DD295941A5 - Verfahren zur herstellung einer sinterkeramik fuer thermistoren erhoehter empfindlichkeit und stabilitaet - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer sinterkeramik fuer thermistoren erhoehter empfindlichkeit und stabilitaet Download PDF

Info

Publication number
DD295941A5
DD295941A5 DD34207490A DD34207490A DD295941A5 DD 295941 A5 DD295941 A5 DD 295941A5 DD 34207490 A DD34207490 A DD 34207490A DD 34207490 A DD34207490 A DD 34207490A DD 295941 A5 DD295941 A5 DD 295941A5
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
thermistors
decomposition
sintering
oxide
sensitivity
Prior art date
Application number
DD34207490A
Other languages
English (en)
Inventor
Adalbert Feltz
Bernado Neidnicht
Falk Schirrmeister
Original Assignee
Friedrich-Schiller-Universitaet,De
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Friedrich-Schiller-Universitaet,De filed Critical Friedrich-Schiller-Universitaet,De
Priority to DD34207490A priority Critical patent/DD295941A5/de
Publication of DD295941A5 publication Critical patent/DD295941A5/de

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Thermistoren hoher Empfindlichkeit beschrieben. Bisher bekannte technische Loesungen gehen von halbleitenden Oxiden der UEbergangselemente und deren Kombinationen in Spinellen und Perovskiten aus. Derartige mehrphasige Systeme verlangen eine differenziert angepaszte Reaktionsfuehrung, so dasz ein hinreichend eng toleriertes Sortiment von langzeitstabilen Thermistoren nur durch verschiedene Formen thermischer und elektrischer Nachbehandlung sowie durch Klassieren und Vereinzeln erhaeltlich ist. Das Ziel der Erfindung besteht darin, durch den Einbau von Magnesiumoxid anstelle von Manganoxid im Nickel-Manganoxid-Spinellsystem dem Zerfall in verschiedene halbleitende Oxidphasen bei Unterschreiten einer bestimmten Temperatur an der Luft entgegenzuwirken und bei der Zusammensetzung Mg5/6NiMn7/6O4 eine vollstaendige thermische Stabilitaet zu erreichen. Die im Prozesz des Sinterns bei 1 000 bis 1 050C entstehende Sauerstoffabspaltung und der damit verbundene Zerfall in verschiedene Phasen erweist sich unter der Voraussetzung einer hinreichenden Porositaet der Keramik als umkehrbar beim Tempern im Bereich 600 bis 700C. Dabei wird zugleich die B-Konstante zwecks Steigerung der Empfindlichkeit erhoeht, ohne dasz der spezifische Widerstand gleichzeitig in unvorteilhafter Weise zunimmt.{Thermistoren erhoehter Empfindlichkeit; einheitliches Gefuege; Magnesium; Nickel-Manganoxid-Spinellsystem; hohe B-Konstante; thermodynamisch stabile Phase}

