DE10004876C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Durchtrennen von flachen Werkstücken aus Quarzkristall in flache Scheiben für Schwingquarze - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Durchtrennen von flachen Werkstücken aus Quarzkristall in flache Scheiben für SchwingquarzeInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Durchtrennen von flachen
Werkstücken aus Quarzkristall längs einer vorgegebenen Trennlinie zur
Erzeugung von geschnittenen, kantenbearbeiteten flachen Scheiben aus
Quarzkristall für Schwingquarze.
Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Durchführung dieses
Verfahrens.
Planparallele Scheiben aus Quarzkristall mit einer Dicke von d = 0,05-2,0 mm
werden in großem Umfang für die Herstellung von Schwingquarzen eingesetzt.
Die Quarzkristallscheiben werden gemäß dem Stand der Technik in verschiedenen
Orientierungen zur Kristallstruktur (z. B. AT-Schnitt), mittels Gattersägen
hergestellt. Die Planparallelität und definierte Dicke der Quarzkristallscheiben
wird durch einen anschließenden, speziellen Feinschleif- oder Läppprozeß erzielt.
Die dabei erzielte Quarzkristall-Scheibendicke liegt in einem sehr engen
Toleranzbereich. Entsprechend den Anforderungen, die an die Geometrie des
Schwingquarzes gestellt werden, wird die runde oder (recht)eckige Außenkontur
durch einen Rundschleif-(Arondieren) und/oder einen Flächenschleifprozeß
erzeugt. Die Außenkonturen müssen aus Qualitätsgründen mit sehr kleinen
Toleranzen gefertigt werden. Spezielle Sonderformen, wie Augen- oder
Ellipsenquarze, werden mittels Ultraschallschwingläppen hergestellt. Hierbei wird
mit entsprechend der Außenkontur der Schwingquarzgeometrie geformten
Sonotroden der Schwingquarz aus der Quarzkristallscheibe herausgearbeitet.
Vorzugsweise werden dabei mehrere Quarzkristallscheiben übereinander
geschichtet und auf diese Weise mehrere Schwingquarze in einem
Bearbeitungsschritt hergestellt.
Stimmgabelquarze werden abweichend zu der oben beschriebenen Herstelltechnologie
in ihrer Kontur an kleinen Stegen hängend ätztechnisch hergestellt und auf
automatischen Fertigungsmaschinen aus dem Wafer (Wafergröße ca. 40 × 40 mm2)
gebrochen.
Nachteilig bei der mechanischen Konturbearbeitung gemäß dem Stand der Technik
mittels Schleifen ist die Einbringung von Mikrorissen in die Schnittkanten der
Schwingquarze, was häufig zu Ausschuß bei der Produktion in Form von Bruch oder
zu Ausfall im Betrieb der Schwingquarze durch Rißbildung führt. Darüber hinaus ist
beim Trennschleifen verfahrensbedingt ein Schnittspalt nicht zu vermeiden, woraus
zwangsweise ein entsprechender Materialverlust resultiert. Weiterhin erfolgt die
mechanische Trennbearbeitung nicht frei von äußeren Kräften, die am Werkstück
(Schwingquarz) angreifen. Diese während des Trennprozesses auftretenden statischen
oder auch dynamischen Kräfte führen bei Übersteigen der maximal ertragbaren
Festigkeit vielfach zur Schädigung oder zum Bruch des Werkstücks. Diese
beschriebenen Nachteile bei der abtragenden Konturbearbeitung von dünnen
Quarzkristallscheiben könnten mit einem nichtabtragenden und frei von äußeren Kräften
arbeitenden Verfahren vermieden werden.
Ein Ansatz, spröde Materialien, wie beispielsweise Glas, mit bestimmten Konturen
herzustellen, besteht im Trennen auf der Basis thermisch generierter Spannungen.
Hierbei wird eine Wärmequelle, die auf das Glas gerichtet ist, mit konstanter
Geschwindigkeit über das Glas bewegt und so eine derart hohe thermische Spannung
erzeugt, daß eine gerichtete Rißausbreitung stattfindet. Der notwendigen Eigenschaft
der Wärmequelle, die thermische Energie lokal, d. h. mit einer Genauigkeit besser
einen Millimeter, was den typischen Schnittgenauigkeiten entspricht, positionieren zu
können, genügen Infrarotstrahler, spezielle Gasbrenner und insbesondere Laser. Laser
haben sich wegen ihrer guten Fokussierbarkeit, guten Steuerbarkeit der Leistung sowie
der Möglichkeit der Strahlformung und damit der Intensitätsverteilung auf Glas bewährt
und durchgesetzt.
Aus der DE-AS 12 44 346 ist ein Verfahren zum Ritzen von Glas bekannt, bei dem
entlang der Schnittbahn eine Erwärmung des Glases mittels eines Laserstrahls mit
kreisrunder Leistungsdichteverteilung erzeugt wird, wobei eine Temperatur unterhalb
der Schmelztemperatur des Glases eingestellt wird. Im Anschluß an die Erwärmung
wird das Glas gekühlt und durch Klopfen oder Biegen abgetrennt. Es kann auch eine
Erwärmung über die Schmelztemperatur herbeigeführt werden, so daß ein feiner Spalt
herausgeschmolzen wird.
