DE19612838A1

DE19612838A1 - Leistungshalbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE19612838A1
Application number: DE1996112838
Authority: DE
Inventors: Reinhold Dr Bayerer; Egon Dr Herr; Thomas Dr Stockmeier; Uwe Dr Thiemann
Original assignee: Asea Brown Boveri AG Switzerland; Asea Brown Boveri AB
Current assignee: ABB Asea Brown Boveri Ltd; ABB AB
Priority date: 1995-11-13
Filing date: 1996-03-30
Publication date: 1997-05-15

Description

TECHNISCHES GEBIET

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungselektro nik. Sie betrifft ein steuerbares Leistungshalbleiterbauelement mit einem flä chigen Halbleitersubstrat und auf der Oberseite des Halbleitersubstrats iso liert angeordneten Steuerelektroden, sowie Hauptelektroden, wobei die Steue relektroden und Hauptelektroden jeweils durch entsprechende Kontakte in Form einer Metallisierung von außen anschließbar sind.

STAND DER TECHNIK

Ein solches Leistungshalbleiterbauelement ist z. B. aus der EP-A1-0 597 144 bekannt.

Die verbesserte Leistungsfähigkeit erlaubt es modernen Hochleistungshalblei ter-Modulen, wie sie in der eingangs genannten Druckschrift beschrieben sind, mehr und mehr Applikationen abzudecken, die bisher nur GTOs und Thyristorbauelementen vorbehalten waren. Ein Modul beinhaltet dabei in der Regel mehrere Halbleiterbauelemente, die zu einer logischen Funktionseinheit zusammengefaßt werden können. Beispiele dafür sind Gleichrichter, Einzel schalter mit antiparalleler Diode oder Phasenbausteine. Solche Module (Thyristor-, Transistor-, IGBT- oder Dioden-Module) sind heute im Leistungs bereich bis zu 1000 V und einigen 100 A weit verbreitet. Sie werden vor allem im Industrie- und Traktionsbereich sowie HVDC(High Voltage Direct Cur rent)-Anwendungen eingesetzt.

Alle diese Applikationen stellen extrem hohe Anforderungen an die Lebens dauer und Zuverlässigkeit der Bauelemente. Ein Problem bezüglich der Zuver lässigkeit stellt dabei die Verbindung zwischen dem Modulkörper und der Vorder- oder Oberseitenmetallisierung des eigentlichen Halbleiterchips dar: Das Abheben der heute bei Leistungshalbleitern mit isolierter Steuerelektrode üblichen Bondverbindungen von der Chipmetallisierung führt zu einem Un terbruch im Modul. Grund dafür sind Ermüdungseffekte im Bondbereich auf dem Chip, die durch Lastwechsel am Modul hervorgerufen werden, bei denen das Bauelement mittels der selbst erzeugten Verlustwärme im Betrieb auf die maximal zulässige Betriebstemperatur aufgeheizt und danach wieder auf die Temperatur des Kühlers abgekühlt wird.

Der erwähnte Stand der Technik mit den Bondverbindungen zwischen Chip und Umgebung kann anhand der Fig. 1 verdeutlicht werden. Das Leistungs halbleiterbauelement 10, in diesem Fall ein IGBT, umfaßt ein Halbleiter substrat 11, in dem durch geeignete Vorbehandlung eine Vielzahl von neben einander angeordneten und parallel geschalteten IGBT-Zellen 12, 13 unterge bracht sind. Hinsichtlich Detailaufbau und Funktionsweise der IGBT-Zellen 12, 13 sei auf die einschlägige Literatur verwiesen. Auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 11 sind, durch eine Gateisolierung 19 isoliert, Gateelek troden 14 angeordnet, die teilweise die IGBT-Zellen 12, 13 überdecken und im Überdeckungsbereich eine Steuerfunktion ausüben.

