DD253503A5 - Schaltkontaktstuecke fuer vakuumschaltgeraete und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Abstract

Schaltkontaktstuecke fuer Vakuumschaltgeraete bestehen ueblicherweise aus einem Grundmaterial mit Zusaetzen leicht verdampfbarer Komponenten zum Erzeugen einer hinreichend leitenden Schaltstrecke beim Ausschaltvorgang. Angestrebt wird ein ueberspannungsfreies Schaltverhalten des Vakuumschaltgeraetes. Dies wird erfindungsgemaess dadurch erreicht, dass die Zusaetze (12, 22, 32) in einer die Schaltflaeche (11, 21, 31) des Kontaktstueckes (1, 10, 20) bedeckenden festhaftenden Schicht (14, 24, 34) konzentriert sind. Derartige Kontaktstuecke (10, 20, 30) lassen sich insbesondere durch direktes Aufschmelzen der Zusaetze, durch Anschmelzen einer separaten Auflage (22) aus den Zusaetzen in Pulverform, als Granulat oder als Folie bzw. Blech oder aber auch durch Aufdampfen der Zusaetze (32) auf die Schaltflaeche (11, 21, 31) eines vorgegebenen Koerpers (10, 20, 30) aus Grundmaterial herstellen. Als Grundmaterial wird vorteilhafterweise ein CuCr-Kontaktwerkstoff verwendet. Fig. 1

Description

Hierzu 1 Seite Zeichnungen

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die Erfindung bezieht sich auf Schaltkontaktstücke für Vakuumschaltgeräte, bestehend aus einem Grundmaterial mit Zusätzen leicht verdampfbarer Komponenten zum Erzeugen einer hinreichend leitenden Schaltstrecke beim Ausschaltvorgang. Darüber hinaus bezieht sich die Erfindung auch auf Verfahren zur Herstellung solcher Kontaktstücke. Die erfindungsgemäßen Schaltkontaktstücke finden insbesondere Verwendung bei solchen Vakuumschaltgeräten, die zur Schaltung von Motoren eingesetzt werden.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen

In induktiven Schaltkreisen kann es bei Verwendung von Vakuumschaltern in speziellen Schaltfällen, z. B. beim Ausschalten eines anlaufenden Motors, zu mehrfachen (multiplen) Wiederzündungen mit virtuellen Stromabrissen kommen, die zu einer starken Spannungsbelastung in den Eingangswindungen des geschalteten Gerätes führen und die gegebenenfalls Schutzmaßnahmen erforderlich machen (Lit: K.Stegmüller, „elektrotechnik" 66/22, Nov. 1984, S. 16-23). Es besteht daher Bedarf an überspannungsfreien Vakuumschaltgeräten, die diese Tendenz zu Spannungshüben beim Schalten kleiner Ströme in induktiven Kreisen nicht besitzen. Für das Kontaktmaterial in derartigen Schaltern bedeutet das die Forderung nach einem langen Lichtbogenbrennen bis zum Stromnullbereich, d.h. nach einem niedrigen Abreißstrom <0,2A, und gleichzeitig nach einem hinreichend leitenden Lichtbogen, um die Instabilität des Abreißvorganges auf ein Minimum zu reduzieren. Zur Erfüllung dieser Forderung müssen im Schaltfall durch den Lichtbogen Ladungsträger in ausreichender Anzahl erzeugt werden, d. h. es muß eine hohe Dampferzeugungsrate aus der Kathode gegeben sein.

Durch eine starke Metalldampfabgabe und damit eine hohe Ladungsträgermenge wird'prinzipiell das Ausschaltvermögen des Systems gefährdert. Es besteht daher die Forderung nach Kontaktmaterial, das sowohl ein überspannungsfreies Schaltverhalten zeigt als auch hohes Leistungsschaltvermögen aufweist.

Für Kontaktwerkstoffe mit überspannungsfreiem Schaltverhalten wurde bisher vorgeschlagen, einem Grundmaterial, z. B. CuCr, eine genügende Menge von leichtverdampflichen Zusatzkomponenten hinzuzufügen. Derartige Werkstoffe werden beispielsweise in der EP-A-0083200, der EP-AP-OO83245, der DE-A-31 50846 und der EP-A-OO90579 beschrieben.

