DD283312A3 - Verfahren und vorrichtung zur hermetisierung von hybridschaltkreisen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur hermetisierung von hybridschaltkreisen Download PDF

Info

Publication number
DD283312A3
DD283312A3 DD82240311A DD24031182A DD283312A3 DD 283312 A3 DD283312 A3 DD 283312A3 DD 82240311 A DD82240311 A DD 82240311A DD 24031182 A DD24031182 A DD 24031182A DD 283312 A3 DD283312 A3 DD 283312A3
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
hybrid
circuits
circuit
mold
hybrid circuit
Prior art date
Application number
DD82240311A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerrit Herbst
Original Assignee
��������@����k��������`@���@������������������@����������k��
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ��������@����k��������`@���@������������������@����������k�� filed Critical ��������@����k��������`@���@������������������@����������k��
Priority to DD82240311A priority Critical patent/DD283312A3/de
Publication of DD283312A3 publication Critical patent/DD283312A3/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires

Landscapes

  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft die Hermetisierung von Hybridschaltkreisen zum Schutz gegen mechanische und klimatische Einfluesse. Es ist das Ziel, Hybridfilmschaltungen mit ungeschuetzten diskreten Einbauelementen fuer einen Klimabereich von mindestens 233 bis 375 Kelvin hermetisch zu verschlieszen und als mechanisch feste mikroelektronische Hybridschaltkreise herzustellen. Die ungeschuetzten diskreten Einbauelemente eines Hybridschaltkreises werden selektiv mit selektiertem hoeher viskosen Silikonfett formschluessig umhuellt, dann der Hybridschaltkreis erhitzt und anschlieszend unter vermindertem Luftdruck kurzzeitig gelagert und schnell belueftet, danach erneut erhitzt und mit negativ Fotolack beschichtet, der bei ultraviolettem Licht vernetzt und ausgehaertet und danach der Hybridschaltkreis in einer jeweiligen Form mit Polyurethan vergossen oder tauchumhuellt wird. Als Anwendungsgebiet kommen die Bauelementefertigung fuer Hybridschaltkreise in Betracht.

