DD282328A5 - Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen - Google Patents

Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen Download PDF

Info

Publication number
DD282328A5
DD282328A5 DD32706089A DD32706089A DD282328A5 DD 282328 A5 DD282328 A5 DD 282328A5 DD 32706089 A DD32706089 A DD 32706089A DD 32706089 A DD32706089 A DD 32706089A DD 282328 A5 DD282328 A5 DD 282328A5
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
housing
strip
cooling
carrier strip
average power
Prior art date
Application number
DD32706089A
Other languages
English (en)
Inventor
Knut Kahlisch
Gerd Tietze
Original Assignee
Halbleiterwerk Veb
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Halbleiterwerk Veb filed Critical Halbleiterwerk Veb
Priority to DD32706089A priority Critical patent/DD282328A5/de
Publication of DD282328A5 publication Critical patent/DD282328A5/de

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Traegerstreifen mit integriertem Waermeleitelement fuer aufsetzbare Halbleitergehaeuse zur Abfuehrung mittlerer Verlustleistungen. Sie bezieht sich auf ein Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente, insbesondere auf Gehaeuse fuer die Aufsetztechnologie und findet dort Anwendung, wo entsprechend den Bauelementeanforderungen mittlere Verlustleistungen aus den Gehaeusen abgefuehrt werden muessen. Erfindungsgemaesz sind Haltestege, Chiptraeger und Kuehlfahnen aus einem Traegerstreifenstueck geformt, wobei die Haltestege verbreitert und Teile des Traegerstreifenrandbereichs zu Kuehlfahnen ausgebildet sind. Mit der Erfindung sind hoehere Verlustleistungen abfuehrbar bei geringstmoeglichen Bauelementeabmessungen.{Traegerstreifen; Waermeleitelement; Aufsetztechnologie; mittlere Verlustleistung; Kuehlfahnen}

