bestellt darin, daß die von einer Adressiereinrichtung konnenden niederwertigen Adreßieitungen mit den Adreßeingängen der EPPCM je Adreßstelle über eine ri:r den Lese- und Programmiervorgang gemeinsame Leitung verbunden sind und daß die EPP.OM zwecks Seiektierunn eines von ihnen beim Lesen und Programmieren eine

Matrix aus EPROM-Reihen und EPROM-Spalten bilden, wobei ein Teil der höherwertigen Adreßleitungen sowohl beim Lesen als auch beim Programmieren über Dekoder zur Bildung einer 1-ausn-Darstellung oder als ein eine 1-aus-n-Qarstellung enthaltendes Leitungsbündel über eine Umschalteinrichtung mit den Chipselektiereingängen der EPRQM-Reihen verbunden ist und eine von ihnen gemäß der 1-aus-n-Darstellung auswählt, während der andere Teil der höherwertigen Adreßleitungen als 1-aus-n-Darstellung direkt oder über einen Gruppendekoder zur Bildung der 1-aus-n-Darstellung beim Lesen mit den Ausgangsaktivierungseingängen der EPROM-Spalten und beim Programmieren über durch diese Adreßleitungen gesteuerte Schalter mit den Programraiereingängen dieser EPROM-Spalten verbunden ist und diese auswählt.

Weitere vorteilhafte Details der Erfindung sind den Punkten bis 3 des Anspruchs zu entnehmen.

Es wird als vorteilhaft eingeschätzt, daß auf der mit EPROM bestückten Leiterplatte selbst mit vertretbarem Aufwand sov/ohl die Speicherzellen- als auch die Schaltkreisauswahlschaltungen für den normalen Lesebetrieb sowie für den Programtnierbetrieb durch weitgehend identische Schaltungsteile als relativ abgeschlossene Einheit realisiert werden. Dabei werden nur die Anschlüsse für Leitungen mit dem Adreßkode und für die erhöht.e Programmierspannung, verbunden mit wenigen Programmiersteuersignalen, nach außen geführt. ·

Ausführungsbeispiel

Die Erfindung v/ird nachstehend an einen AusfUhrungsbeispiel näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 eine Anordnung zum Lesen und Programmieren von Informationen in 32 EPROM (EPROMl ... EPR0M32) mit einer Gesamtkapazität von 54 KByte, die zusammen nut den EPROM auf einer Leiterplatte bestückt ist,

Fig. 2 einen bekannten Schalter zur Zuschaltung der Programmierspannung .

Es wird davon ausgegangen, daß die EPROM im eingebauten Zustand gelöscht werden können, inden das Löschen durch Bestrahlung der bestückten Leiterplatte mit UV-Licht erfolgt und Schirme mit den Löschfenstern der EPROM angepaßten Aussparungen beim selektiven Löschen bestimmter EPROM zun Einsatz kommen. Weiterhin v/ird davon ausgegangen, daß bekannte Schaltungen vorhanden sind, die über Adreßleitungen AO ... A15 des Adreßbusses A3 ein bestimmtes Byte aus der Menge der 64 KSyte adressieren, die über die Datenleitungen DBO ... D37 des Datenbusses 03 die auf den Wert "0" umzuprogrammierenden Bits eines adressierten Bytes vorgeben und die ein den Lesevorgang kennzeichnendes Lesesteuersignal auf Steuerleitun.g /RD, loivaktiv, und ein den Programmiervorgang kennzeichnendes Programmiersteuersignal auf Steuerleitung /PR, lo'.v-aktiv, liefern. Die Programmiersteuersignale auf Steuerleitung /PR entsprechen der Länge der Prograr.mierimpulse (50 ms bei dem als Bezugsbeispiel dienenden, bekannten EPROM-Typ 2715). Solche Programmierotcuersignale können durch Zeitschaltungen erzeugt werden, insbesondere ist eine bereits weiter vorn erwähnte Schaltung bekannt, die einen programmgesteuerten Prozessor (CPU-Schaltkreis) mit IVartesteuerung ('.VAIT-Zyklus) i IΠ r! pi npp 7η ί ί* ^p-P ι π τ P P t P "Γ η ί.' -ΐ- ΐ <~ί γί ' ι "Ϊ c: o 7,"h1 pn.^pn 7 η S 1 op /~7 /s -i ·*- H ρ· —.

berschaltkreis CTC enthält.

