DE10060886C2 - Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten nicht ebener Flächen von Gegenständen mit einem Diamantfilm - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten nicht ebener Flächen von Gegenständen mit einem Diamantfilm

Info

Publication number
DE10060886C2
DE10060886C2 DE10060886A DE10060886A DE10060886C2 DE 10060886 C2 DE10060886 C2 DE 10060886C2 DE 10060886 A DE10060886 A DE 10060886A DE 10060886 A DE10060886 A DE 10060886A DE 10060886 C2 DE10060886 C2 DE 10060886C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
carrier
plasma jet
deflection
axis
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE10060886A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10060886A1 (de
Inventor
Henry Windischmann
Cecil B Jun Shepard
Donald O Jun Patten
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc
Original Assignee
Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc filed Critical Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc
Publication of DE10060886A1 publication Critical patent/DE10060886A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10060886C2 publication Critical patent/DE10060886C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/276—Diamond only using plasma jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T50/00—Aeronautics or air transport
    • Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ablagerung von Diamantbeschichtungen auf Oberflächen. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Aufbringen eines Diamantfilms auf eine nicht ebene Oberfläche.
Die Eignung von qualitativ hochwertigen Diamantfilmen für verschiedene Anwendungen ist bekannt. Hervorragende physikalische, chemische und elektrische Eigenschaften machen Diamantfilme geeignet für viele mechanische, thermische, optische und elektronische Anwendungen. Beispielsweise weist Diamant die höchste Wärmeleitfähigkeit aller Materialien bei Raumtemperatur auf, eine hohe Durchbruchspannung eines elektrischen Felds (~107 V/cm), und eine an Luft stabile, negative Elektronenaffinität. Diese Eigenschaften machen hochfrequente Hochleistungstransistoren sowie Kaltkathoden möglich, welche mit keinem anderen Material außer Diamant hergestellt werden können. Darüber hinaus macht die Ätzbeständigkeit von Diamantbeschichtungen diese Beschichtungen zu idealen Bestandteilen von Halbleiterätzvorrichtungen.
Ein bekanntes Verfahren zur Herstellung von dünnen Diamantbeschichtungen verwendet eine Vorrichtung zum chemischen Aufdampfen (chemical vapor deposition (CVD) system, nachfolgend "CVD-Vorrichtung" genannt). In CVD-Vorrichtungen wird ein Gemisch aus Wasserstoff und einem gasförmigen Kohlenwasserstoff, wie beispielsweise Methan, aktiviert und mit einem Substrat (Gegenstand) in Kontakt gebracht, um auf dem Substrat eine Diamantbeschichtung herzustellen. Das Wasserstoffgas wird in atomaren Wasserstoff zerlegt, welcher dann mit dem Kohlenwasserstoff umgesetzt wird, um kondensierbare Kohlenstoffradikale zu bilden. Die Kohlenstoffradikale werden dann zur Bildung eines Diamantfilms auf einem Substrat abgelagert.
Bei einer Möglichkeit der chemischen Aufdampfung wird eine Plasmastrahleinrichtung verwendet. In Fig. 1, welche eine Vorrichtung nach dem Stand der Technik darstellt, ist eine Plasmastrahleinrichtung 10 gezeigt, die eine Maschine 12 mit einem Wasserstoffgaseinlaß 14, einer Kathode 16, einer Motorwand 18 und einer Anode 20 aufweist. Die Einrichtung 10 weist des weiteren eine Gasinjektionsscheibe 22 mit einer Mehrzahl von Injektoren 24, einen Verteilerkopf (Düse) 26, welcher in Richtung auf einen Träger 28 ausgerichtet ist, auf welchem ein Substrat angeordnet sein kann, sowie eine Vakuumablagerungskammer 32 auf, welche die Maschine 12, die Gasinjektionsscheibe 22, den Verteilerkopf 26 und den Träger 28 umgibt. In Betrieb wird das Gas aus atomarem Wasserstoff durch den Gaseinlaß 14 eingeführt und in der Maschine mittels eines Gleichstrombogens, eines Wechselstrombogens oder Mikrowellenenergie in einen Wasserstoffplasmastrahl umgewandelt. Der Plasmabrenner ist heiß genug (üblicherweise etwa 10.000 K) um Gase zu ihrer elementaren Form zu reduzieren. Aus den Injektoren 24 der Gasinjektorscheibe 22 werden dann Kohlenwasserstoffreagenzien in den Plasmabrenner eingeführt, und der Brenner wird in den Verteilerkopf 26 gerichtet, so daß ein Strahl kondensierbarer Reagentien den Verteilerkopf verläßt und auf das Substrat 30 auf dem Träger 28 gerichtet wird. Der Träger 28 ist senkrecht zum Verteilerkopf 26 ausgerichtet, so daß der Strahl in Art einer Sichtlinie auf das Substrat 30 gerichtet und auf dem Substrat eine Diamantschicht ausgebildet wird.
