DE19932014C2

DE19932014C2 - Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchenstrahl

Info

Publication number: DE19932014C2
Application number: DE19932014A
Authority: DE
Inventors: Isamu Seto
Original assignee: Advantest Corp
Current assignee: Advantest Corp
Priority date: 1998-07-02
Filing date: 1999-07-02
Publication date: 2002-06-06
Anticipated expiration: 2019-07-03
Also published as: KR20000011382A; TW420840B; KR100304446B1; DE19932014A1; JP2000021731A; US6407397B1; GB2339070B; GB2339070A; GB9914955D0

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Belichtungsappa ratur, die einen geladenen Teilchenstrahl, wie einen Elektronenstrahl, verwendet, und im besonderen eine Mul tikolonnen-Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur mit ei ner Vielzahl von Kolonnen, von denen jede Ablenk- und Ab tastinstrumente zur Ablenkung eines Elektronenstrahls und zum Abtasten eines Werkstückes (insbesondere eines Wa fers) mit dem Elektronenstrahl enthält und ein Muster auf einen Wafer schreibt, indem die Ablenk- und Abtastinstru mente entsprechend der Belichtungsmusterdaten gesteuert werden.

Mit der ansteigenden Dichte integrierter Schaltkreise wurden in den vergangenen Jahren Belichtungsmethoden un ter Verwendung geladener Teilchenstrahlen, wie Elektro nenstrahlen oder Ionenstrahlen, oder neue Belichtungsme thoden, die Röntgenstrahlen verwenden, untersucht und be ginnen nun kommerziell implementiert zu werden und damit die Photolithographie zu ersetzen, welche lange Zeit die dominierende Technik zur Erzeugung feinstrukturierter Mu ster darstellte. Unter diesen Methoden weist die Elektronenstrahlbelichtung, welche Muster unter Verwendung eines Elektronenstrahls erzeugt, die vorteilhafteste Charakte ristik auf, da hierin der Elektronenstrahl auf einen Spot von mehreren 10 nm fokussiert werden kann und somit die Erzeugung von feinen Mustern von 1 µm oder weniger ermög licht wird. Da jedoch die Belichtung unter Verwendung ei nes Elektronenstrahls eine "single-stroke" Schreibmethode ist, muß die Größe des Belichtungsstrahls verringert wer den, wenn die Mustergröße kleiner wird, wodurch die Be lichtungsdauer inakzeptabel lang wird. Um diesen Mangel zu beheben, wurde ein Blockbelichtungsverfahren ersonnen und in die Praxis umgesetzt.

Das Blockbelichtungsverfahren verwendet eine Blockmaske mit darin eingearbeiteten, einigen Grundmustern entspre chenden Öffnungen, welche als Einheit von sich wiederho lenden Mustern dienen. In diesem Verfahren wird ein Strahl durch eine gewünschte Öffnung geleitet, wobei beim Schreibvorgang Mustereinheiten auf dem Werkstück erzeugt werden und die auf diese Weise eingeschriebenen Muster miteinander verbunden werden, um die Übertragung des sich wie derholenden Musters zu vervollständigen. Dieses Blockbe lichtungsverfahren ist daher extrem effektiv für Muster bestrahlungen für 1-Gb (Gigabit)-DRAMs (dynamic random access memory) oder 4-Gb-DRAMs, wo der größte Teil des feinstrukturierten Bestrahlungsareals aus Wiederholungen bestimmter Grundmuster besteht.

Es wurde auch erkannt, daß die Realisierung einer Multi kolonnen-Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur verschiedene Probleme aufwerfen würde. Bei der Herstellung einer Multikolonnen-Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur müs sen beispielsweise die Kolonnen derart hergestellt wer den, daß sie einander so übereinstimmend wie möglich sind. In Wirklichkeit jedoch kommen Abweichungen zwischen den Kolonnen in den Charakteristika der elektrostatischen Linsen, der Spulen, der Plattformen etc. vor, die auf Herstellungsabweichungen oder anderen Faktoren beruhen. Genauer gesagt, variiert aufgrund solcher Faktoren die Belichtungszeit pro Einzelschuß und die Regenerierungs wartezeit pro Einzelschuß von Kolonne zu Kolonne, genauso wie die Stärke des Elektronenstrahls, die Montagebedin gungen der Ablenkvorrichtungen, die Alterungskrümmung des Wafers (wafer warp age), etc. Das bedeutet, daß die Be lichtungsverarbeitungszeit aufgrund der inhärenten Abwei chungen unter den Kolonnen variiert. In der später fol genden Beschreibung bezeichnet der Ausdruck "Belichtungs verarbeitungszeit" die Summe aus Belichtungszeit pro Ein zelschuß und Wartezeit (Totzeit) pro Einzelschuß, welche für die Regeneration der Ablenkvorrichtungen, etc. erfor derlich ist, um für den nächsten Schuß bereit zu sein.

