DD282328A5 - Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen - Google Patents
Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen Download PDFInfo
- Publication number
- DD282328A5 DD282328A5 DD32706089A DD32706089A DD282328A5 DD 282328 A5 DD282328 A5 DD 282328A5 DD 32706089 A DD32706089 A DD 32706089A DD 32706089 A DD32706089 A DD 32706089A DD 282328 A5 DD282328 A5 DD 282328A5
- Authority
- DD
- German Democratic Republic
- Prior art keywords
- housing
- strip
- cooling
- carrier strip
- average power
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Traegerstreifen mit integriertem Waermeleitelement fuer aufsetzbare Halbleitergehaeuse zur Abfuehrung mittlerer Verlustleistungen. Sie bezieht sich auf ein Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente, insbesondere auf Gehaeuse fuer die Aufsetztechnologie und findet dort Anwendung, wo entsprechend den Bauelementeanforderungen mittlere Verlustleistungen aus den Gehaeusen abgefuehrt werden muessen. Erfindungsgemaesz sind Haltestege, Chiptraeger und Kuehlfahnen aus einem Traegerstreifenstueck geformt, wobei die Haltestege verbreitert und Teile des Traegerstreifenrandbereichs zu Kuehlfahnen ausgebildet sind. Mit der Erfindung sind hoehere Verlustleistungen abfuehrbar bei geringstmoeglichen Bauelementeabmessungen.{Traegerstreifen; Waermeleitelement; Aufsetztechnologie; mittlere Verlustleistung; Kuehlfahnen}
Description
Hierzu 2 Seiten Zeichnungen
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung findet Anwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere von aufsetzbaren Bauelementen, bei denen mittlere Verlustleistungen abgeführt werden müssen.
Charakteristik des bekannten Standes der Technik
Die Montage von Halbleiterbauelementen erfolgt hauptsächlich auf speziellen Trägerstreifen.
Bei Bauelementen, wo die Abführung mittlerer Verlustleistungen notwendig ist, werden die Trägerstreifen aus gut
wärmeleitfähigem Material hergestellt und z. B. bei DIL-Gehäusen innere Wärmeverteiler eingesetzt. Beim Übergang zur
Montage in aufsetzbare Gehäuse, bei denen aufgrund der Gehäuseabmessungen der Einsatz von Wärmevcrteilern nicht möglich ist, müssen durch die geringere Wärmeableitung Abstriche in den Bauelementekenndaten zugelassen werden bzw. die Montage spezieller fäuelementetypen in derartigen Gehäuse ist nicht möglich.
Aus der DL-OS 3421539 ist ein aufsetzbares Gehäuse bekannt, das eine vorgeformte und schon vor dem Verkappen Z-förmig nach unten gebogene Kühlfahne besitzt. Nachteilig ist, daß dieses Gehäuse in den Abmessungen begrenzt ist, nur 3 Anschlüsse besitzt und daher nur für Transistoren angewendet werden kann. Ein weiterer Nachteil ist, daß die Verlustwärme nur in geringem Umfang über die Leiterplatte und nicht über zusätzliche Kühlkörper abgeführt werden kann. Da die Kühlfahne gleichzeitig ein Gehäuseanschluß ist, stehen bei der Übertragung dieser Konstruktion auf giößere Gehäuse mit mehr Anschlüssen nicht alle Anschlüsse für die Chipkontaktierung zur Verfügung. Des weiteren bewirkt ein bereits vorgeformter Trägerstreifen in der
technologischen Prozeßfolge sinen zusätzlichen Aufwand.
Aus der DE-OS 2858087 ist ein DIL-Gehäuse bekannt, das am Chipträger befestigte Wärmeleitelemente aufweist, die
vorzugsweise innerhalb des Gehäuses angeordnet sind.