Zur Beschichtung ebener Flächen (Oberflächen) von Gegenständen (Objekten), die größer als der Strahl sind, und auch zur Erlangung einer einheitlichen Beschichtung sowie zur Eliminierung von "heißen Flecken" (hot spots), welche die Qualität der Beschichtung durch die Ausbildung von Temperaturgradienten reduzieren können, kann es von Vorteil sein, den Gegenstand unter dem Verteilerkopf rotieren zu lassen, wie im US-Patent 5,342,660 beschrieben und in Fig. 1 gezeigt.
Aus EP 0 502 657 A1 ist eine Vorrichtung zur Plasmastrahl-CVD-Beschichtung bekannt, in der das zu beschichtende Substrat rotierbar und gegenüber der Strahlenachse geneigt in der Reaktionskammer gelagert ist.
Aus DE 198 02 298 A1 ist ein PLS-Verfahren (Pulsed Laser Deposition) zur Beschichtung von Innenwänden von Hohlkörpern mit Metall-, Keramik- und oder Metall/Keramikschichten, insbesondere ZrO2-Schichten, bekannt. Dazu wird ein Target aus ZrO2 mit einem Festkörper- CO2-TEA oder einem Eximer-Laser in einer definierten Pulsfolge beschossen, wodurch eine von dem Target ausgehende Plasmafackel erzeugt wird, aus der sich das Beschichtungsmaterial auf dem zu beschichtenden Substrat abscheidet. Durch Steuerung der Restgasatmosphäre in der Reaktionskammer, Laserimpulsdauer und -intensität können gradierte Schichtsysteme auf der Substartoberfläche erzeugt werden.
Ein ähnliches PLD-Verfahren ist aus DE 43 39 490 C1 bekannt, mit dem ebenfalls die Innenwände von Hohlkörpern beschichtet werden können. Dabei wird im Inneren des zu beschichtenden Hohlkörpers ein Target aus dem abzuscheidenden Material bereitgestellt und mit einem fokussierten Impulslaser beschossen. Um die Hauptaustrittrichtung der von dem Target ausgehenden Plasmafackel auf die zu beschichtende Oberfläche auszurichten, ist die Targetspitze, die mit dem Laser beschossen wird, geometrisch entsprechend geformt.
Wenn jedoch eine nicht ebene Fläche oder Oberfläche zu beschichten ist, wie beispielsweise die innere Oberfläche eines Gegenstands wie eines Rings oder einer Schüssel, insbesondere wenn der innere Durchmesser in Richtung weg vom Strahl größer wird, macht es die Sichtliniennatur des Strahls schwierig, eine einheitliche Beschichtung zu erzielen bzw. in einigen Bereichen überhaupt eine Beschichtung zu erreichen. Obwohl es üblicherweise bevorzugt ist, einen Gegenstand rotieren zu lassen, um eine einheitliche Beschichtung zu erreichen und Temperaturgradienten zu minimieren, kann es unpraktisch oder unmöglich sein, innerhalb der Begrenzungen der Kammer Gegenstände rotieren zu lassen, welche relativ groß, länglich, komplex und/oder unhandlich (d. h. einen außerhalb der Achse liegenden Schwerpunkt aufweisend) sind. Darüber hinaus könnte es, selbst wenn es möglich wäre große, längliche, komplexe und/oder unhandliche Gegenstände innerhalb der Kammer rotieren zu lassen oder anderweitig zu bewegen, nicht durchführbar oder nicht praktisch anwendbar sein, dies mit einer Geschwindigkeit zu tun, welche den Temperaturgradienten, welchem die Oberfläche eines Gegenstands ausgesetzt wäre, minimieren würde.
Aus den vorgenannten Gründen wird eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ablagerung von Diamantbeschichtungen auf nicht ebenen Flächen bzw. Oberflächen benötigt, bei denen die Beschichtung in im wesentlichen gleichmäßiger Dicke unter Minimierung des Temperaturgradienten erfolgt.
Diese Aufgabe löst die Erfindung durch die Vorrichtung gemäß des unabhängigen Patentanspruchs 1 sowie das Verfahren gemäß des unabhängigen Patentanspruchs 16. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Aspekte und Details der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen, der Beschreibung und der Zeichnung.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine neue Vorrichtung und ein neues Verfahren zum Aufbringen einer CVD-Diamantbeschichtung auf nicht ebenen Flächen und Oberflächen eines Gegenstands (Objekts). Die Vorrichtung weist eine Ablenkeinrichtung mit einer Ablenkoberfläche auf, welche einer Diamantbeschichtung widersteht, eine herkömmliche Plasmastrahlmaschine, eine Injektionsscheibe, einen Verteilerkopf und einen Träger, auf welchem ein Gegenstand (Substrat, Objekt) abgelagert werden kann. Mindestens der Auslaß des Verteilerkopfes und der Träger sind innerhalb einer Vakuumablagerungskammer angeordnet.
Gemäß mehrerer Ausführungsformen der Erfindung, welche besonders für die Beschichtung von Innendurchmessern (Innenflächen) von Gegenständen geeignet sind, widersteht die Ablenkoberfläche der Diamantbeschichtung durch diamantbildende, reaktive Reagentien und sie kann sich den relativ hohen Ablagerungstemperaturen widersetzen. Die Ablenkeinrichtung ist im wesentlichen axial relativ zur Achse des Verteilerkopfes angeordnet, und dadurch relativ zur Achse des Strahls, der den Verteilerkopf verläßt. Die Ablenkeinrichtung ist vorzugsweise keilförmig oder konisch ausgebildet und mit einem Motor verbunden, welcher die Ablenkeinrichtung mit einer relativ hohen Geschwindigkeit drehen kann. Der Träger kann teilweise oder ganz um die Ablenkeinrichtung herum angeordnet sein. Die Ablenkeinrichtung ist in Bezug auf den Verteilerkopf und den Träger so ausgerichtet, daß der den Verteilerkopf verlassende Strahl durch die Ablenkeinrichtung auf die äußere oder innere Oberfläche eines auf dem Träger angeordneten Gegenstands abgelenkt wird. Die Oberfläche des Gegenstands kann nicht eben sein.
Gemäß einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform, welche besonders für die Beschichtung der Außendurchmesseroberfläche (Außenoberfläche) eines ringförmigen Gegenstands oder der äußeren Begrenzung eines nicht kreisförmigen Gegenstands geeignet ist, kann ein drehbarer Träger einen Gegenstand nichtaxial in Bezug auf den aus dem Verteilerkopf kommenden Strahl drehen. Eine vorzugsweise stationäre Ablenkeinrichtung ist unterhalb des Verteilerkopfes angeordnet und so ausgerichtet, daß der Strahl aus dem Verteilerkopf in Richtung auf den Gegenstand mit nicht ebener Fläche (Oberfläche) abgelenkt wird. Wenn der Gegenstand auf dem Träger gedreht wird, wird der äußere Durchmesser-(die äußere Fläche) oder der äußere Begrenzungsabschnitt durch den Strahl mit einer Diamantschicht beschichtet.
Die vielen erfindungsgemäßen Ausführungsformen stellen Vorrichtungen zur Verfügung, um nicht ebene Flächen bzw. Oberflächen mit Diamantfilmen zu beschichten. Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich für den Fachmann aus der detailierten Beschreibung in Zusammenhang mit den gezeigten Figuren.
Es zeigen
Fig. 1 eine teilweise Schnittansicht einer bekannten Plasmastrahlbedampfungsvorrichtung;
Fig. 2 eine aufgebrochene, teilweise Schnittansicht einer ersten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung mit einer ersten Ausführungsform einer keilförmigen Ablenkeinrichtung, welche reaktive, kondensierbare, aus dem Verteilerkopf der Vorrichtung austretenede Reagentien auf nicht ebene Oberflächen leitet, um darauf eine Diamantschicht auszubilden;
Fig. 3 eine Vorderansicht einer ersten Ausführungsform der Ablenkeinrichtung der ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 4 eine Seitenansicht der ersten Ausführungsform der Ablenkrichtung der ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 5 eine Vorderansicht einer zweiten Ausführungsform der Ablenkeinrichtung der ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 6 eine Seitenansicht der zweiten Ausführungsform der Ablenkeinrichtung;
Fig. 7 eine Seitenansicht einer dritten Ausführungsform der Ablenkeinrichtung;
Fig. 8 eine Seitenansicht einer vierten Ausführungsform der Ablenkeinrichtung;
Fig. 9 eine aufgebrochene, teilweise Schnittansicht einer zweiten Ausführungsform der Plasmastrahlbedampfungsvorrichtung, welche eine konische Ablenkeinrichtung verwendet;
Fig. 10 eine Ansicht von oben der Ablenkeinrichtung der zweiten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 11 eine Seitenansicht einer alternativen konischen Ablenkeinrichtung;
Fig. 12 eine Seitenansicht einer weiteren, alternativen konischen Ablenkeinrichtung; und
Fig. 13 eine aufgebrochene, teilweise Schnittansicht einer dritten Ausführungsform einer Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung mit einer Ablenkeinrichtung, welche reaktive, kondensierbare, aus dem Verteilerkopf der Vorrichtung austretende Reagentien auf nicht ebene Oberflächen leitet, um darauf eine Diamantschicht auszubilden.
In den Fig. 2 und 3 ist eine Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung 100 für die Diamantbeschichtung nicht ebener Oberflächen von Gegenständen gezeigt. Die Vorrichtung weist im wesentlichen alle Bestandteile auf, die in Bezug auf die den Stand der Technik beschreibende Fig. 1 gezeigt sind, obwohl nicht alle diese Bestandteile gezeigt werden. Die Vorrichtung 100 weist insbesondere einer Verteilerkopf 102 sowie einen Träger 104 in einer Bedampfungskammer 106 auf. Der Träger 104 ist vorzugsweise mit einem stationären Element (beispielsweise einem Motorgehäuse 114, nachfolgend beschrieben) innerhalb der Kammer 106 verbunden.
Gemäß eines bevorzugten Aspekts der Erfindung ist eine Ablenkeinrichtung 120 axial in Bezug auf den Verteilerkopf 102 und zentral in Bezug auf einen Teil des Trägers 104 angeordnet, so daß ein sich auf dem Träger 104 befindlicher Gegenstand 108 mit nicht ebener Oberfläche 110 mit dieser nicht ebenen Oberfläche zumindest teilweise die Ablenkeinrichtung 120 umgibt. Die Ablenkeinrichtung 120 ist innerhalb des Motorgehäuses 114 mit einem Motor 112 verbunden. Der Motor 112 ist so konfiguriert, daß er die Ablenkeinrichtung um eine Achse Aj eines den Verteilerkopf verlassenden Strahls dreht. Die Ablenkeinrichtung 120 weist eine Ablenkfläche 122 auf, welche den Strahl radial ablenkt. Die Ablenkfläche 122 muß der Bildung einer Diamantschicht durch die reaktiven Agentien aus dem Strahl widerstehen und muß darüber hinaus die hohen Aufdampftemperaturen von bis zu 750°C und höher aushalten. Beispiele für geeignete Materialien für die Ablenkfläche sind Kupfer, Aluminium, kupferbeschichtetes Molybdän, Nickel, Titannitrid und Zirkoniumnitrid, obwohl auch andere geeignete Materialien verwendet werden können. Diese Materialien können im wesentlichen die gesamte Ablenkeinrichtung ausmachen oder sie können auf ein dazu verschiedenes, feuerfestes Trägermaterial, wie beispielsweise Graphit, aufgebracht sein, um die Ablenkeinrichtung zu bilden.
Gemäß einer in den Fig. 2 bis 4 gezeigten ersten Ausführungsform der Ablenkeinrichtung 120 ist diese ein zylindrischer oder rechteckiger Keil mit einer geneigten, im wesentlichen ebenen Ablenkfläche 122. Der Neigungswinkel der Fläche 122 der ausgewählten Ablenkeinrichtung wird vorzugsweise so gewählt, daß die reaktiven Reagentien am geeignetsten in Richtung der zu beschichtenden Oberflächenkontur geführt werden. Dies heißt, daß wenn eine vertikale Wand eines Innendurchmessers eines Rings beschichtet wird, die gewünschte Neigung verschieden ist von der, die bei der Beschichtung einer sich verjüngenden Wand eines Innendurchmessers eines Rings verwendet wird. Die Ablenkfläche 122 kann den Reagentienstrahl in radialer Richtung in Bezug auf die Achse des den Verteilerkopf verlassenden Strahls ablenken. Wenn sich die Ablenkeinrichtung 120 dreht, wird der Strahl in alle radialen Richtungen geleitet.
Die keilförmige Ablenkeinrichtung kann alternativ eine gekrümmte Ablenkfläche aufweisen. Wie in den Fig. 5 und 6 gezeigt, weist eine Ablenkeinrichtung 120a eine "horizontal" (von Seite zu Seite) konkave Fläche 122a auf, welche durch eine Vielzahl von horizontal angeordneten Bögen definiert wird. In Fig. 7 ist gezeigt, daß eine Ablenkeinrichtung 120b auch eine "vertikal" (von der Spitze zum Boden) konkave Fläche 122b aufweisen kann, welche durch eine Vielzahl vertikal angeordneten Bögen definiert wird. Wie des weiteren in Fig. 8 gezeigt wird, kann eine Ablenkeinrichtung 120c auch eine konvexe Ablenkfläche 122c aufweisen.
Für Fachleute ist es klar, daß die speziell bevorzugte Form der Ablenkfläche von der von der mit einem Diamantfilm zu beschichtenden Oberflächenform abhängt. Es kann auch eine Computersimulation verwendet werden, um die Ablenkeinrichtung zu konstruieren und anzuordnen, und um die Geschwindigkeit des Plasmas, die Verteilung des Plasmas, und die Form und Anordnung des Substrats etc. zu bestimmen.
Wie in den Fig. 9 und 10 gezeigt, ist gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung die Ablenkeinrichtung im wesentlichen konisch, d. h. sie weist einen axial zentral höchsten Punkt (Zenit) 224 und an allen Seiten 226 davon eine Abwärtsneigung auf. Der Zenit 224 ist im wesentlichen colinear mit der Achse Aj des den Verteilerkopf verlassenden Strahls angeordnet. Wenn der Strahl den Verteilerkopf 202 verläßt, wird der Strahl von den Seiten 226 radial in alle Richtungen auf die nicht ebene Oberfläche 210 des Gegenstands 208 abgelenkt. Wenn dies erwünscht ist, kann die Ablenkeinrichtung 220 gedreht werden, um jegliche Unregelmäßigkeit bei der Beschichtung zu vermeiden, welche durch eine nicht fluchtende Ausrichtung der Ablenkeinrichtung relativ zur Achse Aj des Strahls verursacht werden könnte. Darüber hinaus erlaubt die Drehung der Ablenkeinrichtung eine Herstellung mit geringeren Fertigungstoleranzen.
Wie in den Fig. 11 und 12 gezeigt, kann die konische Ablenkeinrichtung alternativ auch konkave Seiten 226b oder konvexe Seiten 226c aufweisen. Wie bereits erwähnt, hängt die im speziellen Fall bevorzugte Form der Seiten der Ablenkfläche von der Konfiguration der mit Diamant zu beschichtenden Oberfläche ab.
Im Hinblick auf die erste und die zweite Ausführungsform der Erfindung ist es klar, daß, während es bevorzugt ist, die Ablenkeinrichtung mittels eines Motors relativ zum Träger, auf dem sich der Gegenstand befindet, zu bewegen, auch der Träger alternativ oder zusätzlich relativ zur Ablenkeinrichtung gedreht werden kann. Dies bedeutet, daß der Träger um eine stationäre Ablenkeinrichtung herum gedreht werden kann, oder in einer entgegengesetzten Richtung zu einer sich drehenden Ablenkeinrichtung. Darüber hinaus können, obwohl nicht besonders bevorzugt, sowohl die Ablenkeinrichtung als auch der Träger mit verschiedenen Geschwindigkeiten in die selbe Richtung gedreht werden, so daß die Ablenkeinrichtung und der Träger relativ zueinander gedreht werden. In jedem Fall ist die Gleichmäßigkeit der Beschichtung gewährleistet und Temperaturgradienten werden minimiert.
Bei der in Fig. 13 gezeigten dritten Ausführungsform der Erfindung weist die Vorrichtung 300 einen drehbaren Träger 304 auf, auf welcher ein Gegenstand 308 so angeordnet sein kann, daß eine äußere, nicht ebene Oberfläche 309 des Gegenstands, wie beispielsweise eine Außenoberfläche, beschichtet werden kann. Der Träger dreht sich um eine Achse Am, welche üblicherweise parallel zu, aber nicht colinear mit der Achse Aj des Strahls ist. Eine vorzugsweise keilförmige Ablenkeinrichtung 320 ist stationär unter dem Verteilerkopf 302 angeordnet und weist eine Ablenkfläche 322 auf, welche von der Strahlachse Aj gekreuzt wird. Da der Strahl von dem Verteilerkopf durch die Ablenkeinrichtung 320 (aufgrund von Fluidfließeigenschaften) abgelenkt wird, und nachdem der Gegenstand auf dem Träger gedreht wird, wird auf der äußeren, nicht ebenen Oberfläche des Gegenstands eine Diamantschicht aufgebracht.
Es kann des weiteren eine ähnliche Vorrichtung mit mehreren (beispielsweise vier) sich drehenden Trägern, auf denen sich jeweils ein Gegenstand befindet, und einer zentralen, vorzugsweise sich drehenden Ablenkeinrichtung verwendet werden. Eine solche Vorrichtung würde die Verwendung eines einzigen Verteilerkopfes für die gleichzeitige Beschichtung der äußeren Oberflächen mehrerer Gegenstände mit Diamant erlauben.
Während bestimmte Materialien für die Ablenkeinrichtung und die Ablenkfläche beschrieben wurden ist klar, daß ebenso andere geeignete Materialien verwendet werden können. Generell gesprochen sind die geeignetsten Materialien für die Ablenkeinrichtung diejenigen, welche keine Carbide bilden. Ob sich Diamant auf dem Material für die Ablenkeinrichtung ablagert, hängt zum Teil von der Temperatur der Ablenkeinrichtung ab. Der Plasmastrahl kann die Oberfläche der Ablenkeinrichtung erheblich erwärmen. Daher kann es, in Abhängigkeit von der Enthalpie und Größe des Plasmastrahls, von Vorteil sein, wenn die Ablenkeinrichtung aktiv gekühlt wird, beispielsweise indem über die Befestigungseinrichtung eine Kühlflüssigkeit im Innern der Ablenkeinrichtung zirkuliert oder indem wärmeabstrahlende Kühlrippen angebracht werden, um die Kühlung durch Abstrahlung zu verbessern.
Während bestimmte Formen von Ablenkeinrichtungen beschrieben worden sind ist klar, daß andere Formen von Ablenkeinrichtungen, beispielsweise pyramidale Formen, ebenfalls verwendet werden können. Die Ablenkeinrichtung kann auch in der Form eines flachen oder geformten Blattes eines Materials anstelle einer größeren festen Form ausgebildet sein. Die Ablenkeinrichtung kann auch zusammen mit dem geneigten Träger verwendet werden, der aus dem US Patent 5,342,660, welches hiermit in seiner Gesamtheit in die vorliegende Anmeldung mit einbezogen wird, bekannt ist, oder einem ähnlichen geneigten Träger. Während des weiteren die Ablenkeinrichtung ohne direkte Befestigung am Verteilerkopf gezeigt wird, ist es klar, daß eine sich drehende oder stationäre Ablenkeinrichtung direkt am Verteilerkopf befestigt sein kann. Ferner ist klar, daß obwohl ein Motor gezeigt ist, welcher die Ablenkeinrichtung dreht, auch andere Mittel, wie beispielsweise Maschinen oder Gurtsysteme, verwendet werden können. Schließlich ist es klar, daß, obwohl gezeigt wurde, daß die inneren oder äußeren Durchmesserabschnitte von ringförmigen Elementen mit Diamant beschichtet wurden, jedes Element, welches eine nicht ebene Oberfläche aufweist, wie beispielsweise die verengte Öffnung eines schüsselförmigen Elements, mit dem beschriebenen System und in der beschriebenen Art und Weise mit Diamant beschichtet werden kann.

Claims (23)

1. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung zur Ablagerung einer Diamantschicht auf der Oberfläche eines Gegenstandes (108; 208; 308), mit den folgenden Elementen:
  • a) einer Plasmastrahlvorrichtung (100; 300) mit einem Mittel zur Erzeugung eines Plasmastrahls sowie einem Verteilerkopf (102; 202; 302), durch welchen der Plasmastrahl austritt, wobei der Verteilerkopf (102; 202; 302) eine Strahlachse Aj definiert;
  • b) einem Träger (104; 304), der eine Ebene definiert, auf welcher der Gegenstand (108; 208; 308) positionierbar ist;
  • c) einer Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) mit einer Ablenkfläche (122; 322), welche in Bezug auf sowohl die Strahlachse Aj als auch die Ebene einen Winkel aufweist; und
  • d) einer Ablagerungskammer, welche zumindest einen Teil des Verteilerkopfes (102; 202; 302), des Trägers (104; 304) und der Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) umgibt.
2. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach Anspruch 1, welche weiterhin aufweist:
  • a) Mittel zum Drehen der Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) im wesentlichen um die Strahlachse Aj.
3. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) im allgemeinen keilförmig oder im allgemeinen konisch ausgebildet ist.
4. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) wenigstens Graphit, Kupfer, Aluminium, Titannitrid oder Zirkonnitrid enthält.
5. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ablenkfläche (122; 322) der Beschichtung mit Diamant widersteht.
6. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Ablenkfläche (122; 322) eben ist.
7. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Ablenkfläche (122; 322) im wesentlichen konisch ist.
8. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Ablenkfläche (122; 322) konvex oder konkav ist.
9. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Strahlachse die Ablenkfläche (122; 322) schneidet.
10. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (104; 304) eine Trägerachse Am aufweist, um welche sich der Träger (104; 304) dreht, die Trägerachse Am senkrecht auf der Ebene steht, und die Trägerachse Am und die Strahlachse Aj parallel zueinander sind, aber die Strahlachse Aj nicht colinear mit der Trägerachse Am ist.
11. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiterhin aufweisend:
  • a) Mittel zum Drehen des Trägers (104; 304) um die Trägerachse Am.
12. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei wenigstens die Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) oder der Träger (104; 304) relativ zueinander drehbar sind.
13. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit
  • a) einem Gegenstand (108; 208; 308), welcher eine nicht ebene Oberfläche aufweist, wobei die Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) so angeordnet ist, daß diese den Plasmastrahl auf die nicht ebene Oberfläche lenkt.
14. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der Gegenstand (108; 208; 308) die Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) zumindest teilweise umgibt.
15. Plasmastrahl-CVD-Vorrichtung nach Anspruch 14, wobei der Gegenstand (108; 208; 308) 360° um die Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) herum angeordnet ist.
16. Verfahren zum Aufbringen einer Diamantschicht auf einer nicht ebenen Oberfläche eines Gegenstands (108; 208; 308), mit den folgenden Schritten:
  • a) Zurverfügungstellen einer CVD Plasmastrahlvorrichtung (100; 300), welche Mittel zur Erzeugung eines Plasmastrahls aufweist, der geeignet ist, einen Diamantfilm herzustellen, einen Verteilerkopf (102; 202; 302), durch welchen der Plasmastrahl aus dem Mittel zur Erzeugung eines Plasmastrahls austritt, einen Träger (104; 304), auf welcher der Gegenstand (108; 208; 308) angeordnet werden kann, eine Ablenkeinrichtung (120; 220; 320), welche eine Ablenkfläche (122; 322) aufweist, die so ausgestaltet und angeordnet ist, daß der Plasmastrahl auf die nicht ebene Oberfläche des Gegenstands (108; 208; 308) abgelenkt wird, sowie einer Vakuumkammer, die zumindest einen Teil des Verteilerkopfes (102; 202; 302), des Trägers (104; 304) und der Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) umgibt;
  • b) Anordnen des Gegenstand (108; 208; 308) auf dem Träger (104; 304); und
  • c) Betreiben der CVD Plasmastrahlvorrichtung (100; 300) in der Weise, daß der Plasmastrahl aus dem Verteilerkopf (102; 202; 302) austritt und durch die Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) in Richtung auf die nicht ebene Oberfläche des Gegenstands (108; 208; 308) derart abgelenkt wird, daß sich auf der nicht ebenen Oberfläche des Gegenstands (108; 208; 308) eine Diamantschicht ausbildet.
17. Verfahren nach Anspruch 16, mit dem weiteren Schritt:
  • a) Drehen zumindest der Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) oder des Trägers (104; 304) relativ zueinander.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 oder 17, wobei der Plasmastrahl in Schritt c) durch eine im allgemeinen keilförmig oder im allgemeinen konisch ausgebildete Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) abgelenkt wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei eine Ablenkeinrichtung (120; 220; 320) verwendet wird, die zumindest Graphit, Kupfer, Aluminium, Titannitrid oder Zirkoniumnitrid enthält.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei eine Ablenkeinrichtung (120, 220, 320) verwendet wird, deren Ablenkfläche (122; 322) der Beschichtung mit Diamant widersteht.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20, wobei der Verteilerkopf (102; 202; 302) eine Achse aufweist, der Träger (104; 304) eine Ebene definiert, auf welcher der Gegenstand (108; 208; 308) angeordnet ist, und die Ablenkfläche (122; 322) im Winkel sowohl zu der Achse als auch der Ebene angeordnet wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 21, wobei die Ablenkfläche derart angeordnet wird, dass die durch den Verteilerkopf (102; 202; 302) definierte Strahlachse Aj die Ablenkfläche (122; 322) schneidet.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 22, wobei der Träger (104; 304) eine Trägerachse Am aufweist und der Träger (104; 304) und der Verteilerkopf (102; 202; 302) so angeordnet werden, dass die Trägerachse Am im wesentlichen parallel zu, aber nicht colinear mit der Strahlachse Aj ist.
DE10060886A 1999-12-10 2000-12-07 Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten nicht ebener Flächen von Gegenständen mit einem Diamantfilm Expired - Fee Related DE10060886C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/460,337 US6499426B1 (en) 1999-12-10 1999-12-10 System and method for coating non-planar surfaces of objects with diamond film

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10060886A1 DE10060886A1 (de) 2001-07-05
DE10060886C2 true DE10060886C2 (de) 2003-01-30

Family

ID=23828302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10060886A Expired - Fee Related DE10060886C2 (de) 1999-12-10 2000-12-07 Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten nicht ebener Flächen von Gegenständen mit einem Diamantfilm

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6499426B1 (de)
JP (1) JP3479276B2 (de)
CA (1) CA2323824A1 (de)
DE (1) DE10060886C2 (de)
FR (1) FR2802129A1 (de)
GB (1) GB2357090B (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1315150C (zh) * 2004-11-12 2007-05-09 哈尔滨工业大学 等离子体脉冲注入的装置
US7563725B2 (en) * 2007-04-05 2009-07-21 Solyndra, Inc. Method of depositing materials on a non-planar surface
US7855156B2 (en) * 2007-05-09 2010-12-21 Solyndra, Inc. Method of and apparatus for inline deposition of materials on a non-planar surface
US20090011573A1 (en) * 2007-07-02 2009-01-08 Solyndra, Inc. Carrier used for deposition of materials on a non-planar surface
US8443558B2 (en) * 2007-10-15 2013-05-21 Solyndra Llc Support system for solar energy generator panels
CN103184403B (zh) * 2011-12-27 2016-12-07 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 等离子成膜装置
CH710472B1 (fr) * 2014-12-15 2019-02-15 Neocoat Sa Equipement de dépôt de diamant en phase vapeur assisté par plasma pour le revêtement de la surface interne de pièces creuses.
