DE19727632A1 - Bauteil zur optischen Datenübertragung - Google Patents
Bauteil zur optischen DatenübertragungInfo
- Publication number
- DE19727632A1 DE19727632A1 DE19727632A DE19727632A DE19727632A1 DE 19727632 A1 DE19727632 A1 DE 19727632A1 DE 19727632 A DE19727632 A DE 19727632A DE 19727632 A DE19727632 A DE 19727632A DE 19727632 A1 DE19727632 A1 DE 19727632A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chip
- component according
- integrated circuit
- detector
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
- H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Bauteil zur gerichteten, bidirektionalen optischen
Datenübertragung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Eine solche Anordnung, auch als Transceiver (aus Transmitter und Receiver)
bezeichnet, wird zur Datenübertragung für IrDA-Anwendungen zum Einsatz
gebracht. Zur Datenübertragung mittels einer optischen Punkt-zu-Punkt-Über
tragungsstrecke wurde der IrDA (Infrared Data Associaton) Standard
entwickelt. Beispielsweise sind von der Firma TEMIC TELEFUNKEN
microelectronic GmbH unter der Bezeichnung TFDS 3000 beziehungsweise
TFDS 6000 integrierte Transceiver-Bauteile erhältlich, die dem IrDA-Standard
entsprechen.
Hierbei sind nach dem Stand der Technik in einem gemeinsamen Gehäuse
eines Transceivers ein Infrarotsender (Emitter), ein Infrarotempfänger
(Detektor) und ein integrierter Schaltkreis zur Signalaufbereitung angeord
net. Eine Oberflächenseite des Transceiver-Bauteils weist zwei nebeneinan
derliegende, linsenförmige Ausformungen auf, in deren Brennpunkt sich
jeweils der Sender und der Empfänger befinden. Diese optischen Systeme
sind notwendig, um die im IrDA-Standard geforderte gerichtete Signalab
strahlung des Senders und die gerichtete Empfindlichkeit des Empfängers
zu erzielen.
Derartige Transceiver weisen den Nachteil auf, daß aufgrund der nebenein
anderliegenden Anordnung von Sender und Empfänger jeweils ein eigenes
optisches System notwendig ist, um die geforderte gerichtete Signalab
strahlung des Senders und die gerichtete Empfindlichkeit des Empfängers
zu erzielen. Das verursacht hohe Materialkosten, und die Dimensionen des
Transceiver-Bauteils fallen relativ groß aus.
Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein Bauteil anzugeben, dessen
Dimensionen weitaus geringer ausfallen, so daß Materialkosten und
Platzaufwand verringert werden.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Bauteil zur gerichteten, bidirektiona
len optischen Datenübertragung, bei dem in einem ein- oder mehrteiligen
Gehäuse als Bauteile ein Emitterchip zum Aussenden von IR-Strahlen, ein
Detektorchip zum Empfangen von IR-Strahlen, ein integrierter Schaltkreis
zum Verstärken der Sende- und Empfangsleistung und ein optisches System
mit einer optischen Achse zur Bündelung der ausgesendeten und empfan
genen Strahlen angeordnet sind. Kennzeichnend ist, daß das Detektorchip
und der Emitterchip konzentrisch zur optischen Achse des optischen
Systems aufeinander und auf dem integrierten Schaltkreis angeordnet sind.
Die Vorteile der Erfindung liegen darin, daß für Sender und Empfänger ein
gemeinsames optisches System verwendet werden kann, wodurch die
Dimensionen des Bauteils erheblich verringert und Materialkosten einge
spart werden. Zudem verringert sich durch kürzere Bonddrähte die
Störempfindlichkeit des Bauteils.
Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den weiteren
Unteransprüchen beschrieben.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind nachstehend ausführlich
erläutert und anhand der Figuren dargestellt.
Es zeigen
Fig. 1 ein erfindungsgemäßer Transceiver in Seitenansicht,
Fig. 2 der Transceiver nach Fig. 1a in aufgeschnittener Darstellung,
Fig. 3 ein Transceiver nach dem Stand der Technik in perspektivischer Dar
stellung.
