DD258681A1 - METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT AND SHAPED SEMICONDUCTOR DISCS - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln von insbesondere Siliziumscheiben grosser Durchmesser, dass sie waehrend des Herstellungsprozesses mikroelektronischer Bauelemente getterfaehig sind und insbesondere bezueglich einer Durchbiegung formstabil bleiben. Ziel ist es, Getterfaehigkeit und Formstabilitaet zu verbessern, waehrend es die Aufgabe ist, ein Verfahren dazu anzugeben, das in den Herstellungsprozess mikroelektronischer Bauelemente gut einzuordnen ist. Erfindungsgemaess ist die Aufgabe dadurch geloest, dass einmalig oder mehrmalig vorzugsweise eine Siliziumnitridschicht auf die Rueckseite der Halbleiterseite aufgebracht und in Form konzentrischer Streifen strukturiert wird. Danach wird eine Temperaturbehandlung bei 800...1 230C ueber 1...20 Stunden mit Aufheiz- und Abkuehlgeschwindigkeiten von 5...10 K/min durchgefuehrt. Die Temperaturbehandlung kann waehrend eines Hochtemperaturprozessschrittes durchgefuehrt werden. Streifenbreite und Streifenabstand der Siliziumnitridstreifen betragen 10...500 mm und koennen ueber den Radius der Halbleiterscheibe variiert werden.The invention relates to a method for treating, in particular, silicon wafers of large diameter, that they are capable of getting killed during the manufacturing process of microelectronic components and, in particular, remain dimensionally stable with respect to sagging. The aim is to improve getterability and dimensional stability, while the task is to provide a method that can be easily classified in the manufacturing process of microelectronic components. According to the invention, the object is achieved by applying a silicon nitride layer, preferably once or several times, to the rear side of the semiconductor side and patterning it in the form of concentric strips. Thereafter, a temperature treatment at 800 ... 1 230C over 1 ... 20 hours with heating and Abkuehlgeschwindigkeiten of 5 ... 10 K / min carried out. The temperature treatment may be performed during a high temperature process step. Strip width and strip spacing of the silicon nitride strips are 10 ... 500 mm and can be varied over the radius of the semiconductor wafer.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln von Halbleiterscheiben, so daß sie während des Herstellungsprozesses mikroelektronischer Bauelemente getterfähig sind und bezüglich ihrer Form, insbesondere der Durchbiegung, stabil bleiben. Das Verfahren wird vorzugsweise bei der Herstellung mikroelektronischer Bauelemente auf Siliziumscheiben großer Durchmesser angewendet.The invention relates to a method for treating semiconductor wafers so that they are capable of becoming killed during the manufacturing process of microelectronic components and remain stable with respect to their shape, in particular the deflection. The method is preferably used in the manufacture of microelectronic devices on large diameter silicon wafers.
Zur Getterung schnell diffundierender Verunreinigungen in Halbleiterscheiben, insbesondere von Schwermetallen, ist es bekannt, auf der Rückseite der für die Fertigung von Halbleiterbauelementen vorgesehenen Einkristallscheiben dünne Schichten aus arteigenem Material in mikrokristalliner bis amorpher Form oder als Reaktionsprodukt dieses Materials mit verschiedenen Nichtmetallen, beispielsweise Nitrid, Oxyd oder Karbid, zu bilden (DE-OS 1816083; 12g —17/34).For gettering fast diffusing impurities in semiconductor wafers, especially heavy metals, it is known, on the back of the intended for the production of semiconductor devices single crystal slices of arteigenem material in microcrystalline to amorphous form or as a reaction product of this material with various non-metals, such as nitride, oxide or carbide to form (DE-OS 1816083; 12g -17 / 34).
Es ist weiterhin bekannt, zur Getterung von insbesondere Schwermetallen auf der Rückseite der Halbleiterscheibe eine polykristalline Schicht aus Silizium mit einer Korngröße von weniger als etwa 1 pm und einer Schichtdicke von weniger als 5 μιτι aufzubringen. Die Ablagerung der Verunreinigungen erfolgt bevorzugt an den Korngrenzen und die Getterwirkung bleibt auch während der Hochtemperaturprozesse bis zu 12000C wirksam (DE-OS 2714413; HO1L-21/82; EP 0120830, HO1L-21/322).It is also known, for the gettering of particular heavy metals on the back of the semiconductor wafer a polycrystalline silicon layer with a particle size of less than about 1 pm and a layer thickness of less than 5 μιτι apply. The deposition of the impurities is preferably carried out at the grain boundaries and the getter remains even during the high temperature processes up to 1200 0 C effect (DE-OS 2,714,413; HO1L-21/82; EP 0120830, HO1L-21/322).