Description

Darlegung dos Wesens der Erfindung
Dar Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für den Anwendungszwock als Thermistoren geeignete Halbleiterkeramiken, bestehond aus einer einheitlichen und thermodynamisch möglichst stabilen Phase, auf der Basis des Nickel-Manganoxid-Sp!' -jllsystoms herzustellen.
Erfindungsgomäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß durch Lösung von Magnesiumcarbonat, Nickelcarbonat und Mangancarbonat In Essigsäure, Zusetzen von Oxalsäure Im geringen Überschuß und Eindampfen Oxalatmischkristalle
MgxNIyMn3-„-Y(C2O4)3 · 6H2O
1,27b; O S χ S 1)
hergestellt weiden, deren Zersetzung durch stufenweises Erhitzen auf 65O0C unter Sauerstoff zu einheitlichen Spinellphasen führt, die als sinteraktivn Pulver mit einer spezifischen Oberfläche von etwa 1OmVg anfallen.
MgxNiyMn3 - „ - y(C2O4)3 · 6H2O + γ O2
MgKNiyM n3 _ χ _ YO4 + 3 CO2 + 3 CO + 6 H2O
Die Nickelkationen werden auf den Tetraederplätzen schrittweise durch Magnesiumkationen ersetzt, wodurch sie auf die für sie energetisch günstigeren Oktaederplätze ausweichen können, was in Verbindung mit der Bildung von Mangan(IV)-Kationen eine Stabilisierung der Spinellphase verursacht. Zugleich wird auf Grund des gegenüber Nickel(ll) geringeren Wirkungsradius der Magnesiumionen auf den Tetraederplätzen eine trigonaln Deformation der Mangan-Sauerstoffoktaeder induziert, womit eine Erhöhung der B-Konstante verbunden ist. Beispielsweise lassen sich die Spinelle mit y = 1 und χ = 1/3,2/3,5/6,1 auf diesem Wege darstellen. Die erhaltenen Pulver mit erhöhter Sinteraktivität ergeben nach dem Zumischen des Sinterhilfsmittels, Preßformgebung von Tabletten und Sintern bei 1000 bis 10500C in Sauerstoffatmosphäre ein zunächst uneinheitliches Gefüge innig vermischter Phasen, da bei der Sintertemperatur unter Sauerstoffabspaltung eine Zersetzung der Spinellphase stattfindet. Das Gefüge weist noch eine hinreichende Porosität auf, um in einer sich anschließenden Stufe des Temperns bei 65O0C Sauerstoff aufzunehmen und die einheitliche Spinellphase rückzubilden.
NiMn2O4 (y = 1, χ = 0) unterliegt unterhalb 72O0C an Luft der Zersetzung in NiMnO3 und 0-Mn2O3. Der Spinell Mgi/3NiMn6/3O.i (y = 1,x= 1/3) erweist sich bei 65O0C unter einer Sauerstoffatmosphäre beim längeren Tempern als instabil, obwohl die Verbindung bei dieser Temperatur im Ergebnis der Zersetzung der Oxalatmischkristalle zunächst gebildet wird. Als Zersetzungsprodukte wurden NiMnO3, eine tetragonale MgMn2O4- und eine offenbar Mg-reichere kubische Spinellphase festgestellt. Der Spinell Mg2/3NiMn4/304 (x = 2/3, y = 1)ist dagegen bei 65O0C langzeitstabil, bei 450"C tritt jedoch gleichfalls langsam oxydative Zersetzung ein. Für den Spinell Mg6Z6NiMn7Z6O4 (x = 5/6, y = 1) konnte bei Langzeittemperaturen bei 45O0C und tiefererTemperatur ein Zerfall in mehrere Phasen nicht beobachtet werden und in gleicherweise erweist sich MgNiMnO4 als eine thermodynamisch stabile Spinellphase.
Dem durch zunehmenden Einbau von Magnesium erreichten Vorteil der Bildung einer gegenüber thermischer Belastung stabilen Spinellphase steht als Nachteil die Abspaltung von Sauerstoff gegenüber, die sich infolge der mit dem Magnesiumgehalt anwachsenden Konzentrationen an Mangan(IV) im Spinellgitter nach um so tieferen Temperaturen verlagert, je höher der Magnesium- bzw. Mangan(IV)-Gehalt ist. Dadurch kommt bei der Sintertemperatur eine zunehmende Phaseninhomogenität zustande, die nur im Fall einer hinreichenden Porosität der Keramik rückgängig gemacht werden kann, indem die Spinellphase unter Sauerstoffaufnahme erneut entsteht.
Ausführungsbelsplele
In der Tabelle sind Beispiele der erfindungsgemäßen Sinterkeramik für Thermistoren erhöhter Empfindlichkeit angegeben.
Nr. Zusammensetzung D,ei Zersetzungstemperatur 750 untere, unter σ (20) B
% obere, unter 740 O2-Aufn. [0"1CrTT1I [K]
O2-AbSp. 700 720
1 NiMn2O4 95 1000 Pulver 650 (4,97 ±0,08)10"4 3774 ±3
2 Mgiz3NiMn6/304 - - 450 - -
3 Mg2Z3NiMn4Z3O4 - (6,7 ±0,2)10"6 4099 ±5
4 Mg6/eNiMn7/604 80 - (6±2)10"β 4120 ±3
5 MgNiMnO364 97 (2,8±0,3)10"Β 3800
6 MgNiMnO4 (Pulver) -

Claims (2)

