DE19528998A1

DE19528998A1 - Bidirektionaler Halbleiterschalter und Verfahren zu seiner Steuerung

Info

Publication number: DE19528998A1
Application number: DE19528998A
Authority: DE
Inventors: Naoki Kumagai
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1994-08-08
Filing date: 1995-08-07
Publication date: 1996-02-15
Anticipated expiration: 2015-08-08
Also published as: JPH0851202A; JP3183055B2; US5585650A; DE19528998C2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft spannungsgesteuerte, selbst-löschende bidirektionale Halblei terschalter, die in elektrischen Leistungs-Stromrichtern etc. verwendet werden, sowie Verfahren zur Ansteuerung dieser Halbleiterschalter.

Fig. 5 ist eine Schnittansicht eines Beispiels eines herkömmlichen spannungsgesteuerten, selbst löschenden, bidirektionalen Halbleiterschalters, der "TRIMOS" genannt und in der Druckschrift IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Band ED-27, Nr. 2, Seiten 380-387 beschrie ben wird. Man kann diesen Halbleiterschalter als eine Vorrichtung auffassen, die gegenpolig in Reihe geschaltete laterale MOSFETs aufweist und als ein bidirektionaler MOS-Thyristor arbeitet.

Gemäß Darstellung in Fig. 5 ist dieser Halbleiterschalter wie folgt aufgebaut. Im oberen Teil einer n-leitenden Halbleiterschicht (n⁻Schicht) 2 sind eine erste p-leitende Wanne (p Wanne) 31 und eine zweite p-leitende Wanne 32 ausgebildet. Stark dotierte n-leitende Halbleiterzonen (n⁺ Zonen) 41, 42 (im dargestellten Beispiel ringförmig) sind in dem oberen Teil der Wanne 31 bzw. 32 ausgebildet. Eine stark dotierte p-leitende Kontaktzone (p⁺ Kontaktzone) 51 ist innerhalb der Zone 41 ausgebildet. Eine stark dotierte p-leitende Kontaktzone (p⁺ Kontaktzone) 52 ist inner halb der Zone 42 ausgebildet. Eine n-leitende Kontaktzone (n Zone) 12 mittlerer Dotierung ist im oberen mittleren Teil der Schicht 2 zwischen den Wannen 31 und 32 ausgebildet. Eine (in diesem Beispiel ringförmige) Gateelektrode 71 befindet sich auf einem Isolierfilm (Gateoxidfilm) über dem Abschnitt der Wanne 31, der sich zwischen der Zone 41 und der Schicht 2 erstreckt. Eine (hier ebenfalls ringförmige) Gateelektrode 72 befindet sich über einem Isolierfilm (Gateoxid film) auf dem Abschnitt der Wanne 32, der sich zwischen der Zone 42 und der Schicht 2 erstreckt. Die Gateelektroden 71 und 72 sind mit einem gemeinsamen Gateanschluß G verbun den. Eine erste Hauptelektrode 81 befindet sich auf der Kontaktzone 51. Eine zweite Hauptelek trode 82 befindet sich auf der Kontaktzone 52. Die Hauptelektroden 81 und 82 sind mit Haupt anschlüssen T1 bzw. T2 verbunden. Die oben beschriebene n⁻ Schicht 2 dient als eine Driftzone für Ladungsträger (Elektronen oder Löcher).

Der oben beschriebene Aufbau kann einerseits als Gegenreihenschaltung von lateralen MOSFETs und andererseits als ein bidirektionaler IGBT oder eine bidirektionaler Thyristor ange sehen werden, da der Betrieb dieses Aufbaus einen bipolaren Modus einschließt.

Es sei nun der Fall betrachtet, daß die erste Hauptelektrode 81 mit einem positiven Potential vorgespannt wird und die zweite Hauptelektrode 82 mit einem negativen Potential. An der Oberfläche der p Wanne 31 unterhalb der Gateelektrode 71 wird eine Inversionsschicht gebil det, und Elektronen werden dadurch von der n⁺ Zone 41 zu der n⁻Schicht 2 injiziert, daß an den Gateanschluß G eine Spannung angelegt wird, die in bezug auf die Hauptelektrode 81 posi tiv ist und über einem Schwellenwert liegt. Diese Inversionsschicht wird gewöhnlich als "Kanal" bezeichnet. Zusammen mit der Elektroneninjektion werden Löcher von der p Wanne 32 auf der Seite der zweiten Hauptelektrode 82 injiziert. Der injizierte Löcherstrom fließt in die Wanne 31 und verursacht aufgrund von deren Widerstand einen Spannungsabfall. Der Übergang zwischen der p Wanne und der n⁺ Zone 41 wird durch diesen Spannungsabfall in Vorwärtsrichtung vorgespannt und verstärkt die Elektroneninjektion von der Zone 41. Daher bleibt die Vorrichtung in ihrem Einschaltzustand, ohne daß eine Spannung höher als der Schwellenwert an den Gate anschluß G angelegt wird, und arbeitet in einer Thyristor-Betriebsweise. Da die Hauptelektroden 81 und 82 symmetrisch zueinander angeordnet sind, kann die Vorrichtung auch als ein bidirek tionaler Schalter verwendet werden.

