DD246194A1 - Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten - Google Patents
Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten Download PDFInfo
- Publication number
- DD246194A1 DD246194A1 DD28717586A DD28717586A DD246194A1 DD 246194 A1 DD246194 A1 DD 246194A1 DD 28717586 A DD28717586 A DD 28717586A DD 28717586 A DD28717586 A DD 28717586A DD 246194 A1 DD246194 A1 DD 246194A1
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- measuring
- tips
- resistance
- measurement
- produced
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 2
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 claims description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Halbleitertechnik und findet Anwendung bei der Qualitaetskontrolle von auf Isolatorschichten erzeugten Halbleiterschichten. Es ist ein Verfahren anzugeben, das es ermoeglicht, die Qualitaet der Halbleiterschicht schnell wieder zu ermitteln, ohne die Probe zu zerstoeren. Die Aufgabe wird dadurch geloest, dass Struktur und Perfektion der Halbleiterschicht durch Messung der lateralen Verteilung des elektrischen Widerstandes der Schicht bestimmt wird.
Description
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Halbleitertechnik und findet Anwendung bei der Qualitätskontrolle von auf einer Isolationsschicht erzeugten Halbleiterschicht.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Zur Untersuchung von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten wird vorzugsweise das Verfahren der optischen Mikroskopie, verbunden mit chemischer Ätztechnik, eingesetzt. Das in G.K.Cellerfin „laser crystallization ofthin Si-filmson amorphons insulating Substrates" J.Cryst. Growth 63 [1983] S.429) beschriebene Verfahren erlaubt Aussagen über die kristallographische Struktur von SOI-Schichten (Silicon On Isulator) sowie über Art und Dichte von Defekten. Bei diesem Verfahren werden die zu untersuchenden Proben zerstört.
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur schnellen und sicheren Qualitätskontrolle von auf isolierenden Unterlagen erzeugten Halbleiterschichten, wobei die Probeschichten nicht zerstört werden, anzugeben.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Bestimmung der Struktur und Perfektion von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten anzugeben.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Struktur und Perfektion der Halbleiterschicht durch Messung der lateralen Verteilung des elektrischen Widerstandes der Schicht bestimmt wird. Dazu wird ein Vier-Spitzen-Meßsystem auf die Schicht aufgesetzt. Die Kontaktstellen der Meßspitzen werden durch Anlegen einer Spannung elektrisch formiert. Der elektrische Widerstand wird mit dem bekannten Vier-Spitzen-Meßverfahren bestimmt und die Meßspitzen werden zur Vorbereitung der Widerstandsmessung des nächsten Punktes auf der Schichtoberfläche schrittweise weiterbewegt. Der Meßzyklus wird wiederholt bis die punktweise gewonnenen Meßwerte Aufschluß über die laterale Widerstandsverteilung relevanter Oberflächenabschnitte geben. Durch die Verwendung von mehr als vier Meßspitzen ist die Realisierung unterschiedlicher Kontaktabstände möglich. Es ist so eine Aussage über die Homogenität der Widerstandsverteilung senkrecht zur Vorschubrichtung der Meßspitzen möglich. Der schrittweise Vorschub der Meßspitzen ist vorzugsweise größer 5,um.
Ausführungsbeispiel
Die Erfindung wird an folgendem Beispiel erläutert:
Auf die zu untersuchende Halbleiterschicht werden mindestens vier Meßspitzen in einer Reihe angeordnet. Über zwei äußere Meßspitzen wird ein Konstantstrom in die Halbleiterschicht eingespeist. Der dabei an den zwei inneren Meßspitzen auftretende Spannungsabfall ist ein Maß für den Schichtwiderstand. Vor dem Meßvorgang werden die Kontaktstellen der Meßspitzen durch Anlegen eines Spannungsimpulses größer 100V elektrisch formiert. Bei mit Hilfe von Keimtechniken erzeugte SOI-Schichten (Silicon On Insulator) ist der gemessene Widerstand zusätzlich eine Funktion des Abstandes der Meßspitzen von der Keimkante, wobei diese Abhängigkeit für das hier beschriebene Verfahren mit hinreichender Genauigkeit als stufenförmige Widerstandsänderung angenommen werden kann. Bei konstanter Dotandenkonzentration sind Wert und laterale Verteilung des elektrischen Widerstandes ein Maß für die kristalline Struktur und somit der Qualität der auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschicht. Die Messung erfolgte unter Prozeßbedingungen mit einem Vielfachsondentester, der durch ein automatisches Testsystem gesteuert wird. Dadurch ist ein definierter Vorschub einstellbar und eine Messung des Schichtwiderstandes und seiner lateralen Verteilung mit hoher Auflösung möglich. • r _
Claims (3)
- Erfindungsanspruch:1. Verfahren zur Qualitätskontrolle von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten, gekennzeichnet dadurch, daß die Struktur und Perfektion der Halbleiterschichten durch Messung der lateralen Verteilung des elektrischen Widerstandes in der Art bestimmt wird, daß in einem Vier-Spitzen-Meßsystem nach Aufsetzen der Meßspitzen eine elektrische Formierung der Meßspitzen vorgenommen wird, an die sich die Widerstandsmessung anschließt und danach der Vorschub der Meßspitzen zur Wiederholung des Meßvorganges in einem definierten Schrittmaß erfolgt.