Die bei letzterem Stand der Technik angeführten Zusätze sind für den Einsatz in Vakuumschalter-Kontaktwerkstoffen bereits in anderem Zusammenhang bekannt, beispielsweise zur Abreißstromsenkung oder Schweißkraftminderung, und werden nach verschiedenen Verfahren im Volumen des Kontaktwerkstoffes weitgehend homogen verteilt, um bei Abbrandverlusten stets wieder nachlieferbar zu sein.

Die bekannten Lösungen besitzen gravierende Nachteile:

— Da mitzunehmender Größe des Ausschaltstromes auch die Menge an verdampften Kontaktmaterial — und damit an Ladungsträgern — durch die leichtverdampflichen Zusätze zwangsläufig besonders stark ansteigt, wird das Ausschaltvermögen mit wachsenden Strömen erheblich beeinträchtigt und im Vergleich zu zusatzfreien Werkstoffen deutlich vermindert.

— Durch den hohen Anteil von in der Regel spröden Zusatzstoffen bzw. spröden Phasen dieser Stoffe verliert der Werkstoff seine notwendige Duktilität, die für die mechanische Belastung beim Schaltvorgang und für eine gute elektrische Kontaktgabe bei Dauerstrombelastung wichtig ist.

— Zugleich werden durch die i. a. schlecht leitenden Zusatzstoffe Strom- und Wärmeleitung der Elektroden eingeschränkt, d.h., es kann zu Problemen infolge erhöhter Wärmeentwicklung kommen.

— Die Herstellung derartiger Kontaktwerkstoffkombinationen erfolgt bevorzugt auf pulvermetallurgischem Wege. Daraus und unter Berücksichtigung der verwendeten Zusätze, z.B. wie bei dem aus der DE-A-31 50846 bekannten Werkstoff, ergibt sich eine nicht vernachlässigbare Anfälligkeit für Gefügefehler, Inhomogenitäten und hohe Restgasgehalte, die eine zusätzliche Beschränkung im Schaltleistungsvermögen und in der Spannungsfestigkeit bewirken.

— Ein wesentliches verarbeitungsmäßiges Hindernis beim Einsatz der genannten Art von sog. „Low Surge"*- Kontaktwerkstoffen ergibt sich aus der Tatsache, daß die meisten der angeführten Zusätze zugleich gute Antischweißeigenschaften besitzen. Bei mit diesen Zusätzen hochlegierten Werkstoffen können sich erhebliche Probleme bezüglich ihrer Verbindungstechnikergeben.

Im Extremfall, z. B. bei einem aus der EP-A-OO90579 bekannten Werkstoff, sind sie nicht mit den bekannten Verfahren lötbar.

