DE19841663A1 - Verfahren zur Herstellung von Volumenproben aus schmelztexturiertem HTSL-Material für die Anwendung in der Mikrowellentechnik - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Volumenproben aus schmelztexturiertem HTSL-Material für die Anwendung in der MikrowellentechnikInfo
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Abstract
Mit dem Verfahren können schmelztexturierte, einkörperige HTSL-Bauteile in Topf- oder Gefäßform für die Mikrowellentechnik hergestellt werden. Hierzu wird das Ausgangspulver zu einer offenen Gefäßform geformt und dann dem Schmelztexturprozeß ausgesetzt. Es wird dabei eine volumenabschnittsweise, vorgegeben orientierte Textur durch orientiertes Setzen von Saatkristallen an höchster Stelle des jeweiligen Volumenabschnitts erreicht. Um vollendes eine hohe Güte zu erreichen, werden die der Mikrowelle ausgesetzten Oberflächen fein nachbehandelt. Die so hergestellten Körper kaben keine normal leitenden Schnittflächen, die supraleitenden Eigenschaften bestehen bei dem so hergestellten Bauteil daher überall.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von HTSL-
Volumenkörpern und Volumenkörper, die durch Schmelztextur herge
stellt sind und als Mikrowellenbaukomponeneten Verwendung fin
den.
Neben dem verlustfreien Transport von Gleichströmen bei der
Energieübertragung haben Supraleiter auch im Wechselfeld Vor
teile im Vergleich zu konventionellen normal leitenden Materia
lien. Im Frequenzbereich bis etwa 100 GHz sind die Verluste
durch Wechselfelder im Vergleich zu denen in Kupfer oder Gold so
gering, daß auch für die Hochfrequenz- bzw. Mikrowellentechnik
Supraleiter vorteilhaft eingesetzt werden können.
Bauelemente aus Supraleitermaterial, wie z. B. Antennen, Filter
oder Verzögerungsleitungen, haben gegenüber normalleitenden Bau
elementen den entscheidenden Vorteil, daß sie wesentlich kleiner
und leichter realisiert werden können. Der damit zu erzielende
Gewinn durch Miniaturisierung bleibt selbst bei Einbeziehung der
zusätzlichen Kühleinrichtungen bestehen (siehe G. W. Mitschang,
IEEE Trans. Appl. Supercond. 5 (1995) 69-73), so daß sich der
Einsatz supraleitender Mikrowellenbauelemente besonders dann
lohnt, wenn Gewichts- und Platzeinsparung entscheidende Faktoren
darstellen, wie z. B. im Flugradar oder in der satellitenge
stützten Telekommunikation. Bisher werden die oft verwendeten
dielektrischen Materialien auch auf Temperaturen unter 100 K ge
kühlt, weil dort die Eigenschaften besser sind als bei Raumtem
peratur.
Mikrowellenbauelemente auf HTSL-Basis werden bisher ausnahmslos
durch epitaktisch gewachsene Filme realisiert (Lagebericht 1996
zur angewandten Supraleitung, Gesellschaft für Angewandte Supra
leitung, Karlsruhe 1996, 108-126). Als HTSL findet überwiegend
YBa2Cu3O7 Verwendung, als Substrat 0,1 - 1 mm starke Plättchen aus
geeigneten Dielektrika wie Al2O3, ZrO2, MgO oder LaAlO3. Die Her
stellung der HTSL-Wafer ist aufwendig und teuer und ist bis
heute nur mit einer geringen Reproduzierbarkeit zu schaffen,
dazu sind die Filme nur kompliziert zu handhaben.
Werden Mikrowellenresonatoren aus solchen Filmen hergestellt,
müssen die Wandkanten verlötet werden wodurch an diesen Stellen
normal leitende Bereiche also örtliche ohmsche Verbraucher be
stehen. Bekannt ist darüber hinaus, daß es bei supraleitenden
Filmen zu Degradationserscheinungen nach thermischen Zyklen kom
men kann.
