DE1236005B - Schaltungsanordnung zum Betreiben eines magnetischen Duennschicht-Datenspeichers - Google Patents
Schaltungsanordnung zum Betreiben eines magnetischen Duennschicht-DatenspeichersInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
GlIc
Deutsche Kl.: 21 al-37/06
Nummer: 1236005
Aktenzeichen: J 27875IX c/21 al
Anmeldetag: 9. April 1965
Auslegetag: 9. März 1967
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Speicherung und Entnahme von binären
Informationen in bzw. aus einem magnetischen Dünnschicht-Datenspeicher.
Derartige Speicheranordnungen werden in zwei voneinander abweichenden Ausführungsformen hergestellt.
In der ersten Ausführungsform werden die magnetischen Dünnschicht-Speicherelemente auf eine
Trägerplatte aus Isolationsmaterial aufgebracht, und die zur Durchführung der Speicheroperationen notwendigen
Treibleiter, wie Bit-, Wort- und Leseleiter, sowie deren Rückleiter werden über den Speicherelementen
bzw. auf der Rückseite der Trägerplatte angeordnet. In der zweiten Ausführungsform werden
die Dünnschicht-Speicherelemente direkt auf eine leitende Trägerplatte aufgebracht, die zugleich als
Rückleiter für die verschiedenen Treibleiter dient. Eine solche Anordnung wurde als sehr vorteilhaft
gefunden, da sie das Aufbringen von separaten Rückleitern für die große Anzahl der Treibleiter vermeidet,
eine leichte Herstellung gestattet und einen niedrigen Wellenwiderstand für die Bit- und Wortleitungen ,aufweist.
Ein wesentlicher Nachteil eines solchen Aufbaues besteht jedoch darin, daß durch Restströme
in der Grundplatte, die durch die Treibimpulse induziert werden und die im Zeitraum zwischen zwei aufeinanderfolgenden
Treibimpulsen wegen der großen Zeitkonstante der Grundplatte noch nicht abgeklungen
sind, eine Verschlechterung des Wirkungsgrades der Treibimpulse auftritt.
Es ist bei Schaltungen zur Impulsübertragung, ζ. Β. in elektronischen Fernsprechnetzen, bekannt, während
der Impulsübertragung infolge unvermeidlicher parasitärer Kapazitäten im Übertragungsweg entstehende
Aufladungen dadurch zu löschen, daß der Schaltung während oder nach einer Impulsübertragung
Entladeimpulse zugeführt werden, die eine Entladung der parasitären Kapazitäten über zusätzliche
Schaltungsmittel steuern (The Post Office Electrical Engineers Journal, Juli 1954, S. 102 und 103, sowie
deutsche Auslegeschrift 1092 513). Hierdurch werden schädliche Einwirkungen dieser Aufladungen
auf die Übertragung, wie beispielsweise Impulsverfälschungen oder Nebensprechen, vermieden.
Die Aufgabe vorliegender Erfindung wird darin gesehen, ein ähnliches Prinzip bei einem magnetischen
Dünnschicht-Datenspeicher anzuwenden, um die von den Treibimpulsen herrührenden Restströme
in der als gemeinsamer Rückleiter dienenden Trägerbzw. Grundplatte zu beseitigen und dadurch eine
volle Ausnutzung der Treibimpulsleistung auch bei hoher Impulsfolgefrequenz sowie eine Verringerung
Schaltungsanordnung zum Betreiben eines
magnetischen Dünnschicht-Datenspeichers
magnetischen Dünnschicht-Datenspeichers
Anmelder:
International Business Machines Corporation,
Armonk, N.Y. (V. St. A.)
Vertreter:
Dipl.-Ing. H. E. Böhmer, Patentanwalt,
Böblingen, Sindelfinger Str. 49
Als Erfinder benannt:
Emerson William Pugh,
Hughsonville, N.Y. (V. St. A.)
Emerson William Pugh,
Hughsonville, N.Y. (V. St. A.)