Nach dem DD-WP 153939 (HO1L-21/322) ist es bekannt, eine ungeordnete Schicht des Substratmaterials bei Temperaturen unter 4000C abzuscheiden und zur Getterung eine Temperaturbehandlung bei mindestens 9000C durchzuführen.According to DD-WP 153939 (HO1L-21/322), it is known to deposit a disordered layer of the substrate material at temperatures below 400 0 C and perform a gettering temperature treatment at least 900 0 C.
Es ist auch bekannt, auf der Rückseite der Halbleiterscheibe eine Störschicht zu erzeugen, indem Edelgasionen, vorzugsweise Argon-Ionen, implantiert werden, und durch eine Temperaturbehandlung bei mindestens 9000C die Getterwirkung hervorzurufen (DD-WP 216138; HO1L-21/322; DD-WP 145144; HO1L-21/265).It is also known to produce a perturbation layer on the back of the semiconductor wafer by noble gas ions, preferably argon ions, are implanted, and by a temperature treatment at at least 900 0 C, the gettering elicit (DD-WP 216138; HO1L-21/322; DD-WP 145144; HO1L-21/265).
Zur Reduzierung von Kristallfehlern (Stapelfehlern) ist es auch bekannt, auf der Rückseite der Halbleiterseite polykristalline oder amorphe Siliziumschichten (DE-OS 2738195; HO1L-21/322) oder Siliziumnitrid-oder Aluminiumoxydschichten (DE-OS 2628087; HO1L-21/324) aufzubringen, die mechanische Spannungen erzeugen. Zur Unterstützung der Getterwirkung kann auch noch Phosphor von der Rückseite her eindiffundiert werden.To reduce crystal defects (stacking defects), it is also known to have polycrystalline or amorphous silicon layers (DE-OS 2738195, HO1L-21/322) or silicon nitride or aluminum oxide layers (DE-OS 2628087; HO1L-21/324) on the back side of the semiconductor side. apply, which generate mechanical stresses. To support the getter effect, phosphorus can also be diffused from the rear side.
Alle genannten Maßnahmen haben den Nachteil, daß durch die rückseitigen Schichten und die nachfolgenden Wärmebehandlungen mechanische Spannungen erzeugt werden, die zu Undefinierten Krümmungen der Halbleiterscheibe führen. Derartige Undefinierten Krümmungen der Halbleiterscheibe führen bei den fotolithografischen Prozessen zu Unscharfen, Geometrie- und Überdeckungsfehlern, die letztendlich zu Ausfällen der Halbleiterbauelemente führen.All these measures have the disadvantage that mechanical stresses are generated by the back layers and the subsequent heat treatments, which lead to undefined curvatures of the semiconductor wafer. Such undefined curvatures of the semiconductor wafer lead in the photolithographic processes to fuzzy, geometry and coverage errors, which ultimately lead to failures of the semiconductor devices.
In dem DD-WP 228935 (HO1L-21/302) wird vorgeschlagen, durch rückseitige Stör-und/oder Deckschichten, die je nach Art und Dicke Zug- oder Druckspannungen erzeugen, die Halbleiterscheibe in eine engtolerierte Form zu bringen, so daß die (bauelementeseitige) Vorderseite eine leicht konvexe Wölbung aufweist. Als Deckschichten werden Siliziumverbindungen mit Stickstoff, Kohlenstoff und/oder Sauerstoff verwendet, in die Störschichten durch Implantation von Fremdatomen oder mittels mechanisch abrasiven Eingriffs eingebracht sind. Nachteilig ist die nicht optimale-Getterwirkung dieser Schichten.DD-WP 228935 (HO1L-21/302) proposes to bring the semiconductor wafer into a tightly toleranced form by means of back-side interference and / or cover layers which generate tensile or compressive stresses, depending on the type and thickness, so that the ( component side) front has a slightly convex curvature. As cover layers silicon compounds with nitrogen, carbon and / or oxygen are used, are introduced into the interference layers by implantation of impurities or by means of mechanical abrasive intervention. A disadvantage is the non-optimal getter effect of these layers.