JP6590420B2 (ja) * 2015-11-04 2019-10-16 国立研究開発法人産業技術総合研究所 窒素化合物の製造方法及び製造装置
DE102017210066A1 (de) * 2017-06-14 2018-12-20 Tesa Se Verfahren zur simultanen Plasmarandverkapselung von mindestens zwei Klebebandseiten
JP2024510254A (ja) * 2021-03-19 2024-03-06 ラム リサーチ コーポレーション プロセスチャンバの遠隔プラズマ洗浄用のノズル

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0502657A1 (de) * 1991-03-04 1992-09-09 General Electric Company Verbessertes Gerät zur Herstellung von Diamanten mittels chemischer Abscheidung aus der Dampfphase und damit hergestellter Gegenstand
US5342660A (en) * 1991-05-10 1994-08-30 Celestech, Inc. Method for plasma jet deposition
DE4339490C1 (de) * 1993-11-19 1995-03-23 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur Innenwandbeschichtung von Hohlkörpern, insbesondere kleiner Abmessungen
DE19802298A1 (de) * 1998-01-22 1999-07-29 Daimler Chrysler Ag Verfahren zur Erzielung funktioneller Metall-, Keramik- oder Keramik/Metall-Schichten auf der Innenwand von Hohlkörpern

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3899573A (en) * 1971-10-18 1975-08-12 Exxon Research Engineering Co Production of fine powders
US4022928A (en) 1975-05-22 1977-05-10 Piwcyzk Bernhard P Vacuum deposition methods and masking structure
US4364342A (en) * 1980-10-01 1982-12-21 Ford Motor Company Ignition system employing plasma spray
JPS58170536A (ja) 1982-03-31 1983-10-07 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法及びその装置
JP2633640B2 (ja) * 1988-08-18 1997-07-23 富士通株式会社 ダイヤモンドの気相合成方法
JP2506451B2 (ja) 1989-08-18 1996-06-12 富士通株式会社 化学気相成長装置及び化学気相成長法
JPH0472076A (ja) * 1990-07-10 1992-03-06 Fujitsu Ltd ダイヤモンド膜の被覆方法及び装置
US5204145A (en) 1991-03-04 1993-04-20 General Electric Company Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom
US5560779A (en) * 1993-07-12 1996-10-01 Olin Corporation Apparatus for synthesizing diamond films utilizing an arc plasma
CA2127832C (en) 1993-07-20 2001-02-20 Grant Lu Cvd diamond radiation detector
JP3107683B2 (ja) * 1993-08-12 2000-11-13 富士通株式会社 ダイヤモンドの気相合成方法
JPH08124517A (ja) * 1994-10-20 1996-05-17 Shimadzu Corp 元素分析装置
US5916370A (en) 1998-06-12 1999-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber having diamond coated components

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0502657A1 (de) * 1991-03-04 1992-09-09 General Electric Company Verbessertes Gerät zur Herstellung von Diamanten mittels chemischer Abscheidung aus der Dampfphase und damit hergestellter Gegenstand
US5342660A (en) * 1991-05-10 1994-08-30 Celestech, Inc. Method for plasma jet deposition
DE4339490C1 (de) * 1993-11-19 1995-03-23 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur Innenwandbeschichtung von Hohlkörpern, insbesondere kleiner Abmessungen
DE19802298A1 (de) * 1998-01-22 1999-07-29 Daimler Chrysler Ag Verfahren zur Erzielung funktioneller Metall-, Keramik- oder Keramik/Metall-Schichten auf der Innenwand von Hohlkörpern

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001181843A (ja) 2001-07-03
GB2357090B (en) 2002-04-24
GB2357090A (en) 2001-06-13
US6499426B1 (en) 2002-12-31
FR2802129A1 (fr) 2001-06-15
DE10060886A1 (de) 2001-07-05
CA2323824A1 (en) 2001-06-10
JP3479276B2 (ja) 2003-12-15
GB0030164D0 (en) 2001-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19726443C2 (de) Verfahren zur Oberflächenvergütung innerer Oberflächen von Hohlkörpern und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE60015725T2 (de) Erzeugung von Werkstoffen
EP0442163B1 (de) Verfahren zum Herstellen von ultrafeinen Partikeln und deren Verwendung
DE10060886C2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten nicht ebener Flächen von Gegenständen mit einem Diamantfilm
EP0532134B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit hochtemperaturbeständigen Kunststoffen
WO2018064694A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum aufbringen einer kohlenstoffschicht
EP2054166A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer beschichtung
EP0438627B1 (de) Bogenentladungsverdampfer mit mehreren Verdampfertiegeln
DD294511A5 (de) Verfahren und vorrichtung zum reaktiven gasflusssputtern
DE102004029466A1 (de) Medieninjektor
WO2010069594A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur beschichtung von gegenständen mittels eines niederdruckplasmas
DE4100541C1 (de)
EP1038306B1 (de) Verfahren und vorrichtung zum vergüten von oberflächen
DE2721198B2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Vorformlings für das Ziehen von Lichtleitfasern
EP0437890A1 (de) Verfahren zum Herstellen von mehrkomponentigen Materialien
DE69231293T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabeschichtung
EP1029104A1 (de) Gasstrahl-pvd-verfahren zur herstellung einer schicht mit mosi2
DE69017973T2 (de) Verfahren zur Herstellung von feinteiligen Teilchen oder Pulver, Dampf oder Feintröpfchen und Vorrichtung dafür.
EP0729520B1 (de) Verfahren zur innenwandbeschichtung von hohlköpern, insbesondere kleiner abmessungen
DE4421045C2 (de) Einrichtung zur plamagestützten Beschichtung von Substraten, insbesondere mit elektrisch isolierendem Material
EP0401259A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von schichten aus hochtemperatur-supraleitendem material auf substrate
DE3913716C2 (de)
WO1992014859A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur reduzierung von droplets bei der beschichtung von oberflächen mit hartstoffen nach dem pvd-verfahren
EP0032709B1 (de) Vorrichtung zur (Teil)Beschichtung eines Substrates durch Kathodenzerstäubung, Verfahren zur Beschichtung und deren Anwendung
DE19538045C1 (de) Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8304 Grant after examination procedure
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee