DE1414955C - Verfahren zum Herstellen einer Halb leiteranordnung - Google Patents

Description

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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen Stellenverteilung in einem Teil des Halbleiterkörpers einer Halbleiteranordnung, wie z. B. eines Transistors, einer Halbleiteranordnung zu schaffen, das die Nacheiner Diode oder einer photoelektrischen Zelle mit teile der bekannten Verfahren nicht aufweist,
einem halbleitenden Körper, bei dem die räumliche Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch Störstellenverteilung in einem an die Oberfläche gren- 5 ein Verfahren zum Herstellen einer Halbliiteranordzenden Teil des Halbleiterkörpers durch eine Tempera- nung, bei dem zur Änderung der räumlichen Störturbehandlung in einem Gasstrom geändert wird. Stellenverteilung in einem an die Oberfläche grenzenden

Derartige Verfahren werden in der Halbleitertechnik Teil eines Halblsiterkörpers eine Temperaturböhand-

beispielsweise oft angewendet, um in einem vorgege- lung ia einem Gasstrom derart durchgeführt wird, daß

benen Körperteil, meistens in einem beschränkten io die Oberfläche dieses Teiles des Halbleiterkörpers mit

Oberflächenteil des Halbleiterkörpers, die physikali- einem gezielten Gasstrom angeblasen wird, der die für

sehen Eigenschaften zu beeinflussen, wie z. B. die Leit- die Behandlung erforderliche Temperatur hat, wäh-

fähigkeit, den Leitungstyp, die Lebensdauer der La- rend sich der restliche Halbleiterkörper in einer Um-

dungsträger, die Photoempfindlichkeit oder die Lumi- gebung davon abweichender Temperatur befindet,

neszenzfähigkeit. 15 Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen

Die Änderung des Konzentrationsverlaufes kann insbesondere darin, daß dadurch, daß der Gasstrom bekanntlich in der Weise durchgeführt werden, daß die direkt auf die Oberfläche des zu behandelnden Körperwirksame Verunreinigung, z. B. ein Donator, Akzep- teiles einwirkt und die Wärmekapazitäten des Körpertor, Rekombinationszentrum oder Strahlungsaktiva- teiles relativ gering sind, dieser Körperteil den angetor, durch Feststoffdiffusion aus der Umgebung in den 30 legten Temperaturänderungen rasch folgen kann. Dabetreffenden Körperteil eingeführt wird oder durch bei kann durch Anblasen mit einem vorerhitzten Gas-Feststoffdiffusion aus dem betreffenden Körperteil strom der Körperteil rasch erwärmt werden, während entfernt wird. umgekehrt durch Anblasen mit einem vorgekühlten

Ein anderes bekanntes Verfahren besteht darin, daß Gasstrom eine rasche Abkühlung erreicht werden auf dem betreffenden Körperteil eine die wirksame as kann, was in bestimmten Fällen zum Einfrieren eines Verunreinigung enthaltende Substanz aufgeschmolzen Aktivierungszustandes erwünscht ist.
wird und mit dem Körper legiert wird, worauf beim Die Temperaturbehandlung kann einfach aus An-Abkühlen während der Rekristallisation auch die blasen mit einem auf eine gewünschte Tempsratur gewirksame Verunreinigung in dem rekristallisierten brachten Gasstrom bestehen, der zeitweise auf die Körperteil abgelagert wird. Bei derartigen bekannten 3° Obeifläche gerichtet und dann wieder entfernt wird. Verfahren wird der halbleitende Körper immer in Die Erfindung ermöglicht in zweckmäßiger Weise einem Ofen auf die zur Feststoffdiffusion oder zum auch ein Verfahren, bei dem eine Temperaturprogram-Legieren erforderliche Temperatur erhitzt. mierung des Gasstroms vorgenommen wird, d. h. also,

