DD262941B5

DD262941B5 - Duennschichtschaltkreis und Verfahren zur Strukturierung eines Duennschichtschaltkreises

Info

Publication number: DD262941B5
Application number: DD30563187A
Authority: DD
Inventors: Wolfgang Dipl-Phys Brode; Gertrud Winge; Eberhard Dipl-Ing Zorn; Adelheid Dipl-Chem Seifert; Rolf Dipl-Ing Steinbrueck; Juergen Dipl-Chem Henneberger
Original assignee: Tridelta Ag
Priority date: 1987-08-03
Filing date: 1987-08-03
Publication date: 1994-05-05
Also published as: DD262941A1

Description

Hierzu 1 Seite Zeichnung

Anwendungsgebiet der Erfindung

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Mikroelektronik. Sie bezieht sich auf die Gestaltung eines Dünnschiclttschaltkreises, bei dem auf einem Substrat mindestens eine Widerstandsstruktur, eine Leiterbahn- und Bondkontaktstruktur und eine Lötkontaktstruktur vorhanden sind. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Strukturierung eines Dünnschichtschaltkreises, bei dem alle Funktionsschichten einem Fotolithografieverfahren unterworfen werden.

Charakteristik des bekannten Standes der Technik

Dünnschichthybridschaltkreise sind im allgemeinen funktionsbedingt aus Dreischichtsystemen aufgebaut. Zu diesem Dreischichtsystem gehört eine Widerstandsebene, eine Leiterbahn- und Bondkontaktebene und eine Lötkontaktebene. Jede Ebene weist dabei ein unterschiedliches Strukturbild auf. Demzufolge müssen diese Schichten in drei aufeinanderfolgenden Fotolithografieschritten bearbeitet werden.

Zur Minimierung der Verfahrensschritte, d. h. zur Verringerung dos Aufwandes, wurde bisher vorgeschlagen, eine Lackmaskenreduzierung durch eine Nachbelichtung mit einer anderen Schablone vorzunehmen.

Daraus ergeben sich allerdings hohe Anforderungen an den Fotolack, der sich insbesondere durch das Ätzbad der zuerst zu ätzenden Schicht nicht stark zersetzen darf. Eine Weiterverarbeitung würde dann erschwert werden bzw. unmöglich sein.

Durch die sich hier ergebenden Undefinierten Lackparameter ergeben sich Positionierfehler bei der Strukturierung der nächstfolgenden Schichten.

Ziel der Erfindung

Ziel der Erfindung ist es, einen Dünnschichtschaltkreis und ein Verfahren zur Strukturierung eines Dünnschichtschaltkreises zu schaffen, wobei der Aufwand zur Strukturierung, bei gleichzeitiger Nichteinschränkung auf bestimmte Lackarten beim Fotolithografieprozeß, zu verringern ist.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Dünnschichtschaltkreis neu zu gestalten und neu zu strukturieren, wobei eine hohe Positioniergenauigkeit beim Fotolithografieprozeß bei Beachtung des Ziels der Erfindung erreicht werden soll.

Der Dünnschichtschaltkreis besteht aus einem Substrat, auf dem mindestens eine Widerstandsstruktur, eine Leiterbahn- und Bondkontaktstruktur und eine Lötkontaktstruktur vorhanden sind, wobei die einzelnen Strukturen miteinander verbunden sind.

Erfindungsgemäß bedeckt in der Ebene der Lötkontaktstruktur ein von dieser getrennter Teil den Randbereich der Leiterbahn- und Bondkontaktstruktur.

Zur Strukturierung des Dünnschichtschaltkreises werden alle genannten Funktionsschichten einem Fotolithografieverfahren unterworfen.

Erfindungsgemäß wird dabei zunächst mit einer ersten Lackmaske der sowohl die Leiterbahn- und Bondkontaktstruktur als auch die Lötkontaktstruktur enthaltende Schichtbereich hergestellt und anschließend mit einer zweiten Lackmaske die Widerstandsstruktur und die Lötkontaktstruktur mit dem von dieser getrennten Teil.

Ausführungsbeispiel

Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Die zugehörige Zeichnung zeigt einen Schnitt durch einen erfindungsgemäßen Dünnschichtschaltkreis.

Auf einem Glassubstrat 1 werden zunächst ganzflächig alle Funktionsschichten, d. h. die Widerstandsschicht (CrNi), die Leiterbahn- und Bcndkontaktschicht (A 1) und die Lötkontaktschicht (FeNi), abgeschieden. Dazu bietet sich das Sputterverfahren

Die einzelnen Schichten sollen nun mit Hilfe der Fotolithografie strukturiert werden.

Auf dem Schichtsystem der oben genannten Art wird zunächst eine Lackmaske erzeugt, die sowohl die Leiterbahn- und Bondkontaktstruktur 3 als auch den Schichtbereich der Lötkontaktstruktur 4 enthält. Nach dem Herstellen der entsprechenden Strukturbilder und dem Ablösen der ersten Lackmaske wird die zweite Lackmaske erzeugt, die die Struktur des oben liegenden Schichtbereiches mit der Lötkontaktstruktur 4 und diejenige der Widerstandsstruktur enthält. Dadurch, daß im unmittelbaren Einbindungsbereich 5 der Widerstandsstruktur 2 an die Leiterbahn- und Bondkontaktstruktur 3 noch ein Teil 4 a der Schichtebene mit der Lötkontaktstruktur 4 erfindungsgemäß stehengelassen wurde, bewirkt eben dieser Teil 4 a eine Ausgleichsmöglichkeit für Positionierfehler der Belichtungsschablone. Dadurch werden Unterbrechungen im Bereich 6 der Widerstandsstruktur 2 verhindert.

Zuerst wird mit Hili'e der zweiten Fotolackmaske die Widerstandsstruktur 2 und dann die Lötkontaktstruktur 4 mit dein ι eil 4 a mit den jeweils geeigneten Ätzmitteln herausgearbeitet.

Durch die Erfindung ist es gelungen, drei Bildinhalte (Strukturen) mit zwei Fotolithografieschritten zu realisieren, wobei keine besonderen Anforderungen mehr an den Fotolack gestellt werden brauchen.

Claims

1. Dünnschichtschaltkreis, bei dem auf einem Substrat mindestens eine Widerstandsstruktur, eine Leiterbahn- und Bondkontaktstruktur und eine Lötkontaktstruktur vorhanden sind, wobei die einzelnen Strukturen miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß in der Ebene der Lötkontaktstruktur (4) ein von dieser getrennter Teil (4a) den Randbereich der Leiterbahn- und Bondkontaktstruktur (3) bedeckt.

2. Verfahren zur Strukturierung eines Dünnschichtschaltkreises nach Anspruch 1, bei dem alle Funktionsschichten einem Fotolithografieverfahren unterworfen werden, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst mit Hilfe einer ersten Lackmaske der sowohl die Leiterbahn- und Bondkontaktstruktur (3) als auch die Lötkontaktstruktur (4) enthaltende Schichtbereich hergestellt wird und daP- anschließend mit einer zweiten Lackmaske die Widerstandsstruktur (2) und die Lötkontaktstrukt'jr (4) mit dem von dieser getrennten Teil (4a) hergestellt wird.