- 2. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß der Vorschub der Meßspitzen vorzugsweise größer 5μ,ΐη ist.
- 3. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß das Vier-Spitzen-Meßsystem um weitere Meßspitzen erweitert ist.Anwendungsgebiet der ErfindungDie Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Halbleitertechnik und findet Anwendung bei der Qualitätskontrolle von auf einer Isolationsschicht erzeugten Halbleiterschicht.Charakteristik der bekannten technischen LösungenZur Untersuchung von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten wird vorzugsweise das Verfahren der optischen Mikroskopie, verbunden mit chemischer Ätztechnik, eingesetzt. Das in G. K. Celler (in „laser crystallization of thin Si-films on amorphons insulating substrates" J.Cryst. Growth 63 [1983] S. 429) beschriebene Verfahren erlaubt Aussagen über die kristallographische Struktur von SOI-Schichten (Silicon On Isulator) sowie über Art und Dichte von Defekten. Bei diesem Verfahren werden die zu untersuchenden Proben zerstört.Ziel der ErfindungZiel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur schnellen und sicheren Qualitätskontrolle von auf isolierenden Unterlagen erzeugten Halbleiterschichten, wobei die Probeschichten nicht zerstört werden, anzugeben.Darlegung des Wesens der ErfindungDer Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Bestimmung der Struktur und Perfektion von auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschichten anzugeben.Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Struktur und Perfektion der Halbleiterschicht durch Messung der lateralen Verteilung des elektrischen Widerstandes der Schicht bestimmt wird. Dazu wird ein Vier-Spitzen-Meßsystem auf die Schicht aufgesetzt. Die Kontaktstellen der Meßspitzen werden durch Anlegen einer Spannung elektrisch formiert. Der elektrische Widerstand wird mit dem bekannten Vier-Spitzen-Meßverfahren bestimmt und die Meßspitzen werden zur Vorbereitung der Widerstandsmessung des nächsten Punktes auf der Schichtoberfläche schrittweise weiterbewegt. Der Meßzyklus wird wiederholt bis die punktweise gewonnenen Meßwerte Aufschluß über die laterale Widerstandsverteilung relevanter Oberflächenabschnitte geben. Durch die Verwendung von mehr als vier Meßspitzen ist die Realisierung unterschiedlicher Kontaktabstände möglich. Es ist so eine Aussage über die Homogenität der Widerstandsverteilung senkrecht zur Vorschubrichtung der Meßspitzen möglich. Der schrittweise Vorschub der Meßspitzen ist vorzugsweise größer 5μ.ηη.AusführungsbeispielDie Erfindung wird an folgendem Beispiel erläutert:Auf die zu untersuchende Halbleiterschicht werden mindestens vier Meßspitzen in einer Reihe angeordnet. Über zwei äußere Meßspitzen wird ein Konstantstrom in die Halbleiterschicht eingespeist. Der dabei an den zwei inneren Meßspitzen auftretende Spannungsabfall istein Maß für den Schichtwiderstand. Vordem Meßvorgang werden die Kontaktstellen der Meßspitzen durch Anlegen eines Spannungsimpulses größer 100V elektrisch formiert. Bei mit Hilfe von Keimtechniken erzeugte SOI-Schichten (Silicon On Insulator) ist der gemessene Widerstand zusätzlich eine Funktion des Abstandes der Meßspitzen von der Keimkante, wobei diese Abhängigkeit für das hier beschriebene Verfahren mit hinreichender Genauigkeit als stufenförmige Widerstandsänderung angenommen werden kann. Bei konstanter Dotandenkonzentration sind Wert und laterale Verteilung des elektrischen Widerstandes ein Maß für die kristalline Struktur und somit der Qualität der auf isolierender Unterlage erzeugten Halbleiterschicht. Die Messung erfolgte unter Prozeßbedingungen mit einem Vielfachsondentester, der durch ein automatisches Testsystem gesteuert wird. Dadurch ist ein definierter Vorschub einstellbar und eine Messung des Schichtwiderstandes und seiner lateralen Verteilung mit hoher Auflösung möglich.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD28717586A DD246194A1 (de) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD28717586A DD246194A1 (de) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD246194A1 true DD246194A1 (de) | 1987-05-27 |
Family