Fig. 6 ist eine Schnittansicht eines Beispiels eines herkömmlichen unidirektionalen Schalters mit hoher Sperrspannung. Wie in Fig. 6 gezeigt, weist diese Vorrichtung einen sogenannten Durch griffs-Aufbau (reach-through) auf, der eine Zone entsprechend der n Zone 12 in Fig. 5 umfaßt, die die Wanne 31 umgibt, um die n⁻ Schicht 2 zu verkürzen.

Wenn man bei der Vorrichtung von Fig. 5 eine hohe Sperrspannung (hohe Stehspannung) reali sieren möchte, ist es nötig, die n⁻ Schicht 2 mit einem hohen spezifischen Widerstand zu verse hen. Wenn die Schicht 2 jedoch einen hohen spezifischen Widerstand aufweist, breitet sich eine Verarmungsschicht mit dem Rand 13 über die n Zone 12 hinaus aus, die eigentlich als Verar omungsschicht-Stopper wirken soll. Der Rand 13 der sich ausbreitenden Verarmungsschicht erreicht die Wanne 32 auf der Seite hohen Potentials, was den sogenannten Durchschlag ("punch-through" Erscheinung) verursacht. Deshalb kann die Vorrichtung ihren Sperrzustand nicht weiter aufrechterhalten. Wenn die Schicht 2 verlängert wird, um dieses Problem zu lösen, dann verlängert sich auch der Driftweg der Ladungsträger, womit die Durchlaßspannung der Vorrichtung ansteigt.

Zur Verringerung der Durchlaßspannung von Vorrichtungen, die in bipolarer Betriebsart arbeiten, werden die Vorrichtungen gewöhnlich so ausgelegt daß sie den in Fig. 6 gezeigten Durchgriffs- Aufbau aufweisen. Durch das Vorsehen der n Zone 12, die als Verarmungsschicht-Stopper wirkt, wird der Durchschlag verhindert, während die Schicht 2 verkürzt wird. Die um die Wanne 32 herum angeordnete n Zone 12 erhöht aber den Gateschwellenwert. Da eine besonders hohe Spannung an die Gateelektrode angelegt werden muß, um die Vorrichtung einzuschalten, ist der Aufbau von Fig. 6 für bipolare Schalter nicht praktizierbar.

Da die Gateelektroden 71 und 72 untereinander verbunden sind, wird die Potentialdifferenz zwischen der Hauptelektrode 82 und der Gateelektrode 72 verstärkt, was einen Durchbruch des Gateoxidfilms verursacht, wenn die Gateelektrode 71 gegenüber der Hauptelektrode 81 der Seite niedrigen Potentials vorgespannt wird. Die herkömmlichen Vorrichtungen eignen sich daher nicht für Anwendungen, die hohe Sperrspannungen erfordern, vielmehr sind ihre Anwen dungen auf den Bereich mittlerer Sperrspannungen beschränkt.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen besonders leistungsfähigen bidirektionalen Halbleiterschalter zu schaffen, der eine hohe Sperrspannung (Stehspannung), eine niedrige Durchlaßspannung, einen geringen Abschaltverlust und eine hohe Schaltgeschwindigkeit aufweist. Aufgabe der Erfindung ist es ferner, ein Verfahren zur Steuerung des bidirektionalen Halbleiterschalters anzugeben.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Halbleiterschalter nach Anspruch 1 bzw. ein Verfahren nach Anspruch 3 oder 4 gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Nachfolgend wird der bidirektionale Halbleiterschalter einfach als "Vorrichtung" bezeichnet. Außerdem sollen zum Zwecke der Erläuterung, und ohne daß hierin eine Beschränkung zu sehen ist, der in den Patentansprüchen als "erster Leitungstyp" bezeichnete Leitungstyp durch den p- Leitungstyp und der "zweite Leitungstyp" durch den n-Leitungstyp repräsentiert werden. Bei den beanspruchten Vorrichtungen ist das Potential des p-leitenden Substrats (p⁻ Substrats) schwimmend. Wenn sich bei diesen Vorrichtungen der Rand der Verarmungsschicht von der auf der Seite niedrigen Potentials gelegenen p Wanne aus breitet und das Substrat erreicht, weist das Potential des Substrats einen Zwischenwert zwischen dem niedrigen Potential und dem hohen Potential der Hauptelektroden auf. Die Verarmungsschicht breitet sich auch in das Substrat aus. Aufgrund dessen breitet sich die Verarmungsschicht weniger tief von dem Substrat in die n⁻ Schicht aus als dies bei Vorrichtungen der Fall ist, bei denen das Substrat elektrisch mit der p Wanne verbunden ist, die auf der Seite niedrigen Potentials liegt, oder bei den Vorrichtungen, die keinerlei p⁻ Substrat aufweisen. Da die Verarmungsschicht kaum die p Wanne auf der Seite hohen Potentials erreicht und der sogenannte Durchschlag schwerlich auftritt, weist die Vorrichtung eine hohe Sperrspannung auf. Ferner wird die Vorrichtung dadurch in der sogenannten bipolaren Betriebsart mit einer niedrigen Durchlaßspannung einge schaltet, daß der MOSFET auf der Seite niedrigen Potentials eingeschaltet wird, um Löcher von der p Wanne auf der Seite hohen Potentials zur n⁻ Schicht zu injizieren. Die Vorrichtung wird dadurch in der unipolaren Betriebsart mit geringem Abschaltverlust und hoher Schaltgeschwin digkeit abgeschaltet, daß der MOSFET auf der Seite hohen Potentials eingeschaltet wird, um die Löcherinjektion von der p Wanne auf der Seite hohen Potentials zur n⁻ Schicht zu stoppen.