„LOW SURGE" = kleine Überspannungen

Ziel der Erfindung

Ziel der Erfindung ist es, in induktiven Schaltkreisen den problemlosen Einsatz von Vakuumschaltgeräten zu ermöglichen.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Aufgabe der Erfindung ist es daher, Schaltkontaktstücke der eingangs genannten Art zu schaffen, die ein hinreichendes überspannungsfreies Schaltverhalten bei gutem Leistungsschaltvermögen aufweisen und problemlos bezüglich der Verbindungstechnik mit Kontaktstückunterlagen aus Kupfer sind.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche. Spezifische Verfahren zur Herstellung derartiger Kontaktstücke sind in den Ansprüchen 9,10 bis 12 sowie 13 und 14 angegeben. Dabei könnten vorteilhaft Zusätze gemäß den Ansprüchen 15 und 16 verwendet werden. Um die oben abgehandelten Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden, wird gemäß der Erfindung vorgeschlagen, ein bewährtes Grundmaterial, z. B. CuCr, lediglich auf der Schaltfläche mit einer Schicht aus geeigneten leichtverdampflichen Zusätzen bzw. hochkonzentrierten Verbindungen/Legierungen dieser Zusätze zu versehen und das Grundmaterial selbst unlegiert zu belassen. Durch Versuche konnte bestätigt werden, daß bereits diese Anordnung genügt, um zu guten Resultaten hinsichtlich eines weitgehend überspannungsfreien Schaltverhaltens zu gelangen. Ein rasches Nachlassen der Wirkung der leichtverdampflichen Zusätze, wie es aufgrund der unvermeidlichen Verarmungseffekte und der damit bewirkten Kontakterosion befürchtet werden mußte, findet überraschenderweise nicht statt. Dies kann durch die Annahme erklärt werden, daß beim Verdampfen der Zusätze ein wesentlicher Teil davon wieder im Bereich des Kontaktspaltes auf den Schaltflächen kondensiert. Ein wesentlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung liegt darin, daß mit ihr sowohl das gewünschte überspannungsfreie Schaltverhalten als auch ein befriedigendes Leistungsschaltvermögen erreicht werden kann. Beides beruht darauf, daß bei kleinen und mittleren Schaltströmen, bei denen das überspannungsfreie Schaltverhalten gefordert wird, die aufgebrachte Schicht aus leichtverdampflichen Zusätzen wirksam wird und daß bei hohen Strömen, bei denen eine sichere Ausschaltung gefordert wird, der energiereiche Schaltlichtbogen auf das Grundmaterial durchstößt und dort keine weiteren leichtverdampflichen Zusätze freisetzt, die den Löschvorgang unzulässig behindern.

Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung ist, daß ein qualitativ hochwertiger und duktiler Grundwerkstoff eingesetzt werden kann. Außerdem können durch Einsatz eines bewährten Grundwerkstoffes die bekannten Vakuumhartlötverfahren beim Verbinden mit dem Kontaktträger bzw. den Kontaktbolzen beinhaltet werden, d. h. es gibt keine Probleme mit der Verbindungstechnik.

Ausführungsbeispiel

Ausführungsformen der Erfindung bezüglich Materialwahl der Zusätze, werden nachfolgend im einzelnen beschrieben. Die festhaftenden Schichten aus diesen Zusätzen können durch unterschiedliche Verfahrenstechnologien hergestellt werden, zu denen weiter unten auf die Figurenbeschreibung der Zeichnung verwiesen wird.

Auf einen Grundkörper aus geeignetem Kontaktmaterial, beispielsweise aus CuCr-Schmelzwerkstoff, soll eine Schicht von ausgewählten Zusätzen aufgebracht werden:

Die Schichtdicke soll dabei in Abhängigkeit von den Anforderungen und vom gewählten Schichtmaterial bevorzugt einige Vioo mm bis einige Viomm betragen. Es können jedoch auch Schichten größerer Dicke (einige mm) verwendet werden, wenn die Schicht aus verfahrenstechnischen Gründen mit Bestandteilen des Grundwerkstoffes vermischt ist.

Als Komponenten für die Schicht, d.h. als geeignete Zusätze, kommen insbesondere intermetallische Verbindungen der Elemente Se, Te, Pt), Bi untereinander bzw. mit Ag, Al, Ba, Ca, Ce, In, La, Li, Sb, Sn, Sr₁Ti oder Zr bzw. mit Cu als Grundwerkstoff in Betracht. Auch Mg oder Sm sind zur Bildung von derartigen Phasen möglich. Alle Elemente sind als Zusatzkomponenten bisher speziell für solche Eigenschaftsverbesserungen bekannt, die eine Erhöhung der Metalldampfdichte bei Lichtbogenbelastung, z. B. zum Erzielen eines niedrigen Abreißstromes, erfordern. Hierzu wird beispielsweise auf die US-PS 2975255, die DE-A-1081 950, die DE-A-1236630, die US-PS 3596027 und die DE-PS 21 24707 verwiesen.

Aus verarbeitungstechnischen Gründen ist die Schmelz- oder Erweichungstemperatur der Schicht höher als die verwendete Löttemperatur zu wählen (z. B. T 800°C). Beispiele für Schichtkomponenten mit entsprechendem Schmelzpunkt sind: Ag₂Se, Ag₂Te, AI₂Se₃, AI₂Te₃, Ba₂Bi₃, Ba₂Pb, Bi₂Ca₃, Bi₃Ce₄, Bi₃La₄, BiLi₃, Bi₂Mg₃, Bi₂Zr₃, Ca₂Pb, Ce₂Pb, Cu₂Se, Cu₂Te, In₂Se₃, LaPb bzw. La₂Pb, Li₂Se, Li₂Te, PbSe, Pb₂Sm, PbTe, PbTi₂, Pb₃Zr₅, SeSn, SeZn, TeTi, TeZn.