Ein weiterer Nachteil ist die eingeschränkte Leistungsverträg
lichkeit. Bei HTSL-Filmen wird schon bei 77 K und Hf-Feldern von
Brf ≦ 10 mT ein unakzeptabler Verlust beobachtet. Die Verluste
werden vor allem thermisch induzierten Dissipationsmechanismen
zugeordnet, zu einem geringen Teil auch magnetisch induzierten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Verfahren zu ent
wickeln, mit dem massive massige HTSL-Volumenkörper für die
Mikrowellentechnik bereit gestellt werden können, die aufgrund
ihrer höheren Supraleitermasse eine gute thermozyklische Ver
träglichkeit und der Abwesenheit von Korngrenzen und hohen
Stromdichten eine gesteigerte Leistungsverträglichkeit aufwei
sen.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Herstellung von Volu
menproben aus schmelztexturiertem HTSL-Material gemäß Anspruch 1
und durch in Anspruch 7 gekennzeichnete schmelztexturierte HTSL-
Volumenkörper gelöst. Hierzu wird das vorbereitete Pulver in ei
nem Formgebungsprozeß zu einer offenen, einkörperigen Gefäßform
geformt. Vor der Warmbehandlung, der Schmelztexturierung, oder
während der ersten Abkühlphase der Warmbehandlung werden die
Saatkristalle jeweils auf dem höchsten Punkt eines Volumenbe
reichs orientiert gesetzt, um im weiteren Verlauf in dem darun
ter liegenden Volumenbereich die Textur mit vorgegebener Orien
tierung zu erhalten. Die gesetzten Saatkristalle haben durchweg
eine Zersetzungstemperatur, die über der maximal auftretenden
Temperatur Tmax der Warmbehandlung oder über der während der er
sten Abkühlphase gewählten Temperatur liegt. Eine Feinbehandlung
der Flächen, die im Einsatz der Mikrowelle ausgesetzt sind,
folgt, um die vorgegebene Güte, den Oberflächenwiderstand für
die Mikrowelle, oder vorgegebenen technischen Daten als Mikro
wellenbauteil vollends zu erhalten bzw einzustellen.
In Anspruch 2 ist das HTSL-Material gekennzeichnet, das für die
Schmelztextur in Frage kommt, einfach eine Seltene Erdverbindung
der Form Re123/Re'211/Re'2O3 (Re = rare earth; Re' gleich Re oder
Re' ungleich Re). - Repräsentativ steht Re z. B. für Y oder Sm oder
Nd. Re-123 bildet die Matrix, so daß immer mehr als 50 Gew.-% Re
123 im Körper vorhanden sind. Silber kann bis 15 Gew.-% hinzugege
ben werden.
Pt und Ce-Zusätze werden bis maxial 2,0 Gew.-% beigegeben, um die
Wachstumsbedingungen bei der Schmelztextur zu optimieren.
Die Beigabe von organischem Bindermaterial gemäß Anspruch 3
dient der leichteren Prozessierung während der Formgebung und
bleibt mengenmäßig derartig beschränkt, daß einerseits eine
Formgebung leicht vorgenommen werden kann, andrerseits eine Koh
lenstoffaufnahme während des Verfahrens beschränkt bleibt.
Verschiedene nützliche Verfahren der Verdichtung und Formgebung
mittels unterschiedlicher Druckbehandlung wie uniaxial und/oder
isostatisch oder wie Gießen, Spritzgießen oder Extrudieren wer
den in Anspruch 4 gekennzeichnet.
Die so erzeugte Rohform oder der Grünkörper wird dann der ther
mischen Behandlung zugeführt. Der eigentlichen Warmbehandlung,
der Schmelztexturierung, geht meist noch die Austreibung des
Bindemittels und ein weitestgehendes Volumenschrumpfen voran.
Dies wird üblicherweise durch Erwärmung bis höchsten zur Sinter
temperatur durchgeführt (Anspruch 5). Damit wird auch ein Vorteil
erhalten, daß nämlich beim folgenden Schmelztexturieren keine we
sentliche Schrumpfung und Verdichtung mehr erfolgt, so daß eine
Bearbeitung auf Maßhaltigkeit schon dazwischen gelegt werden
kann, die jetzt noch durchaus leichter als beim schmelztextu
rierten Körper durchgeführt werden kann.