Die Gateelektroden 14 sind von außen über Gatekontakte 15 anschließbar, die in Form einer partiellen Metallisierung auf die Substratoberfläche aufge bracht sind. Die Emitter der IGBT-Zellen 12, 13 als Hauptelektroden sind ent sprechend durch metallisierte Emitterkontakte 16 kontaktiert. Die Metallisie rungen 15, 16 bestehen typischerweise aus einer 2-5 µm dicken Al/Si-Legierungsschicht. Die geforderte Isolierung zwischen Gatekontakt 15 und Emitterkontakt 16 wird durch eine laterale Trennung der beiden Metallisie rungsflächen 15, 16 erreicht. Der kollektorseitige Anschluß des Bauelements erfolgt durch flächiges Auflöten des Halbleitersubstrats mit seiner Unterseite auf ein metallisiertes Keramiksubstrat (siehe Fig. 4(a)).

Die Verbindung von der Oberseite des Chips bzw. Halbleitersubstrats 11 zum Modulkörper wird durch Bonddrähte 17, 18 bewirkt, wie dies z. B. in Fig. 4 der eingangs genannten Druckschrift gezeigt ist. Aus den o.g. Gründen kann bei dieser Art des Aufbaus nach einer entsprechenden Zahl von Lastwechseln (5000-40000) bei deltaT=80°C ein Ablösen der Bonddrähte 17 bzw. 18 vom Chip beobachtet werden.

DARSTELLUNG DER ERFINDUNG

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Leistungshalbleiter bauelement mit isolierter Steuerelektrode zu schaffen, welches eine maßgeb lich verbesserte Lastwechselfestigkeit aufweist und sich damit auch für schwierige Anwendungen wie z. B. die Traktion eignet.

Die Aufgabe wird bei einem Bauelement der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß die Kontakte eine lötfähige Lötmetallisierung umfassen, und daß der Anschluß über wenigstens eine elektrisch leitfähige Platte erfolgt, welche auf die Lötmetallisierung aufgelötet ist. Durch Verwendung einer gelöteten Verbindung zwischen Chipmetallisierung und Modul kann die Zahl der Last wechsel auf typisch über 70000 (bei deltaT=80°C) erhöht werden. Durch die geeignete Wahl des Plattenmaterials und der Lötparameter wird dabei eine bessere Anpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten erreicht, so daß die Ablösung der Anschlußverbindungen aufgrund der Lastwechsel we sentlich langsamer fortschreitet.

Gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die Kontakte selbst als Lötmetallisierung ausgebildet. Dies hat den Vorteil, daß bei der Herstellung keine zusätzlichen Metallisierungsschritte erforderlich sind. Alternativ dazu kann gemäß einer weiteren Ausführungsform die Löt metallisierung als separate Schicht über den Kontakten aufgebracht sein. Durch separate Auswahl der Metallisierungsmaterialien kann hierdurch eine optimale Anpassung sowohl hinsichtlich der Kontaktierungs- als auch hin sichtlich der Löteigenschaften erreicht werden.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des Bauelements nach der Erfin dung zeichnet sich dadurch aus, daß die Lötmetallisierung aus mehreren übereinanderliegenden Schichten aufgebaut ist und daß insbesondere die Lötmetallisierung aus einer Schicht aus Si-haltigem Al, einer Schicht aus Ti oder Cr, einer Schicht aus Ni und einer Schicht aus einem oder mehreren Me tallen aus der Gruppe Au, Pd oder Ag aufgebaut ist. Hierdurch ergeben sich besonders günstige Löteigenschaften.

Eine andere bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß die aufgelötete, elektrisch leitende Platte aus einer beidseitig metallisierten und durchkontaktierten Keramikplatte besteht. Dies hat den Vorteil, daß für Steuerelektroden und Hauptelektroden eine gemeinsame Platte vorgesehen und aufgelötet werden kann, bei der die Trennung der Elektroden durch eine Trennung in der Metallisierung der Platte erreicht wird.

Weitere Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Bauelements ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.

Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß zur elektri schen Isolierung der Kontakte von Steuerelektrode und Hauptelektrode zwi schen den Kontakten eine Passivierungsschicht mit einer vom Lot nicht be netzbaren Oberfläche aufgebracht wird, das danach ganzflächig die Lötmetal lisierung aufgebracht und über der Passivierungsschicht im Bereich des Steu erelektrodenanschlusses wieder entfernt wird, und daß anschließend die elektrisch leitenden Platten aufgelötet werden, wobei sich das Lot aus dem Bereich der Passivierungsschicht auf die angrenzenden Bereiche der Lötme tallisierung zurückzieht. Als Passivierungsschicht werden dabei vorzugsweise ein Polyimid oder im Plasma abgeschiedene Nitride oder Oxide verwendet.

KURZE ERLÄUTERUNG DER FIGUREN

Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen im Zu sammenhang mit der Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigen

Fig. 1 im Ausschnitt den Querschnitt durch ein IGBT-Bauelement mit einem herkömmlichen Anschluß durch auf die Chipmetal lisierung aufgebondeten Bonddrähten;

Fig. 2 in einer vergleichbaren Darstellung einen IGBT, der gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er findung über eine aufgelötete Metallplatte angeschlossen ist;

Fig. 3 die Selbstjustierung und Isolierung gelöteter Gate- und Emit teranschlüsse durch Einsatz einer speziellen Passivierung bei einem IGBT gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 4 unterschiedliche Arten der Bondverbindung bei einem aufgelö teten Halbleiterchip, und zwar nach dem Stand der Technik (Fig. 4(a)), gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Er findung mit aufgelöteter Keramikplatte (Fig. 4(b)), und gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel mit aufgelöteter Metall scheibe; und

Fig. 5 das Ausführungsbeispiel aus Fig. 4(b) in der Draufsicht.

WEGE ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG

Im Unterschied zu dem IGBT aus Fig. 1, der - wie eingangs bereits beschrie ben - in herkömmlicher Weise durch direkt auf die Chipmetallisierung aufge bondete Drähte abgeschlossen ist, ist in Fig. 2 ein erstes bevorzugtes Ausfüh rungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements wiedergege ben. Das Leistungshalbleiterbauelement 20 hat als IGBT in seinem Halblei tersubstrat 21 denselben internen Aufbau mit IGBT-Zellen 22, 23, isoliert in einer Gateisolierung 31 angeordneten Gateelektroden 24, metallisierten Gate kontakten 25 und metallisierten Emitterkontakten 26. Über den Emitterkon takten 26 ist eine lötfähige Lötmetallisierung 27 aufgebracht. Die Lötmetalli sierung 27 kann entweder zusammen mit dem Kontaktmetall des Emitterkon takts 26 oder selbst als Kontaktmetall aufgebracht und strukturiert werden, oder nach der Metallisierung des Kontakts 26 als separate zweite Metallage aufgebracht werden, wie dies in Fig. 2 angedeutet ist. Auf die Lötmetallisie rung 27 wird zu Anschlußzwecken mittels einer Lotschicht 29 eine Metall platte 30 aufgelötet.

Die Metallisierung des Gatekontakts 25 ist außerhalb des Kontaktpads, d. h. im sogenannten Gate-Runner-Bereich, mit einer isolierenden Passivierungs schicht 28 abgedeckt. Hierdurch wird die geforderte Isolierung zwischen Gate und Emitter erreicht. Bevorzugte Materialien für die Passivierungsschicht 28 sind Polyimide oder im Plasma abgeschiedene Nitride oder Oxide. Die ver wendbaren Passivierungsmaterialien sind z. T. sehr brüchig und können nach mechanischem Streß Risse aufweisen, die zu einem Verlust der Isolationsei genschaften und damit zu einem Kurzschluß zwischen Gate und Emitter füh ren. Die Passivierungsschicht 28 sollte daher eine vom Lot nicht benetzbare Oberfläche aufweisen. Die zunächst ganzflächig aufgetragene Lötmetallisie rung 27 wird daher über der Passivierungsschicht 28 im Gate-Runner-Bereich wieder abgeätzt. Dadurch wird folgendes erreicht:

- Das Lot der Lotschicht 29 ist nicht in Kontakt mit einem eventuellen Riß in der Passivierungsschicht 28; dadurch wird ein Kurzschluß erschwert
- Der mechanische Streß kann nicht direkt von der Lotschicht auf die Pas sivierungsschicht 28 übertragen werden.