Zum Herstellen von getterfähigen und formstabilen Halbleiterscheiben wird in dem DD-WP 227559 (HO1L-21/302) vorgeschlagen, in die Rückseite der Halbleiterscheibe mechanisch Gitterstörungen in konzentrischer oder annähernd konzentrischer Form einzubringen und danach eine Schutzschicht oder ein aus mehreren Schichten bestehendes Schutzschichtsystem aus einer Siliziumverbindung aufzubringen, so daß die Vorderseite der Halbleiterscheibe eine leicht konvexe Wölbung aufweist. Nachteilig sind die erforderliche Einscheibenbearbeitung, der hohe apparative Aufwand und der bei der mechanischen Bearbeitung entstehende Siliziumstaub, der sich nur sehr schwer entfernen läßt. Nach der DE-OS 3304255 (H01L-21 /80) ist es weiterhin bekannt, relativ tiefe und breite Nuten in die Rückseite der Halbleiterscheibe derart einzubringen, daß die Bauelemente auf der Vorderseite oberhalb der Nuten zu liegen kommen. Zur Verbesserung der Getterwirkung wird Phosphor von der Rückseite her eindiffundiert. Nachteilig sind neben dem erheblichen Aufwand für die Herstellung der Nuten die erforderliche Anpassung der Nuten an die Bauelemente und die fehlende Formstabilisierung der Halbleiterscheibe.For producing getterfähigen and dimensionally stable semiconductor wafers is proposed in the DD-WP 227559 (HO1L-21/302) to introduce mechanical lattice defects in concentric or approximately concentric form in the back of the semiconductor wafer and then a protective layer or a multi-layer protective layer system of a Apply silicon compound, so that the front side of the semiconductor wafer has a slightly convex curvature. Disadvantages are the required single-disc processing, the high expenditure on equipment and the silicon dust produced during mechanical processing, which is very difficult to remove. According to DE-OS 3304255 (H01L-21/80), it is also known to introduce relatively deep and wide grooves in the back of the semiconductor wafer such that the components come to rest on the front side above the grooves. To improve the getter effect, phosphorus is diffused from the back side. Disadvantages are, in addition to the considerable expense for the production of the grooves, the required adaptation of the grooves to the components and the lack of dimensional stabilization of the semiconductor wafer.
Zur Reduzierung von Stapelfehlern auf der Vorderseite von Halbleiterscheiben ist es schließlich bekannt (Mada, Y.; Jap. Journ. of Appl. Phys. 21 [1982] 11, pp L 683-684), unterschiedlich große Quadrate aus einer Siliziumnitridschicht auf der Rückseite der Halbleiterscheibe zu erzeugen. Dieses Verfahren hat den Nachteil, daß die Form der Halbleiterscheibe damit nicht beeinflußt werden kann.Finally, in order to reduce stacking faults on the front side of semiconductor wafers, it is known (Mada, Y. Jap. Journal of Appl. Phys. 21 [1982] 11, pp L 683-684), squares of different sizes from a silicon nitride layer on the back side to produce the semiconductor wafer. This method has the disadvantage that the shape of the semiconductor wafer can not be affected.
Ziel der Erfindung ist es, die Formstabilität von Halbleiterscheiben, insbesondere großer Durchmesser, bei guter Getterwirksamkeit gegen Verunreinigungen und Stapelfehlerkeime zu verbessern.The aim of the invention is to improve the dimensional stability of semiconductor wafers, in particular large diameter, with good gettering effectiveness against impurities and stacking fault nuclei.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein in den Herstellungsprozeß mikroelektronischer Bauelemente gut einzuordnendes Verfahren zum Herstellen getterfähiger und formstabiler Silizium-Halbleiterscheiben, insbesondere großer Durchmesser, anzugeben, so daß Getterfähigkeit und Formstabilität auch über mehrere Hochtemperaturprozesse gewährleistet sind.It is an object of the invention to provide a well-to-be-classified in the manufacturing process of microelectronic devices method for producing getterfähiger and dimensionally stable silicon wafers, especially large diameter, so that Getterfähigkeit and dimensional stability are ensured over several high-temperature processes.