Neben den genannten Verfahren zur Veränderung bei dem die Temperatur des Gasstromes entsprechend der räumlichen Störstellenverteilung in einem Halb- 35 dem gewünschten Temperaturverlauf geändert wird. Ieiterkörper durch eine Temperaturbehandlung war es In diesem Zusammenhang erscheint von besonderer bekannt (USA.-Patentschrift 2 748 325), den Halb- Bedeutung ein Verfahren, bei dem die Temperaturleiterkörper, nachdem die Störstellenverteilung nach behandlung, zeitlich gegeneinander verschoben, ein einem der bekannten Verfahren festgelegt ist, in einem Anblasen mit einem oberhalb der Umgebungstempeerwärmten Gasstrom nachzubehandeln. Es war eben- 40 ratur vorerhitzten Gasstrom und ein ■ Anblasen mit falls bekannt (französische Patentschrift 1165 567), einem unterhalb der Umgebungstemperatur vorgekühleinen Halbleiterkörper vor dem Legieren mit einem ten Gasstrom umfaßt. Dadurch ist es insbesondere gezielten Gasstrom zu erhitzen. möglich, einen Körperteil rasch von einer hohen Tem-

Bei den der vorliegenden Erfindung zugrunde lie- peratur bis auf eine tiefe Temperatur abzukühlen. Eine genden Untersuchungen hat es sich ergeben, daß bei 45 derartige Temperaturprogrammierung kann in zweckden bekannten Verfahren dadurch, daß dabei der ganze mäßiger Weise dadurch erreicht werden, daß der Gas-Körper in einem Ofen der Temperaturbehandlung strom unter Verwendung eines Vielweghahnes nachunterworfen wird, oft die Eigenschaften der hergestell- einander durch verschiedene Temperaturräume geten Anordnung ungünstig beeinflußt werden oder sogar leitet wird.

die gewünschten Eigenschaften manchmal nicht erreicht 50 Das Verfahren nach der Erfindung kann dazu ange-

werden können. So ist es z. B. in einem Ofen nicht wendet werden, um in der ganzen Oberflächenschicht

möglich, sehr rasche Temperaturänderungen vorzu- eines Halbleiterkörpers eine Änderung des Konzentra-

nehmen. Dadurch ist es, insbesondere bei poly- tionsverlaufes zu erreichen. Wegen der Möglichkeit

kristallinen Halbleiterkörpern, äußerst schwierig oder der Beschränkung des Gasstromes auf einen dünnen

sogar praktisch unmöglich, in dünnen Oberflächen- 55 Strahl ist das Verfahren insbesondere geeignet, einen

schichten scharfe Änderungen des Konzentrations- beschränkten Oberflächenteil einer thermischen Be-

verlaufes herzustellen. Auch können bei den bekann- handlung zu unterwerfen, indem der beschränkte

ten Verfahren in dem zu behandelnden Körperteil Oberflächenteil mit dem Gasstrom angeblasen wird,

störende Umwandlungen stattfinden, welche bei In der Weise ist es auch möglich, durch Bewegung des

rascheren Temperaturänderungen vermieden werden 60 Gasstrahles beliebig geformte Oberflächenteile der

können. Weiter können dadurch, daß auch die nicht Behandlung zu unterwerfen. Da sich der Körper im

zu behandelnden Teile des Körpers auf dieselbe Tem- übrigen in einer Umgebung verschiedener Temperatur

peratur erhitzt werden, in diesen Teilen bereits erzielte befindet, d. h. beim Aufheizen in einer Umgebung

Eigenschaften geschädigt werden. Es kann dadurch niedriger Temperatur befindet, können die übrigen

beispielsweise eine ungewünschte Verkürzung der 65 Teile des Körpers, insbesondere bei Anwendung

Lebensdauer in anderen Teilen auftreten. rascher kurzzeitiger Temperaturerhöhungen, auf einer

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein be- niedrigeren Temperatur verbleiben, wodurch gegebe-

sonders einfaches Verfahren zur Änderung der Stör- nenfalls vermieden werden kann, daß die physikali-