Falls solche Variationen zwischen den Kolonnen vorkommen und die verschiedenen Kolonnen gleichzeitig mit Bestrah lungsdaten von einem gemeinsamen Regler versorgt werden, um in jeder Kolonne das gleiche Muster zu bestrahlen, können Zeitabweichungen von Kolonne zu Kolonne auftreten und ein Versagen in der Ausführung der korrekten Belich tung verursachen. Dies führt zu einem verminderten Durch satz, im Gegensatz zu der eigentlichen Absicht der Multi kolonnen-Elektronenstrahl-Belichtung, den Durchsatz zu verbessern.

Der Vollständigkeit halber wird zu der vorliegenden Problematik noch auf den nachfolgend wiedergegebenen Stand der Technik verwiesen:
Aus der EP 0 736 89 A2 sind ein Verfahren und eine Vorrichtung bekannt, wonach eine Mehrzahl von Bestrahlungssystemen das gleiche Muster einem geladenen Teilchenstrahl aussetzen. Das Verfahren umfasst die Erzeugung von auf die betreffenden Muster bezogenen Daten mit Hilfe von entsprechenden Mustererzeugungsmitteln in jedem Bestrahlungssystem, das Ablenken eines geladenen Teilchenstrahls auf ein Objekt durch eine Kolonneneinheit auf der Basis der von dem Mustererzeugungsmittel zur Verfügung gestellten Daten und das Erfassen einer Abnormität in der Bestrahlungsvorrichtung während des Betriebes auf der Grundlage der von den entsprechenden Teilen des Bestrahlungssystemes erhaltenen Daten.

Ein ähnliches Elektronenstrahl-Lithographie-System zur Erzeugung von lithographischen Mustern unter Verwendung eines Strahl aus geladenen Teilchen wird in der US 56 14 725 A beschrieben.

Des weiteren ist aus der US 57 57 015 A ein Verfahren bekannt, bei dem auf ein Wafer ein von einem Deflektor abgelenkter Strahl aus geladenen Teilchens gerichtet ist, und das die Anordnung einer Mehrzahl erster Marken in unterschiedlicher Höhe, die Fokussierung des Strahls auf die ersten Marken unter Anwendung einer über einem Deflektor vorgesehenen Fokussierungsspule, das Erzielen eines Fokusabstandes und von Ablenkungseffizienz- Korrekturkoeffizienten für jede erste Marke sowie die Anwendung von Linearfunktionen des Fokusabstandes zum Approximieren der Deflektionseffizienz- Korrektureffizienten als ein Wert für den Fokusabstand umfasst.

Schließlich wird in der DE 199 22 545 A1 ein Elektronenstrahl-Lithographiesystem angegeben, das mehrere Säulen und eine Steuereinheit umfasst, wobei die Säulen jeweils einen Elektronenstrahlgenerator, einen Elektronenstrahlreflektor und einen beweglichen Tisch zur Bewegung des Probestücks einschließen. Die Steuereinheit umfasst einen gemeinsamen Prozessor zur Steuerung der gleichen, von mehreren Säulen durchgeführten Bearbeitung sowie mehrere Prozessoren, die allein zur Steuerung der Säulen vorgesehen sind.

Die vorliegende Erfindung wurde wegen des Problems des herkömmlichen Technikstandes ersonnen und eine Aufgabe der Erfindung ist es, eine Belichtungsapparatur mit gela denem Teilchenstrahl zur Verfügung zu stellen, die eine korrekte Belichtung erreicht, indem perfekte Synchronisa tion der Steuerung zwischen vielfachen Kolonnen reali siert wird, und die somit zu einem verbesserten Durchsatz beiträgt.

Um die oben genannte Aufgabe zu lösen, wird die Belich tungsapparatur mit geladenem Teilchenstrahl gemäß der vorliegenden Erfindung mit einer Vielzahl von Kolonnen ausgestattet, von denen jede Ablenk- und Abtastinstrumen te zur Ablenkung eines geladenen Teilchenstrahls und zum Abtasten eines Werkstückes mit dem Teilchenstrahl enthält und ein Muster auf die Probe schreibt, indem die Ablenk- und Abtastinstrumente entsprechend der Belichtungsmu sterdaten bedient werden, und weiter umfaßt: einen Takt geber zur Erzeugung eines Operationstaktes, mit dem die gesamte Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchenstrahl betrieben wird; pro Kolonne einen Musterdatenkorrektur regler, wobei jeder Regler einen Korrekturoperationsblock enthält, um die Korrekturoperation an den Belichtungsmu sterdaten gemäß der Charakteristika der entsprechenden Kolonne unter Ansprechung auf den Operationstakt durchzu führen und um die Ablenk- und Abtastinstrumente der ent sprechenden Kolonne mit den entstehenden Korrekturdaten zu versorgen, und ein Datenverarbeitungsblock für die Be rechnung einer Operationszeit, die einem für die korre spondierende Kolonne benötigten Belichtungsverarbeitungs zyklus entspricht, aus Daten, die eine Belichtungszeit pro Einzelschuß, eine Regenerierungswartezeit und einen Belichtungszeitkorrekturwert, der basierend auf der Kor rekturoperation erzeugt wird, bezeichnen; und einen Maxi malwertdetektor zur Detektion eines Maximalwertes unter den Operationszeiten, die durch die Datenverarbeitungs blöcke in den entsprechenden Musterdatenkorrekturreglern berechnet werden; und worin der Taktgeber den Operati onstakt basierend auf der Operationszeit des maximalen Wertes erzeugt, welcher durch den Maximalwertdetektor er mittelt wurde.