In der DE 44 11 037 C2 wird ein Verfahren beschrieben, bei dem in ein Hohlglas
mittels eines Laserstrahls mit ebenfalls kreisrunder Leistungsdichte-Verteilung eine
umlaufende Spannungszone mit einer Temperatur von 250°C eingebracht wird. Nach
dem Einbringen der Spannungszone wird mit einer Anrißspitze durch kurzzeitigen
Kontakt mit der Oberfläche des Hohlglases mechanisch ein kurzer Startriß eingebracht,
der im wesentlichen auf die Spur der maximalen Intensität des Laserstrahls und damit
der höchsten Temperatur gesetzt wird. Die Spannungszone wird mittels eines
flüssigkeitsgetränkten Vlieses gekühlt, wodurch der Thermoschock und damit die
Spannungen so erhöht werden, daß sich der Startriß zu einem Trennriß ausbildet.
Bei dem Verfahren nach der EP 0 062 484 wird ebenfalls ein Laserstrahl im bekannten
Ringmodus TEM 00* oder TEM 01* benutzt, der punktförmig auf das Werkstück
fokussiert wird.
Dadurch, daß bei diesem Verfahren der Laserstrahl auf der Oberfläche des
Werkstückes fokussiert wird, verdampft das Glas bis zu einer bestimmten Tiefe. Das
restliche Glas im Trennbereich wird über den Schmelzpunkt hinaus erhitzt. Mittels
eines Gases wird das verdampfte Glasmaterial entfernt.
Das aus der WO 93/20015 bekannte Verfahren nutzt einen Laserstrahl mit elliptischer
Form. Dieses Verfahren zeigt zwar gute Ergebnisse beim gradlinigen Ritzen von
nichtmetallischem Plattenmaterial, kann jedoch kein hochwertiges und hochpräzises
Ritzen entlang einer gekrümmten Kontur sichern. Zudem weist das genannte Verfahren
eine geringe Stabilität des Schneidablaufs bei einer hohen Strahlungsdichte und hohen
Schnittgeschwindigkeiten auf. Dies hängt damit zusammen, daß die Erhitzung mit
einem Laserbündel mit elliptischem Querschnitt und der Gaußschen Verteilung der
Strahlungsdichte in einem sehr engen Bereich erfolgt, wobei sich die Temperatur von
der Peripherie zum Zentrum gravierend erhöht. Es ist extrem kompliziert, ein stabiles
Thermospalten bei hoher Geschwindigkeit, hoher Ritztiefe und dennoch auch eine
stabile Leistungsdichte zu erzielen, wenn die Erhitzung des Werkstoffes häufig mit
dessen Überhitzung im zentralen Bereich des Bestrahlungsbereiches einhergeht, d. h.
die Aufweichtemperatur des Materials überschritten wird, obwohl dies bei
hochwertigem Schneiden unzulässig ist.
Die WO 96/20062 beschreibt ein Verfahren zum Durchtrennen von flachen
Werkstücken aus sprödem Material, insbesondere aus Glas, das längs einer
vorgegebenen Trennlinie mit einem zu ihr symmetrischen Wärmestrahlungsfleck, der
eine erhöhte Strahlungsintensität in seinem Randbereich mit einem
Temperaturmaximum an seinem hinteren Ende besitzt, erwärmt wird, wobei der
Wärmestrahlungsfleck längs der Trennlinie und/oder das Werkstück bewegt wird, und
bei dem der erwärmte Trennlinienabschnitt anschließend gekühlt wird.
Im bekannten Fall ist ein ovaler oder elliptischer Wärmestrahlungsfleck vorgesehen,
mit einem Strahlungsintensitätsminimum innerhalb des Ovals. Ein solcher "Brennfleck"
schneidet die Trennlinie zweimal, nämlich am vorderen und am hinteren Ende des
Ovals. Dadurch ergibt sich mit Nachteil eine ungünstige Temperaturverteilung. Durch
den vorlaufenden Schnittpunkt findet bereits im vorderen Bereich des elliptischen
Brennflecks in Schneidrichtung gesehen im Bereich der Trennlinie eine unnötige
Aufheizung statt. Hierdurch findet in der Mitte des Brennfleckes, d. h. auf der
Trennlinie, eine unnötig große Aufheizung statt, so daß am Ende des Brennfleckes, wo
die Strahlungsintensität wiederum im Bereich der Trennlinie sehr groß wird, ein so
großes Temperaturmaximum erreicht wird, daß das Glas unter Umständen schon
aufschmelzen kann.
Mit diesem Verfahren können ferner nur Gläser mit einer Stärke bis typischerweise 0,2
Millimeter durchtrennt werden, weil bei höheren notwendigen Strahlleistungen
ansonsten ein Aufschmilzen stattfindet und der Riß unterbricht. Bei größeren
Glasdicken findet nur ein Ritzen des Glases statt.