Erfindungsgemäß ist die Aufgabe, ein Verfahren zum Herstellen getterfähiger und formstabiler Halbleiterscheiben, insbesondere Siliziumscheiben großer Durchmesser, anzugeben, indem auf der Rückseite der Halbleiterscheibe eine dünne Schicht arteigenen Materials oder eines Reaktionsproduktes arteigenen Materials mit einem Nichtmetall aufgebracht und eine Temperaturbehandlung durchgeführt wird, dadurch gelöst, daß einmalig oder mehrmalig die Schicht mit einer Dicke von mindestens 300 nm aufgebracht wird, daß die Schicht in Form konzentrischer Streifen strukturiert wird und da.ß die Temperaturbehandlung bei 800...12300C während einer Dauer von 1 ...20 Stunden, beispielsweise in inerter Atmosphäre, mit einer Aufheiz-und Abkühlgeschwindigkeit von 5... 10 K/min durchgeführt wird.The object of the invention is to provide a method for producing getterable and dimensionally stable semiconductor wafers, in particular silicon wafers of large diameter, by applying a thin layer of native material or a reaction product of native material to a non-metal on the backside of the semiconductor wafers, thereby achieving that the layer is applied once or several times with a thickness of at least 300 nm, that the layer is structured in the form of concentric strips and that the temperature treatment at 800 ... 1230 0 C for a period of 1 ... 20 hours, for example, in an inert atmosphere, with a heating and cooling rate of 5 ... 10 K / min is performed.
Es ist zweckmäßig, daß als Schichtmaterial Siliziumnitrid verwendet wird.It is expedient that silicon nitride is used as the layer material.
Es ist zweckmäßig, daß die Schichtabscheidung und Schichtstrukturierung vor dem ersten Hochtemperaturprozeßschritt erfolgt.It is expedient for the layer deposition and layer structuring to take place before the first high-temperature process step.
Es ist ferner zweckmäßig, daß die Schichtabscheidung und Schichtstrukturierung, gegebenenfalls mit veränderter Breite und Abstand der Streifen, nach dem vollständigen oder partiellen Entfernen rückseitiger Deckschichten, insbesondere Oxydschichten, vor weiteren Hochtemperaturprozeßschritten wiederholt wird.It is also expedient that the layer deposition and layer structuring, optionally with changed width and spacing of the strips, after the complete or partial removal of back-side cover layers, in particular oxide layers, is repeated before further high-temperature process steps.
Es ist auch zweckmäßig, daß die Schicht derart strukturiert wird, daß Streifenbreite und Streifenabstand 10...500μιη betragen und Streifenbreite und Streifenabstand gegebenenfalls über den Radius der Halbleiterscheibe variiert werden'.It is also expedient that the layer is structured in such a way that strip width and strip spacing amount to 10... 500 μm, and strip width and strip spacing are optionally varied over the radius of the semiconductor wafer.
Es ist schließlich zweckmäßig, daß die Temperaturbehandlung während eines Hochtemperaturprozeßschrittes erfolgt.Finally, it is expedient for the temperature treatment to take place during a high-temperature process step.
Die streifenförmigen Schichtbereiche aus Siliziumnitrid üben lokale Zugspannungen auf angrenzende Bereiche der Scheibenrückseite aus, die in ihrer Überlagerung tendentiell zur Ausbildung bauelementeseitig stärker konvex geformter Scheiben führen, bezogen auf die Ausgangsform. Durch die thermische induzierten Kantenversetzungen erfolgt eine Stabilisierung dieses angestrebten Zustandes. Eine Steuerung der Versetzungsbildung erfolgt durch die Variation des Abstandes A und der Breite B der Streifen im Zusammenwirken mit der thermischen Belastung, so daß versetzungsbehaftete Scheibenbereiche über jeweils realisierte Versetzungslaufwege L festgelegt werden. Eine gleichmäßige Versetzungsverteilung im Sinne einer optimalen Getterwirksamkeit wird somit über zwei Grenzfälle möglich:The strip-shaped layer regions of silicon nitride exert local tensile stresses on adjacent regions of the wafer rear side, which in their superimposition tend to lead to the formation of more convexly shaped disks on the component side, based on the initial shape. The thermal induced edge dislocations stabilize this desired state. Control of dislocation formation is achieved by varying the distance A and the width B of the strips in cooperation with the thermal stress so that dislocation-affected slice areas are established via respective realized dislocation passages L. A uniform dislocation distribution in the sense of an optimal getter effect is thus possible over two borderline cases:
— Bei einmaliger Schichtabscheidung mit 2L ä A bei B = 1/2A- For single layer deposition with 2L A at B = 1 / 2A
— Bei n-maliger Schichtabscheidung mit 2 £] Ln a A bei B = 1 /n A.- n-layer deposition with 2 £] L n a A at B = 1 / n A.