Wichtig für die bestimmungsgemäße Eignung der Schicht ist ihre gute Haftung auf dem Grundmaterial. Dies wird alternativ durch Anschmelzen, über eine Schmelzreaktion oder durch Ansintern in flüssiger Phase erreicht. Um das Anlegieren der Schicht zu erleichtern, können auch Zusätze verwendet werden, die mit dem Grundmaterial bzw. einer Komponente davon eine Reaktion eingehen und auf diese Weise eine solche Schicht erzeugen, die bei der Löttemperatur beständig ist. Solche Zusätze sind z. B.

InSe, In₂Te₃, Sb₂Se₃ oder Sb₂Te₃, die beispielsweise mit Cu eines Grundwerkstoffes CuCr geeignete Dreistoffsysteme bilden.

Keinesfalls darf die Schicht locker gebundene Partikel enthalten, da dann Spannungsfestigkeit und Schaltverhalten beeinträchtigt werden.

Da durch Schaltvorgänge Material zwischen den Elektroden ausgetauscht wird, kann es unter Umständen für die Erzielung einer ausreichenden Reduktion der Überspannungen bereits genügen, nur jeweils eines der Kontaktstücke des Vakuumschalters zu beschichten.

Die Figuren 1 bis 3 zeigen drei unterschiedliche Beispiele für Herstellungsverfahren von erfindungsgemäßen Kontaktstücken.

In Fig. 1 ist eine Deckfläche 11 eines Formkörpers 10 aus einem Grundmaterial CuCr, z.B. CuCr50, mit Partikeln 12 von Ag₂Se-Pulver bedeckt. Die Pulvermenge ist dabei so bemessen, daß sich nach dem Prozeßende eine Schichtdicke von ca. 50 bis 100^m ergibt. Ein Schutzmantel bzw. ein erhöhter Rand 13 des Körpers 10 verhindert ein seitliches Heruntergleiten des Pulvers bzw. ein Herabfließen beim Schmelzprozeß. Der Formkörper 10 wird mit dem Pulver 12 in einem Gefäß 5 mit Vakuum (p < 10~³mbar) oder in verdünnter hochreiner Inertgasatmosphäre auf ca. 950⁰C aufgeheizt und einige Zeit (ca. 10-20 min) auf dieser Temperatur

— 4· — iüJ

belassen. Dabei schmilzt das Ag₂Se-Pulver, bindet an die CuCr-Unterlage des Körpers 10 an und bildet die gewünschte Schicht 14. Nach Erkalten wird der Rand 13des Formkörpers 10 abgedreht. Die Schicht 14kann unmittelbar, d.h. ohne Nachbearbeitung, als Kontaktfläche des so hergestellten Kontaktstückes eingesetzt werden.

In Fig. 2 wird eine Pulvermischung aus 20 bis 25% Cr, 30-40% Sb₂Te₃ und Rest Cu zu einer flachen Scheibe 22 von ca. 1-3 mm Höhe gepreßt und als Auflage auf die Oberfläche 21 eines Grundkörpers 20 aus CuCr, z. B. CuCr50, mit Schutzmantel 23 gelegt. Im Gefäß 5 mit Vakuum oder Inertgasatmosphäre entsprechend Fig. 1 wird die Anordnung auf ca. 1 000⁰C aufgeheizt und auf dieser Temperatur für 30 bis 60 min belassen. Dabei findet ein Flüssigphasensintern der aufgelegten Preßscheibe 22 statt und das bei ca. 622°C schmelzende Sb₂Te₃ wandelt sich bevorzugt in Cu₂Te um. Über das dabei in Cu gelöste Sb ergibt sich eine fehlerfreie Anbindung an die Oberfläche 21 des Grundkörpers 20 aus CuCr. Die Auflage 22 kann anschließend spanend zur Schicht 24 mit gewünschter Stärke abgearbeitet werden.