Die Anwendung dieser Verfahren zum Trennen von kristallinem Quarzscheiben
zum Herstellen (Konturbearbeiten) von Schwingquarzen, durch gezielte thermisch
induzierte Rißeinleitung und -fortpflanzung in entsprechenden flächigen, dünnen
Werkstücken aus Quarzkristall wurde von der Fachwelt als nicht machbar
angesehen. Einerseits ist aufgrund des anisotropen Materialaufbaus des
Quarzkristalls keine kontrollierte Rißausbreitung zu erwarten und andererseits
besteht die Gefahr einer unerwünschten Materialschädigung oder -veränderung
durch zu hohe Werkstücktemperaturen während des Trennprozesses. Aufgrund
der vergleichsweise großen Laserstrahlquerschnitte an der Werkstückoberfläche
und den dabei zur Anwendung kommenden Laserstrahlintensitätsverteilungen
kommt es bei diesen Trennverfahren zu einem Wärmestau im Bereich der
laserbestrahlten Stelle und damit zu unzulässig hohen Temperaturen an der
Oberfläche des Quarzkristalls. Obwohl speziell in der WO 96/20062 mit einer
Laserstrahlintensitätsverteilung gearbeitet wird, bei der die Intensitätsverteilung in
einem Schnitt durch das Zentrum des Laserstrahls vom Rand zum Zentrum hin
abfällt, findet auch hier im vorderen Bereich eine unnötige Aufheizung statt und
es besteht die Gefahr der Materialüberhitzung. Derartige lokale Überhitzungen
können unter Umständen zu einem lokalen Erweichen bzw. Aufschmelzen des
Quarzkristalls führen, was unbedingt zu vermeiden ist. Auf jeden Fall aber ist
eine unerwünschte Veränderung der Kristallstruktur von der α-Modifikation hin
zur β-Modifikation bereits im festen Zustand zu erwarten, die jedoch im Falle der
Anwendung der Quarzkristallscheiben für Schwingquarze unbedingt zu vermeiden
ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das eingangs bezeichnete Verfahren so
zu führen bzw. die eingangs bezeichnete Vorrichtung so auszubilden, daß durch
Trennen eines flachen Werkstückes aus Quarzkristall mittels eines thermisch
induzierten mechanischen Spannungsfeldes flache Quarzkristallkörper mit
vorgegebener Kontur schädigungsfrei mit mikrorißfreien Schnittkanten herstellbar
sind, die als Schwingquarze Verwendung finden können.
Die Lösung dieser Aufgabe gelingt hinsichtlich des Verfahrens zum Durchtrennen
von flachen Werkstücken aus Quarzkristall längs einer vorgegebenen Trennlinie
zur Erzeugung von geschnittenen, kantenbearbeiteten flachen Scheiben aus
Quarzkristall für Schwingquarze, mit den Schritten:
- - Erzeugen eines Wärmestrahlungsfleckes auf der Werkstückoberfläche aus Quarzkristall in Bezug auf die Trennlinie durch ein Wärmestrahlungsbündel aus einer Strahlungsquelle derart, daß das Temperaturmaximum auf der Trennlinie und unterhalb der Umwandlungstemperatur des Quarzkristalles liegt,
- - Bewegen des Wärmestrahlungsfleckes relativ zum Werkstück aus Quarzkristall entlang der Trennlinie mit Induzierung einer thermomechanischen Spannung im Quarzkristall,
- - Kühlen des durch den Wärmestrahlungsfleck erwärmten Trennlinienabschnittes zur Verstärkung des thermisch induzierten Spannungsfeldes, und
- - Einstellen der Wärmezufuhr zur Trennlinie durch die Einstellung der Geometrie der Leistungsdichteverteilung im Wärmestrahlungsfleck und/oder durch die Steuerung der Strahlungsleistung der Wärmestrahlungsquelle derart, daß die maximal auftretende Temperaturbelastung des Quarzkristalles im Bereich der Trennlinie auf ein Minimum reduziert wird.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen kann mit Vorteil in Abhängigkeit von
dem zu trennenden kristallinen Quarzkristallwerkstoff und der Scheibendicke die
Überhitzung des Werkstoffs vermieden werden und der Quarzkristall-Werkstoff
weitestgehend schädigungsfrei getrennt werden. Versuche an d = 0,45 mm
dicken Quarzkristallscheiben haben gezeigt, daß es bei Anwendung des
erfindungsgemäßen Trennverfahrens zu rißfreien und ausreichend glatten
Schnittkanten ohne sich nachteilig auswirkende Veränderungen der Kristallstruktur
direkt an der Schnittkante kommt.
Wider Erwarten ist daher durch die Erfindung eine Möglichkeit geschaffen
worden, um mikrorißfreie Schnittkanten an Quarzkristallen durch Trennen mittels
eines thermisch induzierten mechanischen Spannungsfelds zu erhalten.
Nun wird zwar in der DE 43 05 107 A1 beschrieben, daß sich das Prinzip des
Laserstrahlschneidens nicht nur zum Schneiden von Glas anwenden läßt, sondern
generell zum Schneiden von spröden Materialien, die sich durch thermische
Spannungen brechen lassen, wobei als weitere Beispiele neben dem Glas auf
"Keramik, Steine und Kristalle" hingewiesen wird. Dennoch konnte dieser
Hinweis den Fachmann nicht dazu anregen, das bekannte Laserstrahlschneiden
auch für die Trennung von Quarzkristallen einzusetzen, beispielsweise durch
einfaches Probieren. Dies würde voraussetzen, daß für den Fachmann ein Anlaß
zum Probieren bestand bzw. daß er sich von dem Probieren prinzipiell einen
Erfolg verspricht. Diese Perspektive war jedoch im vorliegenden Fall nicht
gegeben, da der Fachmann prinzipiell eine "schlagartige und unkontrollierte
Materialtrennung" bzw. eine unerwünschte Veränderung der Kristallstruktur zu
erwarten hatte, die ihn von entsprechenden Versuchen bei der Einstellung der
Laserstrahlintensität, um zu einer gezielten, d. h. gerichteten und auch
kontrollierten Trennung des Quarzkristalls zu kommen, geradezu abhielt.