Die Chipselektiereingange CE und die Ausgangsaktivierungseingänge OE uer EPROM sind beim Lesen (in diesem Falle liegt am Programmiereingang UPR normale Betriebsspannung 5 V an) und beim Kontrollesen (an UPR liegt die Programmierspannung 25 V)

beim Pegel low und beim Programnieren (an UPR liegt 25 V) beim Pegel high aktiv. Die Ansteuerbedingungen an den Eingängen C OE und UPP. der EPROM beim Lesen (Nur-Lese-Betrieb, UPR = 5 V) und Programmieren (UPR = 25 V) zeigt die,folgende Tabelle:

CE OE UPR Operation

y-\	L
0	0
L	L
0	0
0	L
L	0

5 V Datenausgänge hochohmig χ = beliebig

5 V " " CE = L: Zustand

5 V Lesen geringen Lei-

25 V Programmieren stungsverbrauchs

25 V Kontrollesen . im EPROM (Schlaf-

25 V Datenausgänge hochohmig zustand)

25 V Datenausgänge nieder-ohmig, verboten

Bei angeschalteter Betriebsspannung 5 V ist der EPROM nur dann selektiert, wann CE = OE = 0. Bei angeschalteter Programmierspannung 25 V wird der EPROM programmiert, v/enn er durch CE = OE = L ausgewählt ist. Die Umschaltung zwischen 5 V beim Lesen und 25 V beim Programmieren erfolgt durch die Schalter SlO S13 zur Zuschaltung der Programnierspannung. Diese Schalter sind in der Regel nicht auf öer bestückten Leiterplatte untergebracht, sondern in einem gesonderten Programmier^,!Ifsmittel PRG, -,vie es durch die gestrichelte Abtrennung in Fig. 1 angedeutet ist. Dieses Hilfsmittel wird über die vier Programmierleitungen UPO ... UP3 und über die vier Leitungen UPRO ... UPR3 eines Gruppendekoders S205/2 beim Programmieren an die -bestückte Leiterplatte angeschlossen. Damit sind acht Leitungen in z. B. einem Steckverbinder anzuschließen. Da ein-e minimale Leitungszahl für den Anschluß vorteilhaft ist, besteht auch die Möglichkeit, den Dekoder im Prograrnrnierhi If smittel PRG vorzusehen bzw. nachzubilden, so daß nur die zwei Adreßleitungen A14, A15 mit anliegender binär kodierter Signaldarstellung im Steckverbinder vorhanden zu sein brauchen, also insgesamt sechs Leitungen für den Anschluß des Programmierhilfsnittels notwendig sind. Natürlich können die Schalter SlO ... S13 auch fest in Speichergerät installiert sein, wenn der

Zusatzaufwand vertretbar ist bzw. direkt im Speichergerät selbst programmiert werden soll. Letzteres bedingt eine entsprechende Lösung für das Löschen der EPROM. Die Auswahl einer Speicherzelle beim Lesebetrieb (Lesen und Kontrollesen) vollzieht sich folgendermaßen: Auf den Adreßleitungen AO A15 ist die Speicherzellenadresse eingestellt. Die niederwertigen Adreßleitungen AO ... AlO werden im AusfUhrungsbeispiel mittels zweier Schaltkreise 6 χ Inverter DL004D verstärkt. Die Ausgänge dieser Schaltkreise speisen die Adreoleitungen /AO ... /AlO, die als Busleitungen ständig an die Adreßeingänge jedes EPROM geführt sind. Falls die AdreQleitungen schon über geeignete Quellen gespeist sind (entsprechend den Zeitforderungen an die Umladezeit für die Eingangskapazitäten der EPROM-Eingünge), können die beiden Schaltkreise DL004D entfallen.

Ein Teil der höherwertigcri Adreßleitungen All, A12, A13 ist an einen ersten Gruppendekocar 8205/1 geführt. Dieser Gruppendekoder 3205/1 schlüsselt die Signale auf den Adreßleitungen All, A12, A13 in eine 1-aus-n-Darstellung um, hier speziell l-aus-8. Für den als Gruppendekoder eingesetzten Schaltkreis S205 ist der ausgewählte Ausgang low-aktiv, "d. h. entsprechend der Kombination der Signale der an die Eingänge geführten Adreoleitungen All, A12, A13 liegt auf einem der Selektierausgänge CSO ... CS7 dieses Gruppendekoders 0, auf allen anderen L. Der Schaltkreis 8205 braucht im Ausfünrungsbeispiel nicht gesteuert zu v/erden, was durch konstante Potentiale an seinen Steuereingängen angedeutet ist:

El = E2 = 0, ES = L.