Vor der Schmelztexturierung oder während der ersten Abkühlphase
darin werden dann an den höchstgelegenen Stellen der Volumenbe
reiche eines jeden Volumenkörpers je ein für die dortige Textur
verantwortlicher Saatkristall orientiert gesetzt, um die Textur
mit örtlich vorgegebener Orientierung im Volumenkörper einzu
stellen. Im Falle von offenen, zylindrischen oder kastenförmigen
Volumenformen oder ähnlichen Gefäßformen sind die Positionen für
die Saatkristalle auf dem Rand und auch an mindestens einer not
wendiger Stelle am Boden. Sollte noch eine Säule vom Boden der
Volumenform aufragen, wird auf deren Spitze auch ein Saatkri
stall orientiert gesetzt. Dies ist zu beachten, weil sich die
Textur bei der Schmelztextur, vom Saatkristall mit jeweiliger
Orientierung ausgehend, in Richtung der Schwerkraft (nach unten
hin) fortpflanzt und ausbreitet. Aus irgendwelchen Gründen kann
es immer wieder auftreten, daß unerwünscht multidomänige Berei
che bestehen. Durch mindestens eine nochmalige Warmbehandlung
werden solche Bereiche vollends in eindomänige umgewandelt
(Anspruch 6).
Einkörperige, gefäßartige Volumenkörper lassen sich mit dem bis
her beschriebenen Verfahren in vielfältiger Form herstellen und
müssen jetzt nicht mehr zusammengefügt werden, so daß nicht su
praleitende Schnittflächen am Volumenkörper entfallen. Die fein
bearbeiteten, der Mikrowelle ausgesetzten Flächen ergeben voll
ends die geforderte mikrowellentechnische Güte bzw. den gefor
derten Mikrowellenoberflächenwiderstand des derartig prozessier
ten Volumenkörpers (Anspruch 7), der aufgrund der vorgegeben
Geometrie beispielsweise ein vollständig supraleitender Mikro
wellenresonator ist (Anspruch 8). Andere mikrowellentechnische
Bauteileformen sind mit dem Verfahren jederzeit auch herstell
bar.
Grundsätzlich ist hiermit ein Verfahren gegeben, mit dem nicht
nur wie bisher einfache, scheibenförmige HTSL-Vollkörper herge
stellt werden können, sondern daß jetzt auch einkörperige, ge
fäßartige Volumenkörper, die sich als Baukomponenten für die
Mikrowellentechnik eignen, unter hoher Maßhaltigkeit in einem
automatisierten Prozeß in hohen Stückzahlen wirtschaftlich her
stelltbar sind. Solchermaßen hergestellte Körper haben keine
normal leitenden Trennbereiche mehr, wie sie bei der konventio
nellen Herstellung von Volumenkörpern durch HTSL-Filme durch
Verlöten z. B. bestehen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung weiter er
läutert.
Es zeigen:
Fig. 1 den schmelztexturierten, topfförmigen Mikrowellenresona
tor aus HTSL-Material.
Fig. 2 die Bedeutung des Saatkristalls für die Einstellung der
Textur am Mikrowellenresonator,
Fig. 3a den Stromverlauf im Resonator (links) und die überall
gleiche Orientierung der Textur im Resonator (rechts),
Fig. 3b den Stromverlauf im Resonator (links) und die bereichs
weise unterschiedliche Orientierung der Textur im Resonator
(rechts) und
Fig. 4 den Verlauf des Oberflächenwiderstands von massivem YBCO
nach verschiedenen Schleif und Polierschritten und Kupfer in Ab
hängigkeit der Temperatur.
Der Mikrowellenresonator gemäß Fig. 1 hat zylindrische Topfform
mit einer konzentrischen Säule. Die gewünschten Mikrowellenei
genschaften werden durch die abschließende Oberflächenbehandlung
der Resonatorflächen erreicht. Die der Mikrowelle ausgesetzten
Flächen werden hierzu feingeschliffen. Um die Endmaße zu errei
chen, wird mit einer groben Körnung von beispielsweise 320 be
gonnen, um schließlich mit der Körnung von 1200 das Endmaß end
gültig einzustellen. Beim Schleifvorgang ist es sinnvoll, ein
für das HTSL-Material inertes, nicht wasserhaltiges Kühlmittel
zu verwenden. Propanol z. B. eignet sich dafür oder andere, die
das HTSL-Material chemisch nicht verändern.
Für die Ausbreitung der Textur in einem Körper ist die Setz
stelle des Saatkristalls maßgebend, für die Orientierung der
Textur ist die Ausrichtung der c-Achse des Saatkristalls verant
wortlich.
In Fig. 2 ist das für den zylindrischen Topf mit konzentrischer
Säule beispielhaft dargestellt. Es werden mindestens zwei Saat
kristalle am oberen Rand und einer am Boden des Topfes gesetzt.
