DD227800A1 - Verfahren zur herstellung einer fluoridsensitiven membran - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von fluoridsensitiven Membranen fuer den Einsatz in ionensensitiven Elektroden in der elektroanalytischen Messpraxis. Ziel der Erfindung ist es, fluoridsensitive Membranen ohne die bekannten Nachteile hinsichtlich der sehr aufwendigen Herstellung zu erzeugen. Dabei besteht die Aufgabe, die durch die Erfindung geloest werden soll, darin, ein Verfahren zu entwickeln, mit welchem bei geringen Kosten eine moderne Technologie zur Massenfertigung von fluoridsensitiven Membranen fuer den Einsatz in ionensensitiven Elektroden ermoeglicht wird. Das Wesen der Erfindung besteht darin, dass durch thermisches Aufdampfen einer polykristallinen, duennen Schicht, von 20 nm bis 5 000 nm Schichtdicke mit einer Bedampfungsgeschwindigkeit von kleiner 0,5 nm s 1 und einer Substrattemperatur von oberhalb 280C, eines schwerloeslichen Fluorids auf eine geeignete Unterlage eine ionensensitive Membran erzeugt wird. Die erfindungsgemaess hergestellte Membran ist in ionensensitiven Elektroden beim Einsatz in der elektroanalytischen Messpraxis, insbesondere bei der kontinuierlichen und/oder diskontinuierlichen Analyse von fluoridionenhaltigen Loesungen anwendbar.
Description
Verfahren zur Herstellung einer fluoridsensitiven Membran
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer fluoridsensitiven Membran für den Einsatz als ionensensitive Elektrode in der elektroanalvtischen Meßprazis.
Charakteristik der bisher bekannten technischen Lösungen Sine verbreitete Methode in der Analytik ist die quantitative Bestimmung von Ionen mit ionensensitiven Elektroden.
In den letzten Jahren wurden ionensensitive Elektroden für eine groBe Zahl von Ionen entwickelt.
Heben der lange bekannten Glaselektrode zeichnet sich dabei die La?-,-Sinkristallelektrode durch eine sehr gute Sensitivität, hohe Selektivität und Stabilität aus« In der IJS-PS 5^5 197 "surde unter anderem eine solche nicht poröss Membran aus schwerlöslichen Metallfluoriden beschrieben.
(Siehe auch DE-PS 15 98 895)
Gegenwärtig kommen als fluoridsensitive Membranen ausschließlich Einkristalle von LaF-, mit verschiedenen Dotierungen zum Einsatz. Auf Grund des hohen Widerstandes von LaPo ist in dan Einkristallelektroden eine Dotierung zur Verbesserung der Leitfähigkeit (im allgemeinen mit Europiumfluorid) notwendig. Eine Verringerung der Schichtdicke der Membran mit dem Ziel, den Widerstand zu senken, scheiterte bisher an der dann zu geringen mechanischen Stabilität,
Die Anwendung der La]F^-Ei nkristallelektr ede erfolgte bisher in der'Weise, da3 der Einkristall in ein Rohr aus nicht-
3;u- c 1 9 ί K: 3
leitendem Material eingeklebt wird. In dieses Eohr wird eine Elektrolytlösung, die Fluoridionen enthält, eingefüllt und mit einer Bezugselektrode der elektrische Kontakt hergestellt. Die Verwendung einer solchen inneren Bezugslösung erschwert die Herstellung der Elektroden und ist häufig Ursache für Defekte der Elektrode.
Die Herstellung der Einkristalle ist sehr aufwendig, so daß der Preis dieser Elektroden sehr hoch ist. Versuche, die Verwendung von LaF^-Einkristallen zu umgehen, erfolgten beispielsweise durch Einlagerung von LaS1-, in eine Guminiinatris:. (Siehe auch A.M.G. MacDonald, E. Toth, Anal. Chim. Acta 41, 99, 1968)
Verwendung von LaFn-Preßlingen und elektrochemische Erzeugung von Lai1., - siehe G. TJhlmann, Dissertation A, Leuna-· Merseburg 1981.
Alle diese Varianten konnten sich jedoch nicht durchsetzen, da ihre Sensitivität und Langzeitstabilität zu gering waren. Versuche zu einer Festableitung des Potentials vom LaS1«-Sinkristall wurden mit einem Ag/AgF-Eontakt durchgeführt.
(I.A. Fjeldly, K, Fagy, J. electrcchem. Soc. 127, 1299,1930) Die Herstellung des Kontaktes durch Aufschmelzen im Inertgas ist ebenfalls sehr aufwendig und konnte die Verwendung des LaF^-Einkristalls ebenfalls nicht umgehen. In letzter Zeit sind Versuche bekannt geworden, die beschriebenen Nachteile dadurch zu umgehen, daß mit dem Gatebereich eines Feldeffekttransistors verbundene Polysiliziumleiterbahnen mit LaF-3 bedampft wurden, wobei bis auf das fluoridsensitive Gebiet die gesamte Struktur mit Fotolack abgedeckt wird» (Siehe J. van der Spiegel u.a., Sensors and Actuators, 4, 291, 1983)
Nachteile dieser technischen Lösung sind in einer außerordentlich großen Potentialdrift, die keine praktische Anwendung zuläßt und in einer ungenügenden nachweisempfindlichkeit zu sehen.