Gemäß der Konfiguration der Belichtungsapparatur mit ge ladenem Teilchenstrahl der vorliegenden Erfindung führt der für jede Kolonne vorgesehene Musterdatenkorrekturreg ler die Korrekturoperation an den Belichtungsdaten gemäß der Charakteristika der entsprechenden Kolonne aus und berechnet auf Basis der Korrekturoperation die Operati onszeit, die dem in dieser Kolonne benötigten Belich tungsverarbeitungszyklus entspricht; dann ermittelt der Maximalwertdetektor den maximalen Wert unter den Operati onszeiten, die von den entsprechenden Musterdatenkorrek turreglern berechnet wurden, und der Taktgeber erzeugt den Operationstakt, der auf der Operationszeit des so er mittelten maximalen Wertes basiert. Der erzeugte Operati onstakt wird an die Korrekturoperationsblöcke in den ent sprechenden Musterdatenkorrekturreglern übermittelt. Das bedeutet, daß die den entsprechenden Kolonnen zugehörigen Korrekturoperationsblöcke miteinander in Einklang arbei ten, indem sie dem gemeinsamen Operationstakt gehorchen. Dieser Operationstakt entspricht der längsten Operations zeit aller Operationszeiten, welche den benötigten Be lichtungsverarbeitungszyklen der korrespondierenden Ko lonnen entsprechen, das ist also die Belichtungszeit je ner Kolonne, welche die längste Zeit für den Belichtungs prozeß benötigt.

Folglich wird, selbst wenn herstellungsbedingte Variatio nen in den Belichtungszeiten unter den Kolonnen auftre ten, der von dem Taktgeber erzeugte Operationstakt mit der gleichen Zeitsteuerung (d. h., synchronisiert mit dem Belichtungsverarbeitungszyklus der Kolonne, welche die längste Zeit für die Belichtung benötigt) an die Korrek turoperationsblöcke der entsprechenden Kolonnen geleitet. Auf diese Weise wird perfekte Synchronisation der Steue rung zwischen den entsprechenden Kolonnen gewährleistet, wodurch die simultane Projektion des Bestrahlungsmusters in allen Kolonnen ermöglicht wird. Infolge dessen kann eine genaue Bestrahlung in allen Kolonnen erzielt und der Durchsatz somit erhöht werden.

Der oben erläuterte Gegenstand und die Merkmale der vor liegenden Erfindung werden durch die folgende Beschrei bung der bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die begleitenden Figuren verständlicher, welche sind:

Fig. 1 ist eine graphische Darstellung, die teilweise in schematischer Form ein typisches Konfigurationsbeispiel einer Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur zeigt, welche eine Blockbelichtungsmethode verwendet;

Fig. 2 ist ein Blockdiagramm, das in vereinfachter Form eine typische Konfiguration eines Kontrollabschnitts in einer Multikolonnen-Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 3 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau eines Mu sterdatenkorrekturreglers für eine Kolonne in Fig. 2 darstellt, und

Fig. 4 ist ein Blockdiagramm, das den Aufbau einer Tak terzeugungs-Datenverarbeitungsschaltung und eine Takter zeugungsschaltung in Fig. 3 zeigt.

Ehe die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung be schrieben werden, soll zunächst der nahestehende Technik stand und seine Nachteile mit Bezugnahme auf die zugehö rigen Figuren erläutert werden.

Fig. 1 ist eine graphische Darstellung, die teilweise in schematischer Form ein typisches Konfigurationsbeispiel einer Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur zeigt, welche eine Blockbelichtungsmethode verwendet.

Gemäß der Darstellung umfaßt die Elektronenstrahl- Belichtungsapparatur einen Belichtungsabschnitt 10 und einen Kontrollabschnitt 40. Der durch die halbgestrichel te Linie eingeschlossene Abschnitt CLM im Belichtungsab schnitt 10 wird als eine "Kolonne" bezeichnet. In der Ko lonne CLM ist Bezugszeichen 11 eine Elektronenkanone, welche den Elektronenstrahl emittiert; 12 ist eine Linse zur Parallelisierung des emittierten Elektronenstrahls; 13 ist eine Maske mit einer Apertur zur Erzeugung eines rechtwinkligen Querschnitts des Elektronenstrahls; 14 ist eine Linse zum Sammeln des geformten Elektronenstrahls; 15 ist eine Ablenkvorrichtung zum Ablenken des geformten Elektronenstrahls, der eine Blockmaske 18 (weiter unten erläutert) bestrahlt; 16 und 17 sind einander gegenüber liegende und in Strahlrichtung des Elektronenstrahls nach einander angeordnete Linsen; 18 ist die Blockmaske, die in horizontaler Richtung zwischen den Linsen 16 und 17 beweglich montiert ist und Öffnungen (Transmissions muster) zur Gestaltung des Elektronenstrahls in eine ge wünschten Querschnittsform beinhaltet; 19 bis 22 sind Ab lenkmasken zur Ablenkung des Elektronenstrahls auf die Blockmaske 18, um das gewünschte Transmissionsmuster zu selektieren und um den Elektronenstrahl zurück auf die optische Achse zu bringen, nachdem er das gewünschte Transmissionsmuster passiert hat; 23 und 24 sind eine dynamische Fokussierspule bzw. eine dynamische Stigmator spule zur Korrektur der Ablenkung des Elektronenstrahls; 25 ist ein Ausblendablenker zur Blockierung bzw. zum Durchlassen des Elektronenstrahls; 26 ist eine Linse zur Reduzierung des Querschnitts des Elektronenstrahls; 27 ist eine Maske mit einer Apertur zur Formung des Elektro nenstrahls in einen runden Querschnitt; 28 und 29 sind Projektionslinsen zur Projektion des geformten Elektro nenstrahls auf ein Werkstück (der später erläuterte Wafer W) und 30 und 31 sind ein Haupt- bzw. ein Nebenablenker zur Positionierung des Elektronenstrahls auf den Wafer W.