Bei einer großen Bodenfläche ist es durchaus notwendig noch mehr
Saatkristalle zu setzen. Auf die Säule wird ein weiterer Saat
kristall gesetzt, der die Orientierung der Stirnfläche und der
Mantelflächen der Säule vorgibt.
Die Textur im Volumenkörper ist wie durch die Pfeile an den Wän
den und Stirn- bzw. Bodenflächen angedeutet eingestellt.
In möglichen Resonatormoden können die Stromverläufe verschieden
sein. Bei anisotropen Materialien, d. h. auch nur wenn die rele
vanten Eigenschaften anisotrop sind, ist es wichtig zu wissen,
welche Resonatormoden gewählt werden, damit die Textur des Mate
rials für optimale Eigenschaften eingestellt werden kann.
Die Abbildungen in den Fig. 3a und b zeigen im Modell die
Stromrichtungen für verschiedene Resonatormoden und der dafür
optimal einzustellenden Textur. In Fig. 3a ist das für den zy
lindrischen Topf beispielhaft dargestellt. Es werden mindestens
zwei Saatkristalle am oberen Rand und einer am Boden des Topfes
gesetzt. Bei einer großen Bodenfläche ist es durchaus notwendig
noch mehr Saatkristalle zu setzen. Im ersten Beispiel, Fig. 3a
sind alle Saatkristalle gleichgartig orientiert aufgesetzt, dem
entsprechend hat die Textur im Volumenkörper überall die gleiche
Orientierung, wie durch die Pfeile an der Wand angedeutet.
In Fig. 3a ist die c-Achse der Saatkristalle auf dem Topfrand
radial nach innen gerichtet. Der oder die Saatkristalle auf dem
Boden sind axial ausgerichtet. Dadurch ergeben sich bereichs
weise Texturen mit entsprechender Orientierung im Volumenkörper,
das ist durch die von den Wänden ausgehenden Pfeile angedeutet
ist.
Der Oberflächenwiderstand der der Mikrowelle ausgesetzten Flä
chen ist maßgebend für die Güte des Resonators. Fig. 4 zeigt
das für:
- a) den Normalleiter Kupfer mit dem erwarteten, nahezu linearen Verlauf (x),
- b) das HTSL-Material YBCO für verschiedene Güten der Oberflä che.
- c) den Normalleiter Cu, der sich linear mit schwacher Steigung verhält.
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung von Volumenproben aus schmelztextu
riertem HTSL-Material für die Anwendung in der Mikrowellen
technik, bestehend aus den Schritten:
pulvermetallurgische Herstellung der Volumenprobe aus einem Pulver bzw. einer Pulvermischung, die für eine Schmelztextur geeignet ist und
Durchführung der Schmelztextur mit vorgegebener Orientierung durch orientiertes Saatkristallsetzen, um die vorgegebenen charakteristischen Eigenschaften wie Sprungtemperatur Tc und kritische Stromdichte jc zu erreichen und einzustellen, dadurch gekennzeichnet,
daß das Pulver in einem Formgebungsprozeß zu einer jeweils offenen Gefäßform geformt wird, auf die vor der ersten Warmbehandlung oder während der ersten Abkühlphase der Warmbehandlung für jeden Volumenbereich des HTSL-Volumenkörpers, für den an seinen im späteren Betrieb der Mikrowelle zugewandten Flächen eine Textur vorgegebener Ausrichtung zutage treten soll, jeweils ein Saatkristall mit höherer Zersetzungstemperatur als die bei der Schmelztextur maximal auftretende Temperatur Tmax oder die bei der während der ersten Abkühlphase gewählten Temperatur auf einer höchst liegenden Stelle des Volumenbereichs mit entsprechender Aus richtung seiner c-Achse gesetzt wird, von dem aus sich die Textur in den darunter liegenden Volumenbereich ausbreitet, die im Betrieb der Mikrowelle zugewandten Flächen nach der Schmelztexturierung einer Oberflächenfeinbehandlung zur Er langung des vorgegebenen Mikrowellenoberflächenwiderstands und der davon abhängigen Güte unterzogen werden.
