DE19727632A1 - Bauteil zur optischen Datenübertragung - Google Patents

Bauteil zur optischen Datenübertragung

Info

Publication number
DE19727632A1
DE19727632A1 DE19727632A DE19727632A DE19727632A1 DE 19727632 A1 DE19727632 A1 DE 19727632A1 DE 19727632 A DE19727632 A DE 19727632A DE 19727632 A DE19727632 A DE 19727632A DE 19727632 A1 DE19727632 A1 DE 19727632A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
chip
component according
integrated circuit
detector
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19727632A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19727632C2 (de
Inventor
Werner Dipl Phys Dr Schairer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vishay Semiconductor GmbH
Original Assignee
Temic Telefunken Microelectronic GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Temic Telefunken Microelectronic GmbH filed Critical Temic Telefunken Microelectronic GmbH
Priority to DE19727632A priority Critical patent/DE19727632C2/de
Priority to JP10192238A priority patent/JPH1197748A/ja
Priority to ES98110243T priority patent/ES2166119T3/es
Priority to DE59802691T priority patent/DE59802691D1/de
Priority to EP98110243A priority patent/EP0903791B1/de
Priority to PL326787A priority patent/PL193016B1/pl
Priority to US09/104,766 priority patent/US6320686B1/en
Publication of DE19727632A1 publication Critical patent/DE19727632A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19727632C2 publication Critical patent/DE19727632C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
    • H10F55/25—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers wherein the radiation-sensitive devices and the electric light source are all semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Bauteil zur gerichteten, bidirektionalen optischen Datenübertragung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Eine solche Anordnung, auch als Transceiver (aus Transmitter und Receiver) bezeichnet, wird zur Datenübertragung für IrDA-Anwendungen zum Einsatz gebracht. Zur Datenübertragung mittels einer optischen Punkt-zu-Punkt-Über­ tragungsstrecke wurde der IrDA (Infrared Data Associaton) Standard entwickelt. Beispielsweise sind von der Firma TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH unter der Bezeichnung TFDS 3000 beziehungsweise TFDS 6000 integrierte Transceiver-Bauteile erhältlich, die dem IrDA-Standard entsprechen.
Hierbei sind nach dem Stand der Technik in einem gemeinsamen Gehäuse eines Transceivers ein Infrarotsender (Emitter), ein Infrarotempfänger (Detektor) und ein integrierter Schaltkreis zur Signalaufbereitung angeord­ net. Eine Oberflächenseite des Transceiver-Bauteils weist zwei nebeneinan­ derliegende, linsenförmige Ausformungen auf, in deren Brennpunkt sich jeweils der Sender und der Empfänger befinden. Diese optischen Systeme sind notwendig, um die im IrDA-Standard geforderte gerichtete Signalab­ strahlung des Senders und die gerichtete Empfindlichkeit des Empfängers zu erzielen.
Derartige Transceiver weisen den Nachteil auf, daß aufgrund der nebenein­ anderliegenden Anordnung von Sender und Empfänger jeweils ein eigenes optisches System notwendig ist, um die geforderte gerichtete Signalab­ strahlung des Senders und die gerichtete Empfindlichkeit des Empfängers zu erzielen. Das verursacht hohe Materialkosten, und die Dimensionen des Transceiver-Bauteils fallen relativ groß aus.
Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, ein Bauteil anzugeben, dessen Dimensionen weitaus geringer ausfallen, so daß Materialkosten und Platzaufwand verringert werden.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Bauteil zur gerichteten, bidirektiona­ len optischen Datenübertragung, bei dem in einem ein- oder mehrteiligen Gehäuse als Bauteile ein Emitterchip zum Aussenden von IR-Strahlen, ein Detektorchip zum Empfangen von IR-Strahlen, ein integrierter Schaltkreis zum Verstärken der Sende- und Empfangsleistung und ein optisches System mit einer optischen Achse zur Bündelung der ausgesendeten und empfan­ genen Strahlen angeordnet sind. Kennzeichnend ist, daß das Detektorchip und der Emitterchip konzentrisch zur optischen Achse des optischen Systems aufeinander und auf dem integrierten Schaltkreis angeordnet sind.
Die Vorteile der Erfindung liegen darin, daß für Sender und Empfänger ein gemeinsames optisches System verwendet werden kann, wodurch die Dimensionen des Bauteils erheblich verringert und Materialkosten einge­ spart werden. Zudem verringert sich durch kürzere Bonddrähte die Störempfindlichkeit des Bauteils.
Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den weiteren Unteransprüchen beschrieben.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind nachstehend ausführlich erläutert und anhand der Figuren dargestellt.
Es zeigen
Fig. 1 ein erfindungsgemäßer Transceiver in Seitenansicht,
Fig. 2 der Transceiver nach Fig. 1a in aufgeschnittener Darstellung,
Fig. 3 ein Transceiver nach dem Stand der Technik in perspektivischer Dar­ stellung.
Die Fig. 1 und 2 zeigen einen Transceiver 1 mit einer Linse 2 als optisches System, einem beispielsweise aus thermo- oder duroplastischer und für IR-Strahlen transparenter Vergußmasse bestehenden Gehäuse 3 und Anschluß­ beinchen 4, die als Teil eines metallenen Streifenträgers 5 nach außen geführt sind. Hierbei ist das Anschlußbeinchen 4a (GND) mit dem Bezugs­ potential verbunden, das Anschlußbeinchen 4b (Vcc) mit der Versorgungs­ spannung, das Anschlußbeinchen 4c (RXD) mit dem Dateneingang und das Anschlußbeinchen 4d (TXD) mit dem Datenausgang einer (nicht dargestell­ ten) Treiberschaltung.
Auf dem Träger 5 ist ein integrierter Schaltkreis 6 befestigt, der zur Verstär­ kung der Signale dient und der Pads 7 zur Kontaktierung aufweist. Über eine Rückseitenkontaktierung ist der integrierte Schaltkreis 6 mit dem Masseanschluß 4a (GND) verbunden. Auf dem integrierten Schaltkreis 6 ist eine Photo-PlN-Diode als Empfänger- oder Detektorchip 8 angeordnet, die ebenfalls zur Kontaktierung Pads 9 aufweist. Bei dieser Photo-PIN-Diode handelt es sich um ein spezielles IrDA-Produkt, das aber mit einer für Photo-PIN-Dioden üblichen Technologie hergestellt ist. Um den Vorgang der späteren Kontaktierung zu erleichtern, sind die Pads 9 vorzugsweise auf der Vorderseite, d. h. auf der den zu empfangenden IR-Strahlen zugewandten Seite, angeordnet. Die Oberfläche des Detektorchips 8 weist eine bis zu seiner äußeren Begrenzung verlaufende Metallisierung 11b auf, die als Montagefläche und Rückseitenkontakt für ein Sender- oder Emitterchip 10 und als Anschlußpad dient.
Auf das Detektorchip 9 ist konzentrisch das Sender- oder Emitterchip 10 aufgeklebt, bei dem es sich prinzipiell um eine bekannte Infrarot-Sende­ diode handelt. Zur Kontaktierung ist eine im Zentrum des Emitterchips 10 angeordnete Kontaktfläche 11a und das mittels einer leitenden Verbindung (Metallisierung) herausgeführte Anschlußpad 1 Ib vorhanden.
Die Fläche des integrierten Schaltkreises 6 ist größer als die Fläche des Detektorchips 8, dessen Fläche wiederum größer ist als die Fläche des Emitterchips 10. Zur Signalübertragung erfolgt die Kontaktierung zwischen den einzelnen Anschlußpads 7, 9, 11a bzw. 11b untereinander oder zu den Anschlüssen 4b, 4c bzw. 4d auf bekannte Art und Weise mittels Bonddräh­ ten 12, die aus Gold, Aluminium oder einer gut leitfähigen Legierung beste­ hen.
Zur Befestigung des integrierten Schaltkreises 6 auf dem Träger 5, des Detektorchips 8 auf dem integrierten Schaltkreis 6 und des Emitterchips 10 auf dem Detektorchip 8 wird beispielsweise Polymidkleber, Lot, Kunst­ stofflot oder ein anderer üblicher Kunststoffkleber verwendet. Um zu gewährleisten, daß das Emitterchip 10 leitend auf dem Detektorchip 8 befestigt ist, können dabei für die einzelnen Klebungen jeweils verschie­ dene Klebstoffe oder Lote Verwendung finden. Die Verbindung zwischen dem integrierten Schaltkreis 6 und dem Detektorchip 8 kann leitfähig oder nicht leitfähig sein, wobei der nicht leitfähigen Verbindung der Vorzug zu geben ist.
Das optische System 2, bei dem es sich im einfachsten Fall um eine Kunst­ stofflinse handelt, ist derart ausgestaltet, daß sowohl vom Emitterchip 10 ausgehende Strahlung optimal abgestrahlt wird, als auch einfallende Strah­ lung optimal auf das Detektorchip 8 gelenkt wird. Ermöglicht wird dies dadurch, daß Detektorchip 8 und Emitterchip 10 nicht wie bisher nebenein­ ander, sondern übereinander angeordnet sind. Dadurch ist es möglich, gegenüber dem Stand der Technik, bei dem jeweils für Emitter und Detek­ tor ein eignes optisches System verwendet werden muß ein optisches System einzusparen und die Breite des Transceivers 1 ungefähr zu halbie­ ren.
Die Fig. 3 zeigt einen Transceiver 1' nach dem Stand der Technik. Da (der nicht sichtbare) Detektorchip und (der ebenfalls nicht sichtbare) Emitterchip nebeneinander angeordnet sind, ist jeweils für den Emitterchip und den Detektorchip eine eigene Linse 2' bzw. 2'' notwendig. Dadurch und daß die Anschlüsse 4 von Detektor und Emitter getrennt herausgeführt sind, ver­ größert sich der Transceiver 1' gegenüber der erfindungsgemäßen Anord­ nung auf ungefähr die doppelte Breite.