Vorteilhaft wird das Verfahren so durchgeführt, daß das
Erzeugen des Wärmestrahlungsfleckes auf der Werkstückoberfläche aus Quarzkristall
symmetrisch zur Trennlinie durch eine schnelle örtliche und zeitliche Steuerung eines
fokussierten Wärmestrahlungsbündels erfolgt, derart, daß sein Bereich mit erhöhter
Strahlungsintensität auf einer V oder U-förmigen Kurve liegt, die sich zum vorderen
Ende des Wärmestrahlungsflecks öffnet, und bei dem das Temperaturmaximum örtlich
im Scheitelpunkt der V oder U-förmigen Kurve auf der Trennlinie und unterhalb der
Schmelztemperatur des Quarzkristall liegt, und daß das Kühlen des durch den
Wärmestrahlungsfleck erwärmten Trennlinienabschnittes zur Verstärkung des thermisch
induzierten Spannungsfeldes durch einen den Wärmestrahlungsfleck nachlaufenden
Kühlspot erfolgt.
Eine schnelle örtliche und zeitliche Steuerung der fokussierten Wärmestrahlungsbündels
erfolgt mit Vorteil gemäß einer Weiterbildung der Erfindung durch ein Führen des
Wärmestrahlungsbündels in zwei Dimensionen ausgerichtet an der Schneidlinie der
vorgegebenen Kontur durch Scannen unter Erzeugung eines langgestreckten
Wärmestrahlungsfleckes entlang der Richtung der Schneidlinie. Dabei wird das
Wärmestrahlungsbündel vorzugsweise durch einen Laserstrahl gebildet.
In diesem Fall wird auf der Quarzkristall-Werkstückoberfläche eine V oder U-förmige
Leistungsdichteverteilung durch eine geeignete schnelle örtliche und zeitliche
Steuerung, d. h. Scannen eines fokussierten Laserstrahls erzeugt. Hierbei kann die
Geometrie der V oder U-förmigen Leistungsdichteverteilung wie auch die eingestrahlte
Laserleistung in einem weiten Bereich so eingestellt werden, daß die maximal
auftretende Temperaturbelastung des Quarzkristall-Werkstücks durch geeignete
Steuerung der Wärmezufuhr auf ein Minimum reduziert wird.
Das Verfahren kann dabei gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung auch in der Weise
durchgeführt werden, daß das Scannen des Laserstrahls in Form einer Ellipse erfolgt,
wobei der Laser zur Erzeugung einer V oder U-förmigen Kurve abwechselnd ein- und
ausgeschaltet oder der Strahl ein- und ausgeblendet wird.
Der Wärmestrahlungsfleck muß nicht zwingend eine strenge U- bzw. V Form haben.
Er kann auch so gestaltet werden, daß sein Randbereich mit erhöhter
Strahlungsintensität auf einer parabelförmigen Kurve liegt. Auch können bei einer V-
förmigen Kurve beide Schenkel unter Bildung einer X-förmigen Struktur verlängert
sein.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung erfolgt das Führen des Verfahrens durch ein
Anpassen des Profils des Wärmestrahlungsbündels bei Kurvenschnitten an die
Kurvenform der Trennlinie. Durch diese Vorgehensweise kann die im Bereich der
Wechselwirkungszone zwischen Laserstrahlung und Quarzkristall-Werkstückoberfläche
durch Absorption eingekoppelte Leistungsdichteverteilung derart gesteuert werden, daß
sie der zu erzeugenden Schnittkontur angepaßt werden kann. Auf diese Weise ist es
auch möglich, Konturschnitte mit einem stetigen Konturverlauf durchzuführen. Dabei
entsprechen die kleinsten, herzustellenden Radien ungefähr der zu trennenden
Werkstückdicke (rmin ≈ 1d). Auf diese Weise ist es möglich, größere Scheiben aus
Quarzkristall zu zerteilen oder aber direkt konturierte Schwingquarze herauszutrennen.
Wesentlicher Vorteil bei der Anwendung des Verfahrens ist, daß kein Schnittverlust
entsteht und die erzeugte Schnittkante keine Mikrorisse oder andere Schädigungen, wie
Ausmuschelungen, aufweist. Darüber hinaus treten keine, die Funktion des
Schwingquarzes beeinträchtigenden Veränderungen oder Schädigungen des
Kristallgefüges auf.