Das Ziel der Erfindung besteht darin, fluoridsensitive Membranen ohne die bekannten ITachteile hinsichtlich der aufwendigen Herstellung zu erzeugen
5
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer fluoridsensitiven Membran für den Einsatz als ionensensitive Elektrode,--auf-der-Basis von polykristallin auf einer geeigneten Unterlage abgeschiedenen schwerlöslichen Fluoriden, insbesondere Fluoriden der seltenen Erden oder deren Mischung mit anderen Fluoriden, zu entwickeln, welches durch geringe Kosten und eine moderne Technologie zur Massenfertigung gekennzeichnet ist und den Einsatz der Elektrode ohne innere ..Bezugslösung gestattet,
ErfindüngsgemäS "wird die Membran durch thermisches Aufdampfen oder EF-Sputtern einer polykristallinen, dünnen Schicht eines schwerlöslichen Fluorids, insbesondere eines Fluorids der seltenen Erden oder deren Mischung, auf einer geeigneten Unterlage erzeugt.
Die stabilsten Ergebnisse und die beste Hachweisgrenze für F ""-Ionen können durch Verwendung von LaF-, erreicht werden. Besonders günstig ist dafür, daß,im Gegensatz zu den Einkristallelektroden, auf Grund der geringen Schichtdicke der aufgedampften oder gesputterten LaF^-Schicht keine Dotierung zur Verbesserung der Leitfähigkeit notwendig wird. Erfindungsgemäß sollte die Schichtdicke der sensitiven Membran· im Bereich von 20 nm bis. 5000 nm liegen, da für dünnere Schichten keine porenfreie Struktur erreicht und somit die Ausbildung von Mischpotentialen möglich wird. Für dickere Schichten ist das Auftreten von Spannungsrissen, welche wiederum zu Instabilitäten des Potentials führen, zu beobachten.
Die optimale Substrattemperatur bei der Herstellung der Membran liegt im Bereich von oberhalb 280 0C,
ils Substrat ist eine große Zahl verschiedener Materialien möglich, die jedoch eine hohe Oberflächengüte aufweisen müs-. sen. Die mittlere Rauhtiefe der Substrate darf 50 nm nicht überschreiten, um die Geschlossenheit der Membran zu gewährleisten und somit Potentialinstabilitäten auszuschließen. , Die Grenzschicht zur Membran kann durch ein Metall, dessen Salz, einen Halbleiter oder einen Isolator gebildet werden· Weiterhin kann das Substrat aus einer Mehrschichtstruktur dieser Materialien bestehen.
S1Ur die Funktion der Membran ensies sich die Bedampfungsgeschisindigkeit als ein nichtiger Parameter. Bei Bedampfungsgeschwindigkaiten unterhalb 0,5 nm s konnten in reproduzierbarer Weise gute Ergebnisse erzielt werden.
Es wurde gefunden, daß eine unter diesen Bedingungen hergestellte Membran, die eindeutig polykristallin ist, eine Sensitivität aufweist, die der der Sinkristallelektrode völlig entspricht* Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird eine fluoridsensitive Membran erzeugt, die zur Ableitung des Potentials keine innere Bezugslösung benötigt und über das Substrat eine Messung der Potentialänderung an der Phasengrenze zu messende Lösung/Membran ermöglicht
Die Yerkappung der Potentialableitung ist, da nur feste Komponenten vorhanden sind, einfach zu realisieren.
Im Falle eines Metalls oder einer leitfähigen Verbindung als Grenzschicht zur Membran kann die .aktivität der Fluoridionen in der lösung direkt durch Messung der Spannung der Kette Bezugselektrode - zu untersuchende Lösung - Membran - Substrat mit einem hochohmigen Voltmeter bestimmt werden.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Membranen zeigen eine Sensitivität von 57 mV pro Dekade bis zu Fluoridionenkonzentartionen kleiner 10"^ Mol/Liter. Die Selektivität entspricht der des LaF..-Einkristalls.
Die Langseitstabilität ist durch eine sehr geringe Potentialdrift gekennzeichnet.
0. 8.34-0191 103
Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet eine ökonomisch vorteilhafte Herstellung von fiuoridsensitive Membranen mit einer zur Massenfertigung geeigneten Technologie und gewährleistet den Einsatz bei der kontinuierlichen und/oder diskontinuierlichen Analyse von Fluoridionen,
Die Erfindung soll an Hand von zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert werden
Ausführungsbeispiel 1:
Eine polierte Si-Scheibe (110) wurde mit Gold 100 na bedampft und bei einer Temperatur von 280 0C eine 270 nm starke LaFo-Schicht auf dem Gold durch thermisches Verdampfen von LaF0 abgeschieden, wobei eine Bedanrofungsgeschwindigkeit
^ —1
von 0,5 nm s eingehalten wurde,
2 Ein 6 x 6 mm großes Teilstück wurde herausgeschnitten und die Goldschicht mittels Lackleitsilber mit einem Hückkontakt aus Messingdraht verbunden.