Description

Hierzu 2 Seiten Zeichnungen
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung findet Anwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere von aufsetzbaren Bauelementen, bei denen mittlere Verlustleistungen abgeführt werden müssen.
Charakteristik des bekannten Standes der Technik
Die Montage von Halbleiterbauelementen erfolgt hauptsächlich auf speziellen Trägerstreifen.
Bei Bauelementen, wo die Abführung mittlerer Verlustleistungen notwendig ist, werden die Trägerstreifen aus gut
wärmeleitfähigem Material hergestellt und z. B. bei DIL-Gehäusen innere Wärmeverteiler eingesetzt. Beim Übergang zur
Montage in aufsetzbare Gehäuse, bei denen aufgrund der Gehäuseabmessungen der Einsatz von Wärmevcrteilern nicht möglich ist, müssen durch die geringere Wärmeableitung Abstriche in den Bauelementekenndaten zugelassen werden bzw. die Montage spezieller fäuelementetypen in derartigen Gehäuse ist nicht möglich.
Aus der DL-OS 3421539 ist ein aufsetzbares Gehäuse bekannt, das eine vorgeformte und schon vor dem Verkappen Z-förmig nach unten gebogene Kühlfahne besitzt. Nachteilig ist, daß dieses Gehäuse in den Abmessungen begrenzt ist, nur 3 Anschlüsse besitzt und daher nur für Transistoren angewendet werden kann. Ein weiterer Nachteil ist, daß die Verlustwärme nur in geringem Umfang über die Leiterplatte und nicht über zusätzliche Kühlkörper abgeführt werden kann. Da die Kühlfahne gleichzeitig ein Gehäuseanschluß ist, stehen bei der Übertragung dieser Konstruktion auf giößere Gehäuse mit mehr Anschlüssen nicht alle Anschlüsse für die Chipkontaktierung zur Verfügung. Des weiteren bewirkt ein bereits vorgeformter Trägerstreifen in der
technologischen Prozeßfolge sinen zusätzlichen Aufwand.
Aus der DE-OS 2858087 ist ein DIL-Gehäuse bekannt, das am Chipträger befestigte Wärmeleitelemente aufweist, die
vorzugsweise innerhalb des Gehäuses angeordnet sind.
Nachteilig ist, daß die Wärmeableitelemente vor dem Montageprozeß vorgeformt sein müssen und dadurch einen erheblichen Mehraufwand zur Durchsetzung der üblichen Montagetechnologie zur Folge haben. Diese Art der Wärmeableitung ist bei
aufsetzbaren Gehäusen aufgrund deren geringer Abmessungen nicht anwendba..
Nachteilig ist weiterhin, daß der Anschluß externer Kühlkörper und der direkte K jntakt der Wärmeableitelemente zu
Kupferflächen auf der Leiterplatte nicht möglich ist, da die Wärmeableitelemente höchstens plan zur Gehäuseunterseite liegen können.
Ziel der Erfindung
Ziel der Erfindung ist es, ein aufsetzbares Gehäuse aufzuzeigen, das ohne erhöhten technisch-technologischen Aufwand zum Zwecke dei Abführung erhöhter Verlustleistungen einsetzbar ist.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleitergehäuse zur Abführung mittlerer Verlustleistunger. Tür die
Aufsetztechnologie aufzuzeigen, welches gegenüber den bisher bekannten technischen Lösungen eino verbesserte
Wärmeableitung besitzt.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß das betreffende Halbleitergehäuse aus einem Trägerstreifen besteht, der durch eine veränderte Lage der Bondzinken einen verbreiterten Haltesteg des Chipträgers aufweist, wobei ein Teil des
Trägerstreifenrandbereiches mit den Haltestegen des Chipträgers verbunden ist.
Die im Halbleiterchip entstehende Verlustwärme wird über den mit dem Chipträger verbundenen, verbreiterten Haltesteg zu den als Kühlf „hnen ausgebildeten Teilen des Randstreifens geführt und kann dann entsprechend der Form dieser Kühlfahnen auf die Leiterplatte oder auf externe Kühlkörper weitergeleitet werden.
Durch diese konstruktive Veränderung ist eine Senkung des WärmewideiStandes der Halbleitergehäuse erreichbar, die die
Montage von Halbleiterbauelementen mit mittlerer Verlustleistung gestattet.
Ausführungsbelspiei
Die Erfindung soll am folgenden Ausführungsbeispiel näher erläutert werden:
Fig. 1: Element eines Trägerstreifens mit verbreiterten Chipträgerhaltestegen und den zur Ausbildung der Kühlfahnen
vorgesehenen Bereichen der Randstreifen.
Fig.2: Lösungsvariante für ein Halbleitergehäuse mit Z-förmig nach unten gebogenen Kühlfahnen
Fig. 3: Lösurtgsvariante für ein Halbleitergehäuse mit Kühlfahnen, die unter das Gehäuse gebogen sind
Fig.4: Lösungsvariante für ein Halbleitergehäuse mit nach oben gebogenen Kühlfahnen, zum Anbringen externer Kühlkörper geeignet.
Gemäß Figur 1 sind die Haltestege des Chipträgers über das im allgemeinen übliche Maß von 0,3 bis 0,4mm hinaus auf 1,4mm verbreitert. Dar.iit ergibt sich eine verbesserte Wärmeableitung der im Chip erzeugten Verlustwärme über den Chioträger 3, die Haltestege 1 und die Kühlfahnen 2 aus dem Gehäuse.
Die Kühlfahnen 2 werden im Vereinzelungsprozeß der Trägerstreifen aus den Randstreifen gebildet und können wahlweise zur weiteren Ableitung der Verlustwärme - auf die Leiterplatte oder zu ütei dem Gehäuse befestigten Kühlkörpern - entsprechend den Figuren 2 bis 4 gebogen sein.