Vorrichtungsmäßig gelingt die Lösung der gestellten Aufgabe durch eine Vorrichtung
zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens mit
- - einer optischen Einrichtung, die eine Wärmestrahlungsquelle, insbesondere einen Laser, und mindestens eine optische Komponente umfaßt zur Erzeugung eines Wärmestrahlungsfleckes in Bezug auf die Trennlinie, derart, daß das Temperaturmaximum auf der Trennlinie und unterhalb der Umwandlungstemperatur des Quarzkristalles liegt,
- - einer Einrichtung zum Bewegen des Wärmestrahlungsflecks längs der Trennlinie relativ zum Werkstück aus Quarzkristall,
- - einer Kühleinrichtung zum Kühlen des bestrahlten Trennlinienabschnitts, und
- - einer Einrichtung zum Einstellen der Wärmezufuhr zur Trennlinie durch die Einstellung der Geometrie der Leistungsdichteverteilung im Wärmestrahlungsfleck und/oder durch die Steuerung der Strahlungsleistung der Wärmestrahlungsquelle, derart, daß die maximal auftretende Temperaturbelastung des Quarzkristalles im Bereich der Trennlinie auf ein Minimum reduziert wird.
Mittels dieser Vorrichtung wird das zuvor beschriebene Verfahren durchgeführt unter
Erzielung der beschriebenen vorteilhaften Wirkungen hinsichtlich der Trennung von
Werkstücken aus Quarzkristall.
Besondere Vorteile werden dabei durch eine Vorrichtung erzielt, bei der
die optische Einrichtung zur Erzeugung eines zur Trennlinie symmetrischen
Wärmestrahlungsfleckes durch eine schnelle zeitliche und örtliche Steuerung des aus
der Wärmestrahlungsquelle austretenden Wärmestrahlungsbündel ausgebildet ist, daß
der Randbereich des Wärmestrahlungsfleckes mit erhöhter Strahlungsintensität auf einer
V oder U-förmigen Kurve liegt, die sich zum vorderen Ende des
Wärmestrahlungsfleckes öffnet, wobei das Temperaturmaximum örtlich im
Scheitelpunkt der V oder U-förmigen Kurve auf der Trennlinie liegt, und die
Kühleinrichtung zum Kühlen des bestrahlten Trennlinienabschnitts so ausgebildet ist,
daß sie einen, den Wärmestrahlungsfleck nachlaufenden Kühlspot erzeugt.
Gemäß einer ersten Ausführungsform wird dabei vorzugsweise zum Führen eines
Laserstrahles eine Scannereinrichtung verwendet. Dementsprechend weist die optische
Einrichtung zwei senkrecht zueinander angeordnete, oszillierende, synchronisierte
Spiegel auf, die einen Laserstrahl auf die Oberfläche des Werkstücks derart lenken, daß
er dort die V oder U-förmige Kurve beschreibt.
Um die Synchronisation der beiden Spiegel zu realisieren, sind die
Antriebseinrichtungen der beiden oszillierenden Spiegel an eine gemeinsame
Steuereinrichtung angeschlossen. Vorzugsweise liegt die Oszillatorfrequenz der beiden
Spiegel bei 500 bis 2000 Hz, so daß eine Schneidgeschwindigkeit von 50 mm/sec bis
1000 mm/sec erreicht werden kann, was von der eingesetzten Strahlungsintensität
abhängt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform einer Scannereinrichtung weist die optische
Einrichtung ein Spiegelrad auf, dessen Oberfläche derart gekrümmt ist, daß ein darauf
reflektierter Laserstrahl während einer Rotation des Spiegelrades mindestens einmal die
U- oder V förmige Kurve auf der Oberfläche des zu duchtrennenden Werkstückes
beschreibt.
Die Rotationsfrequenz des Spiegelrades liegt bei 500 bis 3000 Hz, so daß die
genannten Vorschubgeschwindigkeiten erreicht werden können.
Vorzugsweise wird ein Laser mit einer Wellenlänge eingesetzt, die in dem
Quarzkristall-Material die notwendige Absorption erfährt. Beispielsweise wird ein
Laser verwendet, der mit einer Wellenlänge von 10,6 µm ausgestattet ist und
kommerziell günstig zu erhalten ist. Die maximale Ausgangsleistung des Lasers beträgt
typischerweise 100 Watt.
Die Intensität des Lasers ist vorzugsweise während jedes Durchlaufs der V oder U-
förmigen Kurve veränderbar, so daß im Bereich des Scheitelpunktes der V oder U-
förmigen Kurve die Strahlungsintensität variiert werden kann. Die Strahlungsintensität
wird so eingestellt, daß eine nachteilige Überhitzung des Quarzkristall vermieden wird.
Vorzugsweise erfolgt eine Steuerung der Scannerbewegung in der Weise, daß sie den
Scanner bei Kreisschnitten und Freiformschnitten so steuert, daß eine der Kurvenbahn
angepaßte, gekrümmte V oder U-förmige Intensitätsverteilung entsteht.
Das vorstehend beschriebene Verfahren und die zugehörige Vorrichtung sind zum
Trennen von flachen Werkstücken aus sprödbrüchigem Material, insbesondere Glas,
generell durch die EP 0 872 303 A2 bekannt geworden. Der Inhalt dieser Schrift wird
durch Bezugnahme mit zum Offenbarungsinhalt der vorliegenden Anmeldung gemacht.
Alternativ dazu kann das Verfahren auch nach einer Weiterbildung der
Erfindung so durchgeführt werden, daß das Erzeugen des Wärmestrahlungsfleckes auf
der Werkstückoberfläche derart erfolgt, daß der auf die Trennlinie einwirkende
Querschnitt des Wärmestrahlungsbündels eine kreisrunde Form einnimmt, und daß das
Kühlen des erwärmten Trennlinienabschnittes durch Aufblasen eines fluiden
Kühlmediums konzentrisch zum kreisrunden Brennfleck an dessen Außenrand erfolgt.