Description

Darlegung des Wesen* der Erfindung
Die technische Aufgabe, die durch die Erfindung gelöst wird
Die Aufgabe besteht darin, ein Verfahren und eine zugehörige Vorrichtung zur Erfüllung der Zielstellung anzugeben.
Merkmale der Erfindung
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die ungeschützten diskreten Einbauelemente eines vorgefertigen Hybridschaltkreises 1 vorwiegend selektiv mit selektiertem höher viskosem Silikonfett formschlüssig umhüllt werden, dann der Hybridschaltkreis erhitzt und anschließend unter vermindertem Luftdruck kurzzeitig gelagert und schnell belüftet wird, der Hybridschaltkreis 1 ernaut erhitzt und seine gesamte Einbauelementeseite mit einem Negativ-Fotolack bis zum Erreichen einer geschlossenen Oberfläche beschichtet und nach Aushärtung dieses Lackes der gesamte Hybridschaltkreis 1 bis zu den Außenanschlüssen mit dem gleichen Typ des Negativ-Fotolacks beschichtet wird, dann die Fotolackschicht mit ultraviolettem Licht vernetzt und nachgehärtet wird und danach der Hybridschaltkreis 1 mit den Außenanschlüssen in einer jeweiligen wiederverwendbaren Form eingebettet und sein Umfeld mit Polyurethan ausgegossen oder tauchumhüllt wird.
Durch die Anwendung des Verfahrens können Hybridschaltkreise in festen Plastumhüllungen hermetisiert werden, wobei die Grenzschicht zwischen dem Negativ-Fotolack und dem Polyurethan eine Diffusionssperre für Wassermoleküle bildet.
Die zugehörige Vorrichtung besteht aus einer an sich bekannten Dosiereinrichtung 2, Lacksprüheinrichtung 5, Lackbeschichtungseinrichtung 6, Temperaturanlage 3, Vakuumanlage 4 und Belichtungsanlage 7, einer jeweiligen wiederverwendbaren Form 9, vorzugsweise aus Silikonkautschuk, einer Polvurethan-Vergußanlage 8 oder Tauchumhüliungseinrichtung.
Mit der Vorrichtung können Hybridfilmschaltungen ohne Einschränkung der Bauform und speziell der Gerätetechnik angepaßt, investitionsgünstig auch in kleineren Stückzahlen ökonomisch hergestellt werden.
Eine Form zum Polyurethanverguß besteht aus einem Silikonkautschukgrundkörper 24 mit einem oben offenen Hohlraum 25, der der Bauform der fertigzustellenden Hybridfilmschaltung entspricht und an der Unterseite des Hohlraumes 25 enthaltenen Druchbrüchen 26, zur Aufnahme der Außenanschlüsse 21 und einer darunterliegenden Einsteckbegrenzungsplatto 27.
Eine weitere Form zum Polyurethanverguß besteht aus einem Silikonkautschukgrundkörper 28 mit oben offenem Hohlraum 29, der der Bauform der fertigzustellenden Hybridfilmschaltung entspricht, mit in der Oberflächenseite des Silikonkautschukgrundkörpers 28 außerhalb des offenen Hohlraumes 29 enthaltenen Strukturen 30, zur formschlüssigen Aufnahme der Außenanschlüsse und einer Maske 31, vorzugsweise aus Polytetrafluorethylen, zum Verschluß der Oberllä'chenseite.
Eine Form zur Tauchumhüllung mit Polyurethan besteht aus einem Silikonkautschukgrundkörper 32 mit einer Senke 33, die der Bauform eines Sockels des Schaltktuises entspricht und Durchbrüchen 34 zur Aufnahme der Außenanschlüsse des Schaltkreises und zwei Ablauf kanten 35, die an der oberen Begrenzung der Senke 33 sich im spitzen Winkel anschließen.
Ausführungsbeispiel
In einem Ausführungsbeispiel soll die Erfindung näher erläutert werden. Die zugehörigen Zeichnungen zeigen
Fig. 1: Anlage zur Hermetisierung von Hybridschaltkreisen
Fig.2: Schnittdarb.ellung einer Hybridfilmschaltung
Fig. 3: Schnittdarstellung einer Hybridfilmschaltung mit Kühlkörper
Fig. 4: Schnittdarstellung einer Silikonkautschukform für Hybridschaltkreise in der Bauform mit senkrechten Außenanschlüssen
Fig. 5: Schnittdarstellung einer Form für Hybridschaltkreise in der Bauform mit waagerechten Außenanschlüssen
Fig. 6: Schnittdarstellung einer Silikonkautschukform zur Tauchumhüllung.