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sehen Eigenschaften in den übrigen Teilen weniger ben ist) in einen n-Ieitenden Cadmiumsulfidkörper oder praktisch geschädigt werden. Zu diesem Zweck durch Anbringen einer Akzeptorverunreinigung, wie kann gleichzeitig ein nicht durch den vorerhitzten Gas- Kupfer, Silber oder Nickel auf den betreffenden Oberstrom angeblasener Oberflächenteil des Körpers ge- flächenteil und Eintempern mittels Anblasen. In ähnkühlt werden, z. B. indem dieser Teil mit einem wärme- S licher Weise konnte durch Anbringen einer Donatorableitenden Körper in Berührung gebracht wird oder verunreinigung, wie z. B. Zinn oder Germanium, und mit einem gekühlten Gasstrom angeblasen wird. nachfolgende Erhitzung mit dem Gasstrom, eine

Der Gasstrom, der mittels einer Düse auf den be- η-leitende Oberflächenschicht in einem p-Ieitenden treffenden Oberflächenteil gerichtet werden kann, ent- Galliumselenidkörper erzeugt werden. Zweckmäßigerhält oder besteht zweckmäßigerweise aus einem inerten ίο weise wird bei einer derartigen Umwandlung der be- oder reduzierenden Gas, wie z. B. Argon, Stickstoff treffende Teil durch Temperaturprogrammierung des oder Wasserstoff. Gegebenenfalls können auch oxydie- Gasstromes zuerst mit einem vorerhitzten Gasstrom rende Bestandteile, wie z. B. Sauerstoff oder Wasser- rasch aufgeheizt und nachher mit einem gekühlten dampf hinzugefügt werden, wenn eine gleichzeitige Gasstrom wieder rasch abgekühlt. Der Halbleiter-Oxydierung der Oberfläche, z. B. Vermeidung von Ab- 15 körper kann als Einkristall vorliegen. Gegenüber dem dampfen gewünscht ist. Es hat sich als besonders bekannten Temperaturverfahren ist das Verfahren zweckmäßig ergeben, eine Düse mit einem trichter- nach der Erfindung besonders vorteilhaft auch auf förmigen Ende zum Anblasen des Gasstromes zu ver- polykristalline Halbleiterkörper anwendbar. Dadurch, wenden, da hierdurch, insbesondere bei Verwendung daß eine stellenweise Erhitzung und eine rasche dünner Gasstrahlen, die gegebenenfalls infolge Aus- ao Temperaturänderung beim Aufheizen und Abkühlen dehnung des Gasstromes beim Austreten aus der Düse angewendet wird, können die bei einer Ofenbehandauftretende zusätzliche Kühlung des Gasstromes und lung auftretenden Unregelmäßigkeiten der Diffusion das Ansaugen von in der Umgebung anwesenden gas- und sonstige störende Umwandlungen weitgehend beförmigen Bestandteilen weitgehend verringert werden seitigt werden,
kann. »5 Die Erfindung wird jetzt noch an Hand einer Figur

Obwohl die Erfindung auch das Abdampfen und und zweier Beispiele näher erläutert.

Ausdiffundieren einer wirksamen Verunreinigung aus Die Figur stellt schematisch eine Anordnung wäh-

einem an der Oberfläche angrenzenden Körperteil er- rend der Anwendung des Verfahrens nach der Erfin-

möglicht, hat das Verfahren sich als besonders geeignet dung dar.

