DD236619C2 - Verfahren zur abscheidung von arsen- oder antimonsilikatglas-quellschichten - Google Patents
Verfahren zur abscheidung von arsen- oder antimonsilikatglas-quellschichtenInfo
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|---|---|---|---|
| DD27551485A DD236619C2 (de) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | Verfahren zur abscheidung von arsen- oder antimonsilikatglas-quellschichten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD27551485A DD236619C2 (de) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | Verfahren zur abscheidung von arsen- oder antimonsilikatglas-quellschichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD236619A1 DD236619A1 (de) | 1986-06-11 |
| DD236619C2 true DD236619C2 (de) | 1990-10-24 |
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ID=5567152
Family Applications (1)
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| DD27551485A DD236619C2 (de) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | Verfahren zur abscheidung von arsen- oder antimonsilikatglas-quellschichten |
Country Status (1)
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|---|---|
| DD (1) | DD236619C2 (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755486A (en) * | 1986-12-11 | 1988-07-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of producing a defined arsenic doping in silicon semiconductor substrates |
-
1985
- 1985-04-24 DD DD27551485A patent/DD236619C2/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| DD236619A1 (de) | 1986-06-11 |
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