Die Arbeitsweise der Vorrichtungen wird nachfolgend kurz beschrieben. Wenn das Potential der ersten Hauptelektrode niedriger ist als dasjenige der zweiten Hauptelektrode, werden die Vorrichtungen in folgenden Schritten eingeschaltet. Zuerst wird der MOSFET auf der Seite niedrigen Potential dadurch eingeschaltet, daß an die erste Gateelektrode eine Spannung höher als der Gateschwellenwert angelegt wird. Dann wird der MOSFET auf der Seite hohen Poten tials, um Minoritätsladungsträger zu injizieren, dadurch abgeschaltet, daß eine Spannung niedri ger als der Gateschwellenwert an die zweite Gateelektrode angelegt wird, nachdem eine zwischen null und einer vorbestimmten Dauer liegende Verzögerungszeit verstrichen ist. Die Vorrichtungen werden in folgenden Schritten abgeschaltet. Zuerst wird der MOSFET auf der Seite hohen Potentials, um die Minoritätsladungsträgerinjektion zu stoppen, dadurch eingeschal tet, daß eine Spannung höher als der Gateschwellenwert an die zweite Gateelektrode angelegt wird. Dann wird der MOSFET auf der Seite niedrigen Potentials dadurch abgeschaltet, daß eine Spannung niedriger als der Gateschwellenwert angelegt wird, nachdem eine zwischen Null und einer vorbestimmten Dauer liegende Verzögerungszeit verstrichen ist. Bei der Ausführungsform, bei der die Gateelektroden über die Abschnitte der n⁻ Schicht ausgedehnt sind, die sich zwischen der p Wanne und der p Zone (zweite Halbleiterzone) erstrecken, wird die Durchlaß spannung durch eine zusätzliche Minoritätsladungsträgerinjektion von der p Zone, verstärkt durch das Anlegen einer zur Schaffung einer Inversionsschicht an der n⁻ Schicht ausreichend hohen Spannung, weiter gesenkt.

Wenn das Potential der ersten Hauptelektrode höher als das der zweiten Hauptelektrode ist, arbeitet die Vorrichtung in gleicher Weise mit vertauschten Rollen der ersten und der zweiten Hauptelektrode.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen:

Fig. 1(a) und 1(b) einen Querschnitt einer ersten Ausführungsform der Erfindung zur Erläuterung der Ausdehnung einer Verarmungsschicht,

Fig. 2 einen Querschnitt einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 3 einen Querschnitt einer dritten Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 4(a) und 4(b) ein Zeitdiagramm zur Erläuterung einer Ausführungsform eines Gateansteue rungsverfahrens für die Vorrichtungen der vorliegenden Erfindung,

Fig. 5 einen Querschnitt eines herkömmlichen bidirektionalen Schalters, und

Fig. 6 einen Querschnitt eines herkömmlichen unidirektionalen Schalters.