erwiesen zur Änderung des Konzentrationsverlaufes 30 An Hand dieser Figur wird zur beispielsweisen Erdurch Einbauen einer Störstelle, insbesondere einer läuterung des Verfahrens die Herstellung einer pnwirksamen Verunreinigung. Zweckmäßigerweise kann Photodiode beschrieben, wobei ein η-leitender Caddie einzubauende Verunreinigung dem Gasstrom zu- miumsulfitkörper an einer Seite unter Anwendung gegeben werden. Gemäß einer anderen zweckmäßigen einer Diffusions-Temperaturbehandlung nach der ErAusbildung wird die einzubauende Verunreinigung 35 findung mit einer p-leitenden Schicht versehen wird,
vorher auf den betreffenden Oberflächenteil angebracht Dazu wurde von einem η-leitenden, praktisch ein- und dann durch Anblasen mit einem vorerhitzten Gas- kristallinem Cadmiumsulfid-Plättchenl mit einer Dicke strom in den betreffenden Körperteil eingeführt Der von etwa 1 μηι und einem Längsquerschnitt von etwa Einbau kann durch Aufschmelzen und Einlegieren V« cm¹ ausgegangen, das an einer Seite mit einer etwa eines die wirksame Verunreinigung enthaltenden 40 1 mm dicken Schicht 2 aus Kupfer bedampft wurde, Elektrodenmaterials erfolgen. Insbesondere ist das und dann in der in der Figur dargestellten Temper-Verfahren nach der Erfindung geeignet, um die Ände- anordnung behandelt wurde.

rung des Konzentrationsverlaufes durch Eindiffundie- In dieser Anordnung befand sich ein inertes Gas,

ren (Feststoffdiffusion) einer Verunreinigung durch- wie z. B. Argon, in einem Gefäß 3 unter Druck. Auszuführen, da die vorhandene Möglichkeit der Anwen- 45 gehend von diesem Gefäß 3 konnte das inerte Gas

dung rascher kurzzeitiger Temperaturerhöhungen und unter Verwendung eines Dreiweghahnes 4 entweder

gegebenenfalls einer Temperaturprogrammierung auch über den auf Temperatur T₁ gehaltenen Raum 5 oder

einen von dem normalen durch Diffusion in einem über den auf Temperatur T₂ gehaltenen Raum 6 der

Ofen zu erhaltenden Konzentrationsverlauf abwei- Düse 7 zugeführt werden. Die Düse 7 enthielt ein chenden Verlauf, z. B. einen sehr starken Konzentra- so becherförmiges Ende 8, das ein störendes Ansaugen

tionsgradienten ermöglichen. von Luft aus der Umgebung zu der zu behandelnden

Als besonders geeignet hat sich das Verfahren nach Oberfläche 9 des Kristalls und eine störende Abkühder Erfindung erwiesen zur Anwendung bei der Um- lung des Gasstromes bei Austreten aus dem dünnen Wandlung des Leitungstyps einer Oberflächenschicht Rohrteil 10 verhütete. In diesem Fall umgab das bechereines Halbleiterkörpers, und in diesem Zusammenhang 55 förmige Ende 8 den zu behandelnden Oberflächenist es unter anderem von besonderem Interesse bei der teil 9 völlig. Der Innendurchmesser des Rohres 10 Herstellung von strahlungsempfindlichen Anordnun- betrug etwa 3 mm und der Durchmesser des bechergen, wie pn-Photodioden und Sonnenzellen, bei denen förmigen Endes am Rande etwa 1 cm, während der die Strahlung auf die betreffende Schicht einfällt, so Abstand von der Ausströmungsöffnung 11 bis an die daß diese Schicht zur Erzielung eines hohen Wirkungs- 60 Oberfläche 9 ungefähr 1,2 cm betrug,
grades äußerst dünn sein soll. Das Verfahren ermög- Da zur Eindiffusion der Kupferschicht 2 eine Temlicht eine solche Umwandlung des Leitungstyps eben peraturprogrammierung gewünscht ist, bei der eine bei solchen Verbindungen, wie z. B. bei einem Sulfid rasche Aufheizung und nach einiger Temperzeit oder Selenid, bei denen mit den bekannten Temperatur- wieder eine rasche Abkühlung gewünscht ist, bestand behandlungen diese Umwandlung praktisch nicht zu 65 der Raum 5 aus einem Widerstandsofen, der auf eine erreichen ist. So ermöglicht die Erfindung, z. B. die hohe Temperatur von etwa 1000"C gehalten wurde, Herstellung eines p-Ieitenden Oberflächenteiles (dessen und der Raum 6 aus einem mit flüssiger Luft gefüllten p-Leitung möglicherweise Störbandleitung zuzuschrei- Gefäß. Beim Durchgang des Gasstromes durch den