ID=5576635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD28717586A DD246194A1 (de) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD246194A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0289661A3 (de) * | 1987-03-28 | 1989-02-01 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur reproduzierbaren Bildung von Materialschichten und/oder zur Behandlung von Halbleiter-Materialschichten |
| WO2008053032A1 (de) * | 2006-11-01 | 2008-05-08 | Sulfurcell Solartechnik Gmbh | Verfahren zur messung des schichtwiderstands von mindestens zweischichtigen elektronischen bauelementen über trenngräben |
-
1986
- 1986-02-20 DD DD28717586A patent/DD246194A1/de unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0289661A3 (de) * | 1987-03-28 | 1989-02-01 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur reproduzierbaren Bildung von Materialschichten und/oder zur Behandlung von Halbleiter-Materialschichten |
| WO2008053032A1 (de) * | 2006-11-01 | 2008-05-08 | Sulfurcell Solartechnik Gmbh | Verfahren zur messung des schichtwiderstands von mindestens zweischichtigen elektronischen bauelementen über trenngräben |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3854992T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Feststellung eines Tunnelstroms und einer elektrochemischen Reaktion | |
| DE102009029906A1 (de) | Verfahren zur Ermittlung elektrischer Eigenschaften elektronischer Bauelemente und Verfahren zur Kalibrierung der Messeinheit | |
| DE69131059T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung von einem elektrisch leitfähigen Film mit Wirbelströmen sowie deren Anwendung zur Produktion von optischen Glasfasern | |
| DE69215491T2 (de) | Methode zur Auswertung der räumlichen Verteilung niedriger Konzentration in einem Halbleiterkristal | |
| DE102009030471A1 (de) | Chuck zur Aufnahme und Halterung eines Testsubstrats und eines Kalibriersubstrats | |
| DE69216223T2 (de) | Verfahren zum Messen des Grades der Planheit einer dielektrischen Schicht in einer integrierten Schaltung und integrierter Schaltung mit einer Anordnung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
| DE102008012016A1 (de) | In-situ-, Ex-situ- und Inline-Prozessüberwachung, -optimierung und -herstellungsverfahren | |
| DD246194A1 (de) | Verfahren zur qualitaetskontrolle von auf isolierender unterlage erzeugten halbleiterschichten | |
| DE4428155A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Gassensors | |
| DE69104248T2 (de) | Elektromigrationsüberwachungseinrichtung für integrierte Schaltungen. | |
| DE19636582C1 (de) | Sensor zur ortsaufgelösten simultanen Messung von Ionenkonzentrationen und der Struktur von Oberflächen | |
| DE1225768B (de) | Verfahren zum eindimensionalen Bestimmen von Diffusionsprofilen in Halbleiterkoerpern | |
| DE102016118204B4 (de) | Verfahren und anordnung zum bestimmen des kohlenstoff-gehalts in silizium | |
| DE102011085747A1 (de) | Verfahren zur Überprüfung und/oder Justierung eines Dünnfilm-pH-Sensors und Selbstüberwachender und/oder -justierender Dünnfilm-pH-Sensor | |
| DE68908102T2 (de) | Methode zur Bewertung der Übergangszone einer epitaktischen Siliziumscheibe. | |
| DE112019000505T5 (de) | Verfahren zur bewertung einer siliciumschicht und verfahren zur herstellung eines siliciumepitaxiewafers | |
| DE69413907T2 (de) | Verfahren zur Erkennung von ionisierender Strahlung | |
| DE19802446A1 (de) | Verfahren zum Analysieren von Halbleiterrohlingen | |
| DE102023121087B4 (de) | Sensor und Messverfahren zur Umwandlung chemischer und/oder biochemischer Information mindestens eines Analyten | |
| SU1359715A1 (ru) | Способ контрол качества резисторов | |
| DE1214792B (de) | Verfahren zur Messung des spezifischen Widerstands einer auf einen Halbleiterkoerper geringen spezifischen Widerstands aufgebrachten Halbleiterschicht sowie Anordnung zur Durchfuehrung des Verfahrens | |
| DE19831622A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung von mechanischen Spannungszuständen in flächenhaften Materialien | |
| DE19719473C2 (de) | Verfahren zur röntgendiffraktometrischen, zerstörungsfreien Bestimmung von dehnungsfreien Gitterparametern und/oder mechanischen Spannungszuständen | |
| DE19913922C2 (de) | Verfahren zum Bestimmen von Parameterverteilungen von Substrateigenschaften | |
| DE102011009937B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung von Halbleiterschichten auf einem leitfähigen Substrat |