DD226431A1 - Optoelektronisches halbleiterbauelement - Google Patents

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DD226431A1
DD226431A1 DD84265928A DD26592884A DD226431A1 DD 226431 A1 DD226431 A1 DD 226431A1 DD 84265928 A DD84265928 A DD 84265928A DD 26592884 A DD26592884 A DD 26592884A DD 226431 A1 DD226431 A1 DD 226431A1
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DD
German Democratic Republic
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optoelectronic semiconductor
bonding
strip
semiconductor component
leads
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Application number
DD84265928A
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English (en)
Inventor
Peter Klampfl
Klaus-Dieter Gruner
Dieter Prietzsch
Original Assignee
Werk Fernsehelektronik Veb
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Abstract

Die Erfindung ist anwendbar bei der Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauelemente, wobei das Ziel der Erfindung darin besteht, die Zuverlaessigkeit von plastgekapselten optoelektronischen Halbleiterbauelementen nach Temperaturwechselbeanspruchungen zu erhoehen, und aufgabengemaess eine Stabilitaet im Kontaktbereich Chip und streifenfoermiger Zuleitung bei edelmetallarmen bzw. -freien Werkstoffkombinationen zu gewaehrleisten. Das Wesen der Erfindung liegt in der Anordnung von einem oder mehreren nichtleitenden Stabilisierungsstegen auf den Zuleitungen des Halbleiterbauelements. Fig. 1

Description

Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung ist anwendbar bei der Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauelemente.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Aus dem Stand der Technik sind mehrere Lösungen bekannt, die sich mit der Stabilisierung des Bonddrahtes bei eingekapselten elektronischen Bauelementen befassen. In der OS 2 354 256 (DE) wird dargelegt, daß der Bonddraht zwischen der kontaktierenden Stelle des Halbleiterbauelements und der streifenförmigen Zuleitung durch einen isolierenden oder leitenden Stoff verstärkt wird. In der PS 159 484 (DD) wird die Schaffung einer elastischen Pufferzone aus Silikonkautschuk beschrieben, die den Einfluß der mechanischen Spannungen auf den Bonddraht reduzieren soll.
Weitere Bemühungen zur Stabilisierung des Bonddrahtes, speziell bei edelmetallarmen bzw. -freien Bonddrähten auf edelmetallfreier Bondunterlage sind aus der Fachliteratur bekannt, weisen jedoch auf keine befriedigende technische Lösung hin.
Bei Einsatz derartiger Bonddrähte ergeben sich bei den optoelektronischen Halbleiterbauelementen hohe Ausfallraten bedingt durch thermische Belastungen nach dem Einkapselungsprozeß.
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist die Erhöhung der Zuverlässigkeit von plastgekapselten optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die nach dem Vergießen Temperaturwechselbeanspruchungen unterzogen werden.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Es besteht die Aufgabe, die Stabilität des Kontaktbereichs Chip und streifenförmiger Zuleitung bei edelmetallarmen- bzw. freien Werkstoffkombinationen zu gewährleisten.
Die Aufgabe wurde dadurch gelöst, daß eine mechanische Stabilisierung der Trägerstreifen bzw. Zuleitungen mittels Steg oder Stege aus nichtleitendem Material erfolgt.
Ausführungsbeispiel
Auf metallischen Trägerstreifen, die galvanisch mit Glanznickel beschichtet sind, werden die Haibieiterchips 1, die rückseitig mit Leitkleber beauflagt sind, auf dem Trägerstreifen kontaktiert. Der zweite Kontakt wird mittels Drahtbrücke - Bonddraht 5 - von der Kontaktfläche des Halbleiterchips zur streifenförmigen Zuleitung des Trägerstreifens durch bekannte Bondverfahren hergestellt.
Vor dem Einkapseln des optoelektronischen Halbleiterbauelements werden ein oder mehrere Stabilisierungsstege 2 unterhalb der Kontakt- bzw. Bondunterlage 3 im Einkapselungsbereich ein- oder beidseitig auf den Zuleitungen 4 aufgebracht.
Nach dem Aufbringen des oder der Stabiiisierungsstege erfolgt der Verguß des optoelektronischen Halbleiterbauelements mit Gießharz.
Die mit diesen Stabilisierungssteg oder -Stegen hergestellten optoelektronischen Halbleiter wurden Temperaturwechselbelastungen unterzogen und zeigten hierbei eine entsprechend dem Ziel der Erfindung geforderte Zuverlässigkeit.