pulvermetallurgische Herstellung der Volumenprobe aus einem Pulver bzw. einer Pulvermischung, die für eine Schmelztextur geeignet ist und
Durchführung der Schmelztextur mit vorgegebener Orientierung durch orientiertes Saatkristallsetzen, um die vorgegebenen charakteristischen Eigenschaften wie Sprungtemperatur Tc und kritische Stromdichte jc zu erreichen und einzustellen, dadurch gekennzeichnet,
daß das Pulver in einem Formgebungsprozeß zu einer jeweils offenen Gefäßform geformt wird, auf die vor der ersten Warmbehandlung oder während der ersten Abkühlphase der Warmbehandlung für jeden Volumenbereich des HTSL-Volumenkörpers, für den an seinen im späteren Betrieb der Mikrowelle zugewandten Flächen eine Textur vorgegebener Ausrichtung zutage treten soll, jeweils ein Saatkristall mit höherer Zersetzungstemperatur als die bei der Schmelztextur maximal auftretende Temperatur Tmax oder die bei der während der ersten Abkühlphase gewählten Temperatur auf einer höchst liegenden Stelle des Volumenbereichs mit entsprechender Aus richtung seiner c-Achse gesetzt wird, von dem aus sich die Textur in den darunter liegenden Volumenbereich ausbreitet, die im Betrieb der Mikrowelle zugewandten Flächen nach der Schmelztexturierung einer Oberflächenfeinbehandlung zur Er langung des vorgegebenen Mikrowellenoberflächenwiderstands und der davon abhängigen Güte unterzogen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß HTSL-Materialien auf der Basis Re123/Re211/Re2O3, mit Re
repräsentativ für Y oder Sm oder Nd, mit Zusätzen von Pt, Ce,
Ag zum Ausgangspulver gemahlen und vermischt werden, wobei
der Anteil von Re-123 im schmelztexturierten Körper immer
größer gleich 50 Gew.-% ist und folgende Zusammensetzungen mög
lich sind:
0-50 Gew.-% Re-123, d. h. Re-123 bildet die Matrix, und/oder,
0-50 Gew.-% Re211 und/oder,
0-12 Gew.-% Re2O3 und/oder,
0-15 Gew.-% Silber in Form von Ag oder Ag2O und/oder,
0-2 Gew.-% Pt in Form von Pt oder PtO2 und/oder,
0-2 Gew.-% Ce in Form von Ce oder CeO2.
0-50 Gew.-% Re-123, d. h. Re-123 bildet die Matrix, und/oder,
0-50 Gew.-% Re211 und/oder,
0-12 Gew.-% Re2O3 und/oder,
0-15 Gew.-% Silber in Form von Ag oder Ag2O und/oder,
0-2 Gew.-% Pt in Form von Pt oder PtO2 und/oder,
0-2 Gew.-% Ce in Form von Ce oder CeO2.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß dem Ausgangspulver zur Formgebung ein Bindemittel, wie
Schellack, PMMA, Wachs oder ein thermoplastischer Kunststoff
oder Polyvinylbutyral oder Polyvinylalkohol und seine Deri
vate oder Polyacrylat- oder Polymethacrylatderivat zugegeben
wird, und zwar in einer Menge, daß daraus höchstens eine Koh
lenstoffaufnahme des HTSL-Pulvers bis zu 0,18 Gew.-% eintreten
kann.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Formgebung und Verdichtung:
des vorbereiteten Pulver
uniaxial oder
uniaxial und anschließend isostatisch oder
isostatisch oder
mittels eines drucklosen Formgebungsverfahrens oder
mittels eines drucklosen Formgebungsverfahrens und anschlie ßende isostatisch oder
unter Verwendung organischer Bindemittel mittels Gieß-, Spritzguß- oder Extrusionsverfahren
durchgeführt wird.
uniaxial oder
uniaxial und anschließend isostatisch oder
isostatisch oder
mittels eines drucklosen Formgebungsverfahrens oder
mittels eines drucklosen Formgebungsverfahrens und anschlie ßende isostatisch oder
unter Verwendung organischer Bindemittel mittels Gieß-, Spritzguß- oder Extrusionsverfahren
durchgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Grünkörper vor der Schmelztexturierung einer thermi
schen Vorbehandlung bis höchstens zur Sinterung ausgesetzt
wird, um einerseits das Bindemittel auszutreiben und anderer
seits durch die Sinterung eine wesentliche Schrumpfung des
Volumens und damit eine wesentliche Vorverdichtung zu errei
chen, so daß das durch die Schmelztexturierung erreichte End
volumen oder die Enddichte nicht mehr wesentlich verschieden
ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Volumenproben zur Überführung multidomäniger Volumen
bereiche in eindomänige mindestens einer weiteren (Warm-
oder) Schmelztexturbehandlung unterzogen werden.
7. HTSL-Volumenkörper aus schmelztexturiertem HTSL-Material für
die Verwendung in der Mikrowellentechnik, dadurch gekenn
zeichnet,
daß sie nach dem Verfahren der Ansprüche 1 bis 6 hergestellt sind,
aus einem Stück bestehen und nicht aus Volumensegmenten mit nichtsupraleitenden Schnittflächen zusammengesetzt sind,
eine offene Gefäßform haben
volumenabschnittsweise eine Textur mit vorgegebener Orientie rung haben und
an den im Betrieb den Mikrowellen ausgesetzten Flächen zur Einstellung der vorgegebenen Mikrowelleneigenschaften fein bearbeitet sind.
daß sie nach dem Verfahren der Ansprüche 1 bis 6 hergestellt sind,
aus einem Stück bestehen und nicht aus Volumensegmenten mit nichtsupraleitenden Schnittflächen zusammengesetzt sind,
eine offene Gefäßform haben
volumenabschnittsweise eine Textur mit vorgegebener Orientie rung haben und
an den im Betrieb den Mikrowellen ausgesetzten Flächen zur Einstellung der vorgegebenen Mikrowelleneigenschaften fein bearbeitet sind.
8. HTSL-Volumenkörper nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Volumenkörper eine Geometrie der Art haben, daß sie als
Mikrowellenresonator mit vorgegebenen Güte verwendbar sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19841663A DE19841663A1 (de) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Verfahren zur Herstellung von Volumenproben aus schmelztexturiertem HTSL-Material für die Anwendung in der Mikrowellentechnik |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19841663A DE19841663A1 (de) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Verfahren zur Herstellung von Volumenproben aus schmelztexturiertem HTSL-Material für die Anwendung in der Mikrowellentechnik |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19841663A1 true DE19841663A1 (de) | 2000-04-13 |
Family
ID=7880671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19841663A Ceased DE19841663A1 (de) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | Verfahren zur Herstellung von Volumenproben aus schmelztexturiertem HTSL-Material für die Anwendung in der Mikrowellentechnik |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19841663A1 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10132522A1 (de) * | 2001-07-10 | 2003-02-13 | Zentrum Fuer Funktionswerkstof | Verfahren zum Ankeimen von Formkörpern aus einem Supraleitermaterial durch Einbetten eines Impfkristalls |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0587326A1 (de) * | 1992-08-25 | 1994-03-16 | International Superconductivity Technology Center | Verfahren zur Herstellung eines selten erdhaltenden, supraleitenden Materialgemisches |
| DE19601771C1 (de) * | 1996-01-19 | 1997-04-10 | Karlsruhe Forschzent | Verfahren zur Herstellung von optimierten, schmelztexturierten Volumenproben auf der Basis des Hochtemperatursupraleiters YBa¶2¶Cu¶3¶O¶7¶ (YBCO) |
-
1998
- 1998-09-11 DE DE19841663A patent/DE19841663A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0587326A1 (de) * | 1992-08-25 | 1994-03-16 | International Superconductivity Technology Center | Verfahren zur Herstellung eines selten erdhaltenden, supraleitenden Materialgemisches |
| DE19601771C1 (de) * | 1996-01-19 | 1997-04-10 | Karlsruhe Forschzent | Verfahren zur Herstellung von optimierten, schmelztexturierten Volumenproben auf der Basis des Hochtemperatursupraleiters YBa¶2¶Cu¶3¶O¶7¶ (YBCO) |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| #### * |
| Lagebericht1996 zur Angewandten Supraleitung, Gesellschaft für Angewandte Supraleitung, c/o Forschungszentrum Karlsruhe, Technik und Umwelt, Karlsruhe 1996, S. 108-126 * |
| US-Z: JEEE Transactions on Applied Superconductivity, Vol. 5, No.2, June 1995, 69-73 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10132522A1 (de) * | 2001-07-10 | 2003-02-13 | Zentrum Fuer Funktionswerkstof | Verfahren zum Ankeimen von Formkörpern aus einem Supraleitermaterial durch Einbetten eines Impfkristalls |
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