Die Selektierausgänge /CSO ... /CS7 des ersten Gruppendekoders 3205/1 sind mit den Dateneingängen zweier Umschalteinrichtungen 32G2, 32S3 (S-Sit-Lotch-SchaItkreise), einer mit direktem Ausnanr: 3232 und einer mit invertierendem Auscann 3233, verbunden. Beide besitzen 3-state-Ausgänge. Die

Steuereingänge STB beider Schaltkreise liegen an L, was bedeutet, daß die Eingangsinformation von den an den Dateneingängen angeschlossenen Leitungen /CSO ... /CS7 ständig übernommen wird. Die Datenausgänge CO ... C7 beider Latch-Schaltkreise sind als Busleitungssysten verdrahtet. Die Aus-' gänge der Unischalteinrichtung 82G2 v/erden beim Lesen wirksam, indem die beim Lesen aktive Steuerleitung /RD an den Äusgangsaktivierungseingang OE angeschlossen ist, die Ausgänge der Umscnalteinricntung .3283 v/erden beim Programmieren wirksam, indem die beim Programmieren aktive Steuerleitung /PR an den Ausgangsaktivierungseingang OE angeschlossen ist. Im Ruhezustand ist /RD = 0 und /PR = L, die Ausgänge uer einen Umschalteinrichtung S2S2 sind somit wirksam, die der anderen Umschalteinrichtung S283 hochohmig. Die beiden Schaltkreise bilden somit eine Umschalteinrichtung für die Umschaltung uer Signale auf den an den Datenausgängen CO ... C7 angeschlossenen Leitungen vom Direktwert in den invertierten IVert. Jede der Busleitungen an den Datenausgängen CO ... C7 ist an Cnipselektiereingänge CE einer EPROM-Reihe angeschlosse-n, wobei die EPROM fiktiv (d. h. es muß nicht unbedingt mit der geometrischen Anordnung auf der Leiterplatte übereinstimmen) in einer Matrix angeordnet gedacht sind, mit EPROM-Reihen EPROMl ... EPRQM4, EPR0M5 ... EPROMS usw. und EPROM-Spalten EPROMl ... EPRCM29, EPR0M2 ... EPR0.M30 usw. Damit wird jeweils eine EPROM—Reihe für das Lesen selektiert, alle anderen EPROM-Reihen sind gesperrt.

Ein zweiter Gruppendekoder 8205/2 ist für die Selektion der EPROM-Spalten vorgesehen. Die Signale auf den Adreßleitungen A14, A15 werden beim Lesen in eine low-aktive 1-aus-n-Darstellung (eine der Leitungen = 0) auf den beim Lesen wirksamen Ausgangsleitungen /OEO ... /0E3 des zweiten Gruppendekoders unicodiert. 3ece der Ausgangsleitungen /OEO ... /0E3 ist an die Ausgangsaktivierungseingänge OE einer EPROM-Spalte angeschlossen und selektiert diese, falls auf ihr das Signal 0 anliegt, während- durch das an den anderen EPROM-Snalten anliegende Signal L letztere gesperrt sind.

Der am Kreuzungspunkt der angesteuerten EPRQM-Reihe und EPROM-Spalte befindliche EPROM ist somit beim Lesen ausgewählt. Die innerhalb des über die höherwertigen Adreßleitungen All ... A15 ausgewählten EPROM durch die niederwertigen Adreßleitungen AO ... AlO ausgewühlte Speicherzelle liefert ihren Informationsinhalt auf den Datenbus DB mit den Datenleitungcn DDO ... D37.