Des weiteren kennzeichnet Bezugszeichen 32 eine Masken plattform zur Halterung und Bewegung der Blockmaske 18 in horizontaler Richtung und 33 ist eine in horizontaler Richtung bewegliche Waferplattform mit dem hierauf mon tierten Wafer W. Obwohl hier nicht im einzelnen darge stellt, ist die Waferplattform 33 in einer an die Kolonne CLM angeschlossenen Kammer enthalten, wobei ein geeigne tes Vakuumniveau dazwischen aufrechterhalten wird, und ist mit einem Hilfsmittel verbunden (einem Laserinterferome ter oder dergleichen), um die x/y-Koordinaten der Positi on der Plattform zu ermitteln, und außerdem mit einem Plattformbewegungsmechanismus zur Bewegung der Plattform basierend auf dem Ergebnis der Positionsermittlung.

Auf der anderen Seite bezeichnet im Kontrollabschnitt 40 Bezugszeichen 41 eine zentrale Prozessoreinheit (CPU) zur Steuerung des gesamten Betriebs der Elektronenstrahl- Belichtungsapparatur; 42 ist ein Speichermedium für die Speicherung der Designdaten, das mit der CPU 41 über ei nen Systembus BUS verbunden ist; 43 ist ein über den Sy stembus BUS mit der CPU 41 verbundenes Interface; 44 ist eine Belichtungssequenz-Steuereinheit zur Steuerung des allgemeinen Ablaufs des Belichtungsprozesses, basierend auf der durch das Interface 43 übermittelten Belichtungs anfangs- und Belichtungsendinformation; 45 ist ein Datenspeicher zur Speicherung der durch das Interface 43 über mittelten Schreibmusterdaten, Daten, welche die Blockmas ke 18 betreffen etc., wobei die Ausgabe der Daten durch die Belichtungssequenz-Steuereinheit 44 gesteuert wird; 46 ist eine Hauptablenk-Korrekturschaltung für die Durch führung von Verarbeitungsprozessen, wie die Berechnung eines Ablenkkorrekturwertes für den Hauptablenker 30, ba sierend auf den Ablenkdaten des Hauptablenkers vom Daten speicher 45 unter der Steuerung der Belichtungssequenz- Steuereinheit 44; 47 ist ein Tatgeber zur Erzeugung ei nes Operationstaktes unter der Kontrolle der Belichtungs sequenz-Steuereinheit 44 für die Steuerung der gesamten Belichtungsapparatur und eines Sperrtaktes auf der Grund lage der Daten über die Belichtungszeit pro Einzelschuß, Belichtungszeitkorrekturdaten und Regenerierungswarte zeit, die von dem im folgenden beschriebenen Mustergene rator und der Musterkorrektureinheit übermittelt werden; 48 ist ein auf den Operationstakt des Taktgebers 47 an sprechender Mustergenerator zur Spezifizierung eines der Transmissionsmuster der Blockmaske 18, basierend auf den im Datenspeicher 45 gespeicherten Daten und zur Ausführung von Prozessen, wie die Erzeugung der Positi onsdaten der Maskenillumination, welche die Position des spezifizierten Musters auf der Blockmaske 18 angibt (der Musterdatencode PDC bezeichnet das für die Projektion des gewünschten Schreibmusters zu verwendende Transmissions muster), und die Erzeugung der Positionsdaten der Wafer bestrahlung, welche die Position des Wafers W angeben, auf den das Muster zu projizieren ist (die Schußmuster daten SPD entsprechen der Bestrahlung für einen Schuß); 50 ist die Musterkorrektureinheit, die auf den Opera tionstakt des Taktgenerators 47 anspricht, zur Ausführung von Prozessen, wie die Berechnung der Korrekturwerte ge mäß der Differenz zwischen der Gestalt der Schreibmuster und der Gestalt der spezifizierten Muster auf Basis der Ablenkdaten vom Maskenspeicher 49 und den Schußmusterdaten SPD vom Mustergenerator 48; 51 ist eine Digital- Analog-Wandler- und Verstärkereinheit DAC (im folgen den aus Gründen der Bequemlichkeit Verstärkerblock ge nannt) zur Konvertierung der vom Mustergenerator 50 ge lieferten Korrekturwerte in analoge Werte und zur Über mittlung der Werte, nach geeigneter Verstärkung, in Form von korrigierten Ablenkdaten an die Ablenkvorrichtung 15; 52 und 53 sind Verstärkerblöcke zur Konvertierung der vom Maskenspeicher 49 gelieferten Ablenkdaten in analoge Da ten und zur Belieferung, nach geeigneter Verstärkung, der dynamischen Fokussierspule 23, der dynamischen Stigmator spule 24 und der Ablenkmasken 19 bis 22 mit diesen Daten; 54 ist ein Verstärkerblock zur Konvertierung des vom Taktgeber 47 erzeugten Sperrtaktes in ein analoges Signal und, nach geeigneter Verstärkung, zu seiner Weiterleitung als Sperrsignal an den Ausblendablenker 25; 55 und 56 sind Verstärkerblöcke zur Konvertierung der von der Mu sterkorrektureinheit 50 bzw. von der Hauptablenk- Korrekturschaltung 46 erzeugten Korrekturwerte in analoge Werte und, nach geeigneter Verstärkung, für ihre Weiter leitung in Form von korrigierten Ablenkdaten an den Ne benablenker 31 bzw. den Hauptablenker 30.