Claims (3)

1. Optoelektronisches Halbleiterbauelement, gekennzeichnet dadurch, daß auf den Zuleitungen (4) des lichtemittierenden Halbleiters (1) ein oder mehrere nichtleitende Stabilisierungsstege (2) angeordnet werden.
2. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der/die Stabilisierungsstege (2) ein- oder beidseitig auf den Zuleitungen (4) angeordnet, werden.
- 2 - öbS Erfindungsansprüche:
3. Optoelektronisches Halbleiterbauelement nach Punkt 1—2, gekennzeichnet dadurch, daß der oder die Stabilisierungsstege unterhalb der Kontakt- bzw. Bondunterlage (3) im Einkapselungsbereich angeordnet werden.
Hierzu 1 Seite Zeichnungen
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung ist anwendbar bei der Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauelemente. Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Aus dem Stand der Technik sind mehrere Lösungen bekannt, die sich mit der Stabilisierung des Bonddrahtes bei eingekapselten elektronischen Bauelementen befassen. In der OS 2 354 256 (DE) wird dargelegt, daß der Bonddraht zwischen der kontaktierenden Stelle des Halbleiterbauelements und der streifenförmigen Zuleitung durch einen isolierenden oder leitenden Stoff verstärkt wird. In der PS 159 484 (DD) wird die Schaffung einer elastischen Pufferzone aus Silikonkautschuk beschrieben, die den Einfluß der mechanischen Spannungen auf den Bonddraht reduzieren soll.
Weitere Bemühungen zur Stabilisierung des Bonddrahtes, speziell bei edelmetallarmen bzw. -freien Bonddrähten auf edelmetallfreier Bondunterlage sind aus der Fachliteratur bekannt, weisen jedoch auf keine befriedigende technische Lösung hin. Bei Einsatz derartiger Bonddrähte ergeben sich bei den optoelektronischen Halbleiterbauelementen hohe Ausfallraten bedingt durch thermische Belastungen nach dem Einkapselungsprozeß.
Ziei der Erfindung
Ziel der Erfindung ist die Erhöhung der Zuverlässigkeit von plastgekapselten optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die nach dem Vergießen Temperaturwechselbeanspruchungen unterzogen werden.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Es besteht die Aufgabe, die Stabilität des Kontaktbereichs Chip und streifenförmiger Zuleitung bei edelmetallarmen- bzw. freien Werkstoffkombinationen zu gewährleisten.
Die Aufgabe wurde dadurch gelöst, daß eine mechanische Stabilisierung der Trägerstreifen bzw. Zuleitungen mittels Steg oder Stege aus nichtleitendem Material erfolgt.
Ausführungsbeispiel
Auf metallischen Trägerstreifen, die galvanisch mit Glanznickel beschichtet sind, werden die Halbleiterchips 1, die rückseitig mit Leitkleber beauflagt sind, auf dem Trägerstreifen kontaktiert. Der zweite Kontakt wird mittels Drahtbrücke - Bonddraht 5 - von der Kontaktfläche des Halbleiterchips zur streifenförmigen Zuleitung des Trägerstreifens durch bekannte Bondverfahren hergestellt.
Vor dem Einkapseln des optoelektronischen Halbleiterbauelements werden ein oder mehrere Stabilisierungsstege 2 unterhalb der Kontakt- bzw. Bondunterlage 3 im Einkapselungsbereich ein- oder beidseitig auf den Zuleitungen 4 aufgebracht.
Nach dem Aufbringen des oder der Stabilisierungsstege erfolgt der Verguß des optoelektronischen Halbleiterbauelements mit Gießharz.
Die mit diesen Stabilisierungssteg oder -Stegen hergestellten optoelektronischen Halbleiter wurden Temperaturwechselbelastungen unterzogen und zeigten hierbei eine entsprechend dem Ziel der Erfindung geforderte Zuverlässigkeit.
DD84265928A 1984-08-02 1984-08-02 Optoelektronisches halbleiterbauelement DD226431A1 (de)

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DD84265928A DD226431A1 (de) 1984-08-02 1984-08-02 Optoelektronisches halbleiterbauelement

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DD84265928A DD226431A1 (de) 1984-08-02 1984-08-02 Optoelektronisches halbleiterbauelement

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DD226431A1 true DD226431A1 (de) 1985-08-21

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ID=5559363

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DD84265928A DD226431A1 (de) 1984-08-02 1984-08-02 Optoelektronisches halbleiterbauelement

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4214792A1 (de) * 1992-05-04 1993-11-11 Telefunken Microelectron Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Koppelelements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4214792A1 (de) * 1992-05-04 1993-11-11 Telefunken Microelectron Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Koppelelements

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