Beanspruchte Priorität:
V. St, v. Amerika vom 1. Mai 1964 (364172)
des Störsignalpegels in der Leseleitung zu erreichen.
Bei einer Schaltungsanordnung zur Speicherung und Entnahme von binären Informationen in bzw.
aus einem magnetischen Dünnschicht-Datenspeicher, der Treibimpulsstufen und mit den Speicherelementen
magnetisch gekoppelte Treibleitung sowie eine mit den Treibleitungen verbundene, als gemeinsamer
Rückleiter für die Treibimpulse dienende Grundplatte aufweist, besteht die Erfindung darin, daß
wenigstens ein Teil der Treibimpulsstufen je eine Impulsgeberschaltung besitzt, die für jeden Treibimpuls
einen diesem zeitlich benachbarten Impuls entgegengesetzter Polarität zur Grundplatte liefert, welcher
den vom vorausgehenden Treibimpuls in der Grundplatte verbliebenen Reststrom auslöscht.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung besteht darin, daß die Treibimpulsstufe einen Treibimpulsgeber
aufweist, der durch einen ersten Übertragungsweg direkt und durch einen zweiten Übertragungsweg
über eine Verzögerungsschaltung und eine Inverterschaltung mit der Treibleitung verbunden
ist. Der Treibimpulsgeber kann hierbei in vorteilhafter Weise zur Erzeugung von positiven oder
negativen Nutzimpulsen ausgebildet sein.
Weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung sind aus den Patentansprüchen zu ersehen. In Verbindung
mit einem nachfolgend an Hand von Zeichnungen beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die Erfindung
erläutert. Es zeigt
709 518/340
F i g. 1 einen Dünnschichtspeicher mit einer metallischen Grundplatte und mit nur einem Speicherelement,
Fig. 2 ein Impulsdiagramm der Magnetfeldwirkung
am Speicherelement eines herkömmlichen magnetischen Dünnschichtspeichers mit leitender Grundplatte,
Fig. 3 ein Impulsdiagramm, welches die Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Einrichtung verdeutlicht,
und
Fig. 4 ein vereinfachtes Schaltbild einer Treiberschaltung
nach der Erfindung.
Zur Erleichterung des Verständnisses wird das Wesen der Erfindung an einer einfachen Dünnschichtspeicheranordnung
(Fig. 1) erläutert, die lediglich eine einzige Bitposition in Hinsicht des
Speicherelements 10 aufweist. Das Speicherelement 10, das von einer Grundplatte 28 getragen wird, besteht
aus einer dünnen Nickel-Eisen-Schicht, die eine magnetische Anisotropie aufweist, d. h. eine magnetische
Vorzugsachse oder leichte Achse sowie eine orthogonal zu dieser verlaufende harte Magnetisierungsachse
besitzt. Die beiden Richtungen der leichten Achse sind in F i g. 1 durch Pfeile 12 und 14
dargestellt, und die Richtungen der harten Achse werden durch den Doppelpfeil 16 angegeben. Über
dem Speicherelement 10 sind drei Treibleiter angeordnet, die ein Einspeichern, ein Auslesen und ein
Abfühlen eines im Speicherelement 10 gespeicherten Informationsbit gestatten. Der Leiter 18 ist eine
Wortleitung, die, wenn sie erregt wird, eine Ausrichtung der Magnetisierung des Speicherelements 10 in
die unstabile harte Achse 16 bewirkt. Der Leiter 20 ist eine Bitleitung, die in bipolarer Weise erregt
werden kann, um die Magnetisierung im Speicherelement 10 in eine der beiden stabilen Richtungen 12
oder 14 der leichten Achse auszurichten. Die Bitleitung 20 wird über einen Schalter 22 durch den Bittreiber
24 erregt. Der Leiter 26 dient als Leseleiter und liefert ein Signal, das eine durch einen Drehprozeß
hervorgerufene Flußveränderung im Speicherelement 10 anzeigt, wenn die Bitleitung 20 und die
Wortleitung 18 gleichzeitig erregt worden sind. Jeder der Leiter 18, 20 und 26 ist an einem Ende mit der
leitenden Grundplatte 28 verbunden, die als gemeinsamer Rückleiter dient, wenn einer oder mehrere der
Leiter 18, 20 und 26 erregt worden sind. Der Bittreiber 24 ist ebenfalls über den Leiter 30 an die
Grundplatte 28 geerdet.