Die Fig. 1(a) und 1(b) zeigen einen Querschnitt einer ersten Ausführungsform der Erfindung. In beiden Figuren sind Verarmungsschichtränder eingezeichnet. Die Vorrichtung der Fig. 1(a) und 1(b) besitzt ein p⁻ Substrat 1 mit einem spezifischen Widerstand von 100 Ωcm, auf dem eine n⁻ Schicht 2 ausgebildet ist. Die Schicht 2 wird durch Implantieren von Phosphorionen mit einer Dosismenge von 6 × 10¹² cm² und anschließende Wärmebehandlung (thermische Diffusion) mit einer Dicke von 5 µm ausgebildet. Ein Paar aus zwei p Wannen 31 und 32 und mehrere p Zonen 11 sind durch lmplantation von Borionen von der Oberfläche der Schicht 2 mit einer Dosismenge von 1 × 10 cm² ausgebildet. Stark dotierte p⁺ Kontaktzonen 51 und 52 sind durch Implantieren von Borionen von der Oberfläche der Schicht 2 mit einer Dosismenge von 8 × 10 cm² ausgebildet. n⁺ Zonen 41, 42 sind durch Implantieren von Arsenionen von der Oberfläche der Wanne 31 bzw. 32 mit einer Dosismenge von 10¹⁵ cm² ausgebildet. Die Tiefe der jeweiligen Zonen wird durch Wärmebehandlung nach der Ionenimplantation eingestellt. Eine Gateelektrode 71 ist auf einem Isolierfilm 61 über dem Abschnitt der Wanne 31 angeordnet, der sich zwischen der Zone 41 und der Schicht 2 erstreckt. Der Isolierfilm 61 umfaßt einen Oxidfilm oder einen Nitridfilm mit einer Dicke von 25 nm (250 Å). Die Gateelektrode 71 umfaßt einen polykristallinen Siliziumfilm mit einer Dicke von 450 nm (4500 Å). Eine Gateelektrode 72 ist auf einem Isolierfilm 62 auf dem Abschnitt der Wanne 32 ausgebildet, der sich zwischen der Zone 42 und der Schicht 2 erstreckt. Der Isolierfilm 62 umfaßt einen Oxidfilm oder einen Nitridfilm mit einer Dicke von 25 nm (250 Å). Die Gateelektrode 72 umfaßt einen polykristallinen Silizium film mit einer Dicke von 450 nm (4500 Å). Eine Hauptelektrode 81 aus Aluminium ist auf der Oberfläche der Kontaktzone 51 und einem Teil der Oberfläche der Zone 41 angeordnet. Eine Hauptelektrode 82 aus Aluminium ist auf der Oberfläche der Kontaktzone 52 und einem Teil der Oberfläche der Zone 42 angeordnet. Die Kontaktzonen 51 und 52 müssen nicht notwendiger weise vorhanden sein. Ein Gateanschluß G1 ist mit der Gateelektrode 71 verbunden und ein Hauptanschluß T1 mit der Hauptelektrode 81. Ein Gateanschluß G2 ist mit der Gateelektrode 72 verbunden und ein Hauptanschluß T2 mit der Hauptelektrode 82.

Die erste Ausführungsform unterscheidet sich von dem Stand der Technik nach Fig. 5 in folgenden drei Punkten. Erstens, befindet sich, wie in den Fig. 1(a) und 1(b) gezeigt, unter der n⁻ Zone 2 ein p⁻ Substrats 1, dessen Potential schwimmt, das heißt die Vorrichtung der Fig. 1(a) und 1(b) hat keinerlei Elektrode zur Fixierung des Potentials des Substrats 1. Zweitens sind bei der Vorrichtung der Fig. 1(a) und 1(b) mehrere p Zonen 11 im Oberflächenbereich der n⁻ Schicht 2 anstelle der n Zone 12 von Fig. 5 ausgebildet. Drittens sind bei der Vorrichtung der Fig. 1(a) und 1(b) die Gateelektroden 71 und 72 voneinander getrennt und mit einem jeweiligen Gatean schluß G1 und G2 verbunden.

Es soll nun das Verhalten der Verarmungsschicht im Betrieb der Vorrichtung erläutert werden. Gestrichelte Linien in den Fig. 1(a) und 1(b) zeigen die Ränder 13 der Verarmungsschicht für den Fall, daß die Hauptelektrode 81 mit einem niedrigen Potential und die Hauptelektrode 82 mit einem hohen Potential vorgespannt wird. Fig. 1(a) zeigt den Zustand, wo die Potentialdifferenz zwischen den Hauptelektroden relativ gering ist. In Fig. 1(a) hat der Rand 13 der sich von der Wanne 31 ausdehnenden Verarmungsschicht das Substrat 1 noch nicht erreicht. Da das Substratpotential schwimmt, folgt es dem Potential der Schicht 2, die nicht verarmt ist. Das Potential der Ränder 13 der Verarmungsschicht, die den Übergang zwischen dem p⁻ Substrat 1 und der n⁻ Schicht 2 einschließt, ist gleich dem Potential im thermischen Gleichgewicht.