Durch diese Maßnahmen ist es auf einfache Weise möglich, Werkstückteile mit jeder
beliebigen Geometrie aus dem Quarzkristall-Material durch ein einfaches Nachfahren
entlang der Schneidkontur herauszuschneiden.
Wegen des starken lokalen Temperaturmaximus auf der Trennlinie und der unmittelbar
benachbarten konzentrischen Kühlung folgt dabei der Schnitt sehr präzise jeder
Freiform. Dabei werden saubere Trennkanten erzielt, die weder Mikrorisse noch
Ausmuschelungen enthalten.
Vorzugsweise wird bei diesem Verfahren ein Laserstrahl eingesetzt.
Bei den benötigten hohen Laserleistungen ist zu beachten, daß der Laserstrahl das
Quarzkristall-Material nicht zum Aufschmelzen bringt. Gemäß einer Weiterbildung der
Erfindung wird daher der Laserstrahl so geformt, daß der Strahlquerschnitt im
Brennfleck eine geschlossene, aber erweiterte Kreisfläche bildet, dessen Intensität
deutlich unterhalb derjenigen des stark fokussierten Laserspots liegt.
Eine weitere Möglichkeit, die punktuelle Intensität zu verringern, besteht darin, den
Laserstrahl gemäß einer anderen Weiterbildung so zu formen, daß der Strahlquerschnitt
im Brennfleck einen Kreisring bildet.
Diese Strahlquerschnitte werden vorzugsweise durch eine Scannereinrichtung erzeugt.
Auch ist der Einsatz von Lasern mit einem entsprechendem
TEM 00*- oder TEM 01*-Mode möglich, bei denen der Strahl nicht mit
nachgeschalteten optischen Mitteln, sondern bereits im Laser durch einen
entsprechenden Resonatoraufbau geformt wird.
Vorzugsweise ist der Laser ein CO2-Laser, dessen Wellenlänge dem spektraken
Absorptionsmaximum des zu schneidenden Werkstoffes Quarzkristall entspricht. Dieser
CO2-Laser emittiert Licht im fernen infraroten Bereich bei einer Wellenlänge von 10,6 µm.
Diese Wärmestrahlung zeigt erhebliche Besonderheiten bei der Wirkung auf
Materie. So wird sie von den meisten, im sichtbaren Licht transparenten Materialien
stark absorbiert.
Für das Aufblasen des fluiden Kühlmediums konzentrisch zum kreisrunden Brennfleck
wird vorzugsweise gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung eine Ringdüse mit von
oben nach unten konisch zulaufender Anströmung verwendet. Dadurch besteht auf
einfache Weise die Möglichkeit, über den Abstand - Düse zu Werkstück - die
Strömung des fluiden Kühlmediums exakt konzentrisch benachbart zum Brennfleck
einzustellen, um eine hohe thermomechanische Spannung zu erzeugen. Unter einem
fluiden Kühlmedium sollen sowohl Flüssigkeiten als auch Gase bzw. Gemische von
beiden verstanden werden.
Zur Durchführung des vorgenannten Verfahrens wird eine Vorrichtung verwendet, mit
- - einer Laserstrahlquelle zur Erzeugung eines hochenergetischen Laserstrahles und optischen Mitteln zum Führen des Laserstrahles fokussiert auf die Trennlinie ohne Aufschmelzen des Werkstoffes Quarzkristall,
- - einer Antriebsanordnung zum Erzeugen einer Relativbewegung zwischen dem fokussierten Laserstrahl und dem Werkstück Quarzkristall unter Bewegen des Laserstrahles entlang der vorgegebenen Trennlinie ohne Schnittfuge unter Induzierung einer thermomechanischen Spannung,
- - Mitteln zum Formen des Laserstrahles derart, daß der auf die Oberfläche des Werkstückes Quarzkristall schnittfugenlos als Brennfleck einwirkende Strahlquerschnitt eine kreisrunde Form annimmt, und Mitteln zum Aufblasen eines fluiden Kühlmediums konzentrisch zum kreisrunden Querschnitt des Brennfleckes an dessen Außenrand unter Erhöhung der thermomechanischen Spannung.
Dabei sind vorzugsweise die Mittel zum Formen des Laserstrahles so ausgebildet, daß
der Strahlquerschnitt im Brennfleck eine geschlossene Kreisfläche bildet, dessen
Intensität deutlich unterhalb derjenigen des stark fokussierten Laserspots liegt.
Alternativ dazu können die Mittel zum Formen des Laserstrahles so ausgebildet sein,
daß der Strahlquerschnitt im Brennfleck einen Kreisring bildet.
In beiden Fällen werden die Mittel zur Strahlformung zweckmäßig durch eine
Scannereinrichtung mit zwei senkrecht zueinander schwingenden Spiegeln gebildet.
Alternativ dazu können die Mittel zur Strahlformung auch durch einen speziellen
Resonatoraufbau der Laserstrahlquelle gebildet sein, wobei für den Fall eines
kreisflächigen Brennfleckes eine Laserstrahlquelle mit einem TEM 00*-Mode und für
den Fall eines kreisringförmigen Brennfleckes eine Laserstrahlquelle mit einem
TEM 01*-Mode vorgesehen ist.