In obiger Konfiguration wird der Belichtungsprozeß wie folgt ausgeführt.

Zunächst werden die Daten für die Belichtungsverarbeitung von dem Speichermedium 42 durch die CPU 41 gelesen und im Datenspeicher 45 gespeichert. Wenn der Belichtungsprozeß gestartet wird, indem ein Aktivierungssignal durch die CPU 41 an die Belichtungssequenz-Steuereinheit 44 gegeben wird, werden erst die im Datenspeicher 45 gespeicherten Ablenkdaten für den Hauptablenker an die Hauptablenkkor rekturschaltung 46 weitergeleitet, um den Korrekturwert, der in Form von korrigierten Ablenkdaten an den Haupta blenker 30 über den Verstärkerblock 56 geleitet wird, zu berechnen. Nach Stabilisierung des Ausgabewertes steuert die Belichtungssequenz-Steuereinheit 44 den Taktgeber 47, der dann den Operationstakt und den Sperrtakt generiert. Ansprechend auf den Operationstakt liest der Mustergene rator 48 die im Datenspeicher 45 gespeicherten Block- und Musterdaten und generiert auf der Basis der entsprechen den Daten den Musterdatencode PDC und die Schußmusterda ten SPD. Dann werden die Ablenkdaten entsprechend des Mu sterdatenkodes PDC von dem Maskenspeicher 49 gelesen und in die Musterkorrektureinheit 50 eingegeben. Die Muster korrektureinheit 50 führt ansprechend auf den Operati onstakt die Verarbeitung aus und berechnet den Korrektur wert, der auf diesen Eingangsablenkdaten und den Ein gangsdaten der Schußmusterdaten SPD von dem Mustergenera tor 48 basiert. Dann werden die Ausgabedaten des Muster generators 50, die vom Maskenspeicher 49 gelesenen Daten und der von dem Taktgeber 47 erzeugte Sperrtakt an die korrespondierenden Verstärkerblöcke 51 bis 55 für die Konvertierung in die analoge Form eingegeben und werden nach geeigneter Verstärkung an die entsprechenden Ablen ker oder Spulen weitergeleitet.

Auf der anderen Seite wird der von der Elektronenkanone 11 emittierte Elektronenstrahl durch die Linse 12 in ei nen Parallelstrahl umgewandelt, passiert die rechtwinkli ge Apertur in der Maske 13 und wird dann durch die Linsen 14 und 16 für die Projektion auf die Blockmaske 18 kon vergiert. Der projizierte Elektronenstrahl wird an der Blockmaske 18 angemessen abgelenkt. Genauer gesagt, wird eine Ablenkung über einen relativ weiten Bereich (etwa 5 mm) an der Blockmaske 18 durch die Ablenkmasken 19 und 20 durchgeführt und eine Ablenkung über einen relativ schma len Bereich (etwa 500 µm) wird, nachdem das gewünschte Transmissionsmuster auf der Maske 18 durch den ersten Satz der Ablenker selektiert wurde, durch die Ablenkvor richtung 15 durchgeführt. Als nächstes wird der das gewünschte Transmissionsmuster in der Blockmaske 18 passierende Elektronenstrahl durch die Ablenkmasken 21 und 22 auf die ursprüngliche optische Achse zurückgführt und, nachdem der Strahl durch die Linse 17 konvergiert wurde, die Strahlablenkung durch die Strahlkorrekturspulen (die dynamische Fokussierspule 23 und die dynamische Stigma torspule 24) korrigiert. Der Elektronenstrahl passiert dann den Ausblendablenker 25, wird im Querschnitt durch die Linse 26 reduziert, passiert die runde Apertur in der Maske 27 und wird durch die Linsen 28 und 29 auf den Wa fer W (zur Belichtung) projiziert. Der auf den Wafer W projizierte Elektronenstrahl wird durch den Hauptablenker 30 über einen groben Ablenkbereich von etwa 2 mm abge lenkt und dann durch den Nebenablenker 31 über einen fei nen Ablenkbereich von etwa 100 µm abgelenkt. In diesen Prozeß wird das Muster auf den Wafer W geschrieben, indem der Elektronenstrahl mittels des Ausblendablenkers 25 an- und ausgeschaltet wird.