Zur Durchführung des Prozesses dsr Passivierung der Hybridfil.nschaltungen mit ungeschützten diskreten Einbauelementen eignet sich jede Mengendosiereinrichtung, Temperaturanlage, Vakuumkammer, Lacksprüheinrichtung, Lackbeschichtungsanlage und Belichtungsanlage mit ultravioletter Strahlung. Die Vorrichtung ist so aufgebaut, daß nach Positionierung der Austrittsdüse der Dosiereinrichtung 2 über dem jeweiligen Einbauelement, bestehend aus dem elektronischen Bauelement 13, den Bonddrähten 14 und dem mechanischen Teilabschnitt 17 der Verlustwärmeableittr 16, eine tropfenförmige Freigabe des Silikonfettes erfolgt. Dazu wird das Silikonfett (vom Typ NP53 mit seinem Verdickungsmittel Molybdändisulfid) durch Toluol gelöst und nach einer Sedimentation werden die dünnflüssigen Bestandteile dieser Lösung entfernt. Der verbleibende Rest wird durch Toluol so eingestellt, daß ein Redecken der Einbauelemente gerade noch möglich ist, das Silikonfett 15 aber noch nicht verläuft. Durch diese Selektion wird ein Silikonfett 15 gewonnen, das eine höhere Viskosität besitzt. Weiterhin wird bei dieser Selektion erreicht, daß eine weitere Verringerung der Verdampfungsverluste und der Ausblutung eintritt sowie eine geringe Kompressibilität entsteht. Auch werden die Löslichkeit herab- und der Tropfpunkt heraufgesetzt.
Mit der Dosiereinrichtung 2 wird das selektierte höher viskose Silikonfett 15 auf die Einbauelemente des auf 353 Kelvin vorgewärmten Hybridschaltkreises 1 aufgebracht. Durch diese Vorwärmung wird das Zerlaufen des Silikonfettes 15 weitgehend verhindert. Nachdem die formschlüssige Umhüllung der jeweiligen Einbauelemente erfolgte, schließt sich eine Erhitzung des Hybridschaltkreises 1 auf 413 Kelvin in der Temperaturanlage 3 an, wordurch das Lösungsmittel Toluol verdunstet. Unmittelbar danach wird der Hybridschaltkreis 1 in der Vakuumanlage 4 bei S 5 Pascal kurzfristig gelagert und schnell belüftet, wodurch Lösungsmittelreste und Gasblasen aus der Silikonfettumhüllung entfernt werden. Eine derartige Umhüllung der diskreten
Einbauelemente gewährleistet den Abbau von Thermostreß durch das duktile Material. Da das Silikonfett 15 nicht kompressibel
ist, können bei Stoß- und Schwingungsbelastungen keine Bonddrahtzerstörungen durch Eigenresonanzen auftreten. Weiterhinwird durch dieses Silikonfett 15 eine gute Wärmeverteilung erreicht. Es erfolgt nun eine erneute Erhitzung des
Hybridschaltkreises 1 in der Temperaturanlage 3 auf 403 Kelvin. Bei der Beschichtung der Einbauelemente, des Substrates 10;
und des Schichtsystems 11 mit dem Negativ-Fotolack 18, vom Typ SCR 3.4a, in der Lacksprüheinrichtung 5 wird einegeschlossene Bedeckung erreicht, wobei durch die Wärme das Lösungsmittel des Lackes schnell entweicht. Da diese erste
Lackschicht keine Auflösung der Silikonfettumhüllungen bewirken darf, ist sie relativ dünn. Nach einer weiteren Erhitzung auf
403 Kelvin in der Temperaturanlage 3, zwecks Aushärtung, erfolgt eine bis auf 5 Mikrometer starke Gesamtbeschichtung des
Hybridschaltkreises 1 bi& zu den Außenanschlüssen 12; 21 mit dem gleichen Typ des nagativ Fotolacks 18 in der Lackbeschichtungseinrichtung 6. Die nachfolgende Versiegelung des Hybridschaltkreises 1 erfolgt durch eine erneute Erhitzung auf 403 Kelvin, der Vernetzung
des Negativ-Fotolacks 18 mit ultraviolettem Licht in der Belichtungsanlage 7 und der nachfolgenden Aushärtung bei 413 Kelvinin der Temperaturanlage 3.
Zur Verkappung des Hybridachaltkreises 1 mit Polyurethan des Typs V84 mit speziellen Füllstoffen, beispielsweise zur Verbesserung def Wärmeleitfähigkeit und zur Abschirmung von magnetischen sowie elektrischen Feldern, werden seine Außenanschlüsse in eine wiederverwendbare Form 9 eingebettet und das freie Umfeld des sich in der Form 9 befindenden Hybridschaltkreises 1 mit Polyurethan ausgegossen. Die Polyurethanumhüllungen 19; 23 sind in ihrer Stärke und Härte der Hybridschaltkreisgröße bezüglich der zu erwartenden
mechanischen Festigkeit durch verschiedene Mischungsverhältnisse der Polyurethanvarianten anzupassen.
Durch die oben offenen Vergußformen für Polyurethan ist die Möglichkeit vorhanden, Verlustwärmeableiter 16; 22 von den Verlustwärme erzeugenden Einbauelementen direkt herauszuführen.