Fig. 1(b) zeigt den Zustand, wo die Potentialdifferenz groß ist. In Fig. 1(b) senkt sich die zwischen dem Substrat 1 und der Schicht 2 gebildete Potentialbarriere, sobald der Rand 13 der Verarmungsschicht das Substrat 1 erreicht, was den sogenannten Durchschlag hervorruft. Löcher fließen aufgrund des Durchschlags von dem Substrat 1 durch die verarmte Schicht 2 in die Wanne 31. Damit verbunden wird eine Verarmungsschicht in einer Zone gebildet, in der die Löcher verarmt sind. Diese Zone wird in dem Substrat 1 gebildet. Als Folge davon, folgt das Potential des Substrats 1 nicht dem Potential der Schicht 2, die nicht mehr verarmt ist. Wenn die Potentialdifferenz zwischen den Hauptelektroden weiter zunimmt, wird das Potential des Substrats 1, obwohl noch immer ansteigend, niedriger als das ansteigende Potential der Schicht 2. Diese Potentialdifferenz treibt die Verarmungsschichtränder 13 in das Substrat 1 und die Schicht 2. Der Verarmungsschichtrand 13 auf der Seite des Substrats 1 dehnt sich nicht so tief in den Abschnitt des Substrats 1 unterhalb der Wanne 31 aus, die auf der Seite niedrigen Potentials liegt. Im Gegensatz dazu dehnt sich der Verarmungsschichtrand 13 auf der Seite des Substrats 1 tief in den Abschnitt des Substrats aus, der sich unterhalb der Wanne 32 auf der Seite hohen Potentials befindet.

Obwohl der Verarmungsschichtrand 13 sich tief in den Abschnitt des Substrats 1 unterhalb der Wanne 32 ausdehnt, ist die Potentialdifferenz zwischen dem Substrat 1 und der Wanne 32 klein im Vergleich zu dem Fall, wo das Substrat 1 durch elektrische Verbindung mit der Wanne 31 auf der Seite niedrigen Potentials fixiert ist. Der Verarmungsschichtrand 13 dehnt sich weniger tief in die Schicht 2 unterhalb der Wanne 32 aus. Dies beruht darauf, daß das Potential des Substrats 1 höher ist als das der Wanne 31. Als Folge davon ist der Verarmungsschichtrand 13, der vom Substrat 1 voranschreitet, daran gehindert, die Wanne 32 auf der Seite hohen Poten tials zu erreichen, so daß der Durchschlag nicht auftritt.

Da das Potential der in der n⁻ Schicht 2 ausgebildeten p Zonen 11, wie dasjenige des Substrats 1, schwimmt, nimmt es einen Zwischenwert zwischen dem Potential der Schicht 2 und demje nigen der Wanne 31 an. Die Potentialdifferenz treibt den Verarmungsschichtrand 13 in die Schicht 2. Wenn sich der voranschreitende Verarmungsschichtrand 13 mit dem Rand 13 der Verarmungsschicht verbindet, die vom Substrat 1 ausgeht, dann ist die Schicht 2 mit Ausnahme einer peripheren Zone um die Wanne 32, die auf der Seite hohen Potentials liegt, vollständig verarmt und in der Lage, einer hohen Spannung standzuhalten. Wenn der nicht verarmte Bereich der Schicht 2 schmal ist, kann der Stromverstärkungsfaktor eines pnp Transi stors, bestehend aus der p Wanne 31, der n⁻ Schicht 2 und der p Wanne 32, hoch werden und eine Verringerung der Sperrspannung (Stehspannung) verursachen. Der Stromverstärkungsfak tor kann jedoch dadurch gesenkt und die Verringerung der Sperrspannung verhindert werden, daß der MOSFET auf der Seite hohen Potentials, der sich auf der Seite der Hauptelektrode 82 befindet, eingeschaltet wird, um die n Schicht 2 und die p Zone 32 zur Unterdrückung der Löcherinjektion kurzzuschließen. Der MOSFET auf der Seite hohen Potentials wird dadurch eingeschaltet, daß die Gateelektrode 72 mit einem bezüglich der Hauptelektrode 82 positiven Potential vorgespannt wird. Da die Vorrichtung einen symmetrischen Aufbau mit den Hauptelek troden 81 und 82 aufweist, kann sie auch einer hohen Spannung standhalten, wenn das Poten tialverhältnis zwischen den Hauptelektroden 81 und 82 umgekehrt ist.