Mit zunehmender Dichte der integrierten Schaltkreise in den letzten Jahren hat sich die Zählung der Strahlschüsse von 10 Megaschüssen pro Chip auf 1 Gigaschuß pro Wafer erhöht. In diesem Fall beträgt die Strahlschußfrequenz ungefähr 10 MHz; selbst wenn diese enorme Anzahl von Schüssen mit hoher Geschwindigkeit wiederholt wird, be steht ein Limit für die Erhöhung des Durchsatzes. In An betracht dessen wird eine höhere Operationsgeschwindig keit des Kontrollabschnittes, der die Kolonnen steuert, verlangt und für den auf den zu bestrahlenden Wafer auf getragenen Überzug (resist) wird die Notwendigkeit, einen hoch empfindlichen Überzug (resist) zu entwickeln, dring lich.

Eine Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur hat den Vor teil, eine höhere Auflösung zu erreichen, als es mit Pho tolithographieapparaturen möglich ist, hat jedoch ander seits den Nachteil eines geringeren Durchsatzes. Die zu vor erwähnte Multikolonnen-Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur wird als effektiv für eine Erhöhung des Durch satzes erachtet. In diesem Fall ist eine einfache Erhö hung der Anzahl der Kolonnen nicht ausreichend, um dieses Ziel zu erreichen, obwohl sie hinsichtlich der Platzer sparnis wirkungsvoll ist, verglichen mit dem Fall, in dem eine Vielzahl von konventionellen Einzelkolonnen- Elektronenstrahl-Belichtungsapparaturen (z. B. solche wie in Fig. 1 gezeigt ist) in enger Nähe zueinander angeord net werden. Daher wird eine effektive Methode darin be stehen, einen für die Vielzahl von Kolonnen gemeinsamen Kontrollabschnitt anzufertigen, so daß das gleiche Muster in allen Kolonnen gleichzeitig zur Belichtung projiziert werden kann.

Fig. 2 zeigt in vereinfachter Form die Konfiguration ei nes Kontrollabschnitts in einer Multikolonnen-Elektronen strahl-Belichtungsapparatur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Die Multikolonnen-Elektronenstrahl-Belichtungsapparatur dieser Ausführungsform umfaßt n Kolonnen, von denen jede die bereits unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschriebene Konfiguration aufweist, und ist, obwohl dieses hier nicht im einzelnen dargestellt ist, mit der Vakuumkammer ver bunden, welche eine entsprechende Waferplattform enthält. Die Vakuumkammer kann für jede individuelle Kolonne be reitgestellt sein oder gemeinsam für alle Kolonnen.

In dem in Fig. 2 gezeigten Kontrollabschnitt bezeichnet Bezugszeichen 60 eine CPU zur Steuerung des gesamten Be triebes der Belichtungsapparatur, 61 ist eine Belich tungssequenz-Steuereinheit zur Steuerung der allgemeinen Aufeinanderfolge des Belichtungsprozesses auf Basis der von der CPU übermittelten Belichtungsstart- und -end information und 62 ist ein Datenspeicher zum Speichern der Schreibmusterdaten, der die Blockmaske betreffenden Daten, der Ablenkdaten für die entsprechenden Ablenkvorrichtungen etc., wobei die Ausgabe der Daten durch die Belichtungssequenz-Steuereinheit 61 gesteuert wird.

Weiter bezeichnet Bezugszeichen 63 eine Takterzeugungs schaltung, welche unter der Kontrolle der Belichtungsse quenz-Steuereinheit 61 einen Operationstakt CK für den Betrieb der gesamten Belichtungsapparatur generiert und Sperrsignale BS₁ bis BS_n an die Verstärkerblöcke für die Ausblendablenker der entsprechenden Kolonnen ausgibt.

Bezugszeichen 64 ₁ bis 64 _n sind Musterdatenkorrekturreg ler, von denen jeweils einer für jede Kolonne vorgesehen ist. Jeder Musterdatenkorrekturregler 64 _i (i = 1 bis n) wird von dem Operationstakt CK angesprochen und arbeitet unter der Kontrolle der Belichtungssequenz-Steuereinheit 61. Im einzelnen führt jeder Musterdatenkorrekturregler 64 _i gemäß der Charakteristika der entsprechenden Kolonne Korrekturoperationen an den vom Datenspeicher 62 gelie ferten Daten aus und leitet die resultierenden Korrektur daten (Ablenkdaten für den Hauptablenker MDR_i, Ablenkda ten für die Ablenkmaske MDD_i und Nebenablenkdaten SDR_i) an die Verstärkerblöcke für die in den korrespondierenden Kolonnen enthaltenen entsprechenden Ablenkvorrichtungen. Der weiter unten im Detail beschriebene Musterdatenkor rekturregler 64 _i hat außerdem die Funktion, die Operati onszeit zu berechnen, die dem in einer korrespondierenden Kolonne erforderlichen Belichtungsverarbeitungszyklus entspricht, und die Daten BGD_i (im folgenden als "Sperr erzeugungsdaten" bezeichnet) zu erzeugen, welche die Sperrzeit (Regenerierungswartezeit pro Blichtungsschuß) in der korrespondierenden Kolonne angeben.