Vorzugsweise ist im Laserstrahl im Bereich der Werkstückoberfläche eine Ringdüse
mit einer zentrischen Bohrung für den Laserstrahl vorgesehen, deren Ringraum mit
einer Quelle eines fluiden Kühlmediums strömungsmäßig verbunden ist. Dabei ist
zweckmäßig der Ringraum konisch zur Werkstückoberfläche hin zulaufend ausgebildet.
Das vorstehend beschriebene Alternativverfahren und die zugehörige Vorrichtung sind
zum Trennen von Glas in der älteren Patentanmeldung 198 30 237.1-45 beschrieben,
deren Inhalt mit zum Offenbarungsinhalt der vorliegenden Anmeldung gemacht wird.
Claims (21)
1. Verfahren zum Durchtrennen von flachen Werkstücken aus Quarzkristall
längs einer vorgegebenen Trennlinie zur Erzeugung von geschnittenen,
kantenbearbeiteten flachen Scheiben aus Quarzkristall für Schwingquarze,
mit den Schritten:
- - Erzeugen eines Wärmestrahlungsfleckes auf der Werkstückoberfläche aus Quarzkristall in Bezug auf die Trennlinie durch ein Wärmestrahlungsbündel aus einer Strahlungsquelle derart, daß das Temperaturmaximum auf der Trennlinie und unterhalb der Umwandlungstemperatur des Quarzkristall liegt,
- - Bewegen des Wärmestrahlungsfleckes relativ zum Werkstück aus Quarzkristall entlang der Trennlinie mit Induzierung einer thermomechanischen Spannung im Quarzkristall,
- - Kühlen des durch den Wärmestrahlungsfleck erwärmten Trennlinienabschnittes zur Verstärkung des thermisch induzierten Spannungsfeldes, und
- - Einstellen der Wärmezufuhr zur Trennlinie durch die Einstellung der Geometrie der Leistungsdichteverteilung im Wärmestrahlungsfleck und/oder durch die Steuerung der Strahlungsleistung der Wärmestrahlungsquelle derart, daß die maximal auftretende Temperaturbelastung des Quarzkristall im Bereich der Trennlinie auf ein Minimum reduziert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Erzeugen des Wärmestrahlungsfleckes auf der Werkstückoberfläche aus
Quarzkristall symmetrisch zur Trennlinie durch eine schnelle örtliche und
zeitliche Steuerung eines fokussierten Wärmestrahlungsbündels erfolgt, derart,
daß sein Bereich mit erhöhter Strahlungsintensität auf einer V oder U-förmigen
Kurve liegt, die sich zum vorderen Ende des Wärmestrahlungsflecks öffnet, und
bei dem das Temperaturmaximum örtlich im Scheitelpunkt der V oder U-
förmigen Kurve auf der Trennlinie und unterhalb der Schmelztemperatur des
Quarzkristall liegt, und daß das Kühlen des durch den Wärmestrahlungsfleck
erwärmten Trennlinienabschnittes zur Verstärkung des thermisch induzierten
Spannungsfeldes durch einen den Wärmestrahlungsfleck nachlaufenden Kühlspot
erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch ein Führen des
Wärmestrahlungsbündels in zwei Dimensionen ausgerichtet an der Schneidlinie
der vorgegebenen Kontur durch Scannen unter Erzeugung eines langgestreckten
Wärmestrahlungsfleckes entlang der Richtung der Trennlinie.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der
Wärmestrahlungsfleck durch Scannen eines Laserstrahls erzeugt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, gekennzeichnet durch ein
Anpassen des Profils des Wärmestrahlungsbündels bei Kurvenschnitten an die
Kurvenform der Trennlinie.
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 zur
Erzeugung von geschnittenen, kantenbearbeiteten flachen Scheiben aus
Quarzkristall für Schwingquarze, mit:
- - einer optischen Einrichtung, die eine Wärmestrahlungsquelle, insbesondere einen Laser, und mindestens eine optische Komponente umfaßt zur Erzeugung eines Wärmestrahlungsfleckes in Bezug auf die Trennlinie, derart, daß das Temperaturmaximum auf der Trennlinie und unterhalb der Umwandlungstemperatur des Quarzkristall liegt,
- - einer Einrichtung zum Bewegen des Wärmestrahlungsflecks längs der Trennlinie relativ zum Werkstück aus Quarzkristall,
- - einer Kühleinrichtung zum Kühlen des bestrahlten Trennlinienabschnitts, und
- - einer Einrichtung zum Einstellen der Wärmezufuhr zur Trennlinie durch die Einstellung der Leistungsdichteverteilung im Wärmestrahlungsfleck und/oder durch die Steuerung der Strahlungsleistung der Wärmestrahlungsquelle, derart, daß die maximal auftretende Temperaturbelastung des Quarzkristall im Bereich der Trennlinie auf ein Minimum reduziert wird.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6 zur Durchführung der Verfahren nach einem der
Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die optische Einrichtung zur
Erzeugung eines zur Trennlinie symmetrischen Wärmestrahlungsfleck durch
eine schnelle zeitliche und örtliche Steuerung des aus der
Wärmestrahlungsquelle austretenden Wärmestrahlungsbündels ausgebildet ist,
derart, daß der Randbereich des Wärmestrahlungsfleckes mit erhöhter
Strahlungsintensität auf einer V oder U-förmigen Kurve liegt, die sich zum
vorderen Ende des Wärmestrahlungsflecks öffnet, wobei das
Temperaturmaximum örtlich im Scheitelpunkt der V oder U-förmigen Kurve
auf der Trennlinie liegt, und die Kühleinrichtung zum Kühlen des bestrahlten
Trennlinienabschnitts so ausgebildet ist, daß sie einen den Wärmestrahlungsfleck
nachlaufenden Kühlspot erzeugt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die optische
Einrichtung zwei senkrecht zueinander angeordnete vermittels
Antriebseinrichtungen oszillierende, synchronisierte Spiegel aufweist, die einen
Laserstrahl auf die Oberfläche des Werkstücks aus Quarzkristall derart lenken,
daß er dort die V oder U-förmige Kurve beschreibt.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
Antriebseinrichtungen der beiden oszillierenden Spiegel an eine gemeinsame
Steuer- und Regeleinrichtung angeschlossen sind.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, gekennzeichnet durch
Steuerungsmittel zum Anpassen des Profils des Wärmestrahlungsbündels bei
Kurvenschnitten an die Kurvenform der Trennlinie.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerung
der Oszillierbewegung der Spiegel mit einer Bahnsteuerung mittels einer
übergeordneten Steuerstufe gekoppelt ist.