Die Fig. 1 und 2 zeigen einen Transceiver 1 mit einer Linse 2 als optisches
System, einem beispielsweise aus thermo- oder duroplastischer und für
IR-Strahlen transparenter Vergußmasse bestehenden Gehäuse 3 und Anschluß
beinchen 4, die als Teil eines metallenen Streifenträgers 5 nach außen
geführt sind. Hierbei ist das Anschlußbeinchen 4a (GND) mit dem Bezugs
potential verbunden, das Anschlußbeinchen 4b (Vcc) mit der Versorgungs
spannung, das Anschlußbeinchen 4c (RXD) mit dem Dateneingang und das
Anschlußbeinchen 4d (TXD) mit dem Datenausgang einer (nicht dargestell
ten) Treiberschaltung.
Auf dem Träger 5 ist ein integrierter Schaltkreis 6 befestigt, der zur Verstär
kung der Signale dient und der Pads 7 zur Kontaktierung aufweist. Über
eine Rückseitenkontaktierung ist der integrierte Schaltkreis 6 mit dem
Masseanschluß 4a (GND) verbunden. Auf dem integrierten Schaltkreis 6 ist
eine Photo-PlN-Diode als Empfänger- oder Detektorchip 8 angeordnet, die
ebenfalls zur Kontaktierung Pads 9 aufweist. Bei dieser Photo-PIN-Diode
handelt es sich um ein spezielles IrDA-Produkt, das aber mit einer für
Photo-PIN-Dioden üblichen Technologie hergestellt ist. Um den Vorgang der
späteren Kontaktierung zu erleichtern, sind die Pads 9 vorzugsweise auf der
Vorderseite, d. h. auf der den zu empfangenden IR-Strahlen zugewandten
Seite, angeordnet. Die Oberfläche des Detektorchips 8 weist eine bis zu
seiner äußeren Begrenzung verlaufende Metallisierung 11b auf, die als
Montagefläche und Rückseitenkontakt für ein Sender- oder Emitterchip 10
und als Anschlußpad dient.
Auf das Detektorchip 9 ist konzentrisch das Sender- oder Emitterchip 10
aufgeklebt, bei dem es sich prinzipiell um eine bekannte Infrarot-Sende
diode handelt. Zur Kontaktierung ist eine im Zentrum des Emitterchips 10
angeordnete Kontaktfläche 11a und das mittels einer leitenden Verbindung
(Metallisierung) herausgeführte Anschlußpad 1 Ib vorhanden.
Die Fläche des integrierten Schaltkreises 6 ist größer als die Fläche des
Detektorchips 8, dessen Fläche wiederum größer ist als die Fläche des
Emitterchips 10. Zur Signalübertragung erfolgt die Kontaktierung zwischen
den einzelnen Anschlußpads 7, 9, 11a bzw. 11b untereinander oder zu den
Anschlüssen 4b, 4c bzw. 4d auf bekannte Art und Weise mittels Bonddräh
ten 12, die aus Gold, Aluminium oder einer gut leitfähigen Legierung beste
hen.
Zur Befestigung des integrierten Schaltkreises 6 auf dem Träger 5, des
Detektorchips 8 auf dem integrierten Schaltkreis 6 und des Emitterchips 10
auf dem Detektorchip 8 wird beispielsweise Polymidkleber, Lot, Kunst
stofflot oder ein anderer üblicher Kunststoffkleber verwendet. Um zu
gewährleisten, daß das Emitterchip 10 leitend auf dem Detektorchip 8
befestigt ist, können dabei für die einzelnen Klebungen jeweils verschie
dene Klebstoffe oder Lote Verwendung finden. Die Verbindung zwischen
dem integrierten Schaltkreis 6 und dem Detektorchip 8 kann leitfähig oder
nicht leitfähig sein, wobei der nicht leitfähigen Verbindung der Vorzug zu
geben ist.
Das optische System 2, bei dem es sich im einfachsten Fall um eine Kunst
stofflinse handelt, ist derart ausgestaltet, daß sowohl vom Emitterchip 10
ausgehende Strahlung optimal abgestrahlt wird, als auch einfallende Strah
lung optimal auf das Detektorchip 8 gelenkt wird. Ermöglicht wird dies
dadurch, daß Detektorchip 8 und Emitterchip 10 nicht wie bisher nebenein
ander, sondern übereinander angeordnet sind. Dadurch ist es möglich,
gegenüber dem Stand der Technik, bei dem jeweils für Emitter und Detek
tor ein eignes optisches System verwendet werden muß ein optisches
System einzusparen und die Breite des Transceivers 1 ungefähr zu halbie
ren.