Weiter bezeichnet Bezugszeichen 65 eine Maximalwertdetek tionsschaltung zur Ermittlung des maximalen Wertes unter den Operationszeiten, welche durch die entsprechenden Mu sterdatenkorrekturregler 64 ₁ bis 64 _n berechnet werden, wobei die Operationszeit dem Belichtungsverarbeitungszyklus in den entsprechenden Kolonnen entspricht. Die Ope rationszeit des durch diese Schaltung detektierten maxi malen Wertes wird in Form von Operationszyklusdaten PCD an die Takterzeugungsschaltung 63 geleitet und wird gleichzeitig als Rückkopplung an die entsprechenden Mu sterdatenkorrekturregler 64 ₁ bis 64 _n zurückgegeben.

Die Takterzeugungsschaltung 63 generiert den Operati onstakt CK auf Basis der von der Maximalwertdetektions schaltung 65 gelieferten Operationszyklusdaten PCD und generiert außerdem die Sperrsignale BS₁ bis BS_n auf Basis der Sperrerzeugungsdaten BGD₁ bis BGD_n, die von den ent sprechenden Musterdatenkorrekturregler 64 ₁ bis 64 _n ausge geben werden.

Fig. 3 zeigt den Aufbau des Musterdatenkorrekturreglers für eine Kolonne.

Das dargestellte Beispiel (der durch die halbgestrichel ten Linien umgebene Bereich) zeigt den Aufbau des Mu sterdatenkorrekturreglers 64 ₁ für die erste Kolonne als ein repräsentatives Beispiel. Im Musterdatenkorrekturreg ler 64 ₁ bezeichnet Bezugszeichen 71 eine Hauptab lenkkorrekturschaltung, welche Verarbeitungen, wie die Berechnung der Ablenkdaten MDR₁ für den Hauptablenker, auf Basis der Hauptablenkdaten des Datenspeichers 62 un ter der Kontrolle der Blichtungssequenzsteuereinheit 61 vornimmt. 72 ist eine Mustererzeugungsschaltung, die Ver arbeitungsschritte, wie die Selektion eines Transmissi onsmusters auf der Blockmaske (Erzeugung des Musterdaten kodes) und die Auswahl der Schußzeit (Erzeugung der Schußzeitdaten SD₁), auf Basis der von dem Datenspeicher 62 gelieferten Blockdaten und Musterdaten durchführt. 73 bezeichnet eine Ablenkmaskenkorrekturschaltung, die auf Grundlage der von der Hauptablenkkorrekturschaltung 71 gelieferten Korrekturdaten und des Musterdatencodes von der Mustererzeugungsschaltung 72 die Ablenkdaten MDD₁ für die Ablenkmaske berechnet und die Schußzeitkorrekturdaten SCD₁ und die Regenerierungswartezeitdaten WDM₁ für den Hauptablenker erzeugt. 74 ist eine Schußmusterkorrektur schaltung, welche auf Basis der von der Hauptablenkkor rekturschaltung 71 gesendeten Korrekturdaten und der Schußmusterdaten von der Mustererzeugungsschaltung 72 die Ablenkdaten SDR₁ für den Nebenablenker berechnet und die Regenerierungswartezeitdaten WDS₁ für den Nebenablenker erzeugt. 75 ist eine Takterzeugungs-Datenverarbeitungs schaltung, welche die Operationszeit berechnet, die dem in der ersten Kolonne benötigten Belichtungsverarbei tungszyklus entspricht, und welche die Sperrerzeugungsda ten BGD₁ generiert, die auf den Schußzeitdaten SD₁, den Schußzeitkorrekturdaten SCD₁ und den Regenerierungswarte zeiten WDM₁ und WDS₁ für die Ablenker basieren, welche von dem Korrekturoperationsblock geliefert werden, und auf der Ausgabe der Operationszyklusdaten PCD von der Maxi malwertdetektorschaltung 65 basieren.

Fig. 4 zeigt die Konfiguration der Takterzeugungs- Datenverarbeitungsschaltungen 75 (75 ₁ bis 75 _n) und der Takterzeugungsschaltung 63. Aus Gründen der Klarheit wird nur der Schaltungsaufbau entsprechend der Schaltung der ersten Kolonne dargestellt, um die Takterzeugungs- Datenverarbeitungsschaltungen zu repräsentieren.