Die Vorrichtung wird dadurch eingeschaltet, daß die Gateelektrode 71 mit einem bezüglich der Hauptelektrode 81 positiven Potential vorgespannt ist, um den MOSFET auf der Seite niedrigen Potentials einzuschalten, wenn die Hauptelektrode 81 mit einem niedrigen Potential und die Hauptelektrode 82 mit einem hohen Potential vorgespannt wird. Wenn dabei das Gate auf der Seite der Hauptelektrode 82 sich in einem Ausschaltzustand befindet, liefern Elektronen, die von dem MOSFET auf der Seite niedrigen Potentials injiziert werden, einen Basisstrom für den pnp Transistor, der aus der p Zone 31, der n⁻ Schicht 2 und der p Zone 32 besteht. Löcher werden durch den Basisstrom von der Wanne 32 injiziert.

Die Vorrichtung kann daher in bipolarer Betriebsweise, das heißt als IGBT oder Thyristor betrie ben werden, solange das Gate auf der Seite der Hauptelektrode 82 im Ausschaltzustand ist. Wenn sich das Gate auf der Seite der Hauptelektrode 82 im Einschaltzustand befindet, bietet der MOSFET auf der Seite hohen Potentials einen Nebenschluß für den Basisstrom des pnp Transistors. Da dann keine Löcherinjektion auftritt, kann die Vorrichtung nun in unipolarer Betriebsweise, das heißt als MOSFET, betrieben werden. Demgemäß wird die Vorrichtung in der IGBT-Betriebsart oder Thyristor-Betriebsart betrieben, bei der die Durchlaßspannung im statio nären Durchlaßbetrieb gering ist, und unmittelbar vor dem Abschalten in die MOSFET-Betriebs art umgeschaltet, bei der der Abschaltverlust gering ist. Die Vorrichtung realisiert damit sowohl eine niedrige Durchlaßspannung als auch einen niedrigen Abschaltverlust und ermöglicht ein Schalten mit hoher Geschwindigkeit.

Fig. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In Fig. 2 sind Teile, die solchen in den Fig. 1(a) und 1(b) gleichen, mit denselben Bezugszahlen versehen und nicht noch einmal erläutert. Die zweite Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungs form darin, daß die Vorrichtung von Fig. 2 anstelle der Vielzahl von p Zonen 11 eine p Zone 11 aufweist. Da in Fig. 2 in der p Zone eine neutrale Zone vorhanden ist, tritt eine elektrische Feld konzentration auf, die die Sperrspannung (Stehspannung) verringert, wenn sich eine Zone glei chen Potentials seitlich ausbreitet. Zur Vermeidung dieses Problems ist es nötig, die Störstellen konzentration und die Diffusionstiefe der Zone 11 sorgfältig auszulegen, so daß die Zone 11 bei maximaler angelegter Spannung vollständig verarmt ist.

Fig. 3 zeigt eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Auch in Fig. 3 sind Teile, die solchen in den Fig. 1(a), 1(b) und Fig. 2 gleichen, mit denselben Bezugszahlen versehen. Die dritte Ausführungsform unterscheidet sich von der zweiten Ausführungsform darin, daß die Gateelektrode 71 auf dem Isolierfilm 61 über den Abschnitt der n⁻ Schicht 2, der sich zwischen der p Wanne 31 und der p Zone 11 erstreckt, bis zu über einem Abschnitt der p Zone 11 ausgedehnt ist, und daß die Gateelektrode 72 auf dem Isolierfilm 62 über dem Abschnitt der Schicht 2, der sich zwischen der Wanne 32 und der Zone 11 erstreckt, bis zu über einem Abschnitt der Zone 11 ausgedehnt ist. Durch Vorspannen der Gateelektrode 72 auf der Seite hohen Potentials mit einem bezüglich der Hauptelektrode 82 auf der Seite hohen Potentials negativen Potential während der Einschaltzeit der Vorrichtung wird an der Oberfläche der Schicht 2 eine Inversionsschicht gebildet, die die Wanne 32 auf der Seite hohen Potentials mit der Zone 11 verbindet. Durch Verbinden der Wanne 32 mit der Zone 11 über die Inversions schicht wird eine Löcherinjektion von der Zone 11 ermöglicht und eine niedrigere Durchlaßspan nung erreicht. Auch wird die Ladungsträgerlebensdauer der Schicht 2 verkürzt und die Schalt geschwindigkeit erhöht.

Die Fig. 4(a) und 4(b) zeigen ein Zeitdiagramm zur Erläuterung einer Ausführungsform eines Gatesteuerverfahrens für die Vorrichtungen der vorliegenden Erfindung.

Fig. 4(a) zeigt den Fall, wo das Potential der Hauptelektrode 81 niedriger als das Potential der Hauptelektrode 82 ist. Im anfänglichen Zustand ist die Vorrichtung gesperrt, wobei das Poten tial VG1 der Gateelektrode 71 niedriger als der Gateschwellenwert ist und das Potential VG2 der Gateelektrode 72 höher ist als der Gateschwellenwert. Die Vorrichtung wird durch folgende Schritte eingeschaltet. Zuerst wird das Potential VG1 über den Gateschwellenwert angehoben, um einen Kanal in der Wanne 31 auszubilden. Nach Verstreichen einer Verzögerungszeit τ1 wird der in der Wanne 32 ausgebildete Kanal dadurch beseitigt, daß das Potential VG2 unter den Gateschwellenwert abgesenkt wird, um eine Löcherinjektion von der Wanne 32 zur Schicht 2 zu verstärken. Die Vorrichtung wird dann mit folgenden Schritten abgeschaltet. Durch Anhe ben des Potentials VG2 über den Gateschwellenwert wird in der Wanne 32 ein Kanal gebildet, um die Löcherinjektion von der Wanne 32 zu stoppen. Nach Verstreichen einer Verzögerungs zeit τ2 wird der in der Wanne 31 gebildete Kanal dadurch beseitigt, daß das Potential VG1 unter den Gateschwellenwert gesenkt wird, um die Elektroneninjektion zu stoppen. Obwohl die Umschaltverzögerungszeiten τ1 und τ2 null sein können, wird der Abschaltverlust dadurch weiter reduziert, daß τ2 auf einen Wert im Bereich von 100 ns bis 1 µs gesetzt wird, um die Vorrichtung abzuschalten, nachdem die Minoritätsladungsträger, die während der Einschaltdauer injiziert wurden, verschwunden sind.

Das oben beschriebene Ansteuerungsverfahren kann auf alle drei der vorgenannten Ausfüh rungsformen angewendet werden. Für die dritte Ausführungsform eignet sich aber auch ein Steuerverfahren, bei dem ein Wert von VG2 eingesetzt wird, der hoch genug ist, um eine Inver sionsschicht in der Schicht 2 zu schaffen, anstelle des Werts von VG2 unter dem Gateschwel lenwert. Durch Schaffung der Inversionsschicht in der Schicht 2 zur Verbindung der Wanne 32 mit der Zone 11 erfolgt eine zusätzliche Löcherinjektion von der Zone 11 in die Schicht 2, die die Durchlaßspannung beim Einschalten der Vorrichtung weiter verringert.

Fig. 4(b) zeigt den Fall, wo das Potential der Hauptelektrode 81 höher als dasjenige der Haupt elektrode 82 ist. Durch Vertauschen der Rollen der Hauptelektroden 81 und 82 ergibt sich dabei eine Betriebsweise, die der von Fig. 4(a) entspricht.

Die voranstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung weisen ein p-leitendes Substrat 1 auf. Wenn ein n-leitendes Substrat verwendet wird und der Leitungstyp der einzel nen auf dem Substrat ausgebildeten Schichten und Zonen gegenüber dem der voranstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele umgekehrt wird, dann ergibt sich eine ähnliche Betriebs weise durch Umkehren der Potentialverhältnisse.

Die in Fig. 3 gezeigte dritte Ausführungsform ist mit einer p Zone 11 versehen. Es könnten aber auch eine Vielzahl der p Zonen vorgesehen werden. Bei einer solchen Modifikation der dritten Ausführungsform wird die Gateelektrode 71 auf dem Oxidfilm 61 bis zu der p Zone 11 ausge dehnt, die der p Wanne 31 am nächsten liegt, und die Gateelektrode 72 auf dem Gateoxidfilm 62 bis zu der p Zone 11, die der p Wanne 32 am nächsten liegt.

Der absolut symmetrische Aufbau der Vorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung ermög licht bidirektionales Schalten und bietet absolut symmetrische Eigenschaften in der Vorwärts- und der Rückwärtsrichtung. Die erfindungsgemäßen Vorrichtungen halten die Sperrspannung aufgrund der für die Vorwärts- und die Rückwärtsrichtung gemeinsamen n⁻ Zone und des Schwimmens des Potentials des Substrats aus. Daher ermöglichen die Vorrichtungen der vorlie genden Erfindung die Realisierung eines bidirektionalen Schalters mit hoher Sperrspannung aufgrund der kurzen n⁻ Zone und mit einer niedrigen Durchlaßspannung aufgrund der bipolaren Betriebsart während des Einschaltens der Vorrichtungen. Die vorliegenden Vorrichtungen ermöglichen ferner ein Schalten mit hoher Geschwindigkeit und niedrigem Abschaltverlust durch Betrieb in einer quasi-unipolaren Betriebsart während des Abschaltens der Vorrichtung und durch Verkürzen der Ladungsträgerlebensdauer in der n⁻ Zone.