Die Fig. 3 zeigt einen Transceiver 1' nach dem Stand der Technik. Da (der
nicht sichtbare) Detektorchip und (der ebenfalls nicht sichtbare) Emitterchip
nebeneinander angeordnet sind, ist jeweils für den Emitterchip und den
Detektorchip eine eigene Linse 2' bzw. 2'' notwendig. Dadurch und daß die
Anschlüsse 4 von Detektor und Emitter getrennt herausgeführt sind, ver
größert sich der Transceiver 1' gegenüber der erfindungsgemäßen Anord
nung auf ungefähr die doppelte Breite.
Claims (10)
1. Bauteil zur gerichteten, bidirektionalen optischen Datenübertragung, bei
dem in einem ein- oder mehrteiligen Gehäuse (3) als Bauteile ein Emitter
chip (10) zum Aussenden von IR-Strahlen, ein Detektorchip (8) zum Empfan
gen von IR-Strahlen, ein integrierter Schaltkreis (6) zum Verstärken der
Sende- und Empfangsleistung und ein optisches System (2) mit einer opti
schen Achse zur Bündelung der ausgesendeten und empfangenen Strahlen
angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Detektorchip (8) und
der Emitterchip (10) konzentrisch zur optischen Achse des optischen
Systems (2) aufeinander und auf dem integrierten Schaltkreis (6) angeordnet
sind.
2. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Emitterchip
(10) als oberstes Bauteil angeordnet ist.
3. Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Fläche des integrierten Schaltkreises (6) größer als die Fläche des Detektor
chips (8) und die Fläche des Detektorchips (8) größer als die Fläche des
Emitterchips (10) ist.
4. Bauteil nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Oberfläche des Detektorchips (8) in ihrem Zentrum eine Metallisierung (11a, 11b)
aufweist, die als Montagefläche (11b) für das Emitterchip (10) dient.
5. Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisie
rung (11b) auf dem Detektorchip (8) als Anschlußpad für einen Bonddraht
(12) dient.
6. Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterchip
(10) eine Rückseitenmetallisierung aufweist, die mittels Lot oder leitfähigem
Kleber in Kontakt mit der Montagefläche (11b) steht.
7. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß Bonddrähte (12) zwischen den Anschlußpads (7) des integrier
ten Schaltkreises (6) und den Anschlußpads (9) des Detektorchips (8),
zwischen den Anschlußpads (7) des integrierten Schaltkreises (6) und der
Metallisierung (11b) auf dem Detektorchip (8), zwischen den Anschlußpads (7)
des integrierten Schaltkreises (6) und den Anschlußbeinchen (4) und/oder
zwischen dem Anschlußpad (11a) des Emitterchips (10) und den Anschluß
beinchen (4) angeordnet sind.
8. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Bauteile (6, 8, 10) auf einem Träger (5) montiert sind.
9. Bauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem
Träger (5) um einen metallischen Streifenträger handelt.
10. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Gehäuse (3) aus einer thermo- oder duroplastischen und
für IR-Strahlen transparenten Vergußmasse besteht.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19727632A DE19727632C2 (de) | 1997-06-28 | 1997-06-28 | Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung |
| JP10192238A JPH1197748A (ja) | 1997-06-28 | 1998-06-04 | 光学データ伝送のための構成部分 |
| DE59802691T DE59802691D1 (de) | 1997-06-28 | 1998-06-05 | Bauteil zur optischen Datenübertragung |
| EP98110243A EP0903791B1 (de) | 1997-06-28 | 1998-06-05 | Bauteil zur optischen Datenübertragung |
| ES98110243T ES2166119T3 (es) | 1997-06-28 | 1998-06-05 | Componente para la transmision optica de datos. |
| PL326787A PL193016B1 (pl) | 1997-06-28 | 1998-06-10 | Układ do skierowanego, dwukierunkowego optycznego przenoszenia danych |
| US09/104,766 US6320686B1 (en) | 1997-06-28 | 1998-06-25 | Component for optical data transmission |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19727632A DE19727632C2 (de) | 1997-06-28 | 1997-06-28 | Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19727632A1 true DE19727632A1 (de) | 1999-01-28 |
| DE19727632C2 DE19727632C2 (de) | 1999-10-28 |
Family
ID=7834004
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19727632A Expired - Lifetime DE19727632C2 (de) | 1997-06-28 | 1997-06-28 | Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung |
| DE59802691T Expired - Lifetime DE59802691D1 (de) | 1997-06-28 | 1998-06-05 | Bauteil zur optischen Datenübertragung |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE59802691T Expired - Lifetime DE59802691D1 (de) | 1997-06-28 | 1998-06-05 | Bauteil zur optischen Datenübertragung |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6320686B1 (de) |
| EP (1) | EP0903791B1 (de) |
| JP (1) | JPH1197748A (de) |
| DE (2) | DE19727632C2 (de) |
| ES (1) | ES2166119T3 (de) |
| PL (1) | PL193016B1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19823213A1 (de) * | 1998-05-25 | 1999-12-09 | Siemens Ag | Bidirektionale optische Sende- und Empfangseinrichtung |
| DE19834090A1 (de) * | 1998-07-29 | 2000-02-03 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optoelektronische Sende- und Empfangseinheit |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6721503B1 (en) * | 1998-08-26 | 2004-04-13 | Georgia Tech Research Corporation | System and method for bi-directional optical communication using stacked emitters and detectors |
| US6625036B1 (en) * | 1999-08-31 | 2003-09-23 | Rohm Co., Ltd. | Infrared data communication module and method of making the same |
| JP3930710B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2007-06-13 | シチズン電子株式会社 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
| DE10058622A1 (de) * | 2000-11-15 | 2002-05-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Gemouldetes elektronisches Bauelement |
| DE10058608A1 (de) | 2000-11-25 | 2002-05-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Leiterstreifenanordnung für ein gemouldetes elektronisches Bauelement und Verfahren zum Moulden |
| US6731415B1 (en) | 2002-03-28 | 2004-05-04 | Terabeam Corporation | Multi-aperture holographic optical element for use in a free space optical communication system |
| US6661546B1 (en) | 2002-03-28 | 2003-12-09 | Terabeam Corporation | Multi-aperture holographic optical element for illumination sensing in a free space optical communication system |
| US7978800B2 (en) | 2002-10-10 | 2011-07-12 | Finisar Corporation | Circuit for converting a transponder controller chip output into an appropriate input signal for a host device |
| US7023563B2 (en) * | 2003-02-14 | 2006-04-04 | Chian Chiu Li | Interferometric optical imaging and storage devices |
| US7397022B2 (en) * | 2004-04-01 | 2008-07-08 | Vishay Semiconductor Gmbh | Sensor arrangement to prevent reference light incident on side of photodiode |
| JP4210240B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2009-01-14 | ローム株式会社 | 光通信モジュール |
| US7385175B2 (en) * | 2004-09-18 | 2008-06-10 | Chian Chiu Li | Bi-directional optical transmission system and method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2629356C2 (de) * | 1976-06-30 | 1983-07-21 | AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Elektrooptischer Wandler zum Senden oder Empfangen |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2011610A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Elliot Bros Ltd | Fibre optic terminal |
| DE3502634A1 (de) * | 1985-01-26 | 1985-06-20 | Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5000 Köln | Optisch-elektronischer entfernungsmesser |
| JPH04237005A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 | Fujitsu Ltd | 受光モジュール |