Nachteilig ist, daß die Wärmeableitelemente vor dem Montageprozeß vorgeformt sein müssen und dadurch einen erheblichen Mehraufwand zur Durchsetzung der üblichen Montagetechnologie zur Folge haben. Diese Art der Wärmeableitung ist bei
aufsetzbaren Gehäusen aufgrund deren geringer Abmessungen nicht anwendba..
Nachteilig ist weiterhin, daß der Anschluß externer Kühlkörper und der direkte K jntakt der Wärmeableitelemente zu
Kupferflächen auf der Leiterplatte nicht möglich ist, da die Wärmeableitelemente höchstens plan zur Gehäuseunterseite liegen können.
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist es, ein aufsetzbares Gehäuse aufzuzeigen, das ohne erhöhten technisch-technologischen Aufwand zum Zwecke dei Abführung erhöhter Verlustleistungen einsetzbar ist.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleitergehäuse zur Abführung mittlerer Verlustleistunger. Tür die
Aufsetztechnologie aufzuzeigen, welches gegenüber den bisher bekannten technischen Lösungen eino verbesserte
Wärmeableitung besitzt.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß das betreffende Halbleitergehäuse aus einem Trägerstreifen besteht, der durch eine veränderte Lage der Bondzinken einen verbreiterten Haltesteg des Chipträgers aufweist, wobei ein Teil des
Trägerstreifenrandbereiches mit den Haltestegen des Chipträgers verbunden ist.
Die im Halbleiterchip entstehende Verlustwärme wird über den mit dem Chipträger verbundenen, verbreiterten Haltesteg zu den als Kühlf „hnen ausgebildeten Teilen des Randstreifens geführt und kann dann entsprechend der Form dieser Kühlfahnen auf die Leiterplatte oder auf externe Kühlkörper weitergeleitet werden.
Durch diese konstruktive Veränderung ist eine Senkung des WärmewideiStandes der Halbleitergehäuse erreichbar, die die
Montage von Halbleiterbauelementen mit mittlerer Verlustleistung gestattet.
Ausführungsbelspiei
Die Erfindung soll am folgenden Ausführungsbeispiel näher erläutert werden:
Fig. 1: Element eines Trägerstreifens mit verbreiterten Chipträgerhaltestegen und den zur Ausbildung der Kühlfahnen
vorgesehenen Bereichen der Randstreifen.
Fig.2: Lösungsvariante für ein Halbleitergehäuse mit Z-förmig nach unten gebogenen Kühlfahnen
Fig. 3: Lösurtgsvariante für ein Halbleitergehäuse mit Kühlfahnen, die unter das Gehäuse gebogen sind
Fig.4: Lösungsvariante für ein Halbleitergehäuse mit nach oben gebogenen Kühlfahnen, zum Anbringen externer Kühlkörper geeignet.
Gemäß Figur 1 sind die Haltestege des Chipträgers über das im allgemeinen übliche Maß von 0,3 bis 0,4mm hinaus auf 1,4mm verbreitert. Dar.iit ergibt sich eine verbesserte Wärmeableitung der im Chip erzeugten Verlustwärme über den Chioträger 3, die Haltestege 1 und die Kühlfahnen 2 aus dem Gehäuse.
Die Kühlfahnen 2 werden im Vereinzelungsprozeß der Trägerstreifen aus den Randstreifen gebildet und können wahlweise zur weiteren Ableitung der Verlustwärme - auf die Leiterplatte oder zu ütei dem Gehäuse befestigten Kühlkörpern - entsprechend den Figuren 2 bis 4 gebogen sein.
Claims (3)
1. Trägerstreifen mit integriertem Wärmeleitelement für aufsetzbare Halbleitergehäuse zur Abführung mittlerer Verlustleistungen, gekennzeichnet dadurch, daß Haltestege (1), Chipträger (3) und
Kühlfahnen (2) verbreitert sind und daß die Kühlfahnen (2) aus Teilen des
Trägerstreifenrandbereiches ausgebildet sind.
Kühlfahnen (2) verbreitert sind und daß die Kühlfahnen (2) aus Teilen des
Trägerstreifenrandbereiches ausgebildet sind.
2. Trägerstreifen nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Kühlfahnen (2) zur Montage auf der Leiterplatte unter das Gehäuse oder Z-förmig nach außen gebogen sind.
3. Trägerstreifen nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Kühlfahnen (2) zum Anbringen weiterer Kühlkörper auf die Gehäuseoberseite gebogen sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD32706089A DD282328A5 (de) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD32706089A DD282328A5 (de) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD282328A5 true DD282328A5 (de) | 1990-09-05 |
Family
ID=5608054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD32706089A DD282328A5 (de) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD282328A5 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4231869A1 (de) * | 1991-09-24 | 1993-04-01 | Mitsubishi Electric Corp | Einteiliges waermeabfuehrendes anschlusselement fuer einen integrierten hybridbaustein und methode zu dessen herstellung |
-
1989
- 1989-03-30 DD DD32706089A patent/DD282328A5/de not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4231869A1 (de) * | 1991-09-24 | 1993-04-01 | Mitsubishi Electric Corp | Einteiliges waermeabfuehrendes anschlusselement fuer einen integrierten hybridbaustein und methode zu dessen herstellung |
| DE4231869C2 (de) * | 1991-09-24 | 1998-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung eines integrierten Hybridbausteins |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69528335T2 (de) | Leiterrahmen mit Stufen, Halbleiterbaulelement und Herstellungsmethode | |
| DE69011414T2 (de) | In Kunststoff eingekapseltes Halbleiterelement. | |
| DE102007019809B4 (de) | Gehäuste Schaltung mit einem wärmeableitenden Leitungsrahmen und Verfahren zum Häusen einer integrierten Schaltung | |
| DE69637488T2 (de) | Halbleiter und Halbleitermodul | |
| EP0847595B1 (de) | Kühlkörper für elektronische bauelemente | |
| DE19733702B4 (de) | Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses | |
| DE102015101674B4 (de) | Halbleiterchipgehäuse mit Kontaktstiften an kurzen Seitenrändern | |
| DE4430047A1 (de) | Hochleistungs-Halbleiterbauteil-Modul mit niedrigem thermischen Widerstand | |
| DE102009031388A1 (de) | Elektronische Trägervorrichtung | |
| DE202008017728U1 (de) | Vorrichtung zur Abschirmung und Hitzeableitung | |
| DE102005057401B4 (de) | Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE102020106492A1 (de) | Chip -package, verfahren zum bilden eines chip -packages, halbleitervorrichtung, halbleiteranordnung, dreiphasensystem, verfahren zum bilden einer halbleitervorrichtung und verfahren zum bilden einer halbleiteranordnung | |
| DE112021000451T5 (de) | Leistungswandlungsvorrichtung | |
| DE69203057T2 (de) | Packung mit Wärmesenke. | |
| DE3203609C2 (de) | Kühlelement für integrierte Bauelemente | |
| DE112018006380T5 (de) | Schaltungsanordnung und elektrischer Verteilerkasten | |
| DE102014109874A1 (de) | Elektronisches Element und elektronische Vorrichtung | |
| DE102006008807B4 (de) | Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil | |
| DE4226816A1 (de) | Vorrichtung zur Wärmeableitung aus Gehäusen von integrierten Schaltungen | |
| DE112022005438T5 (de) | Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils | |
| DE102020131849B4 (de) | Chip-Package, Halbleiteranordnung, Verfahren zum Bilden eines Chip-Packages, und Verfahren zum Bilden einer Halbleiteranordnung | |
| DE112006000568T5 (de) | Leistungshalbleiterbaugruppe | |
| DD282328A5 (de) | Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen | |
| EP2006910B1 (de) | Leistungselektronikmodul | |
| DE112023000485T5 (de) | Halbleitermodul und leistungsumwandlungsvorrichtung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ENJ | Ceased due to non-payment of renewal fee |