Um das Speicherelement 10 in die Richtung des Pfeils 12 zu magnetisieren, ist es notwendig, daß die
Wortleitung 18 und die Bitleitung 20 gleichzeitig erregt werden. Wie vorausgehend erläutert, bewirkt die
Erregung der Wortleitung 18 eine Magnetisierung des Speicherelements 10 in Richtung seiner harten Achse
16. Durch Schließen des Schalters 22 entsteht ein negatives Potential zwischen der Bitleitung 20 und
der Erdleitung 30, welches durch den Treiber 24 verursacht wird. Dadurch fließt ein Strom entgegen dem
eingezeichneten Pfeil über den Erdleiter 30, die Grundplatte 28 und den Bitleiter 20 zurück zum Bittreiber
24. Der sich im Speicherelement 10 additiv ergebende Magnetfluß bewirkt, daß sich die Magnetisierung
im entgegengesetzten Uhrzeigersinn dreht, so daß bei Beendigung des Impulses auf der Wortleitung
18 eine Ausrichtung der Magnetisierung des Speicherelements 10 entlang "des Pfeils 12 erfolgt. Soll dagegen
das Speicherelement 10 in den stabilen Zustand geschaltet werden, der durch den Pfeil 14 bezeichnet
ist, so ist lediglich die Bitleitung 20 an Stelle eines negativen Potentials ein positives Potential bei
gleichzeitiger Erregung der Wortleitung 18 zuzuführen.
Im praktischen Speicherbetrieb wird die Bitleitung 20 für eine wesentlich längere Zeitdauer erregt gehalten
als die Wortleitung 18. Der Bitimpuls auf Leitung 20 überdauert jedoch nicht nur das Ende des
ίο Impulses auf der Wortleitung 18, sondern beginnt
auch früher als dieser. Durch diese Technik wird mit Sicherheit erreicht, daß das Speicherelement in die
gewünschte Magnetisierungsrichtung gebracht wird, wenn die Erregung der Wortleitung 20 abklingt. Zur
Verwirklichung dieser Funktion ist es jedoch notwendig, die Bitleitung 20 für einen beträchtlichen
Teil der Speicherzykluszeit erregt zu halten.
Da während eines jeden Speicherzyklus die Bitleitung 20 entweder im positiven oder im negativen
so Sinn erregt wird in Abhängigkeit von der in das
Speicherelement 10 einzuschreibenden Information, wird ein beträchtlicher Strom in die Grundplatte 28
induziert. In einem ungünstigen Fall, wenn eine große Folge von Impulsen gleicher Polarität ,auftritt,
wird der Strom in der Grundplatte merklich erhöht. Diese Erscheinung verstärkt sich noch beträchtlich,
wenn die Speicheranordnung hunderte oder sogar tausende gleicher Bitleitungen enthält, wie es in den
in der Praxis ausgeführten Speicheranordnungen der Fall ist.
Der im Speicherelement 10 wirksame Gesamtfluß wird durch die Summe der Magnetflußkomponenten
gebildet, die durch den Strom in der Bitleitung 20 und durch den unter dem Speicherelement 10 in der
Grundplatte 28 fließenden Strom, der durch einen Pfeil32 dargestellt ist, erzeugt werden. Unter der Annahme,
daß der Bittreiber 24 einen posiviten Impuls liefert, bewirkt das Schließen des Schalters 22 gleichzeitig
einen Stromfluß in die Bitleitung 20 und einen Stromfluß aus der Grundplatte 28 über den Leiter 30
zum Bittreiber 24. Zu diesem Zeitpunkt ist die Flußdichte im Speicherelement 10 am größten, da der
Strom in der Grundplatte 28 auf einen diskreten Bereich unter dem Speicherelement 10 begrenzt ist, wie
durch den Pfeil 32 dargestellt. Bei dieser Betrachtung ist der von vorausgehenden Impulsen herrührende
Reststrom in der Grundplatte vernachlässigt. Wie aus der Fig. 2 ersichtlich ist, welche die Magnetflußdichte
im Speicherelement 10 in Abhängigkeit von der Zeit zeigt, ist das Magnetflußmaximum am Punkt
SO der Impulskurve.