Die nicht benetzbare Oberfläche der Passivierungsschicht kann ebenfalls ver wendet werden, um im Falle einer Lötung von Emitter- und Gafeanschluß eine Selbstjustierung und Isolation zu erreichen, wie dies in Fig. 3 gezeigt ist. Das Leistungshalbleiterbauelement 32 der Fig. 3 ist gleichfalls ein IGBT mit einem Halbleitersubstrat 33 und IGBT-Zellen 34, die über von einer Gateiso lierung 36 umgebene Gateelektroden 35 gesteuert werden. Gate und Emitter werden über einen Gatekontakt 37 bzw. Emitterkontakt 38 kontaktiert, die jeweils mit der Lotmetallisierung 40 bedeckt sind. Zwischen den Kontakten 37, 38 ist die Passivierungsschicht 39 vorgesehen. Das Lot 41, 43 zieht sich beim Auflöten der zu Emitter und Gate gehörenden Metallplatten 42 und 44 auf die benetzbaren Gebiete der Lotmetallisierung 40 zurück, so daß im Be reich der Passivierungsschicht 39 ein Isolationsgraben 45 zurückbleibt, der als lateraler Isolationsabstand zwischen Gate und Emitter dient.

Weitere Ausführungsbeispiele des erfindungsgemäßen Bauelements können anhand der Fig. 4 und 5 erläutert werden. Fig. 4(a) zeigt dabei zunächst noch einmal den schematischen Aufbau eines in herkömmlicher Weise kon taktierten Leistungshalbleitermoduls. Bei diesem Modul wird das Halbleiter substrat (der Chip) 62 des Leistungshalbleiterbauelements 49 mit der Unter- oder Rückseite mittels einer Lotschicht 50 auf ein beidseitig mit einer Metal lisierung 47, 48 versehenes Keramiksubstrat 46 gelötet. Auf der Ober- bzw. Vorderseite wird der Anschluß durch Aufbonden eines Bonddrahtes 51 herge stellt. Im konventionellen Modul werden dabei bevorzugt Drähte aus Reinsta luminium (ggf. mit geringen Legierungszusätzen) mit einer typischen Dicke von 300-500 µm auf die Chipmetallisierung gebondet. Die Chipmetallisierung besteht üblicherweise aus Aluminium oder Aluminium mit typ. 1% Silizium und hat eine Dicke von einigen µm.

Wie bereits mehrfach erwähnt, hat diese Bondverbindung Schwächen: Beim Bonden entstehen am Fußpunkt des Bonds verfahrensbedingt Risskeime, die dann aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnung des Bond drahtes und der Chipmetallisierung im Verlauf der oben erwähnten Last wechsel entlang der Chipoberfläche weiter fortschreiten können. Im Extrem löst sich der Bonddraht 51 vollständig von der Chipmetallisierung ab. Fig. 4(b) zeigt schematisch eine weitere Art der Kontaktierung nach der Erfindung, die das geschilderte Problem löst: Hier wird zunächst eine elektrisch leitende Scheibe oder Zwischenplatte 53 mittels einer weiteren Lotschicht 52 auf das Halbleitersubstrat 62 gelötet und anschließend der Bonddraht 51 auf diese Zwischenplatte 53 gebondet. Die Zwischenplatte 53 ist dabei vorzugsweise als Keramikplatte 55 ausgebildet, die beidseitig mit einer Metallisierung 54 ver sehen und mittels Durchkontaktierungslöchern 56 durchkontaktiert ist.