1. Verfahren zur Herstellung einer Sinterkeramik für Thermistoren erhöhter Empfindlichkeit und Stabilität, dadurch gekennzeichnet, daß durch Lösen von Magnesiumkarbonat, Nickelkarbonat und Mangankarbonat in Essigsäure, Zusetzen von Oxalsäure im geringen Überschuß und Eindampfen Oxalatmischkristalle
MgxNiyMn3-x-y(2 = 4)3 · 6H2O (0 < y < 1,275; 0 < χ < 1)
hergestellt werden, deren Zersetzung durch stufenweises Erhitzen auf 65O0C unter Sauerstoff zu einheitlichen Spinellphasen führt, die als sinteraktive Pulver anfallen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß nach dem Zumischen des Sinterhilfsmittels, Preßformgebung zu Tabletten und Sintern bei Temperaturen unterhalb 11000C in Sauerstoffatmosphäre und anschließender Temperung bei 65O0C in Sauerstoffatmosphäredie einheitliche Spinellphase rückgebildet wird.
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Sinterkeramik für Thermistoren verbesserter thermischer Stabilität bei zugleich erhöhter Empfindlichkeit.
Charakteristik des bekannten Standes der Technik
Bekannte technische Lösungen gehen von halbleitenden Oxiden der Übergangselemente und deren Kombinationen z.B. in Spinellen und Perovskiten aus. Dabei gelangen vielfach Mehrphasensysteme, z, B. Kobalt-Manganoxidsysteme (GB 1226789; PL 48.148) zur Anwendung, die durch weitere Komponenten wie Kupferoxid, Nickeloxid oder Lithiumoxid (GB 992491; U. S. Qat. 3219480) modifiziert werden, ohne daß der Vorteil der Bildung einer einheitlichen Phase nachgewiesen wird. Der Nennwiderstand R2* (elektrischer Widerstand des Thermistors bei T = 250C) und die für die Empfindlichkeit der Temperaturmessung maßgebliche B-Konstante gemäß der Beziehung
R(T) = Roexp(B/T) = R25exp(1/T- 1/298)
wird auf der Basis derartiger mehrphasiger Systeme durch eine entsprechende Reaktionsführung im Sinterprozeß auf variable Werte eingestellt, so daß bei einem gegebenen Versatz die Produktion eines bestimmten Sortiments von Thermistoren möglich ist. Diese Verfahrensweise schließt im allgemeinen eine beträchtliche Streubreite der Daten der Einzelexemplare und insbesondere von Charge zu Charge ein, da die den Thermistor kennzeichnenden elektrischen Parameter je nach dem erreichten Strukturgefüge der Keramik verschiedene Werte annehmen.
Es ist bekannt geworden, daß Thermistoren z. B. auf der Basis des Systems NixMn3 _ XO4 gefertigt werden (H. Walch, Siemenszeitschrift 47 [1973], 65; Siemensdatenbuch Heißleiter 1980/81). Für den Bereich der Zusammensetzung 0 < χ < 1,275 ergibt sich eine weitgehend einheitliche Phase, die die genannten Nachteile einer großen Streubreite nicht mehr aufweist, vorausgesetzt, daß ein Keramikgefüge erreicht wird, was mit der Verwendung eines speziellen Sinterhilfsmittel (DD 266670 A1) verknüpft ist.
Bei der Führung des Sinterprozesses zur Thermistorfertigung muß bei diesen Oxidhalbleitern mit einheitlichem Phasenbestand ein Zerfall in ein heterogenes Gemisch bei Unterschreiten der Temperatur von 720°C durch hinreichend rasches Abkühlen vermieden werden, und der Anwendungsbereich ist auf Temperaturen bis zu 15O0C begrenzt. Spineilverbindungen im System NixMn3 _ XO«, in denen durch eine schrittweise Substitution von Mangan durch Magnesium auf der Grundlage des Prinzips der gelenkten Valenz eine Verbesserung der thermodynamisch^ Stabilität erreicht wird, sind in der Literatur bisher nicht boschrieben worden.
Ziel der Erfindung
Das Ziel der Erfindung besteht darin, dem Zerfall in verschiedene halbleitende Oxidphasen bei Unterschreiten einer bestimmten Temperatur entgegenzuwirken und den Prozeß der Sinterverdichtung zur Ausbildung eines einheitlichen Gefüges für eine reproduzierbare Einstellung der Thermistorparameter in vorteilhafter Weise zu kontrollieren sowie zugleich die B-Konstante zwecks Steigerung der Empfindlichkeit zu erhöhen, ohne daß der spezifiscne Widerstand gleichzeitig in unvorteilhafter Weise erhöht wird.
DD34207490A 1990-06-26 1990-06-26 Verfahren zur herstellung einer sinterkeramik fuer thermistoren erhoehter empfindlichkeit und stabilitaet DD295941A5 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD34207490A DD295941A5 (de) 1990-06-26 1990-06-26 Verfahren zur herstellung einer sinterkeramik fuer thermistoren erhoehter empfindlichkeit und stabilitaet