Nachdem der Schalter 22 für eine kurze Zeit geschlossen worden ist, beginnt sich der Strom in der
Grundplatte 28 auszubreiten, wie es durch die Pfeile 34 dargestellt ist. Dieser Effekt bewirkt ein leichtes
Absinken des Magnetflusses im Speicherelement 10, wie der Punkt 52 der Impulskurve nach F i g. 2 erkennen
läßt. Wenn das Bit 10 seinen gewünschten Remanenzzustand nach Beendigung des Wortimpulses
auf Leitung 18 einnimmt, wird der Schalter 22 geöffnet, um den Bitimpuls auf Leitung 20 zu beenden.
Auf Grund der Induktanz der Grundplatte 28 setzt sich der Stromfluß in dieser fort; da jedoch der
Schalter 22 geöffnet ist, fließt auch kein Strom über den Leiter 30 zum Bittreiber 24. Der Strom ändert
vielmehr seine Richtung, wie durch die Pfeile 36 angedeutet, und fließt unter dem Speicherelement 10
zurück. Durch diesen zurückfließenden Strom wird
im Speicherelement 10 ein subtraktiver Magnetfluß induziert, wie beispielsweise bei 54 in F i g. 2 ersichtlich.
Da die Zeitkonstante der Grundplatte 28 in bezug auf die Zykluszeit des Speichers lang ist (1 bis
2 Mikrosekunden gegenüber 100 bis 300 Nanosekunden), ist der Umkehrstrom 36 noch nicht abgeklungen,
wenn der nächste Impuls vom Bittreiber 24 auftritt. Im folgenden wird angenommen, daß, wie in
F i g. 2 dargestellt, eine Serie positiver Impulse für
an die Bitleitung 20 umgeschaltet. Diese Impulse sind' in F i g. 3 durch die Kurven 63 und 64 veranschaulicht.
Durch die positiven Ströme 62 und 64 auf der Bitleitung 20 und der Wortleitung 18 wird die Ma-S
gnetisierung des Speicherelements 10 in die Richtung des Pfeils 14 eingestellt. Bei einer herkömmlichen
Treiberanordnung würde mit Beendigung des Impulses 62 auf der Bitleitung 20 ein Umkehrstrom 36
(Fig. 1) in der Grundplatte28 erzeugt. Dieser Strom-Bitleitung
20 geliefert wird. Es ist offensichtlich, daß io nuß würde bestehenbleiben, bis der nächste Bitimpuls
sich die Größe des Umkehrstromes 36 mit jedem der auf der Leitung 20 auftreten würde. Im vorliegenden
aufeinanderfolgenden Impulsen auf der Leitung 20 Fall liefert jedoch der Bittreiber 24 unmittelbar nach
erhöht. Dadurch vergrößern sich auch die eine sub- Abklingen des Impulses 62 einen Impuls 66 enttraktive
Polarität aufweisenden Magnetflüsse 56, 58, gegengesetzter Polarität zur Bitleitung 20, der ein
60 usw., die im Speicherelement 10 während des Ver- 15 Abfließen des Umkehrstroms aus der Grundplatte 28
laufs der Operation wirksam sind. Da diese Magnet- über die Bitleitung 20 in den Treiber 24 bewirkt. Mit
flüsse der gewünschten Magnetflußrichtung genau Beendigung des Impulses 66 ist der Umkehrstrom in
entgegengesetzt sind, haben sie einen störenden Ein- der Grundplatte 28 im wesentlichen abgeklungen,
nuß auf eine sichere Arbeitsweise der Speicheranord- und das Speicherelement 10 ist vorbereitet für den
nung. Es wurde festgestellt, daß die Größe des 20 nächsten Lese-Schreib-Zyklus. Bei einer normalen
Gleichstroms 36 in der Grundplatte 28 direkt propor- Speicheroperation tritt als nächstes ein Leseimpuls
tional der Dauer der Impulse auf der Bitleitung 20 ist. auf, der die Wortleitung 18 erregt und die Magneti-Mit
anderen Worten gesagt heißt dies, daß der Pro- sierung des Speicherelements 10 in die harte Magnezentsatz
der Zeit in einem Speicherzyklus, während tisierungsach.se entlang dem Pfeil 16 ausrichtet. Bei