Eine mehrmalige Schichtabscheidung ist erforderlich, wenn eine kontinuierliche Getterwirksamkeit aufrecht erhalten werden soll oder wenn die Getterwirksamkeit im Herstellungsprozeß der Halbleiterbauelemente durch Erzeugen zusätzlicher Defekte erhöht werden soll. Durch die Variation von Streifenabstand A — auch in Verbindung mit einer Variation der Streifenbreite B — über den Radius der Halbleiterscheibe ist es möglich, die Verformung der Halbleiterscheibe durch die auftretenden thermomechanischen Spannungen in die angestrebte leicht konvexe Form der bauelementetragenden Vorderseite zu bringen, indem beispielsweise zum Scheibenrand hin der Streifenabstand A größer als im Scheibenzentrum gewählt wird. Die Vorteile der erfindungsgemäßen Lösung sind die gute Einstellbarkeit der Form der Halbleiterscheibe, die gute Getterwirksamkeit und die Möglichkeit, diese Maßnahmen während des Herstellungsprozesses der Halbleiterbauelemente zu wiederholen. Damit ist nicht nur eine Erhaltung, sondern sogar eine Erhöhung der Getterwirksamkeit während des Herstellungsprozesses möglich. Weiterhin ist von Vorteil, daß das erfindungsgemäße Verfahren nur Verfahrensschritte erfordert, die auch bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen angewendet werden. Es ist also kein zusätzlicher apparativer Aufwand erforderlich und das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich gut in den Bauelementeherstellungsprozeß integrieren oder anpassen.A multiple layer deposition is required if a continuous gettering effect is to be maintained or if the gettering efficiency in the manufacturing process of the semiconductor devices is to be increased by creating additional defects. By varying the strip spacing A - also in conjunction with a variation of the strip width B - over the radius of the semiconductor wafer, it is possible to bring the deformation of the semiconductor wafer by the occurring thermo-mechanical stresses in the desired slightly convex shape of the device-carrying front by, for example Disk edge toward the strip spacing A is greater than in the disk center is selected. The advantages of the solution according to the invention are the good adjustability of the shape of the semiconductor wafer, the good gettering efficiency and the possibility of repeating these measures during the manufacturing process of the semiconductor components. This not only preserves, but even increases gettering efficiency during the manufacturing process. Furthermore, it is advantageous that the method according to the invention requires only process steps which are also used in the production of semiconductor components. So there is no additional expenditure on equipment required and the inventive method can be easily integrated or adapted in the device manufacturing process.
Die Erfindung soll nachstehend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden.The invention will be explained below with reference to an exemplary embodiment.
In einer MOS-Technologie werden Siliziumscheiben von 100 mm Durchmesser verwendet. Diese Scheiben werden nach derIn a MOS technology silicon wafers of 100 mm diameter are used. These discs are after the
üblichen Reinigung rückseitig in einem CVD-Reaktor mit Sijiziumnitrid von 500nm Dicke beschichtet. In einemusual cleaning back coated in a CVD reactor with silicon nitride of 500nm thickness. In one
fotolithografischen Prozeß wird die Siliziumnitridschicht strukturiert, so daß konzentrische Streifen mit folgenden Abmessungen entstehen:Photolithographic process, the silicon nitride layer is patterned so that concentric strips with the following dimensions arise:
— Im zentralen Bereich bis zu einem Radius von 15mm Streifenbreite und Streifenabstand 30pm- In the central area up to a radius of 15mm stripe width and stripe distance 30pm
— Im anschließenden Bereich bis zum Scheibenrand Streifenbreite und Streifenabstand von 30 pm kontinuierlich bis auf 300 pm anwachsend.- In the subsequent area to the edge of the disc stripe width and stripe spacing of 30 pm increases continuously up to 300 pm.
