JPH1197748A - 光学データ伝送のための構成部分 - Google Patents
光学データ伝送のための構成部分Info
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- JPH1197748A JPH1197748A JP10192238A JP19223898A JPH1197748A JP H1197748 A JPH1197748 A JP H1197748A JP 10192238 A JP10192238 A JP 10192238A JP 19223898 A JP19223898 A JP 19223898A JP H1197748 A JPH1197748 A JP H1197748A
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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Abstract
スト及び場所費用が減少する光学データ伝送のための構
成部分を提供する。 【解決手段】 1つの部分又は多部分からなるハウジン
グ(3)内に、構成部分として、赤外線ビームを送出す
るエミッタチップ(10)、赤外線ビームを受信するデ
テクタチップ(8)、送信及び受信電力を増幅する集積
回路(6)、及び送出される及び受信されるビームを集
束する光軸を備えた光学系(2)が配置されている、指
向性二方向光学データ伝送のための構成部分において、
デテクタチップ(8)とエミッタチップ(10)が、光
学系(2)の光軸に対して同心的に、互いに重ねてかつ
集積回路(6)上に配置されていることを特徴とする。
Description
部分からなるハウジング内に、構成部分として、赤外線
ビームを送出するエミッタチップ、赤外線ビームを受信
するデテクタチップ、送信及び受信電力を増幅する集積
回路、及び送出される及び受信されるビームを集束する
光軸を備えた光学系が配置されている、指向性二方向光
学データ伝送のための構成部分に関する。
ンスミッタとレシーバからなる)とも称し、IrDA用
途のためのデータ伝送に使用される。光学的な点対点伝
送区間によるデータ伝送のため、IrDA(赤外線デー
タ連絡)規格が開発された。例えばテーミック・テレフ
ンケン・マイクロエレクトロニクス・GmbH社からT
FDS3000又はTFDS6000なる名称で、集積
トランシーバ構成部分が入手でき、この集積トランシー
バ構成部分は、IrDA規格に対応している。
バの共通のハウジング内に、赤外線送信機(エミッ
タ)、赤外線受信機(デテクタ)、及び信号準備のため
の集積回路が配置されている。トランシーバ構成部分の
表面側は、互いに並べて置かれたレンズ状の2つの形成
部を有し、これらの形成部の焦点に、それぞれ送信機及
び受信機がある。これらの光学系は、IrDA規格にお
いて必要な送信機の指向性信号放射及び受信機の指向性
感度を達成するために必要である。
信機の互いに並べて置かれた配置に基付いて、必要な送
信機の指向性信号放射及び受信機の指向性感度を達成す
るため、それぞれ1つの独自の光学系が必要であるとい
う欠点を有する。このことは、多くの材料コストの原因
となり、かつトランシーバ構成部分の寸法は、比較的大
きくなる。
は、その寸法がはるかに小さくなるので、材料コスト及
び場所費用が減少する構成部分を提供することにある。
又は多部分からなるハウジング内に、構成部分として、
赤外線ビームを送出するエミッタチップ、赤外線ビーム
を受信するデテクタチップ、送信及び受信電力を増幅す
る集積回路、及び送出される及び受信されるビームを集
束する光軸を備えた光学系が配置されている、指向性二
方向光学データ伝送のための構成部分によって解決され
る。これは、次のような特徴を有する。すなわちデテク
タチップとエミッタチップが、光学系の光軸に対して同
心的に、互いに重ねてかつ集積回路上に配置されてい
る。
送信機及び受信機に対して、共通の光学系が利用でき、
それにより構成部分の寸法がかなり減少され、かつ材料
コストが節約される。加えて一層短いボンディング線材
により、構成部分の妨害の受けやすさが減少する。
請求の範囲従属請求項に記載されている。
に説明し、かつ図面によって示す。
赤外線ビームに対して透明な例えば熱可塑性又は熱硬化
性の注型材料からなるハウジング3、及び接続脚片4を
備えたトランシーバ1を示しており、これらの接続脚片
は、金属ストリップ支持体5の一部として外方へ案内さ
れている。その際、接続脚片4a(GND)は、基準電
位に接続されており、接続脚片4b(Vcc)は、電源
電圧に接続され、接続脚片4c(RxD)は、データ入
力端子に接続され、かつ接続脚片4d(TxD)は、
(図示しない)ドライバ回路のデータ出力端子に接続さ
れている。
り、この集積回路は、信号の増幅のために使われ、かつ
この集積回路は、接触のためにパッド7を有する。裏側
接触部を介して集積回路6は、アース端子4a(GN
D)に接続されている。集積回路6上に、受信機又はデ
テクタチップ8としてフォトPINダイオードが配置さ
れており、このフォトPINダイオードは、同様に接触
のためにパッド9を有する。このフォトPINダイオー
ドにおいて特殊なIrDA製品が問題になっているが、
このIrDA製品は、フォトPINダイオードにとって
通常の技術によって製造されている。後に行なわれる接
触の過程を容易にするために、パッド9は、なるべく前
側に、すなわち受信すべき赤外線ビームの方に向いた側
に配置されている。デテクタチップ8の表面は、その外
側境界にまで延びた金属被覆11bを有し、この金属被
覆は、送信機又はエミッタチップ10のために取付け面
及び裏側接触部として、かつ接続パッドとして使われ
る。
はエミッタチップ10が接着されており、この送信機又
はエミッタチップにおいて基本的に周知の赤外線送信ダ
イオードが問題になる。接触のために、エミッタチップ
10の中心に配置された接触面11a、及び導通結合部
(金属被覆)によって引出された接続パッド11bが存
在する。
面積より大きく、他方においてこのデテクタチップの面
積は、エミッタチップ10の面積よりも大きい。信号伝
送のために、個々の接続パッド7、9、11a又は11
b相互の間、又は端子4b、4c又は4dへの接触は、
周知の様式及び方法で、ボンディング線材12によって
行なわれ、これらのボンディング線材は、金、アルミニ
ウム又は良好に導電可能な合金からなる。
集積回路6上にデテクタチップ8を取付けるため、及び
デテクタチップ8上にエミッタチップ10を取付けるた
めに、例えばポリミド接着剤、はんだ、合成物質はんだ
又はその他の通常の合成物質接着剤が利用される。エミ
ッタチップ10がデテクタチップ8上に導通して取付け
られていることを保証するために、その際、個々の接着
のために、それぞれ異なった接着剤又ははんだを利用す
ることができる。集積回路6とデテクタチップ8との間
の結合は、導電可能又は導電不可能であってもよく、そ