dem der Bitimpuls auf Leitung 20 anwesend ist, in 25 dieser Drehung der Magnetisierung wird eine Flußdirekter Beziehung zur Größe der Ströme in der änderung erzeugt, die durch die Leseleitung 26 abGrundplatte
28 steht. Im dargestellten Speicher- gefühlt wird. Die Leseleitung 26 liefert einen Lesesystem
beträgt die Impulsdauer etwa 20%. impuls 69 zu einem nicht gezeigten Leseverstärker,
Da der Magnetfluß im Speicherelement 10 etwa zu der das .ausgelesene Informationsbit zu nachgeschalgleichen
Teilen durch den Strom in der Bitleitung 20 30 teten Einrichtungen überträgt. Der als nächstes auf-
dl 28
und dem Rückstrom in der Grundplatte 28 erzeugt wird, kann die Verschlechterung in dem anliegenden
Magnetfeld folgendermaßen ausgedrückt werden:
ange,eBt = Km + I (l-prozentuale Impulsdauer)],
tretende Schreibzyklus enthält entweder eine positive,
oder eine negative Erregung der Bitleitung 20 in Übereinstimmung mit der in das Speicherelement 10
einzuspeichernden Information. Im dargestellten Beispid zdgt die Impulskurve 70
^ daß der Bitleitung
20 wieder ein positiver Impuls zugeführt wird, um das Speicherelement 10 in die Richtung des Pfeils 14
zu magnetisieren. Wie vorausgehend erläutert, folgt unmittelbar nach diesem Impuls ein Impuls 72 ent-
worin K eine Konstante und I der Bitstrom ist.
Dieser Ausdruck beschreibt die Wirkung des Umkehrstroms in der Grundplatte 28, der als Folge der
Erregung einer einzelnen Bitleitung auftritt. Es ist
hierbei jedoch zu beachten, daß in einem praktisch 40 gegengesetzter Polarität, der ein Abklingen des Umausgeführten
Speicher eine große Anzahl Bitleitungen kehrstroms in der Grundplatte 28 bewirkt,
vorhanden sind, die jeweils alle zum gleichen Effekt Es ist zu betonen, daß die Anordnung auch so gebeitragen.
Es wurde ferner gefunden, daß der in der troffen werden kann, daß der Impuls 72 dem Bit-Grandplatte
verharrende Umkehrstrom nicht nur impuls 70 vorausgeht. Die Arbeitsweise der Einrichstärkere
Treiberströme erfordert und größere 45 tung und die Funktion des Impulses 72 bleiben dabei
Schwierigkeiten bei der Herstellung einer gegen Stö- im wesentlichen gleich. Wenn die Leitung 70 durch
rangen unempfindlichen Speicheranordnung bereitet, einen negativen Impuls erregt wird, wie es durch die
sondern auch erhebliche Störsignale in den Lese- gestrichelte Kurve 74 dargestellt ist, dann ist diesem
leitungen erzeugt. Impuls ein positiver Impuls 76 zugeordnet, der zeit-Wie vorausgehend festgestellt, wurde gefunden, 5° Hch vorauseilt oder nachfolgt. Die gleiche Arbeitsdaß
der sich aufbauende Umkehrstrom einen Ma- weise kann auch bei den Wortleitungen einer Dünngnetfluß
erzeugt, welcher dem durch einen nachfol- Schichtspeicheranordnung .angewendet werden. Wegen
genden Bitimpuls erzeugten Magnetfluß entgegen- der kleineren prozentualen Impulsdauer der Impulse
gerichtet ist. Als Ergebnis dieser Erkenntnis wurde auf der Wortleitung ist dies jedoch in den meisten
vorgeschlagen, einen bipolaren Treibimpuls zu ver- 55 Speicheranordnungen unnötig. In beiden Fällen wird
wenden, wobei dem gewünschten Bitimpuls ein Im- eine um so vollkommenere Auslöschung des Umpuls
entgegengesetzter Polarität entweder voraus- kehrstroms in der Grundplatte 28 erreicht, je vollgeht
oder nachfolgt, durch den der Umkehrstrom in kommener eine Gleichheit des Energieinhalts der
der Grundplatte zum Abklingen gebracht wird, so beiden aufeinanderfolgenden Impulse entgegengedaß
der Bitimpuls keine oder nur eine sehr kleine 60 setzter Polarität ist.