Claims (5)

1. Verfahren zur Hermetisierung von Hybridschaltkreisen, gekennzeichnet dadurch, daß die ungeschützten diskreten Einbauelemente eines vorgefertigten Hybridschaltkreises (1) vorwiegend selektiv mit selektiertem höher viskosem Silikonfett formschlüssig umhüllt werden, dann der Hybridschaltkreis (1) erhitzt und anschließend unter vermindertem Luftdruck kurzzeitig gelagert und schnell belüftet wird, der Hybridschaltkreis (1) erneut erhitzt und seine gesamte Einbauelementeseite mit einem Negativ-Fotolack bis zum Erreichen einer geschlossenen Oberfläche beschichtet und nach Aushärtung dieses Lackes der gesamte Hybridschaltkreis (1) bis zu den Außenanschlüssen mit dem gleichen Typ des Negativ-f-otolacks beschichtet wird, dann die Fotolackschicht mit ultraviolettem Licht vernetzt und nachgehärtet wird und danach der Hybridschaltkreis (1) mit den Außenanschlüssen in einer jeweiligen, wiederverwendbaren Form eingebettet und sein Umfeld mit Polyurethan ausgegossen oder tauchumhüllt wird.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Vorrichtung aus einer an sich bekannten Dosiereinrichtung (2), Lacksprüheinrichtung (5), Lackbeschichtungseinrichtung (6), Temperaturanlage (3), Vakuumanlage (4) und Belichtungsanlage (7), einer jeweiligen wiederverwendbaren Form (9), vorzugsweise aus Silikonkautschuk, einer Polyurethan-Vergußanlage (8) oder Tauchumhüllungsanlage besteht.
3. Vergußform zur Vorrichtung nach Punkt 2, zum Polyurethanverguß, gekennzeichnet dadurch, daß die Form aus einem Silikonkautschukyrundkörper (24) mit einem oben offenen Hohlraum (25), der der Bauform der fertigzustellenden Hybridfilmschaltung entspricht und in der Unterseite des Hohlraumes (25) enthaltenen Durchbrüchen (26), zur Aufnahme der Außenanschlüsse (21) und einer darunterliegenden Einsteckbegrenzungsplatte (27) besteht.
4. Vergußform zur Vorrichtung nach Punkt 2, zum Polyurethonverguß, gekennzeichnet dadurch, daß die Form aus einem Silikonkautschukgrundkörper (28) mit oben offenem Hohlraum (29), der der Bauform der fertigzustellenden Hybridfilmschaltung entspricht, mit in der Oberflächenseite des Silikonkautschukgrundkörpers (28) außerhalb des offenen Hohlraumes (29) enthaltenen Strukturen (30), zur formschlüssigen Aufnahme der Außenanschlüsse und einer Maske (31), vorzugsweise aus Plytetrafluoräthylen, zum Verschluß der Oberflächenseite, besteht.
5. Tauchumhüllungsform zur Vorrichtung nach Punkt 2, zurTauchumhüllung mit Polyurethan, gekennzeichnet dadurch, daß die Form aus einem Silikonkautschukgrundkörper (32) mit einer Senke (33), die der Bauform eines Sockels des Schaltkreises entspricht und Durchbrüchen (34) zur Aufnahme der Außenanschlüsse des Schaltkreises und zwei Ablaufkanten (35) die an der oberen Begrenzung der Senke (33) sich im spitzen Winkel anschließen, besteht.
Hierzu 2 Seiten Zeichnungen
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft die Hermetisierung von Hybridschaltkreisen zum Schutz gegen mechanische und klimatische Einflüsse.
Charakteristik der bekannten technischen Lösungen
Es ist bekannt, Hybridschaltkreise mittels Metall- oder Keramikgehäuses hermetisch zu verschließen und sie so gegen äußere mechanische und klimatische Einflüsse zu schützen. Dabei wird der vorgefertigte Hybridschaltkreis in die erste Gehäusehälfte, die die Außenanschlüsse enthält eingebracht, befestigt und die elektrischen Verbindungen zwischen den Außenanschlüssen und dem Hybridschaltkreis hergestellt. Danach erfolgt das Aufbringen der zweiten Gehäusehälfte, die mit der ersten Gehäusehälfte durch Schweißen, Löten oder Einglasen unter Schutzgasatmosphäre verschlossen wird. Derartig verkappte Hybridschaltkreise eignen sich für einen Klimabereich von 213 bis 423 Kelvin. Diese Verschlußverfahren sind sehr investitionsaufwendig. Weiterhin können nur Hybridfilmschaltungs-Bauformen für große Stückzahlen ökonomisch hergestellt werden. Allen bekannten hermetischen Gehäusen für Hybridschaltkreise haftet der technische Nachteil an, daß Verlustwärme von Einbauelementen nicht ohne eine Aneinanderreihung von verschiedenen Wärmewiderständen aus den Hybridfilmschaltungen herausgeleitet werden kann.
Ziel der Erfindung
Es ist das Ziel, Hybridfilmschaltungen mit ungeschützten diskreten Einbauelementen für einen Klimabereich von mindestens 233 bis 373 Kelvin hermetisch zu verschließen und als mechanisch feste mikroelektronische Hybridschaltkreise herzustellen. Mit dem neuen Verfahren und der Vorrichtung sind für Hybridfilmschaltungen verschiedene Außenanschlußvarianten und unterschiedliche Bauformen mit Verlustwärmeabieitern zu realisieren.
DD82240311A 1982-06-01 1982-06-01 Verfahren und vorrichtung zur hermetisierung von hybridschaltkreisen DD283312A3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD82240311A DD283312A3 (de) 1982-06-01 1982-06-01 Verfahren und vorrichtung zur hermetisierung von hybridschaltkreisen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD82240311A DD283312A3 (de) 1982-06-01 1982-06-01 Verfahren und vorrichtung zur hermetisierung von hybridschaltkreisen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD283312A3 true DD283312A3 (de) 1990-10-10