Claims (10)

1. Bauteil zur gerichteten, bidirektionalen optischen Datenübertragung, bei dem in einem ein- oder mehrteiligen Gehäuse (3) als Bauteile ein Emitter­ chip (10) zum Aussenden von IR-Strahlen, ein Detektorchip (8) zum Empfan­ gen von IR-Strahlen, ein integrierter Schaltkreis (6) zum Verstärken der Sende- und Empfangsleistung und ein optisches System (2) mit einer opti­ schen Achse zur Bündelung der ausgesendeten und empfangenen Strahlen angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Detektorchip (8) und der Emitterchip (10) konzentrisch zur optischen Achse des optischen Systems (2) aufeinander und auf dem integrierten Schaltkreis (6) angeordnet sind.
2. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Emitterchip (10) als oberstes Bauteil angeordnet ist.
3. Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche des integrierten Schaltkreises (6) größer als die Fläche des Detektor­ chips (8) und die Fläche des Detektorchips (8) größer als die Fläche des Emitterchips (10) ist.
4. Bauteil nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Detektorchips (8) in ihrem Zentrum eine Metallisierung (11a, 11b) aufweist, die als Montagefläche (11b) für das Emitterchip (10) dient.
5. Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisie­ rung (11b) auf dem Detektorchip (8) als Anschlußpad für einen Bonddraht (12) dient.
6. Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterchip (10) eine Rückseitenmetallisierung aufweist, die mittels Lot oder leitfähigem Kleber in Kontakt mit der Montagefläche (11b) steht.
7. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß Bonddrähte (12) zwischen den Anschlußpads (7) des integrier­ ten Schaltkreises (6) und den Anschlußpads (9) des Detektorchips (8), zwischen den Anschlußpads (7) des integrierten Schaltkreises (6) und der Metallisierung (11b) auf dem Detektorchip (8), zwischen den Anschlußpads (7) des integrierten Schaltkreises (6) und den Anschlußbeinchen (4) und/oder zwischen dem Anschlußpad (11a) des Emitterchips (10) und den Anschluß­ beinchen (4) angeordnet sind.
8. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Bauteile (6, 8, 10) auf einem Träger (5) montiert sind.
9. Bauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei dem Träger (5) um einen metallischen Streifenträger handelt.
10. Bauteil nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Gehäuse (3) aus einer thermo- oder duroplastischen und für IR-Strahlen transparenten Vergußmasse besteht.
DE19727632A 1997-06-28 1997-06-28 Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung Expired - Lifetime DE19727632C2 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19727632A DE19727632C2 (de) 1997-06-28 1997-06-28 Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung
JP10192238A JPH1197748A (ja) 1997-06-28 1998-06-04 光学データ伝送のための構成部分
DE59802691T DE59802691D1 (de) 1997-06-28 1998-06-05 Bauteil zur optischen Datenübertragung
EP98110243A EP0903791B1 (de) 1997-06-28 1998-06-05 Bauteil zur optischen Datenübertragung
ES98110243T ES2166119T3 (es) 1997-06-28 1998-06-05 Componente para la transmision optica de datos.
PL326787A PL193016B1 (pl) 1997-06-28 1998-06-10 Układ do skierowanego, dwukierunkowego optycznego przenoszenia danych
US09/104,766 US6320686B1 (en) 1997-06-28 1998-06-25 Component for optical data transmission

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19727632A DE19727632C2 (de) 1997-06-28 1997-06-28 Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19727632A1 true DE19727632A1 (de) 1999-01-28
DE19727632C2 DE19727632C2 (de) 1999-10-28

Family

ID=7834004

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19727632A Expired - Lifetime DE19727632C2 (de) 1997-06-28 1997-06-28 Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung
DE59802691T Expired - Lifetime DE59802691D1 (de) 1997-06-28 1998-06-05 Bauteil zur optischen Datenübertragung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE59802691T Expired - Lifetime DE59802691D1 (de) 1997-06-28 1998-06-05 Bauteil zur optischen Datenübertragung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6320686B1 (de)
EP (1) EP0903791B1 (de)
JP (1) JPH1197748A (de)
DE (2) DE19727632C2 (de)
ES (1) ES2166119T3 (de)
PL (1) PL193016B1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19823213A1 (de) * 1998-05-25 1999-12-09 Siemens Ag Bidirektionale optische Sende- und Empfangseinrichtung
DE19834090A1 (de) * 1998-07-29 2000-02-03 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Optoelektronische Sende- und Empfangseinheit

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6721503B1 (en) * 1998-08-26 2004-04-13 Georgia Tech Research Corporation System and method for bi-directional optical communication using stacked emitters and detectors
US6625036B1 (en) * 1999-08-31 2003-09-23 Rohm Co., Ltd. Infrared data communication module and method of making the same
JP3930710B2 (ja) * 2000-09-13 2007-06-13 シチズン電子株式会社 チップ型発光ダイオード及びその製造方法
DE10058622A1 (de) * 2000-11-15 2002-05-29 Vishay Semiconductor Gmbh Gemouldetes elektronisches Bauelement
DE10058608A1 (de) 2000-11-25 2002-05-29 Vishay Semiconductor Gmbh Leiterstreifenanordnung für ein gemouldetes elektronisches Bauelement und Verfahren zum Moulden
US6731415B1 (en) 2002-03-28 2004-05-04 Terabeam Corporation Multi-aperture holographic optical element for use in a free space optical communication system
US6661546B1 (en) 2002-03-28 2003-12-09 Terabeam Corporation Multi-aperture holographic optical element for illumination sensing in a free space optical communication system
US7978800B2 (en) 2002-10-10 2011-07-12 Finisar Corporation Circuit for converting a transponder controller chip output into an appropriate input signal for a host device
US7023563B2 (en) * 2003-02-14 2006-04-04 Chian Chiu Li Interferometric optical imaging and storage devices
US7397022B2 (en) * 2004-04-01 2008-07-08 Vishay Semiconductor Gmbh Sensor arrangement to prevent reference light incident on side of photodiode
JP4210240B2 (ja) * 2004-06-03 2009-01-14 ローム株式会社 光通信モジュール
US7385175B2 (en) * 2004-09-18 2008-06-10 Chian Chiu Li Bi-directional optical transmission system and method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2629356C2 (de) * 1976-06-30 1983-07-21 AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Elektrooptischer Wandler zum Senden oder Empfangen

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2011610A (en) * 1977-12-23 1979-07-11 Elliot Bros Ltd Fibre optic terminal
DE3502634A1 (de) * 1985-01-26 1985-06-20 Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5000 Köln Optisch-elektronischer entfernungsmesser
JPH04237005A (ja) * 1991-01-22 1992-08-25 Fujitsu Ltd 受光モジュール
US5140152A (en) * 1991-05-31 1992-08-18 The University Of Colorado Foundation, Inc. Full duplex optoelectronic device with integral emitter/detector pair
US5267070A (en) * 1992-05-05 1993-11-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Underwater IR communication system
US5506445A (en) * 1994-06-24 1996-04-09 Hewlett-Packard Company Optical transceiver module

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2629356C2 (de) * 1976-06-30 1983-07-21 AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Elektrooptischer Wandler zum Senden oder Empfangen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
TEMIC Telefunken microelectronic GmbH/Tele- funken semiconductors Firmendruckschrift: IrDA-Compatible Data Transmission, Design Guide DGT 002-0496, umf. 77 Seiten in DINA 5, insb. S.39,36,11 (v. Anm. gen.) *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19823213A1 (de) * 1998-05-25 1999-12-09 Siemens Ag Bidirektionale optische Sende- und Empfangseinrichtung
DE19823213C2 (de) * 1998-05-25 2002-02-21 Infineon Technologies Ag Bidirektionale optische Sende- und Empfangseinrichtung
US6580533B1 (en) 1998-05-25 2003-06-17 Infineon Technologies Ag Two-way optical transmission and reception device
DE19834090A1 (de) * 1998-07-29 2000-02-03 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Optoelektronische Sende- und Empfangseinheit
US7058309B1 (en) 1998-07-29 2006-06-06 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Optoelectronic transceiver
EP1101136B1 (de) * 1998-07-29 2007-06-27 Dr. Johannes Heidenhain GmbH Optoelektronische sende- und empfangseinheit

Also Published As

Publication number Publication date
DE59802691D1 (de) 2002-02-21
PL326787A1 (en) 1999-01-04
JPH1197748A (ja) 1999-04-09
DE19727632C2 (de) 1999-10-28
EP0903791A3 (de) 1999-12-22
PL193016B1 (pl) 2007-01-31
US6320686B1 (en) 2001-11-20
EP0903791A2 (de) 1999-03-24
ES2166119T3 (es) 2002-04-01
EP0903791B1 (de) 2001-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19727633C2 (de) Bauteil zur gerichteten, bidirektionalen, optischen Datenübertragung
DE19727632C2 (de) Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung
DE19549818B4 (de) Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE19536454B4 (de) Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE19829197C2 (de) Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
DE69604333T2 (de) Optisches Wellenleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3633251A1 (de) Optoelektronisches koppelelement
DE102012223460B4 (de) Eine modifizierte Transistor Kontur Gehäuse Baueinheit zur Verwendung in optischen Kommunikationen
DE19912720A1 (de) Optoelektronische Baugruppe
DE10217073A1 (de) Miniatur-Halbleitergehäuse für optoelektronische Bauelemente
DE10255625A1 (de) Optisches Sender- Empfängermodul und das Modul verwendende elektronische Vorrichtung
DE202014007445U1 (de) Multifunktionales optisches Mikro-Sensor-System
DE19652030A1 (de) Infrarotsendeempfänger und Verfahren zum Einkapseln desselben
DE102008021435A1 (de) Gehäuse für LEDs mit hoher Leistung
EP0712161B1 (de) Halbleiterbaugruppe für die bidirektionale, leitungsungebundene, optische Datenübertragung
EP1379903A1 (de) Sendemodul für eine optische signalübertragung
DE10227544B4 (de) Vorrichtung zur optischen Datenübertragung
DE102013221451A1 (de) Eine gestanztes Metall Optik zum Verwenden in einem optischen Kommunikationsmodul
DE102010000697A1 (de) Faseroptisches Transceiver (FOT) Modul und Verfahren zur Herstellung eines FOT Moduls
EP0875770A1 (de) Opto-electronische Sensoranordnung
DE19845703C2 (de) Bauteil zur optischen Datenübertragung
JP4486591B2 (ja) リード端子導出型電子部品
DE4232644A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement
EP3355075B1 (de) Sensoranordnung
DE112010002553T5 (de) Modul zur optischen kommunikation

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: VISHAY SEMICONDUCTOR GMBH, 74072 HEILBRONN, DE

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
R071 Expiry of right