の際、導電不可能な結合が優先される。
題になる光学系2は、エミッタチップ10から出るビー
ムが最適に放射され、かつ入射するビームも最適にデテ
クタチップ8に転向されるように構成されている。この
ことは、デテクタチップ8とエミッタチップ10が従来
のように互いに並んでいるのではなく、上下に配置され
ていることによって可能になる。それによりそれぞれエ
ミッタ及びデテクタに対して独自の光学系を使用しなけ
ればならない従来の技術に対して、光学系を節約し、か
つトランシーバ1の幅をほぼ半分にすることが可能であ
る。
1’を示している。(見ることができない)デテクタチ
ップ及び(同様に見ることができない)エミッタチップ
は、並べて配置されているので、それぞれエミッタチッ
プ及びデテクタチップのために、独自のレンズ2’又は
2”が不可欠である。それにより、かつデテクタ及びエ
ミッタの端子4が切離して引出されていることにより、
トランシーバ1’は、本発明による配置に対してほぼ2
倍の幅に大きくなっている。
る。
Claims (10)
- 【請求項1】 1つの部分又は多部分からなるハウジン
グ(3)内に、構成部分として、赤外線ビームを送出す
るエミッタチップ(10)、赤外線ビームを受信するデ
テクタチップ(8)、送信及び受信電力を増幅する集積
回路(6)、及び送出される及び受信されるビームを集
束する光軸を備えた光学系(2)が配置されている、指
向性二方向光学データ伝送のための構成部分において、
デテクタチップ(8)とエミッタチップ(10)が、光
学系(2)の光軸に対して同心的に、互いに重ねてかつ
集積回路(6)上に配置されていることを特徴とする、
指向性二方向光学データ伝送のための構成部分。 - 【請求項2】 エミッタチップ(10)が、いちばん上
の構成部分として配置されていることを特徴とする、請
求項1記載の構成部分。 - 【請求項3】 集積回路(6)の面積が、デテクタチッ
プ(8)の面積より大きく、かつデテクタチップ(8)
の面積が、エミッタチップ(10)の面積よりも大きい
ことを特徴とする、請求項1又は2記載の構成部分。 - 【請求項4】 デテクタチップ(8)の表面が、その中
心に金属被覆(11a,11b)を有し、この金属被覆
が、エミッタチップ(10)のために取付け面(11
b)として使われることを特徴とする、請求項1、2又
は3記載の構成部分。 - 【請求項5】 デテクタチップ(8)上の金属被覆(1
1b)が、ボンディング線材(12)のために接続パッ
ドとして使われることを特徴とする、請求項4記載の構
成部分。 - 【請求項6】 エミッタチップ(10)が、裏側金属被
覆を有し、この裏側金属被覆が、はんだ又は導電可能な
接着剤によって、取付け面(11b)に接触しているこ
とを特徴とする、請求項4記載の構成部分。 - 【請求項7】 ボンディング線材(12)が、集積回路
(6)の接続パッド(7)とデテクタチップ(8)の接
続パッド(9)との間、集積回路(6)の接続パッド
(7)とデテクタチップ(8)上の金属被覆(11b)
との間、集積回路(6)の接続パッド(7)と接続脚片
(4)との間、及び/又はエミッタチップ(10)の接
続パッド(10a)と接続脚片(4)との間に配置され
ていることを特徴とする、請求項1ないし6の1つに記
載の構成部分。 - 【請求項8】 構成部分(6,8,10)が、支持体
(5)上に取付けられていることを特徴とする、請求項
1ないし7の1つに記載の構成部分。 - 【請求項9】 支持体(5)において、金属ストリップ
支持体が問題になることを特徴とする、請求項8記載の
構成部分。 - 【請求項10】 ハウジング(3)が、赤外線ビームに
対して透明な熱可塑性又は熱硬化性注型材料からなるこ
とを特徴とする、請求項1ないし9の1つに記載の構成
部分。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19727632A DE19727632C2 (de) | 1997-06-28 | 1997-06-28 | Sende-/Empfangsgerät zur optischen Datenübertragung |
| DE19727632.6 | 1997-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197748A true JPH1197748A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=7834004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192238A Pending JPH1197748A (ja) | 1997-06-28 | 1998-06-04 | 光学データ伝送のための構成部分 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6320686B1 (ja) |
| EP (1) | EP0903791B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1197748A (ja) |
| DE (2) | DE19727632C2 (ja) |
| ES (1) | ES2166119T3 (ja) |
| PL (1) | PL193016B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE19823213C2 (de) | 1998-05-25 | 2002-02-21 | Infineon Technologies Ag | Bidirektionale optische Sende- und Empfangseinrichtung |
| DE19834090A1 (de) * | 1998-07-29 | 2000-02-03 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Optoelektronische Sende- und Empfangseinheit |
| US6721503B1 (en) * | 1998-08-26 | 2004-04-13 | Georgia Tech Research Corporation | System and method for bi-directional optical communication using stacked emitters and detectors |
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| DE10058608A1 (de) | 2000-11-25 | 2002-05-29 | Vishay Semiconductor Gmbh | Leiterstreifenanordnung für ein gemouldetes elektronisches Bauelement und Verfahren zum Moulden |
| US6661546B1 (en) | 2002-03-28 | 2003-12-09 | Terabeam Corporation | Multi-aperture holographic optical element for illumination sensing in a free space optical communication system |
| US6731415B1 (en) | 2002-03-28 | 2004-05-04 | Terabeam Corporation | Multi-aperture holographic optical element for use in a free space optical communication system |
| US7978800B2 (en) | 2002-10-10 | 2011-07-12 | Finisar Corporation | Circuit for converting a transponder controller chip output into an appropriate input signal for a host device |
| US7023563B2 (en) * | 2003-02-14 | 2006-04-04 | Chian Chiu Li | Interferometric optical imaging and storage devices |
| US7397022B2 (en) * | 2004-04-01 | 2008-07-08 | Vishay Semiconductor Gmbh | Sensor arrangement to prevent reference light incident on side of photodiode |
| JP4210240B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2009-01-14 | ローム株式会社 | 光通信モジュール |
| US7385175B2 (en) * | 2004-09-18 | 2008-06-10 | Chian Chiu Li | Bi-directional optical transmission system and method |
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Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2629356C2 (de) * | 1976-06-30 | 1983-07-21 | AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Elektrooptischer Wandler zum Senden oder Empfangen |
| GB2011610A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-11 | Elliot Bros Ltd | Fibre optic terminal |
| DE3502634A1 (de) * | 1985-01-26 | 1985-06-20 | Deutsche Forschungs- und Versuchsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V., 5000 Köln | Optisch-elektronischer entfernungsmesser |
| JPH04237005A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 | Fujitsu Ltd | 受光モジュール |
| US5140152A (en) * | 1991-05-31 | 1992-08-18 | The University Of Colorado Foundation, Inc. | Full duplex optoelectronic device with integral emitter/detector pair |
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| US5506445A (en) * | 1994-06-24 | 1996-04-09 | Hewlett-Packard Company | Optical transceiver module |
-
1997
- 1997-06-28 DE DE19727632A patent/DE19727632C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-04 JP JP10192238A patent/JPH1197748A/ja active Pending
- 1998-06-05 DE DE59802691T patent/DE59802691D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-05 ES ES98110243T patent/ES2166119T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-05 EP EP98110243A patent/EP0903791B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-06-10 PL PL326787A patent/PL193016B1/pl unknown
- 1998-06-25 US US09/104,766 patent/US6320686B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0903791A3 (de) | 1999-12-22 |
| PL326787A1 (en) | 1999-01-04 |
| EP0903791B1 (de) | 2001-11-21 |
| ES2166119T3 (es) | 2002-04-01 |
| DE59802691D1 (de) | 2002-02-21 |
| US6320686B1 (en) | 2001-11-20 |
| DE19727632C2 (de) | 1999-10-28 |
| DE19727632A1 (de) | 1999-01-28 |
| EP0903791A2 (de) | 1999-03-24 |
| PL193016B1 (pl) | 2007-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080512 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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