| US5140152A (en) * | 1991-05-31 | 1992-08-18 | The University Of Colorado Foundation, Inc. | Full duplex optoelectronic device with integral emitter/detector pair |
| US5267070A (en) * | 1992-05-05 | 1993-11-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Underwater IR communication system |
| US5506445A (en) * | 1994-06-24 | 1996-04-09 | Hewlett-Packard Company | Optical transceiver module |
-
1997
- 1997-06-28 DE DE19727632A patent/DE19727632C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-04 JP JP10192238A patent/JPH1197748A/ja active Pending
- 1998-06-05 EP EP98110243A patent/EP0903791B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-05 ES ES98110243T patent/ES2166119T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-05 DE DE59802691T patent/DE59802691D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-10 PL PL326787A patent/PL193016B1/pl unknown
- 1998-06-25 US US09/104,766 patent/US6320686B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2629356C2 (de) * | 1976-06-30 | 1983-07-21 | AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Elektrooptischer Wandler zum Senden oder Empfangen |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| TEMIC Telefunken microelectronic GmbH/Tele- funken semiconductors Firmendruckschrift: IrDA-Compatible Data Transmission, Design Guide DGT 002-0496, umf. 77 Seiten in DINA 5, insb. S.39,36,11 (v. Anm. gen.) * |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19823213A1 (de) * | 1998-05-25 | 1999-12-09 | Siemens Ag | Bidirektionale optische Sende- und Empfangseinrichtung |
| DE19823213C2 (de) * | 1998-05-25 | 2002-02-21 | Infineon Technologies Ag | Bidirektionale optische Sende- und Empfangseinrichtung |
| US6580533B1 (en) | 1998-05-25 | 2003-06-17 | Infineon Technologies Ag | Two-way optical transmission and reception device |
| DE19834090A1 (de) * | 1998-07-29 | 2000-02-03 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optoelektronische Sende- und Empfangseinheit |
| US7058309B1 (en) | 1998-07-29 | 2006-06-06 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Optoelectronic transceiver |
| EP1101136B1 (de) * | 1998-07-29 | 2007-06-27 | Dr. Johannes Heidenhain GmbH | Optoelektronische sende- und empfangseinheit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE59802691D1 (de) | 2002-02-21 |
| PL326787A1 (en) | 1999-01-04 |
| JPH1197748A (ja) | 1999-04-09 |
| DE19727632C2 (de) | 1999-10-28 |
| EP0903791A3 (de) | 1999-12-22 |
| PL193016B1 (pl) | 2007-01-31 |
| US6320686B1 (en) | 2001-11-20 |
| EP0903791A2 (de) | 1999-03-24 |
| ES2166119T3 (es) | 2002-04-01 |
| EP0903791B1 (de) | 2001-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19727633C2 (de) | Bauteil zur gerichteten, bidirektionalen, optischen Datenübertragung | |
| DE19727632C2 (de) | Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung | |
| DE19549818B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement | |
| DE19536454B4 (de) | Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement | |
| DE19829197C2 (de) | Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement | |
| DE69604333T2 (de) | Optisches Wellenleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE3633251A1 (de) | Optoelektronisches koppelelement | |
| DE102012223460B4 (de) | Eine modifizierte Transistor Kontur Gehäuse Baueinheit zur Verwendung in optischen Kommunikationen | |
| DE19912720A1 (de) | Optoelektronische Baugruppe | |
| DE10217073A1 (de) | Miniatur-Halbleitergehäuse für optoelektronische Bauelemente | |
| DE10255625A1 (de) | Optisches Sender- Empfängermodul und das Modul verwendende elektronische Vorrichtung | |
| DE202014007445U1 (de) | Multifunktionales optisches Mikro-Sensor-System | |
| DE19652030A1 (de) | Infrarotsendeempfänger und Verfahren zum Einkapseln desselben | |
| DE102008021435A1 (de) | Gehäuse für LEDs mit hoher Leistung | |
| EP0712161B1 (de) | Halbleiterbaugruppe für die bidirektionale, leitungsungebundene, optische Datenübertragung | |
| EP1379903A1 (de) | Sendemodul für eine optische signalübertragung | |
| DE10227544B4 (de) | Vorrichtung zur optischen Datenübertragung | |
| DE102013221451A1 (de) | Eine gestanztes Metall Optik zum Verwenden in einem optischen Kommunikationsmodul | |
| DE102010000697A1 (de) | Faseroptisches Transceiver (FOT) Modul und Verfahren zur Herstellung eines FOT Moduls | |
| EP0875770A1 (de) | Opto-electronische Sensoranordnung | |
| DE19845703C2 (de) | Bauteil zur optischen Datenübertragung | |
| JP4486591B2 (ja) | リード端子導出型電子部品 | |
| DE4232644A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement | |
| EP3355075B1 (de) | Sensoranordnung | |
| DE112010002553T5 (de) | Modul zur optischen kommunikation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: VISHAY SEMICONDUCTOR GMBH, 74072 HEILBRONN, DE |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
| R071 | Expiry of right |