Claims

1. Bidirektionaler Halbleiterschalter, umfassend:
wenigstens ein Paar aus einer ersten und einer zweiten Wannenzone (31, 32) eines ersten Leitungstyps (p), die in der Oberflächenschicht einer Halbleiterschicht (2) eines zweiten Leitungstyps (n) ausgebildet sind,
stark dotierte erste Halbleiterzonen (41, 42) des zweiten Leitungstyps (n), die in Ober flächenschichten der ersten und der zweiten Wannenzone (31, 32) ausgebildet sind,
wenigstens eine zweite Halbleiterzone (11), die in der Oberflächenschicht des zwischen der ersten und der zweiten Wannenzone (31, 32) befindlichen Abschnitts der Halblei terschicht (2) ausgebildet ist,
eine erste Gateelektrode (71), die sich auf einer Isolierschicht (61) auf einem Abschnitt der ersten Wannenzone (31) befindet, welcher sich zwischen der Halbleiterschicht (2) und einer (41) der ersten Halbleiterzonen (41, 42), die in der ersten Wannenzone (31) ausgebildet ist, befindet,
eine zweite Gateelektrode (72), die auf einer Isolierschicht (62) auf dem Abschnitt der zweiten Wannenzone (32) angeordnet ist, der sich zwischen der Halbleiterschicht (2) und einer (42) der ersten Halbleiterzonen (41, 42), die in der zweiten Wannenzone (32) ausgebildet ist, befindet,
eine erste Hauptelektrode (81), die die erste Wannenzone (31) und die in ihr ausgebil dete erste Halbleiterzone (41) elektrisch verbindet, und
eine zweite Hauptelektrode (82), die die zweite Wannenzone (32) und die in ihr ausge bildete erste Halbleiterzone (42) elektrisch verbindet, dadurch gekennzeichnet,
daß sich die Halbleiterschicht (2) auf einem Halbleitersubstrat (1) des ersten Leitungs typs (p) befindet, dessen Potential schwimmt,
daß die wenigstens eine zweite Halbleiterzone (11) eine solche des ersten Leitungstyps (p) ist, und
daß die beiden Gateelektroden (71, 72) gesondert mit einem jeweiligen Gateanschluß (G1, G2) verbunden sind.

2. Bidirektionaler Halbleiterschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich die erste Gateelektrode (71) auf der Isolierschicht (61) über einen ersten Abschnitt der Halbleiterschicht (2) zwischen der ersten Wannenzone (31) und der dieser nächstgelegenen wenigstens einen zweiten Halbleiterzone (11) erstreckt, während sich die zweite Gateelektrode (72) auf der Isolierschicht (62) über einen zweiten Abschnitt der Halbleiterschicht (2) zwischen der zweiten Wannenzone (32) und der dieser nächstgelegenen wenigstens einen zweiten Halb leiterzone (11) erstreckt.

3. Verfahren zur Steuerung des Halbleiterschalters nach Anspruch 1 oder 2, umfas send die Schritte:
Anlegen einer Spannung oberhalb eines Gateschwellenwerts an die erste Gateelektrode (71),
Abwarten einer Verzögerungszeit (τ1) von null oder eines vorbestimmten Werts, Anlegen einer Spannung niedriger als der Gateschwellenwert an die zweite Gateelek trode (72), um den Halbleiterschalter einzuschalten,
Anlegen einer Spannung höher als der Gateschwellenwert an die zweite Gateelektrode (72),
Abwarten einer Verzögerungszeit (τ2) von null oder einem vorbestimmten Wert, und
Anlegen einer Spannung niedriger als der Gateschwellenwert an die erste Gateelek trode (71), um den Halbleiterschalter abzuschalten.

4. Verfahren zur Steuerung des Halbleiterschalters nach Anspruch 2, umfassend die Schritte:
Anlegen einer Spannung oberhalb eines Gateschwellenwerts an die erste Gateelektrode (71),
Abwarten einer Verzögerungszeit (τ1) von null oder eines vorbestimmten Werts, Anlegen einer Spannung an die zweite Gateelektrode (72), die zur Bildung einer Inver sionsschicht an der Oberfläche der Halbleiterschicht (2) ausreicht, wodurch der Halbleiterschal ter eingeschaltet wird,
Anlegen einer Spannung höher als der Gateschwellenwert an die zweite Gateelektrode (72),
Abwarten einer Verzögerungszeit (τ2) von null oder einem vorbestimmten Wert, und Anlegen einer Spannung niedriger als der Gateschwellenwert an die erste Gateelek trode (71), um den Halbleiterschalter abzuschalten.