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD34207490A DD295941A5 (de) 1990-06-26 1990-06-26 Verfahren zur herstellung einer sinterkeramik fuer thermistoren erhoehter empfindlichkeit und stabilitaet

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DD295941A5 true DD295941A5 (de) 1991-11-14

Family

ID=5619471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD34207490A DD295941A5 (de) 1990-06-26 1990-06-26 Verfahren zur herstellung einer sinterkeramik fuer thermistoren erhoehter empfindlichkeit und stabilitaet

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD295941A5 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993022255A1 (de) * 1992-04-24 1993-11-11 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Sinterkeramik für hochstabile thermistoren und verfahren zu ihrer herstellung
EP0638910A3 (de) * 1993-08-13 1997-01-08 Siemens Matsushita Components Sinterkeramik für stabile Hochtemperatur-Thermistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1993022255A1 (de) * 1992-04-24 1993-11-11 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Sinterkeramik für hochstabile thermistoren und verfahren zu ihrer herstellung
EP0638910A3 (de) * 1993-08-13 1997-01-08 Siemens Matsushita Components Sinterkeramik für stabile Hochtemperatur-Thermistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3650264T2 (de) Aluminiumnitridsinterkörper und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE2605804A1 (de) Hochtemperaturthermistormasse
EP0687656B1 (de) Sinterkeramik für hochstabile Thermistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO1989005186A1 (fr) Catalyseur et son procede de production
EP0647602A1 (de) Substituierter Barium-Neodym-Titan-Perowskit, dielektrische, keramische Zusammensetzung, Kondensator und Mikrowellenkomponente
DE19909089A1 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzungen
DE19800353C2 (de) Dielektrische keramische Zusammensetzung für Mikrowellenanwendungen
DE69024280T2 (de) Halbleiterkeramikkondensator von dem laminierten typ mit zwischenkornisolation und verfahren zu seiner herstellung
DE4436392A1 (de) Metallniobate und/oder Tantalate, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie deren Weiterverarbeitung zu Perowskiten
DE69009628T2 (de) Pulverzusammensetzung zum Sintern in eine modifizierte Bariumtitanat halbleitende Keramik.
DE69018742T2 (de) Thermistor und Gassensor mit diesem Thermistor.
DE19740262C1 (de) Sinterkeramik für hochstabile Thermistoren und Verfahren zur Herstellung
DE19909087A1 (de) Halbleitende Keramik und daraus hergestelltes elektronisches Bauelement
DE3327768C2 (de)
DD295941A5 (de) Verfahren zur herstellung einer sinterkeramik fuer thermistoren erhoehter empfindlichkeit und stabilitaet
DE68914484T2 (de) Gesinterte Ferrit-Materialien und Teile von Chips.
DE3609730A1 (de) Verfahren zur herstellung von polykristallinen zirkonylphosphat-keramikkoerpern mit geringer waermeausdehnung
DE3445153A1 (de) Nicht-reduzierbare dielektrische keramische masse
DE3914844C2 (de)
DE10008929A1 (de) Aus Halbleiterkeramik hergestelltes monolithisches elektronisches Element
DE1646822B2 (de) Verfahren zur herstellung von keramischen materialien mit hoher dielektrizitaetskonstante
EP0637292A1 (de) Sinterkeramik für hochstabile thermistoren und verfahren zu ihrer herstellung
DE1280121B (de) Verfahren zur wahlweisen Herstellung eines keramischen Dielektriums oder eines Halbleiterwiderstandes mit positivem Temperaturkoeffizienten
DE4320836A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dotierelement-Metalloxidpulvers für keramische Zinkoxid-Varistoren
DE69016469T2 (de) Verfahren zur Herstellung von magnetischem keramischem Material zur Mikrowellenanwendung.

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee