DD86806A1 - Verfahren zum tiegellosen Herstellen von versetzungsfreien Halbleitereinkristallen - Google Patents

Verfahren zum tiegellosen Herstellen von versetzungsfreien Halbleitereinkristallen

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE10328859A1 (de) * 2003-06-20 2005-01-27 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen
DE10328859B4 (de) * 2003-06-20 2007-09-27 Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen

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