Abschwächung erfährt. Zur näheren Erläuterung Die F i g. 4 zeigt eine Schaltung einer Treiberdieser
Arbeitsweise wird auf Fig. 3 Bezug genom- anordnung, mit der die vorausgehend erläuterten bimen,
in welcher die in Übereinstimmung mit vor- polaren Treiberimpulse erzeugt werden. Der Bitliegender
Erfindung benutzten Stromimpulskurven treiber 24 enthält einen Impulsgenerator 80, der in
dargestellt sind. Wie vorausgehend beschrieben, wird 65 der Lage ist, entweder einen positiven oder einen
das Speicherelement 10 in den einen oder anderen negativen Impuls zu erzeugen. Ein solcher Impulsseiner
beiden stabilen Speicherzustände durch An- generator ist für sich bekannt und wird daher im vorlegen
koinzidenter Impulse an die Wortleitungl8 und liegenden Zusammenhang nicht näher erläutert. Der
Ausgang des Impulsgenerators 80 führt einerseits zu einer Verzögerungsschaltung 82 und andererseits zu
einem Widerstand 84. Das Ausgangssignal vom Impulsgenerator 80 gelangt über den Widerstand 84
direkt zur Bitleitung 20 und über diese zur Grundplatte 28. Die Verzögerungsschaltung 82 verursacht
eine Impulsverzögerung, die um ein geringes größer ist als die Dauer des Ausgangsimpulses vom Impulsgenerator
80, so daß das aus Leitung 91 auftretende Ausgangssignal der Verzögerungsschaltung 82 um
mehr als eine Impulszeit gegenüber dem am Widerstand 84 auftretenden Impuls versetzt ist. Die Leitung
91 führt zur Primärwicklung 86 eines Transformators 88. Dieser Transformator kann einem bekannten,
bifilar gewickelten Transformatortyp angehören, dessen Primärwicklung 86 und dessen Sekundärwicklung
90 auf einem gemeinsamen Magnetkern derart angeordnet sind, daß sie eine Signalumkehr zwischen
der Eingangsleitung 91 und der mit der Sekundärwicklung verbundenen Ausgangsleitung 92 bewirken.
Die verzögerten und invertierten Impulse werden daraufhin über einen Widerstand 94 zur Bitleitung 20
und über diese zur Grundplatte 28 geführt. Die sich auf der Bitleitung 20 einstellende Impulsfolge ist bei
96 gezeigt. Wenn der Impulsgenerator 80 .anstatt eines positiven Ausgangsimpulses einen negativen
Ausgangsimpuls abgibt, so wird dieser Impuls unmittelbar über den Widerstand 84 zur Bitleitung 20
übertragen. Der gleiche Impuls wird außerdem über die Verzögerungsleitung 82 verzögert und durch den
Transformator 88 invertiert und daraufhin als positiver Impuls zur Bitleitung 20 geliefert.
