DD288727A7 - Verfahren zur pruefung von halbleiterbauelementen auf dichtigkeit - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Pruefung von Halbleiterbauelementen auf Dichtigkeit und faellt in das Gebiet der Produktion von Halbleiterbauelementen. Das Ziel der Erfindung ist es, unter Verwendung eines radioaktiven Gases die Dichtigkeitspruefung durchzufuehren, aber dabei die Empfindlichkeit zu erhoehen und den aufwendigen Strahlungsnachweis zu vereinfachen. Die Erfindung loest die Aufgabe, einen moeglichst hohen Prozentsatz der radioaktiven Strahlung zu messen, ohne dasz eine Schwaechung durch die Gehaeusewandung auftritt. Das Wesen der Erfindung besteht darin, dasz die Halbleiterbauelemente einem radioaktiven Gas ausgesetzt werden und dasz nach dem Entfernen aus dem radioaktiven Gas und einer evtl. Spuelung der Nachweis der durch Strahlung radioaktiver Nuklide im Feldgebiet des Halbleiterbauelements erzeugten Ladungstraeger erfolgt, indem das Halbleiterbauelement direkt an einen rauscharmen, ladungsempfindlichen Vorverstaerker angeschlossen wird und die erzeugten Impulse gemessen werden. Als radioaktives Gas wird Krypton-85 verwendet. Die Erfindung kann in der Produktion von Halbleiterbauelementen angewendet werden.
Description
Die Erfindung betrifft oln Verfahren zur Prüfung von Halbleiterbauelementen auf Dichtigkeit, die mit einem Hohlkörper aus Glas, Metall oder Plast gekapselt sind, bei welchem das zu prüfende Halbleiterbauelement mit einem von außen einwirkenden, eine radioaktive Substanz enthaltenden Gas zusammengebracht wird und nach dem Entfernen aus dem radioaktiven Gas die im Inneren des Bauelementes wirksame Strahlung nachgewiesen wird. Die Erfindung ist anwendbar bei der Produktion von Halbleiterbauelementen. '
(DE-PS 1135682), bei welchem der zu prüfende Körper mit einem von außen einwirkenden, eine radioaktive Substanz enthaltenden Gas oder einer entsprechenden Flüssigkeit zusammengebracht wird und die von ihm ausgehende Strahlung nach dem Entfernen aus dem radioaktiven Gas bzw. der radioaktiven Flüssigkeit nachgewiesen wird.
untersuchende Gefäß mit radioaktivem Gas gefüllt wird und die Außenseite der Gefäßwandung mit einem Zählrohr abgetestet
Ziel der Erfindung ist es, unter Verwendung eines radioaktiven Gases die Dichtigkeitzu prüfen, dabei jedoch die Empfindlichkeit zu erhöhen und den Strahlungsnachweis ohne zusätzlichen Strahlungsdetektor durchzuführen.
Die Erfindung löst die Aufgabe, einen möglichst hohen Prozentsatz der radioaktiven Strahlung zu messen, ohne daß eine Schwächung durch die Gehäusewandung auftritt.
Die Merkmale der Erfindung bestehen darin, daß die Halbleiterbaueltmente in an sich bekannter Weise einem radioaktiven Gas ausgesetzt werden und daß nach dem Entfernen aus dem radioaktiven Gas und einer evtl. Spülung der Nachweis der durch Strahlung radioaktiver Nuklide im Feldgebiet des Halbleiterbauelements erzeugten Ladungsträger erfindungsgemäß dadurch erfolgt, daß das Halbleiterbauelement direkt an einen rauscharmen, ladungsempfindlichen Vorverstärker angeschlossen wird und die erzeugten Impulse gemessen werden. Als radioaktives Gas wird Krypton-85 verwendet.
Leistungsdioden sollen z. B. auf Dichtigkeit geprüft werden. Dazu werden diese gemeinsam mit einer Glaskugel, die radioaktives Krypton-85 mit einer Aktivität von 1ΟΌμΟί enthält, in einen Stahlbehälter gebracht. Dieser wird dicht verschlossen. Über eine Schlauchleitung wird Druckluft in den Behälter eingelassen, bis der Druck etwa 2 atm beträgt. Anschließend wird die Glaskugel zertrümmert. Es bildet sich ein Krypton-85-Luft-Gemisch, daß durch evtl. vorhandene Lecks in die Dioden eindringt. Nach 24 Stunden Beladezeit wird d&s radioaktive Gas abgelassen und der Behälter mit Luft gespült. Die Leistungsdioden werden herausgenommen und direkt an den rauscharmen, ladungsempfindlichen Vorverstärker angeschlossen, der mit einem Hauptverstärker, einem Diskriminator und einem Zählgerät verbunden ist. Die gemessene Impulsdichte ist ein Maß für die Größe des Lecks am Bauelement.
Claims (2)
1. Verfahren zur Prüfung von Halbleiterbauelementen auf Dichtigkeit, die mit einem Hohlkörper aus Glas, Metall oder Plast gekapselt sind, bei welchem das zu prüfende Halbleiterbauelement mit einem radioaktiven Gas zusammengebracht wird und nach Entfernen aus dem radioaktiven Gas die in seinem Inneren wirksame Strahlung nachgewiesen wird, gekennzeichnet dadurch, daß das Halbleiterbauelement direkt an einen rauscharmen, ladungsempfindlichen Vorverstärker angeschlossen wird und die erzeugten Impulse gemessen werden.
2. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß als radioaktives Gas Krypton-85 verwendet wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD22043980A DD288727A7 (de) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | Verfahren zur pruefung von halbleiterbauelementen auf dichtigkeit |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| DD22043980A DD288727A7 (de) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | Verfahren zur pruefung von halbleiterbauelementen auf dichtigkeit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| DD288727A7 true DD288727A7 (de) | 1991-04-11 |
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ID=5523700
Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| DD (1) | DD288727A7 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT1852U1 (de) * | 1997-02-21 | 1997-12-29 | Austria Mikrosysteme Int | Verfahren zum überprüfen der dichtheit von gekapselten mikrosystemen |
-
1980
- 1980-04-16 DD DD22043980A patent/DD288727A7/de not_active IP Right Cessation
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