Claims (3)

1. Trägerstreifen mit integriertem Wärmeleitelement für aufsetzbare Halbleitergehäuse zur Abführung mittlerer Verlustleistungen, gekennzeichnet dadurch, daß Haltestege (1), Chipträger (3) und
Kühlfahnen (2) verbreitert sind und daß die Kühlfahnen (2) aus Teilen des
Trägerstreifenrandbereiches ausgebildet sind.
2. Trägerstreifen nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Kühlfahnen (2) zur Montage auf der Leiterplatte unter das Gehäuse oder Z-förmig nach außen gebogen sind.
3. Trägerstreifen nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Kühlfahnen (2) zum Anbringen weiterer Kühlkörper auf die Gehäuseoberseite gebogen sind.
DD32706089A 1989-03-30 1989-03-30 Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen DD282328A5 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD32706089A DD282328A5 (de) 1989-03-30 1989-03-30 Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD32706089A DD282328A5 (de) 1989-03-30 1989-03-30 Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD282328A5 true DD282328A5 (de) 1990-09-05

Family

ID=5608054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD32706089A DD282328A5 (de) 1989-03-30 1989-03-30 Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD282328A5 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4231869A1 (de) * 1991-09-24 1993-04-01 Mitsubishi Electric Corp Einteiliges waermeabfuehrendes anschlusselement fuer einen integrierten hybridbaustein und methode zu dessen herstellung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4231869A1 (de) * 1991-09-24 1993-04-01 Mitsubishi Electric Corp Einteiliges waermeabfuehrendes anschlusselement fuer einen integrierten hybridbaustein und methode zu dessen herstellung
DE4231869C2 (de) * 1991-09-24 1998-05-14 Mitsubishi Electric Corp Verfahren zur Herstellung eines integrierten Hybridbausteins

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69528335T2 (de) Leiterrahmen mit Stufen, Halbleiterbaulelement und Herstellungsmethode
DE69011414T2 (de) In Kunststoff eingekapseltes Halbleiterelement.
DE102007019809B4 (de) Gehäuste Schaltung mit einem wärmeableitenden Leitungsrahmen und Verfahren zum Häusen einer integrierten Schaltung
DE69637488T2 (de) Halbleiter und Halbleitermodul
EP0847595B1 (de) Kühlkörper für elektronische bauelemente
DE19733702B4 (de) Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses
DE102015101674B4 (de) Halbleiterchipgehäuse mit Kontaktstiften an kurzen Seitenrändern
DE4430047A1 (de) Hochleistungs-Halbleiterbauteil-Modul mit niedrigem thermischen Widerstand
DE102009031388A1 (de) Elektronische Trägervorrichtung
DE202008017728U1 (de) Vorrichtung zur Abschirmung und Hitzeableitung
DE102005057401B4 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102020106492A1 (de) Chip -package, verfahren zum bilden eines chip -packages, halbleitervorrichtung, halbleiteranordnung, dreiphasensystem, verfahren zum bilden einer halbleitervorrichtung und verfahren zum bilden einer halbleiteranordnung
DE112021000451T5 (de) Leistungswandlungsvorrichtung
DE69203057T2 (de) Packung mit Wärmesenke.
DE3203609C2 (de) Kühlelement für integrierte Bauelemente
DE112018006380T5 (de) Schaltungsanordnung und elektrischer Verteilerkasten
DE102014109874A1 (de) Elektronisches Element und elektronische Vorrichtung
DE102006008807B4 (de) Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil
DE4226816A1 (de) Vorrichtung zur Wärmeableitung aus Gehäusen von integrierten Schaltungen
DE112022005438T5 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils
DE102020131849B4 (de) Chip-Package, Halbleiteranordnung, Verfahren zum Bilden eines Chip-Packages, und Verfahren zum Bilden einer Halbleiteranordnung
DE112006000568T5 (de) Leistungshalbleiterbaugruppe
DD282328A5 (de) Traegerstreifen mit integriertem waermeleitelement fuer aufsetzbare halbleitergehaeuse zur abfuehrung mittlerer verlustleistungen
EP2006910B1 (de) Leistungselektronikmodul
DE112023000485T5 (de) Halbleitermodul und leistungsumwandlungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee