DE1096418B - Elektronischer Schwellwertschalter zur Durchfuehrung von Schaltvorgaengen in Abhaengigkeit von veraenderlichen aeusseren Zustandsgroessen (z.B. Licht, Temperatur, Schalldruck) - Google Patents

Elektronischer Schwellwertschalter zur Durchfuehrung von Schaltvorgaengen in Abhaengigkeit von veraenderlichen aeusseren Zustandsgroessen (z.B. Licht, Temperatur, Schalldruck)

Info

Publication number
DE1096418B
DE1096418B DET17503A DET0017503A DE1096418B DE 1096418 B DE1096418 B DE 1096418B DE T17503 A DET17503 A DE T17503A DE T0017503 A DET0017503 A DE T0017503A DE 1096418 B DE1096418 B DE 1096418B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
emitter
arrangement according
circuit arrangement
decoupling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DET17503A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerhard Goldkuhle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefunken AG
Original Assignee
Telefunken AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken AG filed Critical Telefunken AG
Priority to DET17503A priority Critical patent/DE1096418B/de
Publication of DE1096418B publication Critical patent/DE1096418B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K3/00Thermometers giving results other than momentary value of temperature
    • G01K3/005Circuits arrangements for indicating a predetermined temperature
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B11/00Automatic controllers
    • G05B11/01Automatic controllers electric
    • G05B11/14Automatic controllers electric in which the output signal represents a discontinuous function of the deviation from the desired value, i.e. discontinuous controllers
    • G05B11/16Two-step controllers, e.g. with on/off action
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)