Die Auswahl einer Speicherzelle beim Programmierbetrieb vollzieht sich folgendermaßen, wobei nur die Abweichungen zum Lesebetrieb beschrieben werden. Es wird über die beim Programmieren aktive Steuerleitung /PR der Schaltkreis 3233 durchgeschaltet, der die negierte Darstellung der Eingangssignale ausgangsseitig erzeugt, also einer der Datenausgänge CO ... C7 führt eine L, alle anderen 0. Damit ist üüer die angeschlossenen Chipselektiereingänge CE eine der EPRCM-Reihen für das Programmieren ausgewählt. Die Auswahl der EPROM-Spalte erfolgt wie beim Lesen mit dem zweiten Gruppendekoder S205/2 oder evtl. dessen Nachbildung im Programmierhilfsmittel PRG. An den dritten Adreßeingang des Schaltkreises C205, der den zweiten Gruppendekoder S205/2 realisiert, ist das Steuersignal PR geführt, das durch Negation des Steuersignals /PR entsteint, wie es in Fig. 1 durch Verwendung einer Stufe eines der beiden Schaltkreise DL004D dargestellt ist. Dadurch sind die Ausgangsleitungen /QEO ... /0E3 des beim Lesen wirksamen Ausgangsleitungsbündels des zweiten Gruppendekodsrs 0205/2 gesperrt, d. n. alle auf L gestellt. Die 1-aus-n-Darstellung erscheint in den beim Programmieren wirksamen Leitungen UPRO ... UPR3 des zweiten Gruppendekoders S205/2, indem eine dieser Leitungen 0, die anderen aber L führen. Diese Leitungen UPRO ... UPR3 steuern einen uqc den EPROM-Spalten zugeordneten Schalter SlO ... S13 in der Form, da:3 er die an seinem Ausgang abgegebene Spannung von 5 V auf 25 V umschaltet, solange die

O O t_. i-i ^ t JlJüi Ii lull« i-> ui.l O v> ^ t_J «^ ι ul Ilvl-Jilv ^itiii^^Jw.

Die Schaiterausgänge sind mit Programmierleitungen UPO ... UP3 verbunden. 3ede Programmierieitung stellt eine Sammelleitung oar, die alle > rogrammiereingange der EP;-.Or.i einer Spalte

miteinander verbindet. Die Programmierspannung v/ird nur der ausgewählten EPROM-Spalte zugeführt. Die EPROM aller anderen EPROivi-Spalten befinden sich in dem durch die zweite Zeile der Tabelle angegebenen Zustand (OE = L, UPR = 5 V)₇ ihre Ausgänge sind hocnohmig. Damit v/ird nur der EPROM, der sich απ Kreuzungspunkt von über die Ausgänge der (-!'^schalteinrichtung 8233 ausgewühlten Reihe und der über die Programmierleitungen ausgewählten Spalte bein Programmieren, je nachdem, über weiche der nöherwertigen Adreßleitungen All ... A15 die Ansteuerung erfolgt, ausgewählt. Die innerhalb dieses EPROM über die niederwertigen Adreßleitungen AO ... AlO ausgewählte Speicherzelle empfängt das Datenbyte, das vorgibt, welche seiner Bits auf 0 zu programmieren sind, über den an die Dateneingänge/-ausgänge des EPROM angeschlossenen Datenbus DS. Schalter SlO ... S13 der Art, wie sie für die Zuschaltung der Programmierspannung gefordert werden, sind als bekannt vorausgesetzt. Das Prinzip einer bekannten Schaltung mit Hilfe eines Spannungsregler-Schaltkreises MAA 723 mit seinen entsprechend beschalteten Ein- bzw. Ausgängen 1 ... 10 ist in Fig. 2 angedeutet. Die Eingangs-ZAusgangsbeschaltung erfolgt durch die U'iederstände Rl bis R5 und durch die Kondensatoren Cl, C2. LJPRO ist der Steuereingang von Ausgangsleitungsbündel des zweiten Gruppendekoders, UPO der an die Programmierleitung einer EPROM-Spalte EPROMl ... EPRQM29 angeschlossene Ausgang. Der Lesebetrieb ist die normale Betriebsart. Es ist bei vielen Geräten wesentlich, zur Verringerung des Energiebedarfs der EPROivl-Speicheranordnung weitgehend den Schlaf zustand (CE = L) zu nutzen. Die in Fig. 1 gezeigte Anordnung gewährleistet, daß sich jeweils nur eine EPRQM-Reihe bei Lesebetrieb nicht in Schlafzustand befindet. Eine weitere Reduzierung des Strombedarfs ist erreichbar, wenn am ersten Gruppendekoder S205/1 über einen der Steuereingänge El, E2, E3 nur der Lesevorgang strobiert wird.