Danach wird die in der MOS-Technologie übliche Startoxydation durchgeführt, in der beispielsweise das Feldoxyd gebildet wird. Dazu werden die Halbleiterscheiben in inerter Atmosphäre mit 6K/min bis 1000°C aufgeheizt, anschließend über eine Dauer von mehreren Stunden oxydiert und danach wieder mit 6K/min abgekühlt. Der Oxydationsprozeß dient also gleichzeitig zur Temperaturbehandlung der Halbleiterscheiben. Durch dieses Verfahren entstehen an den Kanten der Siliziumnitridstreifen Versetzungslaufwege von etwa 10 pm, ohne daß Gleitversetzungen von dem Scheibenrand her induziert werden, die für die späteren Bauelemente schädlich wären.Thereafter, the customary in MOS technology start oxidation is carried out, in which, for example, the field oxide is formed. For this purpose, the semiconductor wafers are heated in an inert atmosphere at 6K / min to 1000 ° C, then oxidized over a period of several hours and then cooled again at 6K / min. The oxidation process thus simultaneously serves for the temperature treatment of the semiconductor wafers. By this method, dislocation passages of about 10 μm are formed at the edges of the silicon nitride strips without inducing slip dislocations from the wafer edge which would be detrimental to the later devices.
Danach erfolgt der übliche MOS-Prozeß bis zum Öffnen der Kontaktfenster. Nach dem Öffnen der Kontaktfenster ist die Rückseite wieder frei von Oxydschichten und —je nach angewandtem Ätzverfahren — auch frei von den Siliziumnitridstreifen. Zur Auffrischung der Getterwirksamkeit kann die Halbleiterseite erneut mit Siliziumnitrid von etwa 500 nm Dicke beschichtet werden. In einem fotolithografischen Prozeß wird die Siliziumnitridschicht wiederum strukturiert, daß konzentrische Streifen entstehen. Es ist jedoch vorteilhaft, daß diese Streifen nur eine Breite von etwa 10 pm besitzen und daß diese Streifen nur an den Stellen ausgebildet werden, die bei der ersten Strukturierung der Siliziumnitridschicht nicht von Siliziumnitrid bedeckt warenThereafter, the usual MOS process until the opening of the contact window. After opening the contact window, the back side is again free of oxide layers and, depending on the etching method used, it is also free of the silicon nitride strips. To refresh the gettering effect, the semiconductor side can be re-coated with silicon nitride of about 500 nm thickness. In a photolithographic process, the silicon nitride layer is again structured so that concentric stripes are formed. However, it is advantageous that these strips have only a width of about 10 pm and that these strips are formed only at those locations which were not covered by silicon nitride in the first structuring of the silicon nitride layer
Eine anschließende prozeßtypische Temperung in Inertgas aktiviert weitere Kantenversetzung an den neu erzeugten Siliziumnitridstreifen, so daß eine Erhöhung der Getterwirksamkeit eintritt. A subsequent process-typical annealing in inert gas activates further edge displacement on the newly produced silicon nitride strips, so that an increase in gettering efficiency occurs.
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| DD28867586A DD258681A1 (en) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT AND SHAPED SEMICONDUCTOR DISCS |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD28867586A DD258681A1 (en) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT AND SHAPED SEMICONDUCTOR DISCS |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD258681A1 true DD258681A1 (en) | 1988-07-27 |
Family
ID=5577823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD28867586A DD258681A1 (en) | 1986-04-02 | 1986-04-02 | METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT AND SHAPED SEMICONDUCTOR DISCS |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD258681A1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0466014A3 (en) * | 1990-07-05 | 1993-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | External gettering during manufacture of semiconductor devices |
| US5892292A (en) * | 1994-06-03 | 1999-04-06 | Lucent Technologies Inc. | Getterer for multi-layer wafers and method for making same |
-
1986
- 1986-04-02 DD DD28867586A patent/DD258681A1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0466014A3 (en) * | 1990-07-05 | 1993-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | External gettering during manufacture of semiconductor devices |
| US5892292A (en) * | 1994-06-03 | 1999-04-06 | Lucent Technologies Inc. | Getterer for multi-layer wafers and method for making same |
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