In Fig. 3 soll ein Kontaktstück 30 aus CuCr, z.B. aus CuCr 50, mit einer ca. 50/xm dicken Schicht 34 aus PbSe versehen werden. Die Schicht 34 wird bei diesem Beispiel in bekannter Weise durch Aufdampfung der Zusätze 32 auf die Unterseite 31 des Kontaktstückes 30 im Vakuumgefäß 5 gemäß Fig. 1, beispielsweise durch Kathodenzerstäubung oder lonenplattierungen, erzeugt. Die Schicht 34 kann ohne Nachbearbeitung als Schaltfläche dienen.

Bei den Kontaktstücken gemäß Fig. 2 kann der Anteil der Zusätze in Relation zum Grundmaterial in geeigneter Weise variiert werden und beispielsweise bei 30% liegen, während bei Fig. 1 und Fig.3 jeweils reine Zusatzdeckschichten vorliegen. In jedem Fall wird für die Zusätze wenigstens eines von solchen Elementen verwendet, deren Dampfdruck bei 1 000°C oberhalb von etwa 1 mbar liegt und die untereinander bzw. mit anderen Metallen intermetallische Phasen bilden. Der Dampfdruck diese Phasen liegt dabei in anderen Größenordnungen als der Dampfdruck der Einzelkomponenten. Durch Einwirkung des Lichtbogens beim Schalten wird jedoch die intermetallische Phase in die Komponenten mit entsprechendem Dampfdruck zerlegt. Während des Lötprozesses dagegen werden die gebildeten intermetallischen Phasen noch nicht zerlegt, so daß lediglich der Dampfdruck dieser Phasen maßgeblich ist. Dadurch treten im Lötprozeß keine Beeinträchtigungen durch zu hohen Metalldampfentwicklung auf.

In Tabelle 1 sind einige Beispiele für Abreißströme aufgeführt, wie sie an erfindungsgemäßen Kontaktstücken, d. h. an CrCu-Kontaktkörpern mit einer in beschriebener Weise versehenen Schicht, gemessen wurden:

Tabelle 1

Kontaktschicht- Abreißströme in A bei 40 A

zusammensetzung Mittelwert Maximalwert

Ag2Te	0,05
Ag2Se	0,05
Sb2Se3	0,07
Sb2Te3	0,07
CuCr22Sb2Te330	0,20
CuCr22PbSe30	0,10

0,35 0,45 0,40 0,50 0,70 0,50

Speziell mit gemäß Fig. 2 hergestellten Kontaktstücken wurden dreipolige Schaltversuche durchgeführt. Eszeigte sich, daß die Steilheit des Stromlöschvermögens auf weniger als 20% des Wertes von reinem CrCu50-Kontaktstücken heruntergesenkt werden konnte und daß demzufolge bei auftretenden multiplen Wiederzündungen im Lastkreis keine virtuellen Stromabrisse mehr auftraten. Zugleich konnten Kurzschlußstrom-Ausschaltleistungen von 20 bis 25kAbei 12kV Nennspannung erreicht werden. Dies bedeutet eine Erhöhung um mehr als 50% gegenüber konventionellen überspannungsvermindemden Kontaktstücken aus solchen Werkstoffen, die einen einheitlichen,nicht schichtmäßigen Aufbau aufweisen.

Claims (16)

Patentansprüche:

1. Schaltkontaktstücke für Vakuumschaltgeräte, bestehend aus einem Grundmaterial mit Zusätzen leicht verdampfbarer Elemente zum Erzeugen einer hinreichend leitenden Schaltstrecke beim Ausschaltvorgang, wobei die Zusätze bevorzugt in dem der Schaltfläche zugewandten Bereich des Kontaktstückes vorhanden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusätze (12, 22, 33) als intermetallische Phasen mit einem Erweichungs- oder Schmelzpunkt oberhalb der benötigten Vakuum-Hartlöttemperatur nur in einer die Schaltfläche (11,21,31) des Kontaktstückes (10,20,30) bedeckenden, festhaftenden Schicht konzentriert sind und wenigstens als eine Komponente solche leicht verdampfbaren Elemente, die einen Dampfdruck von mehr als etwa 1 mbar bei 1000⁰C haben, aufweisen.

2. Schaltkontaktstücke nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die leicht verdampfbaren Elemente Selen (Se), Tellur (Te), Blei (Pb), Wismut (Bi), Barium (Ba), Calcium (Ca), Cer (Ce), Indium (In), Lanthan (La), Lithium (Li), Antimon (Sb) und/oder Strontium (Sr) sind, die intermetallische Phasen untereinander oder mit weiteren Metallen bilden.

3. Schaltkontaktstücke nach Anspruchs, dadurch gekennzeichnet, daß die weiteren Metalle Silber (Ag), Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Magnesium (Mg), Samarium (Sm), Zinn (Sn), Titan (Ti), Zink (Zn) oder Zirkon (Zr) sind.

4. Kontaktstücke nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Erweichungs- oder Schmelzpunkt der Zusätze oberhalb von etwa 800⁰C liegt.

5. Kontaktstücke nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusätze (12, 22,32) folgende intermetallische Verbindungen einzeln oder in Kombination sind:

Ag₂Se, Ag₂Te, AI₂Se₃, AI₂Te₃, Ba₂Bi₃, Ba₂Pb, Bi₂Ca₃, Bi₃Ce₄, Bi₃La₄, BiLi₃, Bi₂Mg₃, Bi₂Zr₃, Ca₂Pb, Ce₂Pb, Cu₂Se, Cu₂Te, In₂Se₃, LaPb bzw. La₂Pb, Li₂Se, Li₂Te, PbSe, Pb₃Sm, PbTe, PbTi₂, Pb₃Zr₅, SeSn, SeZn, TeTi, TeZn.

6. Kontaktstücke nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der festhaftenden Schicht (14, 24,34) kleiner als 2 mm, vorzugsweise kleiner als 1 mm ist.

7. Kontaktstücke nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der festhaftenden Schicht (14, 24, 34) größer als 1/100 mm ist.

8. Kontaktstücke nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Grundmaterial ein CuCr-Werkstoff, vorzugsweise mit Massenanteilen von 30 bis 60% Cr, verwendet ist.

9. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktstückes gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (14) durch Aufschmelzen von pulverförmigen Zusätzen (12) auf die Oberfläche (11) eines vorgegebenen Körpers (10) aus Grundmaterial erzeugt wird.

10. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktstückes gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (24) durch Anschmelzen einer Auflage (22) aus den Zusätzen in Pulverform, als Granulat oder als Folie bzw. Blech auf die Oberfläche (21) eines vorgegebenen Körpers (20) aus Grundmaterial erzeugt wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflage (22) mit Anteilen des Grundmaterials vermischt wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflage (22) aus einer gepreßten Pulvermischung besteht, die aus Anteilen des Grundmaterials und Zusätzen, vorzugsweise mit ¹/3 des Gesamtvolumens, erzeugt wird und daß die Auflage durch Aufschmelzen bzw. Flüssigphasenintern mit der Unterlage aus Grundmaterial verbunden wird.

"13. Verfahren zur Herstellung eines Kontaktstückes gemäß Anspruch 1 oderAnspruch2bis8, dadurch ' gekennzeichnet, daß die Schicht (24) durch Aufdampfen auf die Oberfläche (31) eines vorgegebenen Körpers (30) aus Grundmaterial erzeugt wird.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufdampfen durch Sputtern oder lonenplattieren erfolgt.

— Δ— £.~JO

15. Verfahren nach Anspruch 9,10 oder 13 zur Herstellung eines Kontaktstückes gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß von niedriger als ca. 800⁰C schmelzenden intermetallischen Phasen als Zusätzen ausgegangen wird, deren Aufspaltung und Reaktion mit Cu in einem Wärmeprozeß zur Bildung von lötfesten, vorzugsweise von oberhalb 800⁰C schmelzenden Legierungen bzw. intermetallischen Phasen führt.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die intermetallischen Phasen InSe, InTe bzw. In₂Te₃, Sb₂Se₃, Sb₂Te₃, SnTe sind.