Description

  • Elektronischer Schwellwertschalter zur Durchführung von Schaltvorgängen in Abhängigkeit von veränderlichen äußeren Zustandsgrößen (z.B. Licht, Temperatur, Schalldruck) Es ist von den sogenannten Dämmerungsschaltern her bekannt, in Abhängigkeit von Grenzwertdurchgängen der Lichtstärke plötzliche Spannungssprünge für Schaltzwecke unter Benutzung von Kaltkathodenröhren zu erzielen, die bei Überschreiten einer Grenzspannung an einer Zündelektrode leitend werden, wobei man auch zwei derartige Röhren, die nach Art einer Kippschaltung sich gegenseitig löschen, benutzt hat. Ferner ist als Schwellwertschalter der Schmitt-Trigger bekannt, bei dem zwei Kippschaltelemente (Röhren oder Transistoren) mit drei Elektroden durch Kopplungszweige in asymmetrischer Weise derart verbunden sind, daß normalerweise ein Element leitet und das andere gesperrt ist, durch Anlegen sich erhöhender Spannung an das erstgenannte Element aber eine Umkehrung dieses Verhältnisses als Kippvorgang erzielt werden kann, wobei am Ausgang des zweiten Elementes ein für Schaltzwecke ausnutzbarer Spannungssprung entsteht.
  • Die Erfindung beschäftigt sich ebenfalls mit der Aufgabe, Spannungssprünge, die insbesondere für Ein-oder Umschaltungen ausnutzbar sind, in Abhängigkeit von Schwellwertdurchgängen veränderlicher Größen zu erzielen. Sie sieht vor, daß in das Spannungsteilernetz einer an sich bekannten bistabilen Kippschaltanordnung mit vorzugswAise Transistoren, das zwischen zwei festen Spannungen zwei elektrisch stabile Zustände einnehmen kann, ein durch die veränderlichen äußeren Zustandsgrößen in seinem elektrischen Widerstand selbsttätig veränderbares Glied derart eingefügt ist, daß Schwellwertdurchgänge der äußeren Zustandsgrößen ein Umkippen von einem in den anderen stabilen Zustand herbeiführen.
  • Ferner sieht die Erfindung vor, daß bei einer bistabilen Kippschaltanordnung, von der Schaltspannungen ab geleitet werden sollen, ein Auskoppeltransistor mit seiner Emitter-Basis-Strecke in Reihe mit der Emitter-Kollektor-Strecke eines der Kipptransistoren liegt, wobei die Basis des Auskoppeltransistors mit dem Emitter des Kipptransistors gleichstrommäßig verbunden ist, oder daß der Emitter jedes Kipptransistors mit der Basis eines Auskoppeltransistors in dieser Weise verbunden ist.
  • Eine so bewirkte Stromsteuerung des Auskoppeltransistors beeinflußt die eigentliche Kippschaltung nur wenig und erlaubt es, größere Laststeuerströme zu schalten. Es können aber auch derart angeschaltete Auskoppeltransistoren gemäß der weiteren Erfindung in das Kippschaltnetz einbezogen werden, indem ein Rückkopplungszweig für einen der Kipptransistoren (oder für beide) an den Kollektor des dem anderen Kipptransistor zugeordneten Auskoppeltransistors gelegt ist.
  • Weiterhin ist erfindungsgemäß vorgesehen, die Emitter der Kippschaltanordnung über eine Zener-Diode an die Betriebsspannung zu legen, um - insbesondere bei asymmetrischen Zuständen der beiden Kippzweige - eine gleichbleibende Emittervorspannung zu erreichen.
  • Die Figuren zeigen Ausführungsbeispiele, wobei zusätzlich anwendbare Erfindungsmaßnahmen ersichtlich werden.
  • In den Fig. 1 bis 5 sind Schaltelemente, die hinsichtlich ihrer Stelle in dem grundsätzlichen Schaltungsaufbau einander entsprechen, mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die vorkommenden Transistoren sind als vom pnp-Typ angenommen, bei Verwendung von npn-Transistoren sind die Polaritäten entsprechend abzuändern.
  • Sämtliche dargestellten Schaltungen enthalten zwei Transistoren T 1 und T2, im folgenden als Kipptransistoren bezeichnet, als Bestandteile eines Spannungsteiler-Netzwerkes von allgemein bekanntem Grundaufbau, das außerdem die Kollektorwiderstände 3 und 4 und die weiteren Spannungsteilerwiderstände 5, 7 und 6,8 enthält und zwischen den Spannungen 1 und +«, zwei elektrisch stabile Zustände einnehmen kann (bistabile Kippschaltung). Zu diesem Zweck führt insbesondere ein Rückkopplungszweig von dem Kollektorausgang jedes Transistors, Punkt 9 bzw. 10, über den Spannungsteilerwiderstand 5 bzw. 6 zu dem Basisanschlußpunkt des anderen Transistors. Durch Leitendwerden etwa des Transistors T2 kommt Punkt 9 auf positiveres Potential, das an der Basis von T1 eine zunehmende Sperrwirkung ergibt, wodurch wiederum das Potential an Punkt 10 negativer wird und das Leitendwerden des Transistors T2 weiterfördert, wodurch das schnelle Umkippen der bistabilen Kippschaltanordnung in die stabile Lage: T2 leitend, T 1 sperrt, herbeigeführt wird, und umgekehrt. Bekanntlich ist es auch möglich, eine derartige bistabile Kippschaltung mit gleichstrommäßigen Rückkopplungen und nur einem Transistor aufzubauen.
  • Entsprechend dem Erfindungsgedanken wird nun,- um Schaltvorgänge in Abhängigkeit von äußeren Großen; wie z. B. Lichteinfall, Temperatur, Schalldruck, herbeizuführen, in das Spannungsteiler-Netzwerk ein elektrisch veränderliches Glied, wie z. B. ein Fotowiderstand, eine Fotodiode, ein temperaturabhängiger Widerstand, ein Mikrophon od. dgl., eingefügt, oder es werden mehrere derartige Glieder geeignet eingesetzt. Diese Glieder können veränderliche- Widerstände sein oder auch selbst Potential erzeugen, wie z. B. die Fotodiode. Durch Abstimmen des nach Maßgabe der steuernden Größe veränderlichen Stromkreisparameters der Kippschaltung oder mehrerer derartig veränderlicher Parameter mit den übrigen Parametern kann erreicht werden, daß die beim Verändern sich ergebende Arbeitspunktverschiebung in der Schaltung bei bestimmten Schwellwerten der steuernden Größe ein Umkippen aus einem stabilen Zustand in den anderen herbeiführt. Die hierbei in dem Netz auftretenden sprungartigen Stromveränderungen können zum Herbeiführen der gewünschten Schaltvorgänge benutzt werden. Veränderliche Elemente der genannten Art können einzeln oder in Kombination an die Stelle der Widerstände 5, 6, 7, 8 treten.
  • In Fig. 1 ist beispielsweise angenommen, daß 5 ein derartiges steuerbares veränderliches Glied sei, beispielsweise ein Fotowiderstand. Ist dieser unbelichtet, so sorgt sein hoher Dunkelwiderstand dafür, daß die Basis des Transistors T1 auf genügend positivem Potential gehalten wird, um ihn sicher zu sperren, wodurch Transistor T2 leitend ist. Bei Belichtung nimmt der Widerstand von 5 ab. Ein vor den Emitter von T2 gelegter Widerstand 11 sorgt dafür, daß das Potential am Punkt 9 negativer ist als das Emitterpotential von T 1.
  • Infolgedessen wird, wenn der Widerstand von 5 eine gewisse Schwelle unterschreitet, das Basispotential des Transistors T 1 genügend negativ, so daß dieser leitend wird und die Schaltung in den stabilen Zustand: Tl leitend, T2 gesperrt, kippt. Wird der Widerstand von 5 wieder auf größere Werte gesteuert, so wird bei Grenzwertüberschreitung das Potential an der Basis von Tl wieder genügend positiv, um T1 zu sperren und T2 leitend zu machen, also die Schaltung in den anderen stabilen Zustand überzuführen.
  • Als elektrisch veränderliches Glied 5 kann beispielsweise auch eine Fotodiode eingesetzt werden, die dann in Sperrichtung in den Stromkreis eingefügt wird, wie die in Klammern vermerkten Polaritätszeichen angeben.
  • Ihr Dunkelwiderstand sperrt den Transistor T1. Bei Belichtung gibt sie Strom entsprechend der eingezeichneten Polarität ab und bringt durch Anlegen negativen Potentials an die Basis von Transistor 1 diesen in den leitenden Zustand. Beim Ab dunkel erfolgt wieder der umgekehrte Kippvorgang. Da jedoch der Strom durch eine Fotodiode wohl von der Lichtstärke, in weitem Bereich aber von der angelegten Spannung unabhängig ist und damit der Rückkopplungseffekt des Zweiges, in dem sie liegt, hinfällig werden würde, ist - wie in gestrichelten Linien angegeben - im Falle der Einschaltung eines solchen Elements bei 5 parallel zu diesem ein ohmscher Widerstand 12 gelegt, der die eine Rückkopplung ermöglichende Gesamtcharakteristik wiederherstellt.
  • Der gestrichelte Pfeil, eingezeichnet beim Widerstand 6, der im anderen Rückkopplungszweig dem Widerstand 5 entspricht, soll andeuten, daß hier ebenfalls ein elektrisch veränderliches Glied, z. B. ein veränderlicher Widerstand, eingefügt werden kann. In diesem Falle erhält, wie ebenfalls gestrichelt angedeutet, auch der Emitter von T 1 einen Vorwiderstand 13.
  • Derart in zwei Zweige der bistabilen Kippschaltung eingefügte veränderliche Glieder können zu Vergleichsmessungen - oder zur Auslösung von Schaltungen in differentieller Wirkung benutzt werden oder auch komplementär sich gegenseitig unterstützen.
  • Um bei den Arbeitspunktverschiebungen in der bistabilen Kippschaltung eine gleichbleibende Spannung für die Emitter der Kipptransistoren ohne Einsatz einer besonderen Spannungsquelle bereitzustellen, ist zwischen die Emitter und die Klemme +ç6a eine Zener-Diode 14 in Sperrichtung eingeschaltet.
  • In Fig. 2 ist ein veränderlicher Widerstand in Gestalt einer Fotowiderstandes als Spannungsteilerwiderstand 7 in der bistabilen Kippschaltung eingefügt. Man erkennt, daß auch hierbei durch Kleinersteuern dieses Widerstandes ein Kippzustand (T1 aus, T2 ein) und durch Größersteuern der andere Kippzustand (T1 ein, T2 aus) herbeigeführt werden kann. Es könnte statt dessen oder gleichzeitig auch 8 steuerbar veränderlich gemacht werden.