Family

ID=34085359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD82240311A DD283312A3 (de) 1982-06-01 1982-06-01 Verfahren und vorrichtung zur hermetisierung von hybridschaltkreisen

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD283312A3 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1535988A1 (de) * 2003-11-25 2005-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wärmeleitfähige Silikonfettzusamensetzung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1535988A1 (de) * 2003-11-25 2005-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wärmeleitfähige Silikonfettzusamensetzung
US7538075B2 (en) 2003-11-25 2009-05-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat-dissipating silicone grease composition

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69129668T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer bei niederer Temperatur ausgehärteten Epoxy-Vergussmasse
DE69209772T2 (de) Gehäuseanordnung für ein funktionales bauelement und herstellungsverfahren
DE69736320T2 (de) Elektronisches kontrollmodul mit flüssigkeitsdichtungen
DE68908940T2 (de) Plastikumhüllung einsetzendes Gehäuse für eine integrierte Schaltung.
DE3937996A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen
DE2032082A1 (de) Verfahren zum Schutz von elektn sehen Bauteilen vor Umgebungseinflüssen
EP0718886B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102004041088B4 (de) Halbleiterbauteil in Flachleitertechnik mit einem Halbleiterchip und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102010041129A1 (de) Multifunktionssensor als PoP-mWLP
DE102015101561B4 (de) Halbleiterpaket und verfahren zur herstellung eines halbleiterpakets
DE60207282T2 (de) Verkapselung des anschlusslots zur aufrechterhaltung der genauigkeit der anschlussposition
DE69417329T2 (de) In Harz versiegelte Halbleiteranordnung
DE102013103920A1 (de) Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement
DE102016216137A1 (de) Steuermodul für ein Fahrzeug
DE4325712C2 (de) Verfahren zum Verkapseln von elektrischen oder elektronischen Bauelementen oder Baugruppen und Verkapselung von elektrischen oder elektronischen Bauelementen oder Baugruppen
DD283312A3 (de) Verfahren und vorrichtung zur hermetisierung von hybridschaltkreisen
DE102018215768A1 (de) Verfahren zum flüssigkeitsdichten Abdichten und Elektronikmodul
DE19838574A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
EP3479664B1 (de) Verfahren zum herstellen einer steuergeräteeinheit, insbesondere für ein fahrzeug, und steuergeräteinheit, insbesondere für ein fahrzeug
DE69025221T2 (de) Verfahren zur Herstellung elektronischer Vorrichtungen
DE1589862A1 (de) Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente
WO1997002601A1 (de) Verfahren zum verpacken einer druckempfindlichen elektronischen schaltung mit einer allseitig abdichtenden schutzumhäusung
DE102012209033A1 (de) Elektronikmodul sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Elektronikmoduls, sowie elektronisches Steuergerät mit einem solchen Elektronikmodul
DE102021203904B4 (de) Verfahren zum Verkapseln einer elektronischen Baugruppe
DE102016217554A1 (de) Elektronische Baugruppe, insbesondere für ein Getriebesteuermodul, und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee