DE19849902A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem sich in einer lateralen Richtung (x) erstreckenden Basisbereich (3) von einem ersten Leitfähigkeitstyp (n) und zwei von zumindest von dem Basisbereich (3) in lateraler Richtung (x) getrennten Anschlußbereichen (1, 2) zum Anschluß an elektrische Kontakte (A, K). DOLLAR A Um kostengünstig und mit relativ geringem Aufwand ein Halbleiterbauelement zu schaffen, das hohe Sperrspannungen aufnehmen kann, sind Kompensationsschichten (6, 7) von einem dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp (p) vorgesehen, die sich in lateraler Richtung (x) erstrecken, wobei ihre laterale Länge größer ist als ihre vertikale Dicke.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem sich in einer lateralen Richtung (x) erstreckenden niedrig dotierten Basisbereich von einem ersten Leitfähigkeitstyp und zwei von zumindest dem Basisbereich in lateraler Richtung getrennten An­ schlußbereichen zum Anschluß an elektrische Kontakte.
Derartige Halbleiterbauelemente werden insbesondere in der Lei­ stungselektronik zur Aufnahme von Sperrspannungen im Hochspan­ nungsbereich, das heißt kV-Bereich verwendet. Dabei dient die niedrig dotierte Basis, die insbesondere als n⁻-Basis ausgebildet wird, zur Aufnahme der Sperrspannungen. Die an den Kontakten anliegende Hochspannung verteilt sich entsprechend über das ge­ samte Halbleiterbauelement, wobei sich ein Verlauf hoher elek­ trischer Feldstärke im Basisbereich einstellt. Da sich die Span­ nung als Integral der elektrischen Feldstärke über die laterale Richtung ergibt und die zulässige Feldstärke im Halbleitermate­ rial, im allgemeinen Silizium, durch die betreffende Durchbruchfeldstärke begrenzt ist, werden derartige Bauelemente mit großer lateraler Erstreckung des Basisbereichs hergestellt.
Zum Erreichen möglichst hoher Durchbruchsspannungen ist eine möglichst geringe Steigung des Feldverlaufs der elektrischen Feldstärke und damit eine möglichst geringe Dotierung des Basis­ bereichs erforderlich. Die zulässige maximale Basisdotierung fällt dabei mit steigender Durchbruchsspannung. Mit Hinblick auf eine benötigte Höhenstrahlungsfestigkeit der Bauelemente sind diese dabei so zu dimensionieren, daß die maximal erreichte elek­ trische Feldstärke deutlich unterhalb der Durchbruchfeldstärke des verwendeten Halbleitermaterials liegt, wodurch die praktisch erreichbare Sperrspannung weiter abgesenkt wird. Eine weitere Verringerung der mit einer vorgegebenen Dotierung realisierbaren Sperrspannung ergibt sich bei einer sogenannten Punch-Through Dimensionierung zur Verbesserung des Durchlaßverhaltens, bei der die Basisweite der Bauelemente so gewählt ist, daß das elektri­ sche Feld bei höheren Sperrspannungen bis an den Kathodenemitter reicht. Eine Steigerung der zulässigen Sperrspannung ist somit nur durch die Verwendung von Halbleitermaterial mit geringerer Dotierung als das handelsübliche Ausgangsmaterial möglich, wobei ein derartiges geringer dotiertes Halbleitermaterial jedoch nicht kostengünstig hergestellt werden kann.
Somit lassen sich bei Verwendung handelsüblichen Ausgangsmateri- als, wie zum Beispiel Silizium mit einer minimalen Dotierung von etwa 5 × 1012 cm-3, Bauelemente mit Durchbruchspannungen bis ca. 10 kV herstellen. Höhere Sperrspannungen können nur durch eine Reihenschaltung mehrerer Bauelemente, wie zum Beispiel Stapel­ dioden, realisiert werden. Da im Durchlaß für jedes der in Reihe geschalteten Bauelemente mindestens die Diffusionsspannung er­ forderlich ist, weisen diese Bauelemente ein schlechtes Durch­ laßverhalten mit entsprechend hohem Spannungsabfall auf.
Die DE 43 09 764 C2 zeigt ein Bauelement, dessen Basis aus meh­ reren dünnen hintereinander angeordneten Schichten besteht, die abwechselnd p- bzw. n-dotiert sind. Der Dotierstoffgehalt in jeder einzelnen Schicht ist vom Betrag her gleich und so gering, daß sie schon bei sehr geringen Sperrspannungen vollständig aus­ geräumt sind. Hierzu ist entsprechend eine aufwendige Ausbildung von hintereinanderfolgenden Schichten sehr geringer Dicke mit relativ hoher Dotierung erforderlich, so daß die Herstellung aufwendig und kostenträchtig ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauele­ ment mit geringem Aufwand und kostengünstig herstellen zu können und dennoch die Verwendung bei hohen Sperrspannungen zu ermögli­ chen.
Diese Aufgabe wird gelöst, indem Kompensationsschichten von ei­ nem dem Leitfähigkeitstyp des Basisbereichs entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp vorgesehen sind, die sich in lateraler Rich­ tung erstrecken, wobei ihre laterale Länge größer ist als ihre vertikale Dicke.
Die Kompensationsschichten können dabei auf der Außenseite des Basisbereichs oder auch innerhalb des Basisbereichs verlaufen. Dabei ist es grundsätzlich auch möglich, daß die Kompensations­ schichten sich nicht nur in lateraler Richtung erstrecken, son­ dern in ihrem Verlauf auch etwas in vertikaler Richtung.
Die Erfindung beruht auf dem Gedanken, die Raumladung in dem Basisbereich durch im wesentlichen parallel hierzu verlaufende Schichten entgegengesetzter Dotierung zumindest teilweise zu kompensieren. Dabei können einzelne Abschnitte entlang der late­ ralen Richtung ausgebildet werden, bei denen diese Kompensation unterschiedlich groß ausfällt, wobei zum Teil auch eine voll­ ständige Kompensation erreicht werden kann oder eine Überkompen­ sation, bei der bei Integration über die vertikale Dicke ein höherer Dotierstoffgehalt der Kompensationsschichten vorliegt. Vorteilhafterweise ist in den Kompensationsschichten die Dotie­ rstoffkonzentration dabei geringer als diejenige Durchbruchsdo­ tierstoffkonzentration, die der Durchbruchsfeldstärke des ent­ sprechenden Halbleitermaterials entspricht. Das Halbleitermate­ rial kann dabei insbesondere das für Leistungshalbleiterbauele­ mente übliche Silizium mit einer Dotierung von 1012-1013, ins­ besondere 3 × 1012-1013 cm-3 verwendet werden. Somit können Halblei­ terbauelemente für Verwendungen vorzugsweise im Bereich 10-30 kV geschaffen werden.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der beiliegenden Zeich­ nung an einigen Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a eine Hochspannungsdiode mit Punch-Through- Dimensionierung als eine erste Ausführungs­ form der Erfindung;
Fig. 1b ein Diagramm des elektrischen Feldes in der Diode aus Fig. 1a;
Fig. 2a eine Hochspannungsdiode mit Non-Punch- Through-Dimensionierung als zweite Ausfüh­ rungsform der Erfindung;
Fig. 2b ein Diagramm des elektrischen Feldes inner­ halb der Diode aus Fig. 2a;
Fig. 3 eine Hochspannungsdiode als dritte Ausfüh­ rungsform der Erfindung;
Fig. 4 eine Hochspannungsdiode als vierte Ausfüh­ rungsform der Erfindung;
Fig. 5 einen lichtzündbaren Thyristor als fünfte Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 6 einen Gate-Turn-Off-Thyristor als sechste Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 7 eine Photodiode als siebte Ausführungsform der Erfindung.