  • Um durch die Kippvorgänge Ein- oder Umschaltvorgänge herbeizuführen, kann unter Umständen einer der Kollektorwiderstände 3 bzw. 4 selbst, als Relais ausgebildet, benutzt werden. Außerdem ist es bekannt, die an den Punkten 9 bzw. 10 entstehenden Spannungssprünge auszunutzen, um von hier aus ein die Last steuerndes Auskopplungsglied, insbesondere einen weiteren Transistor, anzusteuern. Jedoch wird durch eine solche Auskopplung die Wirkungsweise der Kippstufe beeinflußt, die Rückkopplung wird geringer und die bistabile Kippschaltung unempfindlicher. Die so angekoppelte Last darf daher nicht beliebig niederohmig gemacht werden.
  • Gemäß der Schaltungsanordnung nach Fig. 2 bis 5 erfolgt die Auskopplung aus einer bistabilen Kippschaltung in anderer Weise, nämlich dadurch, daß ein Auskoppeltransistor, etwa T3 in Fig. 2, mit seiner Emitter-Basis-Strecke in Reihe mit der Emitter-Kollektor-Strecke eines der Kipptransistoren, hier des Kipptransistors 2 liegt, wobei die Basis des Auskoppeltransistors T3 mit dem Emitter des Kipptransistors 2 gleichstrommäßig verbunden ist. Wenn der Transistor T2 leitend wird, so wird durch Stromansteuerung der Basis von T3 auch dieser Transistor leitend und kann einen Stromweg von Erde zu einer negativen Spannungsquelle zur über einen Lastwiderstand 15 schließen. Der Lastwiderstand in dieser Leistungsstufe kann beliebig niederohmig gemacht werden, und die zulässige Kollektorspannung in dieser Stufe ist nach oben nur durch die Grenzspannung des verwendeten Transistors begrenzt, andererseits wird durch die Stromansteuerung des Auskoppeltransistors in der angegebenen Weise der Strom des Kipptransistors praktisch nicht beeinflußt und damit auch nicht das Kippverhalten der bistabilen Kippschaltung. Ein Widerstand 16 dient zur Reststromunterdrückung. Er kann gegebenenfalls wegfallen, wenn Widerstand 8 niederohmig genug gemacht werden kann.
  • Natürlich ist es auch möglich, an die Emitter beider Kipptransistoren Auskoppeltransistoren in der angegebenen Weise anzuschalten, wie in Fig. 3 dargestellt ist.
  • Die Auskoppeltransistoren sind hier mit T3 und T4 bezeichnet, ihre Kollektorspannungen - und können verschieden gewählt werden. Die in weiten Grenzen veränderbaren Lastwiderstände sind mit 15 und 16 bezeichnet. Zwecks Erhöhung der Temperaturunempfindlichkeit kann für die Basen der Auskoppeltransistoren eine gesonderte, feste, positive Vorspannung +s (<a) vorgesehen sein, jedoch ist dies nicht unbedingt erforderlich.
  • Wie in Fig. 4 und 5 dargestellt, ist es weiterhin auch möglich, die so gebildeten Auskoppelstufen in die Kippschaltanordnung derart mit einzubeziehen, daß der Rückkoppelzweig von der Basis des einen Kipptransistors, in Fig. 4 des Kipptransistors T1, an den Kollektor des Auskoppeltransistors (hier T3) geführt ist, der am Emitter des anderen Kipptransistors liegt. Der Ankoppelpunkt ist in Fig. 4 mit 17 bezeichnet. Der unter Umständen wesentlich größere Spannungssprung an 17 (verglichen mit dem Spannungssprung am Kollektor von T2) kann dazu dienen, die Kippgeschwindigkeit zu erhöhen. Eine höhere Lastspannung -u3 kann gewählt werden, um gleichzeitig einen bei 5 eingefügten veränderlichen Widerstand, etwa einen Fotowiderstand wie eingezeichnet, in einem Bereich verhältnismäßig hoher Widerstandswerte in der früher geschilderten Weise wirksam werden zu lassen, z. B. für Steuerungen mit geringer maximaler Helligkeit.
  • In Fig. 5 ist eine bistabile Kippschaltung dargestellt, bei der zwei Auskoppeltransistoren T3 und T4 vorgesehen und die Rückkopplungszweige für die Basen beider Kipptransistoren T 1 und T2 bei 17 und 18 an die Kollektoren der Auskoppeltransistoren T3 und T4 gelegt sind. Da die über T3 und T4 geschalteten Stufen hoch-oder niederohmig ausgeführt werden können, kann bei Verwendung passender positiver Basisvorspannungen der Eingangswiderstand der Schaltung entsprechend beliebig hoch- bzw. niederohmig gemacht werden.
  • PATENTANSPROCIIE: 1. Elektronischer Schwellwertschalter zur Durchführung von Schaltvorgängen in Abhängigkeit von veränderlichen äußeren Zustandsgrößen (z. B. Licht, Temperatur, Schalldruck usw.) unter Benutzung von Kippschaltelementen, dadurch gekennzeichnet, daß in das Spannungsteilernetz einer an sich bekannten bistabilen Kippschaltanordnung mit vorzugsweise Transistoren, das zwischen zwei festen Spannungen zwei elektrisch stabile Zustände einnehmen kann, ein durch die veränderlichen äußeren Zustandsgrößen in seinem elektrischen Widerstand selbsttätig veränderbares Glied derart eingefügt ist, daß Schwellwertdurchgänge der äußeren Zustandsgrößen ein Umkippen von einem in den anderen stabilen Zustand herbeiführen.

Claims (1)

  1. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere in ihren elektrischen Werten veränderliche Glieder in das Spannungsteilernetz eingefügt sind, insbesondere in einander für die beiden Kipprichtungen entsprechende Zweige.
    3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zu dem elektrisch veränderlichen Glied (5) ein ohmscher Widerstand (12) parallel liegt.
    4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in die Emitterleitung eines durch Widerstandsminderung in einem Kollektor-Basis-Rückkopplungszweig auszuschaltenden Transistors ein Emittervorwiderstand (11) gelegt ist.
    5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Auskoppeltransistor (T3) mit seiner Emitter-Basis-Strecke in Reihe mit der Emitter-Kollektor-Strecke eines der Kipptransistoren (T2) liegt, wobei die Basis des Auskoppeltransistors mit dem Emitter des Kipptransistors gleichstrommäßig verbunden ist, oder daß der Emitter jedes Kipptransistors (T1, T2) mit der Basis eines Auskoppeltransistors (T3, T4) in dieser Weise verbunden ist.
    6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Rückkopplungszweig für einen der Kipptransistoren (T1) (oder für beide, T1 und T2) an den Kollektor des dem anderen Kipptransistor zugeordneten Auskoppeltransistors (T3 bzw. T4) gelegt ist.
    7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bzw. den folgenden, gekennzeichnet durch die Anordnung einer Zener-Diode (14) zur Gleichhaltung von Emitterspannungen.
DET17503A 1959-11-20 1959-11-20 Elektronischer Schwellwertschalter zur Durchfuehrung von Schaltvorgaengen in Abhaengigkeit von veraenderlichen aeusseren Zustandsgroessen (z.B. Licht, Temperatur, Schalldruck) Pending DE1096418B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET17503A DE1096418B (de) 1959-11-20 1959-11-20 Elektronischer Schwellwertschalter zur Durchfuehrung von Schaltvorgaengen in Abhaengigkeit von veraenderlichen aeusseren Zustandsgroessen (z.B. Licht, Temperatur, Schalldruck)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DET17503A DE1096418B (de) 1959-11-20 1959-11-20 Elektronischer Schwellwertschalter zur Durchfuehrung von Schaltvorgaengen in Abhaengigkeit von veraenderlichen aeusseren Zustandsgroessen (z.B. Licht, Temperatur, Schalldruck)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1096418B true DE1096418B (de) 1961-01-05