Diese Anordnung wurde auf einen vorbehandelten Teflonzylinder-mit Epoxidharz„aufgeklebt, so daß nur die LaF^-Schicht frei blieb. Die Elektrode wurde in Lösungen mit unterschiedlichen Fluoridionerigehalt eingebracht. Der Hückkontakt wurde mit einem hochohmigen Voltmeter verbunden und der Meßkreis durch eine Standard- Ealomelektrode, die in die gleiche Lösung eintaucht, geschlossen.
Folgende Meßwerte wurden aufgenommen:
Konzentration Ablesung in mV
an F" (Mol/Liter)
| 1 . | 1O-1 | + | 27 |
| 1 . | 10"*2 | + | 23 |
| 1 . | 10*"3 | 86 | |
| 1 . | 10"4 | + | 145 |
| 1 . | ΙΟ"5 | 201 | |
Ausführungsbeispiel 2:
Analog zum 1. Ausführungsbeispiel wurde eine Si-Scheibe mit 100 nm Silber beschichtet. Die Bedampfung erfolgte mit LaP~ bei 320 0C bis zu einer Schichtdicke von 100 nm mit einer ^ Bedampfungsgeschwindigkeit von 0,2 nm s · Ein Teilstück wurde wie im 1. Ausführungsbeispiel kontaktiert und für die Messung des 1~~ - Gehaltes eingesetzt.
Ss ergaben sich folgende Meßwerte: 10
Konzentration . Ablesung in mV an ff~ (Mol/Liter)
| 1 | 10~1 | + 88 |
| 1 | ! ίο"2 | + 142 |
| 1 | . 10~3 | + 199 |
| 1 | . ίο-4 | + 257 |
| 1 | . 10~5 | + 313 |
Über einen Zeitraum von 6 Monaten betrug die Potentialdrift 0,1 mV pro Tag,
Claims (6)
- Ξ rfindungsanspruch1. Verfahren zur Herstellung einer fluoridsensitiven Membran für eine ionensensitive Elektrode zum Nachweis von.5 2?"*- Ionen, gekennzeichnet dadurch, daß ein schwerlösliches Fluorid oder schwerlösliche Fluoride, insbesondere aus der Beihe der seltenen Erden oder deren Mischung mit anderen Fluoriden durch thermisches Verdampfen oder HF-Sputtern polykristallin, in Form einer dünnen Schicht mit einer Schichtdicke von 20 mn bis 5000 nm auf einer Unterlage, die aus einem Metallf dessen Salz, einem Halbleiter oder Isolator oder Mehrschichtstrukturendieser Materialien besteht, bei einer Substrattemperatur 15von oberhalb 200 0C abgeschieden wird.
- 2. Verfahren nach "Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß als schwerlösliches Fluorid LaF~ eingesetzt wird.
- 3. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß vorzugsweise eine Schichtdicke der Aufdampfschicht zwischen 150 nm und 35Ο nm erzeugt wird. .
- 4. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß dieSubstrattemperatur bei der Herstellung der sensitiven Schi<wirdSchicht vorzugsweise zwischen 280 0C und 350 0C gehalten
- 5. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß als Substrat Materialien mit einer hohen Oberflächengüte, deren mittlere Sauhtiefe weniger als 50 nm betragt, eingesetzt werden.
- 6. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Bedampfungsgeschwindigkeit nicht größer als 0,5 nm s~* ist.
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Families Citing this family (8)
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| JPH1112716A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-19 | Seiko Epson Corp | ロウ接用材料およびその製造方法 |
| RU2142625C1 (ru) * | 1998-05-18 | 1999-12-10 | Орловский государственный университет | Композиционный электрод для датчиков в экологическом мониторинге |
| DE10218935C1 (de) * | 2002-04-27 | 2003-11-20 | Prominent Dosiertechnik Gmbh | Fluoridsensitive Elektrode |
| CN1720633A (zh) * | 2002-10-04 | 2006-01-11 | 加利福尼亚大学董事会 | 氟分离和生成装置 |
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Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3034924A (en) * | 1958-10-30 | 1962-05-15 | Balzers Patent Beteilig Ag | Use of a rare earth metal in vaporizing metals and metal oxides |
| US3147132A (en) * | 1960-02-05 | 1964-09-01 | Jenaer Glaswerk Schott & Gen | Method of preparing a multi-layer reflection reducing coating |
| US3657093A (en) * | 1970-03-03 | 1972-04-18 | Perkin Elmer Corp | Ion selective electrode for activity determination of cations which do not form as ionic semiconductors |
| SU474576A1 (ru) * | 1972-12-14 | 1975-06-25 | Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт | Защитное покрытие кварца |
| US4112157A (en) * | 1973-06-18 | 1978-09-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing a film which promotes homeotropic orientation of liquid crystals and a liquid crystal utilizing the film |
| US4146309A (en) * | 1978-03-10 | 1979-03-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Process for producing evaporated gold films |
-
1984
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-
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