Dazu ist es wie bei den Beispielen der Fig. 2 und 3 zunächst erforderlich, daß die Chipoberseite eine (in Fig. 4 nicht dargestellte) lötfähige Metallisierung aufweist. Die lötfähige Metallisierung ist vorzugsweise aus mehreren Schich ten aufgebaut. Als typisches Beispiel sei eine Schichtenfolge aus 3 µm Al-1%Si, 100 nm Ti, 0,5 µm Ni und 100 nm bis einige µm aus Au, Pd oder Ag ge nannt. Die Lötung ist eine Weichlötung, wie sie heutzutage in der Industrie üblich ist. Die anwendbaren Lötverfahren reichen von flußmittelhaltigen Lö tungen in Vakuum oder reduzierender Atmosphäre bis hin zum Auftrag von flußmittelhaltigen Lötpasten mit anschließendem Reflow. Bevorzugt wird die Zwischenplatte 53 im gleichen Arbeitsgang auf den Chip gelötet, in dem der Chip auf das metallisierte Keramiksubstrat 46 gelötet wird. Die Kontaktie rung des Drahtes erfolgt wiederum mit heute üblichen Verfahren und Mate rialien des Drahtbondens.

Der eigentliche Vorteil der dargestellten Kontaktierung mit gelöteter Zwi schenplatte liegt nun darin, daß durch die geeignete Wahl des Scheibenma terials und der Löt- und Bondparameter eine bessere Anpassung der thermi schen Ausdehnungskoeffizienten erreicht werden kann, so daß der oben er wähnte Risskeim im Verlauf der Lastwechsel wesentlich langsamer fortschrei tet, und damit für das Leistungshalbleitermodul eine wesentliche Erhöhung der Lastwechselfestigkeit erzielt werden kann.

Die Materialauswahl für die auf der Chipoberseite aufgelötete Zwischenplatte ist somit ein entscheidender Faktor. Im folgenden sollen daher einige Beispie le aufgeführt werden, die in der Praxis alle zu einer deutlichen Verbesserung der Lastwechselfestigkeit geführt haben:

1) Die bereits in Fig. 4(b) dargestellte Zwischenplatte 53 aus einer beid seitig metallisierten und durchkontaktierten Keramikplatte 55. Als Platte kommt eine Direct Copper Bonded (DCB) Al₂O₃-Keramik mit ei ner Dicke von 630 µm und einer Kupferdicke von 300 µm zur Anwen dung.
2) Gemäß Fig. 4(c) eine Metallscheibe 58 in Form einer Molybdän-Platte von 250 µm Dicke, auf die als Metallauflage 57 eine Schicht von 7-17 µm Ni und 10-15 µm Al aufgewalzt ist. Das aufgewalzte Aluminium dient als mechanischer Puffer zwischen dem niedrigen Ausdehnungs koeffizienten der Molybdänscheibe 58 und dem Bondfuß des Bond drahtes 51.
3) Eine Zwischenplatte aus Trimetall mit 56 µm Cu, 168 µm FeNi36 und 56 µm Cu, die beidseitig mit einer Dicke von 3-7 µm vernickelt ist.

Das unter (1) aufgeführte Beispiel aus Fig. 4(b) führt beim heutigen Stand der Untersuchungen zur höchsten Lestwechselfestigkeit, mit einer etwa 5-10 fa chen Verbesserung gegenüber dem derzeit üblichen Stand der Technik. Ein weiterer Vorteil dieser Ausführungsform ist, daß gemäß Fig. 5 der Anschluß der Hauptelektrode 59 und der Steuerelektrode 60 durch das Auflöten der me tallisierten Keramikplatte 55 in einem Arbeitsgang erfolgen kann. Anschlie ßend können dann auf der Keramikplatte 55 Haupt- und Steueranschluß wieder getrennt durch entsprechende Bonddrähte 51, 61 drahtgebondet wer den.

Insgesamt ergibt sich mit der Erfindung ein Leistungshalbleiterbauelement, welches mit stark verbesserter Lastwechselfestigkeit in eine Modul eingebaut und angeschlossen werden kann.

Bezugszeichenliste

10, 20 Leistungshalbleiterbauelement
11, 21 Halbleitersubstrat
12, 13 IGBT-Zelle
14, 24 Gateelektrode
15, 25 Gatekontakt
16, 26 Emitterkontakt
17, 18 Bonddraht
19, 31 Gateisolierung
22, 23 IGBT-Zelle
27 Lötmetallisierung
28 Passivierungsschicht
29 Lotschicht
30 Metallplatte
32 Leistungshalbleiterbauelement
33 Halbleitersubstrat
34 IGBT-Zelle
35 Gateelektrode
36 Gateisolierung
37 Gatekontakt
38 Emitterkontakt
39 Passivierungsschicht
40 Lötmetallisierung
41, 43 Lot
42 Metallplatte (Emitter)
44 Metallplatte (Gate)
45 Isolationsgraben
46 Keramiksubstrat
47 Metallisierung (oben)
48 Metallisierung (unten)
49 Leistungshalbleiterbauelement
50, 52 Lotschicht
51, 61 Bonddraht
53 Zwischenplatte
54 Metallisierung
55 Keramikplatte
56 Durchkontaktierungsloch
57 Metallauflage
58 Metallscheibe
59 Hauptelektrode
60 Steuerelektrode
62 Halbleitersubstrat.

Claims

1. Steuerbares Leistungshalbleiterbauelement (20, 32, 49) mit einem flächigen Halbleitersubstrat (21, 62) und auf der Oberseite des Halbleiter substrats (21, 62) isoliert angeordneten Steuerelektroden (24, 35), sowie Hauptelektroden, wobei die Steuerelektroden (24, 35) und Hauptelektroden jeweils durch entsprechende Kontakte (25, 37 bzw. 26, 38) in Form einer Me tallisierung von außen anschließbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakte eine lötfähige Lötmetallisierung (27, 40) umfassen, und daß der An schluß über wenigstens eine elektrisch leitfähige Platte (30, 42, 44, 53) er folgt, welche auf die Lötmetallisierung (27, 40) aufgelötet ist.

2. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß das Bauelement als IGBT, MOSFET oder MCT LOS Control led Thyristor) ausgebildet ist.

3. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontakte (25, 37 bzw. 26, 38) selbst als Lötmetallisierung ausgebildet sind.

4. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötmetallisierung (27, 40) als separate Schicht über den Kontakten (25, 37 bzw. 26, 38) aufgebracht ist.

5. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lötmetallisierung (27, 40) aus mehreren übereinanderliegenden Schichten aufgebaut ist.

6. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekenn zeichnet, daß die Lötmetallisierung (27, 40) aus einer Schicht aus Si-haltigem Al, einer Schicht aus Ti oder Cr, einer Schicht aus Ni und einer Schicht aus einem oder mehreren Metallen aus der Gruppe Au, Pd oder Ag aufgebaut ist.

7. Leistungshalbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgelötete, elektrisch leitende Platten (53) von außen durch Bonddrähte (51, 61) kontaktiert ist.

8. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekenn zeichnet, daß die aufgelötete, elektrisch leitende Platte im wesentlichen aus einer Metallscheibe (58) aus Molybdän besteht und auf der Oberseite eine Me tallauflage (57) aus Ni und Al aufweist.

9. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekenn zeichnet, daß die aufgelötete, elektrisch leitende Platte aus Trimetall mit ei ner Mittelschicht aus FeNi und Außenschichten aus Cu besteht.

10. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch ge kennzeichnet, daß die aufgelötete, elektrisch leitende Platte aus einer beid seitig metallisierten und durchkontaktierten Keramikplatte (55, 54, 56) be steht.

11. Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelements nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß zur elektri schen Isolierung der Kontakte (37, 38) von Steuerelektrode (35) und Haupte lektrode zwischen den Kontakten (37, 38) eine Passivierungsschicht (39) mit einer vom Lot nicht benetzbaren Oberfläche aufgebracht wird, das danach ganzflächig die Lötmetallisierung (40) aufgebracht und über der Passivie rungsschicht (39) im Bereich des Steuerelektrodenanschlusses wieder entfernt wird, und daß anschließend die elektrisch leitenden Platten (42, 44) aufgelö tet werden, wobei sich das Lot aus den Bereich der Passivierungsschicht (39) auf die angrenzenden Bereiche der Lötmetallisierung (40) zurückzieht.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Passivierungsschicht (39) ein Polyimid oder im Plasma abgeschiedene Nitride oder Oxide verwendet werden.