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung zur Speicherung und Entnahme von binären Informationen in bzw.
aus einem magnetischen Dünnschicht-Daten-
speicher, der Treibimpulsstufen und mit den Speicherelementen magnetisch gekoppelte Treibleitungen
sowie eine mit den Treibleitungen verbundene, als gemeinsamer Rückleiter für die
Treibimpulse dienende Grundplatte aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens
ein Teil der Treibimpulsstufen (24) je eine Impulsgeberschaltung (82, 88) besitzt, die für
jeden Treibimpuls einen diesem zeitlich benachbarten Impuls entgegengesetzter Polarität zur
Grundplatte (28) liefert, welcher den vom vorausgehenden Treibimpuls in der Grundplatte verbliebenen
Reststrom auslöscht.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibimpulsstufe
(24) einen Treibimpulsgeber (80) aufweist, der durch einen ersten Übertragungsweg direkt und
durch einen zweiten Übertragungsweg über eine Verzögerungsschaltung (82) und eine Inverterschaltung
(88) mit der Treibleitung (20) verbunden ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Inverterschaltung
(88) aus einem Transformator besteht, dessen Sekundärwicklung (90) mit der Treibleitung (20) in
Verbindung steht und dessen Primärwicklung (86) über die Verzögerungsschaltung (82) an den
Ausgang des Treibimpulsgebers angeschlossen ist.
4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verzögerungsschaltung (82) so ausgebildet ist, daß sie eine Impulsverzögerung um etwas mehl
als eine Impulsbreite bewirkt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1 092 513;
»The Post Office Electrical Engineers Journal«, Juli 1954, S, 102 bis 105.
»The Post Office Electrical Engineers Journal«, Juli 1954, S, 102 bis 105.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
709 518/340 2.67 © Bundesdruckerei Berlin
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US364172A US3387291A (en) | 1964-05-01 | 1964-05-01 | Time displaced memory drive |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1236005B true DE1236005B (de) | 1967-03-09 |
Family
ID=23433367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEJ27875A Pending DE1236005B (de) | 1964-05-01 | 1965-04-09 | Schaltungsanordnung zum Betreiben eines magnetischen Duennschicht-Datenspeichers |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3387291A (de) |
| CH (1) | CH424863A (de) |
| DE (1) | DE1236005B (de) |
| DK (1) | DK113447B (de) |
| GB (1) | GB1091965A (de) |
| NL (1) | NL6505577A (de) |
| NO (1) | NO115843B (de) |
| SE (1) | SE323105B (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3500351A (en) * | 1964-06-08 | 1970-03-10 | Sperry Rand Corp | Magnetic recording memory |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1092513B (de) * | 1957-05-24 | 1960-11-10 | Philips Nv | Impulsuebertragungskreis |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2623106A (en) * | 1948-12-29 | 1952-12-23 | Fassberg Morton | Method and apparatus for measuring the time rise and decay time of pulses |
-
1964
- 1964-05-01 US US364172A patent/US3387291A/en not_active Expired - Lifetime
-
1965
- 1965-04-09 DE DEJ27875A patent/DE1236005B/de active Pending
- 1965-04-12 GB GB15384/65A patent/GB1091965A/en not_active Expired
- 1965-04-29 NL NL6505577A patent/NL6505577A/xx unknown
- 1965-04-30 CH CH600765A patent/CH424863A/de unknown
- 1965-04-30 DK DK222165AA patent/DK113447B/da unknown
- 1965-05-03 SE SE5747/65A patent/SE323105B/xx unknown
- 1965-06-30 NO NO157901A patent/NO115843B/no unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1092513B (de) * | 1957-05-24 | 1960-11-10 | Philips Nv | Impulsuebertragungskreis |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO115843B (de) | 1968-12-16 |
| GB1091965A (en) | 1967-11-22 |
| US3387291A (en) | 1968-06-04 |
| CH424863A (de) | 1966-11-30 |
| NL6505577A (de) | 1965-11-02 |
| SE323105B (de) | 1970-04-27 |
| DK113447B (da) | 1969-03-24 |
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