Family

ID=7548606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DET17503A Pending DE1096418B (de) 1959-11-20 1959-11-20 Elektronischer Schwellwertschalter zur Durchfuehrung von Schaltvorgaengen in Abhaengigkeit von veraenderlichen aeusseren Zustandsgroessen (z.B. Licht, Temperatur, Schalldruck)

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1096418B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1144766B (de) * 1961-11-14 1963-03-07 Siemens Ag Schwellwertschalter
DE1171010B (de) * 1962-08-03 1964-05-27 Telefunken Patent Transistorisierter und temperatur-kompensierter Schmitt-Trigger zur Verwendung als Spannungsdiskriminator, insbesondere fuer Regeleinrichtungen der Nachrichtentechnik
DE1201421B (de) * 1964-02-12 1965-09-23 Telefonbau Schaltungsanordnung fuer die Kopplung zweiadriger Fernmeldekreise
DE2446578A1 (de) * 1974-09-30 1976-04-08 Siemens Ag Durch optische strahlung gesteuerter schwellwertschalter

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1144766B (de) * 1961-11-14 1963-03-07 Siemens Ag Schwellwertschalter
DE1171010B (de) * 1962-08-03 1964-05-27 Telefunken Patent Transistorisierter und temperatur-kompensierter Schmitt-Trigger zur Verwendung als Spannungsdiskriminator, insbesondere fuer Regeleinrichtungen der Nachrichtentechnik
DE1201421B (de) * 1964-02-12 1965-09-23 Telefonbau Schaltungsanordnung fuer die Kopplung zweiadriger Fernmeldekreise
DE2446578A1 (de) * 1974-09-30 1976-04-08 Siemens Ag Durch optische strahlung gesteuerter schwellwertschalter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1021487B (de) Transistorschaltung zur Steuerung einer Glimmentladungsroehre
DE1513409B2 (de) Elektronische ueberstromschutzanordnung
DE2907673A1 (de) Schaltungsanordnung zur ansteuerung eines bistabilen relais
DE1096418B (de) Elektronischer Schwellwertschalter zur Durchfuehrung von Schaltvorgaengen in Abhaengigkeit von veraenderlichen aeusseren Zustandsgroessen (z.B. Licht, Temperatur, Schalldruck)
DE1053030B (de) Bistabile Kippschaltung mit einer Doppelbasisdiode
DE1065876B (de) Schaltkreis mit einem Transistor und einer Quelle konstanten Stromes
DE3037319A1 (de) Steuerschaltung fuer einen bewegungslosen transistorschalter fuer gleichstromlasten mit hohem einschaltstrom
EP0023683B1 (de) Gleichrichterbrückenschaltung
DE3128013C1 (de) Ansteuerschaltung fuer wenigstens eine lichtemittierende Diode
DE2715609A1 (de) Fenster-diskriminatorschaltung
DE1131269B (de) Bistabile Kippschaltung
DE3437371C2 (de)
DE2942777C2 (de)
DE3335133C2 (de)
DE1537455C3 (de) Zur wahlweisen Durchfuhrung der NOR oder Äquivalenz Funktion umschalt bares Verknüpfungsglied
DE1080606B (de) Wenigstens zwei Transistorverstaerker-stufen aufweisender Kippschalter zum Schalten von Gleichstrom
DE2516959C3 (de) Einrichtung zum mosaikartigen Darstellen von aus optischen Bildelementen zusammengesetzten Informationen
DE1201402B (de) Schaltvorrichtung mit einem rueckgekoppelten Transistor und einer Diode
DE2237764B2 (de) Schaltung zum bevorrechtigten Inbetriebsetzen einer Stufe einer elektronischen Folgeschaltung mit Halteschaltung
AT219153B (de) Wenigstens zwei Transistorverstärkerstufen aufweisender Gleichstromschaltverstärker
AT319029B (de) Schaltungsanordnung
DE1274642B (de) Bistabile Kippschaltung mit komplementaeren Transistoren
DE2506582A1 (de) Schaltungsanordnung zur verlustarmen speisung mehrerer steuerbarer verbraucher
DE3210270C2 (de) Elektronischer Schalter
DE1103968B (de) Bistabiler Multivibrator