Eine Hochspannungsdiode weist gemäß Fig. 1a einen p⁺-leitenden Anodenbereich 1 und einen n⁺-leitenden Kathodenbereich 2 auf, die über einen niedrig dotierten n⁻-Basisbereich 3 in einer lateralen Richtung x voneinander getrennt sind. Die laterale Länge 1 des Basisbereichs 3 ist dabei größer als eine vertikale Dicke dB.
Erfindungsgemäß sind Kompensationsschichten 6 und 7 auf den Au­ ßenseiten des Basisbereichs 3 vorgesehen, die einen dem Ladungs­ trägertyp des Basisbereichs entgegengesetzten Ladungsträgertyp haben, hier also p-leitend sind. Die Dotierstoffkonzentration NA in den Kompensationsschichten 6, 7 ist dabei so gewählt, daß sie der Dotierstoffkonzentration in dem Basisbereich 3 zwischen den Kompensationsschichten entspricht oder etwas geringer ist. Fig. 1b zeigt den Verlauf der elektrischen Feldstärke in der Diode, bei dem sich die Raumladung der n⁻-Basis und die Raumladung der p-leitenden Kompensationsschichten 6, 7 bei entsprechender Inte­ gration über die z-Richtung kompensieren. Die Feldstärke fällt somit in dem Anodenbereich 1 auf einen Wert Em, bleibt über die laterale Länge 1 des Basisbereichs 3 konstant, da die Flächenla­ dungsdichte in x-Richtung ebenfalls konstant bleibt, und steigt im Kathodenbereich 2 wieder auf Null an. Der gesamte Spannungs­ abfall ergibt sich als Integral der Feldstärke E über die late­ rale Ausdehnung x. Aufgrund des flachen Verlaufs der elektrischen Feldstärke E über x kann die Feldstärke jederzeit geringer als eine Durchbruchsfeldstärke des verwendeten Silizium-Materials gewählt und dennoch ein großes Integral (Fläche unter der Kurve) erreicht werden. Diese Diode kann insbesondere in Punch-Through- Dimensionierung zur Verbesserung des Durchlaßverhaltens dimen­ sioniert werden, bei der die Basisweite so gewählt ist, daß das elektrische Feld bei höheren Sperrspannungen bis an den Katho­ denbereich 2 reicht.
Fig. 2 zeigt eine Hochspannungsdiode, bei der im Gegensatz zu Fig. 1 die Kompensationsschichten 6 und 7 in lateraler Richtung x verändert werden. Somit werden Abschnitte a, b und c in late­ raler Richtung hintereinander ausgebildet, bei denen unter­ schiedliche Dotierstoffkonzentrationen in den Schichten 7a, 7b, 7c, 6a, 6b, 6c vorliegen. In dem in Diagramm 2b gezeigten Bei­ spiel ist im Abschnitt a, das heißt im gesamten Volumen von 0 bis 1a die gesamte Dotierung der Kompensationsschichten 6a und 7a größer als die Dotierung des entsprechenden Abschnitts 3a des Basisbereichs, so daß die Feldstärke im Bereich 3a zur Kathode hin weiter abfällt. Im Abschnitt b (zwischen 1a und 1b) ist die gesamte Dotierung der Kompensationsschichten 6b und 7b gleich der Dotierung des Basisbereichs 3b, so daß die Feldstärke hier konstant bleibt; in Abschnitt c ist die gesamte Dotierung der Kompensationsschichten 6c und 7c kleiner als die gesamte Dotie­ rung des entsprechenden Abschnitts 3c des Basisbereichs; eventu­ ell können in diesem Abschnitt c die Kompensationsschichten 6c und 7c auch gar nicht dotiert sein. Gemäß Fig. 2b kann somit erreicht werden, daß die elektrische Feldstärke nicht bis zu dem Kathodenbereich 2 gelangt, so daß sich eine Hochspannungsdiode in Non-Punch-Through-Dimensionierung ergibt.
Somit ist es möglich, mit maximalen Feldstärken deutlich unter­ halb der Durchbruchfeldstärke des Halbleitermaterials - hier Silizium - Sperrspannungen zu erzielen, die nur noch vom Abstand zwischen Anode und Kathode abhängig sind und somit beträchtlich höher als die mit konventionellen Bauelementen erzielten Werte liegen können. Geht man zum Beispiel von einem Ausgangsmaterial mit einer Dotierung von 1013 cm-3 und einer Dicke von 200 µm aus, so läßt sich mit einer maximalen Feldstärke von etwa 60% der Durchbruchfeldstärke beim Abstand von 3 mm zwischen Anode und Kathode eine Sperrspannung von 30 kV erreichen.
Fig. 3 und 4 entsprechen den Fig. 1 und 2, wobei hier der Anodenbereich 1 und Kathodenbereich 2 sich nicht über die ganze vertikale Dicke des Basisbereichs 3 erstrecken. Somit liegen der Anodenbereich 1 und der Kathodenbereich 2 entweder auf gleicher vertikaler Höhe wie in Fig. 3 oder sie sind vertikal zueinander versetzt wie in Fig. 4.
In den gezeigten Beispielen der Fig. 1 bis 4 grenzen die Ano­ den- und Kathodenbereiche direkt an die Kompensationsschichten 6 und 7 an, es können jedoch auch Abstände dazwischen sein. An dem Anodenbereich 1 ist zur Kontaktierung ein Anodenanschluß 10 mit Anodenkontakt A, am Kathodenbereich 2 ein Kathodenanschluß 11 mit Kathodenkontakt K angebracht. Die laterale Länge des Basis­ bereichs 3 zwischen dem Anodenbereich 1 und Kathodenbereich 2 beträgt beispielsweise 2 mm, die laterale Länge des Anodenbe­ reichs 1 und Kathodenbereichs 2 jeweils 0,3 mm, die vertikale Breite des Basisbereichs 3 einschließlich der Kompensations­ schichten 6 und 7 beispielsweise 0,4 mm. Somit beträgt die late­ rale Länge des Basisbereichs 3 etwa das Fünffache seiner verti­ kalen Breite. Die Dotierung des Basisbereichs beträgt beispiels­ weise 3,5 × 1013 cm-3. Die p-leitenden Kompensationsschichten können beispielsweise auch durch Ionenimplantation ausgebildet werden und zeigen bezüglich der Dotierstoffkonzentration Konzen­ trationsverläufe mit einer Oberflächenkonzentration von 1017 cm-3 und einer Eindringtiefe von 0,31 µm, was einer Dotierstoffflä­ chenkonzentration von 7 × 1011 cm-2 pro Kompensationsschicht ent­ spricht. Bei der Eindringtiefe entsprechen sich somit die Dotierstoffflächenkonzentrationen des Basisbereichs und der Kom­ pensationsschichten und betragen jeweils 2 × 7 × 1011 cm-2, dabei kann die Eindringtiefe als vertikale Dicke d6, d7 der Kompensations­ schichten angesehen werden. Weiterhin können die Kompensations­ schichten auch epitaktisch mit entsprechender vertikaler Dicke aufgebracht werden.
Bei dem lichtzündbaren Thyristor gemäß Fig. 5 ist zwischen dem Kathodenbereich 2 und dem Basisbereich 3 zusätzlich ein p⁺-lei­ tender vierter Bereich 17 vorgesehen, der teilweise auch mit dem Kathodenanschluß 11 in Kontakt ist. Somit wird durch den Katho­ denbereich 2, den vierten Bereich 17, den Basisbereich 3 und den Anodenbereich 1 ein vierschichtiger Thyristor aufgebaut, wobei in einen Teil des Basisbereichs 3 über einen lichtdurchlässigen Verbindungsbereich 12 Licht einer LED 13 über deren dem Basisbe­ reich zugewandten Seitenfläche 14 eingestrahlt werden kann. Er­ findungsgemäß erstrecken sich dabei Kompensationsbereiche 6 und 7 zumindest über diesen Teil des Basisbereichs 3, der dem Licht ausgesetzt ist, so daß auch hier eine zumindest teilweise Kom­ pensation der Raumladungen des Basisbereichs 3 und der Kompensa­ tionsschichten 6 und 7 eintritt.
Bei dem Gate-Turn-Off-Thyristor gemäß Fig. 6 sind zwischen dem n⁺-leitenden Kathodenbereich 2 und dem als Anodenemitter ausge­ bildeten p-leitenden Anodenbereich 1, eine p-Basis 5, eine n⁻- Basis 3 und ein n⁺-Buffer 15 ausgebildet. Der Gateanschluß 9 mit Gatekontakt G ist über einen p⁺-leitenden Gatebereich 18 eben­ falls mit der p-Basis 5 verbunden. Erfindungsgemäß sind Kompen­ sationsschichten 8 aus p-leitendem Silizium als Streifen oder Kanäle außerhalb und/oder innerhalb der n⁻-Basis 3 in in der Zei­ chnung nach oben zeigender lateraler Richtung ausgebildet. Dabei erstrecken sich Streifen über die ganze Dicke des Halbleiterbau­ elements (y⁻Richtung), Kanäle sind von dem n⁻-Basisbereich umge­ ben. Somit lassen sich durch Ausbilden mehrerer Schichten höhere Ströme durch den Basisbereich 3 erreichen. Die laterale Er­ streckung der Kompensationsstrukturen beträgt zum Beispiel 2 µm, die Zellenbreite 300 µm, durch Anordnung mehrerer Zellen nebeneinander können große Flächen ausgebildet werden.
Die Kompensationsschichten 8 können dabei bis an den Bufferbe­ reich 15 heranreichen oder aber - je nach gewünschten Feldver­ lauf - vorher enden. Die Herstellung kann durch Ätzen von Nuten oder Kanälen und anschließende Dotierung, zum Beispiel durch Auffüllen mit dotiertem Poly-Silizium oder durch Diffusion er­ folgen. In Fig. 6 ist eine einzelne Strukturzelle dargestellt, die in laterale Richtung periodisch fortgesetzt werden kann, um zum Beispiel Bauelementflächen von 50 bis 70 cm2 zu erreichen.
Die Photodiode zur Erzeugung von Hochspannungspulsen gemäß Fig. 7 weist einen ähnlichen Aufbau wie die Diode aus Fig. 3 auf. Der einer äußeren Lichtstrahlung ausgesetzte Teil des Basisbe­ reichs 3 ist dabei entsprechend von Kompensationsschichten 6 und 7 umgeben, so daß auch hier eine vollständige oder teilsweise Kompensation der Raumladung des n⁻-leitenden Basisbereichs 3 und der p-leitenden Kompensationsschichten 6 und 7 erreicht sind. Diese Photodiode kann entsprechend auch mit vertikal zueinander versetztem Anodenbereich 1 und Kathodenbereich 2 gemäß Fig. 4 aufgebaut werden. Die Einkoppelung von Lichtsignalen kann über einen lichtdurchlässigen Verbindungsbereich 12 und einen Licht­ leiter 16 erfolgen. Das Bauelement ist vorzugsweise so zu dimen­ sionieren, daß die elektrische Feldstärke in der Raumladungszone bei anliegender Sperrspannung 60% bis 70% der Durchbruchsfeld­ stärke des Siliziums beträgt. Durch entsprechende Bestrahlung wird erreicht, daß im bestrahlten Raum der Raumladungszone eine hohe Konzentration freier Ladungsträger generiert wird. Diese Ladungsträger führen einen Strom, der in dem nicht bestrahlten Bereichen der Raumladungszone als Verschiebungsstrom fließt.
Dies führt zu einem Anstieg der Feldstärke im nicht beleuchteten Bereich der Raumladungszone, der schließlich bei Erreichen der Durchbruchfeldstärke eine starke Ionisation zur Folge hat. Die Diode wird dadurch schlagartig mit Ladungsträgern überschwemmt und leitend. Die Spannung über die Diode bricht fast vollständig zusammen. Da diese Vorgänge sehr schnell ablaufen, lassen sich an einer in Reihe geschalteten Last damit Spannungsanstiegsge­ schwindigkeiten von mehr als 100 kV/µs erreichen. Aufgrund der restlichen Spannung an der Diode fließen die erzeugten Ladungs­ träger ab, nach diesem Strompuls geht die Diode wieder in ihren Sperrzustand über.
Durch eine entsprechend großflächige Beleuchtung des Basisbe­ reichs und der Diode aus Fig. 7 lassen sich Zündzeiten im Nano­ sekundenbereich realisieren.
Bezugszeichenliste
1
Anodenbereich
2
Kathodenbereich
3
Basisbereich
5
zweiter Basisbereich
6
,
6
a, b, c Kompensationsschicht
7
,
7
a, b, c Kompensationsschicht
8
Kompensationsschicht
9
Gateanschluß
10
Anodenanschluß
11
Kathodenanschluß
12
lichtdurchlässiger Verbindungsbereich
13
LED
14
Seitenfläche der LED
15
Bufferbereich
16
Lichtleiter
17
vierter Bereich
18
Gatebereich
A Anodenkontakt
K Kathodenkontakt
G Gatekontakt
a, b, c Abschnitte des Halbleiterbauelements in lateraler Rich­ tung
E elektrische Feldstärke
x laterale Richtung
Z vertikale Richtung

Claims (22)

1. Halbleiterbauelement, insbesondere für Hochspannungsanwen­ dungen, mit einem sich in einer lateralen Richtung (x) er­ streckenden niedrig dotierten Basisbereich (3) von einem ersten Leitfähigkeitstyp (n) und zwei von zumindest dem Basisbereich (3) in lateraler Richtung (x) getrennten An­ schlußbereichen (1, 2) zum Anschluß an elektrische Kontakte (A, K), dadurch gekennzeichnet, daß Kompensationsschichten (6, 6a, 6b, 6c, 7, 7a, 7b, 7c, 8) von einem dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp (p) vorgesehen sind, die sich innerhalb oder außerhalb des Basisbereichs in lateraler Richtung (x) erstrecken, wobei ihre laterale Länge (lK) grö­ ßer ist als ihre vertikale Dicke (d6, d7).
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß eine laterale Länge (L) des Basisbereichs (3) größer als eine vertikale Dicke (d) des Basisbereichs ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß in ersten Abschnitten (a) entlang der lateralen Richtung (x) die durch Integration der Dotier­ stoffkonzentration über die vertikale Dicke ermittelte Do­ tierstoffflächenkonzentration der Kompensationsschichten (6a, 7a) größer ist als die durch Integration der Dotier­ stoffkonzentration über die vertikale Dicke ermittelte Do­ tierstoffflächenkonzentration des Basisbereichs (3a).
4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß in zweiten Abschnitten (b) ent­ lang der lateralen Richtung (x) die durch Integration der Dotierstoffkonzentration über die vertikale Dicke ermittel­ te Dotierstoffflächenkonzentration der Kompensationsschich­ ten (6b, 7b) der durch Integration der Dotier­ stoffkonzentration über die vertikale Dicke ermittelte Do­ tierstoffflächenkonzentration des Basisbereichs (3b) ent­ spricht.
5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da­ durch gekennzeichnet, daß in dritten Abschnitten (c) ent­ lang der lateralen Richtung (x) die durch Integration der Dotierstoffkonzentration über die vertikale Dicke ermittel­ te Dotierstoffflächenkonzentration der Kompensations­ schichten (6c, 7c) kleiner ist als die durch Integration der Dotierstoffkonzentration über die vertikale Dicke er­ mittelte Dotierstoffflächenkonzentration des Basisbereichs (3c).
6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß es in lateraler Richtung (x) meh­ rere aufeinanderfolgende Abschnitte (a, b, c) mit unter­ schiedlicher Dotierstoffkonzentration der Kompensations­ schichten (6a, 6b, 6c; 7a, 7b, 7c) aufweist.
7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß die Anschlußbereiche (1, 2) aus einem hochdotierten Halbleitermaterial bestehen.
8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da­ durch gekennzeichnet, daß in den Kompensationsschichten (6, 7) die durch Integration der Dotierstoffkonzentration über die vertikale Dicke ermittelte Dotierstoffflächenkonzentra­ tion (NA) geringer ist als eine der Durchbruchsfeldstärke des Halbleitermaterials entsprechende Durchbruchsdotier­ stofflächenkonzentration.
9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da­ durch gekennzeichnet, daß das Basismaterial n-leitendes Silizium ist, vorzugsweise mit einer Dotierstoffkonzentra­ tion von 1012 bis 5 × 1014, vorzugsweise 4 × 1012 bis 4 × 1014, ins­ besondere 8 × 1012 bis 1014 cm-3.
10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da­ durch gekennzeichnet, daß die Kompensationsschichten (6, 6a, 6b, 6c, 7, 7a, 7b, 7c) auf den Außenflächen des Basis­ bereichs (3) ausgebildet sind.
11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da­ durch gekennzeichnet, daß die Kompensationsschichten (8) innerhalb des Basisbereichs angeordnet sind und vorzugswei­ se den Basisbereich (3) in mehrere Teilbereiche untertei­ len.
12. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußbereiche ein Ano­ denbereich (1) aus p⁺-leitenden Halbleitermaterial und einen Kathodenbereich (2) aus n⁺-leitendem Halbleitermaterial sind.
13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich­ net, daß der Anodenbereich (1) und/oder der Kathodenbereich (2) an die Kompensationsschichten (6, 7) angrenzen.
14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12 oder 13, dadurch ge­ kennzeichnet, daß sich der Anodenbereich (1) und/oder der Kathodenbereich (2) nur teilweise über die vertikale Dicke des Basisbereichs (3) erstrecken.
15. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeich­ net, daß der Anodenbereich (1) und der Kathodenbereich (2) auf gleicher vertikaler Höhe angeordnet sind.
16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeich­ net, daß der Anodenbereich (1) und der Kathodenbereich (2) vertikal zueinander versetzt angeordnet sind.
17. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß es als Diode, vorzugsweise Hochspannungsdiode ausgebildet ist.
18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, dadurch ge­ kennzeichnet, daß es als Photodiode ausgebildet ist, wobei in einem einer Lichtstrahlung aussetzbaren Teil des Basis­ bereichs (3) Kompensationsschichten (6, 7) vorgesehen sind.
19. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß es als Thyristor ausgebildet ist, wobei zwischen dem n⁺-leitenden Kathodenbereich (2) und dem n-leitenden Basisbereich (3) ein p-leitender vierter Bereich (5, 17) ausgebildet ist.
20. Halbleiterbauelement nach Anspruch 19, dadurch gekennzeich­ net, daß es als lichtzündbarer Thyristor ausgebildet ist, wobei ein einem Lichtstrahl aussetzbarer Teil des Basisbe­ reichs (3) Kompensationsschichten (6, 7) aufweist.
21. Halbleiterbauelement nach Anspruch 19, dadurch gekennzeich­ net, daß es als Thyristortriode ausgebildet ist, wobei der p-leitende vierte Bereich als zweiter Basisbereich (5) aus­ gebildet ist und ein Gatebereich (18) aus p⁺-leitenden Halb­ leitermaterial zum Anschluß an einen Gatekontakt (G) an den zweiten Basisbereich (5) angrenzt.
22. Halbleiterbauelement nach Anspruch 21, dadurch gekennzeich­ net, daß zwischen dem Basisbereich (4) und dem Anodenbe­ reich (1) ein n⁺-leitender Bufferbereich ausgebildet ist.
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