betreffenden Raum wird die Temperatur des Gasstrrtr.es.je nach der Durchstrcmungsgeschwindigkeit geändert und durch Auswahl der Temperatur des Raumes und Regelung der Durchströmungsgeschwindigkeit kann jede beliebige Temperatur des Gasstromes an der Oberfläche des Halbleiterkörpers erzeugt werden. Diese Temperatur wird z. B. mit einem an der Halbleiteroberfläche angebrachten Thermoelement gemessen.

Am Anfang der Behandlung wurde der Körperl, auf einem Stab aus gut wärmeleitendem Material, 7. B. Eisen, gehaltcrt ur.d mit der bedampften Oberfläche 7ur Ausströmungsöffnung gekehrt, in das bechcrföimige Ende 8 eingeführt. Die Behandlung erfolgte einfach an der freien Luft in einem Raum normali?r Zimmertemperatur, d. h. etwa 20 C.

Durch Einstellung des Dreiweghahnes 4 wurde der Orxrflächcntei! 9 während etwa 20 Sekunden mit cirem Gasstrom von etwa 600 C angeblasen, wobei die wirksame Akzeptorverunreinigung Kupfer in eine ao dünne Oberflächenschicht des Körpers eingeführt wurde. Danach wurde durch Umdrehen des Dreiweghabnes der betreffende Oberflächenteil 9, z. B. während 15 Sekunden, durch Anblasen mit einem durch den mit flüssiger Luft gekühlten Raum 6 geleiteten Gasstrom rasch abgekühlt.

Nachdem die Kupferschicht entfernt war, und mit Silberpaste die behandelte Oberfläche und die gegenüberliegende Seite des Körpers kontaktiert waren, ergab sich, daß sich eine p-leitende Schicht, deren p-Leitung möglicherweise der Störbehandlung zuzuschreiben ist, gebildet hatte. Bei Bestrahlung dieser Schicht mit hellem Sonnenlicht, wurde ein Kurzschlußstrom \on etwa 1OmA pro cm² und eine Leerlaufspannung von etwa 0,6 V gemessen.

In ähnlicher Weise wurde z. B. ein wenig polykristallines Plättchen aus p-leitendem Galliumselenid nach Bedampfen mit einer etwa 1 Mikron dicke Schicht aus der Donatorverunreinigung Zinn unter Anwendung der erfindungsgemäßen Temperaturbehandlung mit einer η-leitenden diffundierten Schicht versehen. Die Behandlung erfolgte in derselben Weise, mit nur dieser Ausnahme, daß der Gasstrom auf einer Temperatur von etwa 650C erhitzt wurde, und 50 Sekunden auf dieser Temperatur belassen, bevor auf die Kühlung mit dem durch den Raum 6 geleiteten Gasstrom umgeschaltet wurde. Nach Entfernen der Zinnschicht und Kontaktierung wurde bei Bestrahlung mit Sonnenlicht eine Lcerlaufspannung von 1,2 Volt gemessen und ein Kurzschlußstrom von etwa 0,5 mA pro cm'-.

Es ist in ähnlicher Weise auch möglich, in den oben beschriebenen Beispielen statt Kupfer, Silber und Nickel als Akzeptorverunreinigung zu verwenden und z. B. statt Zinn als Donatorverunreinigung Germanium.