Claims (2)

Erfindungsanspruch 1. Anordnung zur Auswahl von auf einer Leiterplatte bestückten EPROM für das Lesen und Progrannieren ihrer Informationsinhalte, dadurch gekennzeichnet, daß ein erster Teil der von einer Adressiereinrichtung kommenden Adreßleitungen bein Lesen und Progranmieren mit den Adreßeingängen öcr EPROM verbunden ist und daß zur Sclekticrung eines von ihnen die EPROM beim Lesen und Programmieren eine Matrix aus EPROM-Reihen und EPROM-Spalten bilden, wobei ein zweiter Teil der Adreßleitungen, dekodiert als ein eine 1-ausn-Darstellung führendes Leitungsbündel, mit den Chipselektiereingängen der EPROM-Reihen verbunden ist, während ein dritter Teil Adreßleitungen, dekodiert als ein eine 1-ausn-Darstellung führendes Leitungsbündel, beim Lesen mit den Ausgangsaktivierungseingängen der EPROM-Spalten und beim Programmieren über Mittel zv.r Formung der Signale auf diesen Adreßleitungen in Programmierspannungen mit den Programmiereingängen dieser EPRQM-Spclten verbunden ist. 2. Anordnung nach Punkt 1, dadurch gekennzeichnet, daß die von einer Adressiereinrichtung kommenden niederv/ertigen Adreßleitungen (/AO ... /AlO bzw. unverstärkt AO ... AIO) mit den Adreßeingängen der EPROM je AdreDstelle über eine für den Lese- und Programmiervorgang gemeinsame Leitung verbunden sind und daß die EPROM zwecks SeIc!;-tierunq eines von ihnen beim Lesen und Procrammieren o-ίηο !;oir> I >' .-,,,-, nrnnrV! Π ^ * U ^ .-, f C O η 'Λ ' ΐ -ι ΠΓ D Γ> Π * i,i ülllü ;.!Ji/i I/\ JLio Ui iw.ii-i'.Cilien k1-' •»'•-' "-i· ... 4_ 4 .,J; ·-: , ΕΙ» i^ui.ij . · . i_; ^ui.iü Uow. J UtIU »~* .»^'wiv^oU^i^Cii V1-» ι^^Ί-1-i. ... Ll liUl.K-J, LI UvJiUL ... Ll hUliiJU USW. J JHuCIl, ii'JÜCl ein Teil der höherwertigen Adreßleitungen (All, A12, A13) sov/ohl beim Lesen als auch beim Programmieren über Dekoder (3205/1) zur Bildung einer 1-aus-n-Ccrstellung oder als ein eine 1-aus-n-Darstellung enthaltendes Leitungsbündel über pi pr< i J!-. α r 'I rt ] -1- η \ ρ ρ \ ρ h * ·! r> π ip,o"° °j ° °- ° ) π ί f r\ en P 'η i η c, ο 1 ρ ' _ / ρ r> r- η ' ι -1 r ο ο η ' > ^. CT Γ3 O O' ! O o»;· y VUl j JiluCii 1^^ Luu cliiG VOR gemäß der 1-aus-n-Darstellung auswählt, während der andere Teil der hönerv/ertigen Adreßleitungen (A14 , A15) als 1-aus-n-Darstellung direkt oder über einen Gruppendekoder (G205/2) zur Bildung der 1-auo-n-Darstellung bein Lesen mit . den Ausgangsaktivierungseingängen (OE) der EPROM-Spalten (EPROMl ... EPR0M2S, EPR0M2 ... ΕΡΓΪ0Μ30 usv/. ) und bein Progrannieren über durch diese Adreßleitungen gesteuerte Schalter (SlO ... 313) nit den Programmiereingängen (UPR) dieser EPROM-Spalten verbunden ist und diese auswählt. 3. Anordnung nach Punkt 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die von einer Adressiereinrichtung könnenden niederwertigen Adreßleitungen (/AO ... /AlO bzw. unverstärkt AO ... AlO) nit den Adreßeirigängen der EPROM je Adreßstelle über eine für den Lese- und Progranniiervorga.nq gemeinsame Leitung verbunden sind und daß ein Teil der hohcrwertigen Adreßieitungen (All, A12, A13). an einen ersten Gruppendekoder (3205/1) geführt ist, dessen Selektierausgänge (/CSO ... /CS7) nit den Eingängen von abhängig vo;n Lesevorgang (/RD = 0) oder vom Progranniervorgang (/PR = 0) gesteuerten Umschalteinrichtungen (3232, 3233) verbunden sind, und so gesteuert deren Ausgänge (CO ... C7) entgegengesetzte Potentiale (high = L oder low = 0) beim Lesen und Programmieren führen und jeweils nit den Cnipseicktiereingüngen EPROiMS usw.) verbunden sind und daß ein anderer Teil der höherwertigen Adreßleitungen (A14, A15) an einen zweiten Gruppendekoder (3205/2) geführt ist, dessen bein Lesen wirksam gesteuertes Ausgangsleitungsbündel (/0EO ... /OE3) die Ausgangsaktivierungseingänge (OE) von EPROM-Spalten V. ti ,·ίϋί.ί1 ... i_r;\\Ji.ii.ii , i_! ivUi'.iii ... i_i i.ji.ioJ USi/. ) SpeiSu, wogegen' das beim Programmieren wirksam gesteuerte Ausgangsleitungsbündel (UPP.O . . . UPR3) des zweiten Π H ^ 1^ Q ηΗαρ C* -ο » ο <^ r^ *.! q r»h'"> ί 1 /^;ιηΓ ei · ι Pi O Γ^ H *η 1 'λ H^r* bestückten Leiterplatte an die Schalteingänge von Schaltern (SlO ... S13) geführt ist und die Schalterausgänge über Progranmierleitungen (UPO ... UP3) mit den Progranmiereingängen (UPR) je einer EPROU-Spalte (EPROf.il ... ΕΡΠ0Μ29, EPRQM2 ... EPR0M30 usw.) verbunden sine! und damit einer dieser EPROM-Gpolten die Programnierspannung zuführen. 4. Anordnung nach den Punkten 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Unschal !!einrichtungen (3232, G233) aus einen Schaltkreispaar, wovon ein Schaltkreis negierende Ausgänge besitzt sowie beide Schaltkreise 3-state-Ausgänge besitzen, bestehen und die Ausgänge eines Schaltkreises jev/eils über seinen Ausgangsaktivierungseingang (OE) bein Lesen (/RD = O) oder bein Programnieren (/P^. = 0) nochohmig geschaltet sind und die gleichnamigen Datenausgänge (CO ... C7) beider Schaltkreise busartig miteinander verbunden sind. δ. Anordnung nach den Punkten 1 bis 4, dadurch gekennzeichneu, iji_ji-> uic ο ι U ρ j~! s 11 <_j e... w ·— e ι >,Oi.jo/i , ο ^ ^ ο / — / und οίε υ ,,ι — sc.iüiiLeinricnounrjen ^o—u—, o — w <j ) iuSi).~nsn rii.c usn i_i uUn auf einer Leiterplatte bestückt· sind. 5. Anordnung nach den Punkten I bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalter (SIO ... S13) zur Zuschaltung der Program- Hi X v_ i O ^ u 1 ι ι i ο ι I u ι—'\«.Oo»^iii^oOi.J. \^J.iiOO ι ι WOf 1-4 '*i t^ t _L \ 1 ni. i ι Ot-iJ-oo-jX^ ^i hkJ ) G 111U / Udo UUl CiI Γι Ό'\] ι ei ι.ι ι.ι i C Γ 1 C 1 ο LJ Π u 6 Π ^Ui u .·· Ui «_; ) "1 Τ 1" rl η η ΓΡηη:,'_ςητ] t-nn fcr3T;TH C O O -ν ·. : ο O. C Π Γι Γ\'. ! O

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EPR0M30 USV/.) und durch einen Teil der höheren Adreßleitungen (A14, A15) oder daraus abgeleiteten Steuerleitungen

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\Ji iiJ ... Ui iwj/ TcjIjLS UiSbS aUi GCi inib i_ ι n w ι. · jSStüC,\i/Sn Leiterplatte generiert v/erden, mit letzterer Leiterplatte verbunden ist.

"i!;ten 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet-,

köder schaltkreise ausgeführt sind, die ungesteuert arbeiten (Steuereingänge El = Ξ2 = 0, E3 = L).

S. Anordnung nach den Punkten I bis /, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltkreise der Umschalteinrichtung Verstarker- oder Latch-Schaltkreise mit je η Kanälen sind.

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