12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Erzeugen des
Wärmestrahlungsfleckes auf der Werkstückoberfläche derart erfolgt, daß der auf
die Trennlinie einwirkende Querschnitt des Wärmestrahlungsbündels eine
kreisrunde Form einnimmt, und daß das Kühlen des erwärmten
Trennilinienabschnittes durch Aufblasen eines fluiden Kühlmediums konzentrisch
zum kreisrunden Brennfleck an dessen Außenrand erfolgt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der
Strahlquerschnitt im Brennfleck eine geschlossene Kreisfläche bildet, dessen
Intensität deutlich unterhalb derjenigen eines stark fokussierten
Wärmestrahlungsspots liegt.
14. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der
Strahlquerschnitt im Brennfleck einen Kreisring bildet.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß
als Wärmestrahl der Strahl eines Lasers, vorzugsweise eines CO2-Lasers
eingesetzt wird, dessen Wellenlänge dem spektralen Absorptionsmaximum des
zu schneidenden Werkstoffes entspricht.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß
das fluide Kühlmedium kegelförmig von oben nach unten auf das Werkstück
aufgeblasen wird.
17. Vorrichtung zum Durchführen der Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis
16, mit:
einer Laserstrahlquelle zur Erzeugung eines hochenergetischen Laserstrahles und optischen Mitteln zum Führen des Laserstrahles fokussiert auf die Trennlinie ohne Aufschmelzen des Werkstoffes Quarzkristall,
einer Antriebsanordnung zum Erzeugen einer Relativbewegung zwischen dem fokussierten Laserstrahl und dem Werkstück Quarzkristall unter Bewegen des Laserstrahles entlang der vorgegebenen Trennlinie ohne Schnittfuge unter Induzierung einer thermomechanischen Spannung,
Mitteln zum Formen des Laserstrahles derart, daß der auf die Oberfläche des Werkstückes Quarzkristall schnittfugenlos als Brennfleck einwirkende Strahlquerschnitt eine kreisrunde Form annimmt, und
Mitteln zum Aufblasen eines fluiden Kühlmediums konzentrisch zum kreisrunden Querschnitt des Brennfleckes an dessen Außenrand unter Erhöhung der thermomechanischen Spannung.
einer Laserstrahlquelle zur Erzeugung eines hochenergetischen Laserstrahles und optischen Mitteln zum Führen des Laserstrahles fokussiert auf die Trennlinie ohne Aufschmelzen des Werkstoffes Quarzkristall,
einer Antriebsanordnung zum Erzeugen einer Relativbewegung zwischen dem fokussierten Laserstrahl und dem Werkstück Quarzkristall unter Bewegen des Laserstrahles entlang der vorgegebenen Trennlinie ohne Schnittfuge unter Induzierung einer thermomechanischen Spannung,
Mitteln zum Formen des Laserstrahles derart, daß der auf die Oberfläche des Werkstückes Quarzkristall schnittfugenlos als Brennfleck einwirkende Strahlquerschnitt eine kreisrunde Form annimmt, und
Mitteln zum Aufblasen eines fluiden Kühlmediums konzentrisch zum kreisrunden Querschnitt des Brennfleckes an dessen Außenrand unter Erhöhung der thermomechanischen Spannung.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur
Strahlformung durch eine Scannereinrichtung mit zwei senkrecht zueinander
schwingenden Spiegeln gebildet sind.
19. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur
Strahlformung durch einen speziellen Resonatoraufbau der Laserstrahlquelle
gebildet sind.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet,
daß im Laserstrahl im Bereich der Werkstückoberfläche eine Ringdüse mit einer
zentrischen Bohrung für den Laserstrahl vorgesehen ist, deren Ringraum mit
einer Quelle eines fluiden Kühlmediums strömungsmäßig verbunden ist.
21. Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Ringraum
konisch zur Werkstückoberfläche hin zulaufend ausgebildet ist.
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