Es wird schließlich noch bemerkt, daß die Erfindung selbstverständlich nicht auf die obenerwähnten Beispiele beschränkt ist. sondern daß innerhalb des Rahmens der Erfindung ein Fachmann mehrere Abänderungen des Verfahrens anbringen kann. So kann das Verfahren statt zur Erzeugung eines pn-Überganges gleichfalls zur Dotierung eines Oberflächenteiles mit anderen wirksamen Verunreinigungen, wie z. B. Strahlungszentren, verwendet werden. Statt eines inerten Gasstromes kann gewünschtenfalls ein reduzierender Gasstrom, z. B. zur Vermeidung von Oxydschichten, angewendet werden. Die Behandlung kann statt an der freien Luft, in einer Schutzatmosphäre durchgeführt werden. Es können in einfacher Weise andere gewünschte Temperaturprogrammierungen angewendet werden, z. B. indem mehrere Temperaturräume mittels eines Vielweghahnes verwendet werden, oder es kann die Temperatür eines durch den Gasstrom durchflossenen Raumes in gewünschter Weise zur Änderung der Temperatur des Gasstromes geändert werden.

Claims (20)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem zur Änderung der räumlichen Störstellenverteilung in einem an die Oberfläche grenzenden Teil eines Halbleiterkörpers eine Temperaturbehandlung in einem Gasstrom durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche dieses Teiles des Halbleiterkörpers mit einem gezielten Gasstrom angeblasen wird, der die für die Behandlung erforderliche Temperatur hat, während sich der restliche Halbleiterkörper in einer Umgebung davon abweichender Temperatur befindet.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein vorerhitzter Gasstrom zur Aufheizung verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Temperaturprogrammierung des Gasstromes vorgenommen wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturbehandlung zeitlich gegeneinander verschoben sowohl ein Anblasen mit einem oberhalb der Umgebungstemperatur vorerhitzten Gasstrom als auch ein Anblasen mit einem unterhalb der Umgebungstemperatur vorgekühlten Gasstrom umfaßt.

5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom unter Verwendung eines Vielweghahnes nacheinander durch verschiedene Temperaturräume geleitet wird.

6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansptüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein beschränkter Oberflächenteil der Behandlung unterworfen wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein nicht durch den Gasstrom angeblasener Oberflächenteil gleichzeitig gekühlt wird.

8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom mittels einer Düse auf den betreffenden Oberflächenteil gerichtet wird und daß die Düse ein trichterförmiges Ende aufweist.

9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom aus einem inerten oder reduzierenden Gas besteht.

10. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Änderung durch Einbauen einer wirksamen Störstelle hervorgerufen wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die einzubauende Verunreinigung dem Gasstrom zugegeben wird.

12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die einzubauende Verunreinigung vorher auf den betreffenden Oberflächenteil angebracht und dann durch Anblasen mit einem

vorerhitzten Gasstrom in den betreffenden Körperteil eingeführt wird.

13. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Änderung des Konzentrationsverlaufes durch Eindiffusion (Feststoffdiffusion) einer wirksamen Verunreinigung durchgeführt wird.

14. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß durch den Einbau eine Umwandlung des Leitungs- to typs einer Oberflächenschicht eines Halbleiterkörpers durchgeführt wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der halbleitende Körper aus einem Sulfid oder Selenid besteht.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß durch Eindiffusion einer Akzeptorverunreinigung, wie z. B. Kupfer, Silber oder Nickel, in einem η-leitenden Cadmiumsulfidkörper ein p-leitender Oberflächenteil hergestellt wird. ao

17. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß durch Einduffusion einer Donatorverunreinigung, wie z. B. Zinn oder Germanium, in einem p-leitenden Galliumselenidkörper ein η-leitender Oberflächenteil hergestellt wird.

18. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß es auf einem polykristallinen Halbleiterkörper angewendet wird.

19. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der betreffende Oberflächenteil mit einem vorerhitzten Gasstrom rasch aufgeheizt und nachher mit einem vorgekühlten Gasstrom rasch abgekühlt wird.

20. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß es zur Umwandlung einer Oberflächenschicht einer strahlungsempfindlichen Anordnung, wie z. B. pn-Photodiode oder Sonnenzelle, angewendet wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 209 Al 2/17