Wie dargestellt, enthält die Takterzeugungs-Datenver arbeitungsschaltung 75 ₁: eine Vergleichs-Selektions- Schaltung 81, welche die Größe der zwei Regenerierungs wartezeitdaten der Ablenker WDM₁ und WDS₁ vergleicht und die Daten des größeren Wertes für die Ausgabe selektiert; eine Multiplikationsschaltung 82, welche die Schußzeitda ten SD₁ mit den Schußzeitkorrekturdaten SCD₁ multipli ziert; und eine Additionsschaltung 83, welche die Ausga bedaten der Multiplikationsschaltung 82 zu den von der Vergleichs-Selektions-Schaltung 81 selektierten und aus gegebenen Regenerierungswartezeitdaten addiert; und eine Subtraktionsschaltung 84, welche die Ausgabedaten von der Multiplikationsschaltung 82 von der Operationszeit (Operationszyklusdaten PCD) des von der Maximalwertdetek tionsschaltung 65 ermittelten maximalen Wertes subtra hiert. Die gleiche Konfiguration wird für die Takterzeu gungs-Datenverarbeitungsschaltungen der anderen Kolonnen verwendet.

Die Ausgabedaten der Additionsschaltung 83 in jeder der Takterzeugungs-Datenverarbeitungsschaltungen 75 ₁ bis 75 _n wird an die Maximalwertdetektionsschaltung 65 in Form der Operationszeitdaten geleitet, welche den Belichtungsver arbeitungszyklen der korrespondierenden Kolonnen entspre chen. Die Ausgabedaten der Subtraktionsschaltung 84 wer den an die Takterzeugungsschaltung 63 in Form der Sperrerzeugungsdaten BGD₁ bis BGD_n geleitet, welche die Sperrzeiten für die entsprechenden Kolonnen angeben.

Auf der anderen Seite enthält die Takterzeugungsschaltung 63 einen Zähler 91 für die Erzeugung des Operationstaktes CK, der auf den Operationszyklusdaten PCD von der Maxi malwertdetektionsschaltung 65 basiert, und die Zähler 92 ₁ bis 92 _n für die Erzeugung der Sperrsignale BS₁ bis BS_n, welche die Regenerierungswartezeiten angeben und auf den Sperrerzeugungsdaten BGD₁ bis BGD_n der entsprechenden Takterzeugungs-Datenverarbeitungsschaltungen 75 ₁ bis 75 _n basieren.

Gemäß dem Aufbau der Multikolonnen-Elektronenstrahl- Belichtungsapparatur nach der vorliegenden Erfindung führt, wie oben beschrieben wurde, jede der Musterdaten korrekurregler 64 _i bis 64 _n, von denen einer pro Kolonne vorgesehen ist, Korrekturoperationen an den Belichtungs daten gemäß der Charakteristika der korrespondierenden Kolonne aus und berechnet auf Basis dieser Operation die Operationszeit, welche dem in der korrespondierenden Ko lonne benötigten Belichtungsverarbeitungszyklus entspricht. Dann ermittelt die Maximalwertdetektionsschal tung 65 den maximalen Wert unter der Operationszeiten, die von den entsprechenden Musterdatenkorrekturreglern 64 _i berechnet werden, und die Takterzeugungsschaltung 63 generiert auf der Basis der Operationszeit (Operationszyklusdaten PCD) des so ermittelten Maximal wertes den Operationstakt CK. Der Operationstakt CK wird an den Korrekturoperationsblock (bestehend aus den in Fig. 3 gezeigten Schaltungen 72 bis 74) in jedem Musterda tenkorrekturregler 64 _i geleitet. Das bedeutet, daß die Korrekturoperationsblöcke für die entsprechenden Kolonnen in Einklang arbeiten, indem sie auf den Operationstakt CK ansprechen. Wie bereits früher beschrieben wurde, ent spricht der Operationstakt CK der längsten Operationszeit aller Operationszeiten, die den in den korrespondierenden Kolonnen erforderlichen Belichtungsverarbeitungszyklen entsprechen.

Dementsprechend kann, selbst wenn Variationen in den Be lichtungszeiten aufgrund herstellungsbedingter Variatio nen unter den Kolonnen auftreten, der Operationstakt CK mit der gleichen Zeitsteuerung an die Korrekturoperati onsblöcke aller Kolonnen geleitet werden. Somit wird per fekte Synchronisation der Steuerung der verschiedenen Ko lonnen erzielt, wodurch die simultane Projektion des gleichen Belichtungsmusters in allen Kolonnen ermöglicht wird. Infolge dessen kann korrekte Belichtung in allen Kolonnen erreicht und der Durchsatz somit verbessert wer den.

Die obige Ausführungsform wurde anhand der Blockbelich tungsmethode als Beispiel beschrieben, die Erfindung ist aber, wie aus der Absicht der Erfindung hervorgeht, ge nauso anwendbar für andere Belichtungsmethoden, wie etwa eine Belichtungsmethode mit variabler rechtwinkliger Ge stalt oder eine Ausblendaperturmatrix-Belichtungsmethode.

Ferner wurde die obige Ausführungsform unter Verwendung eines Elektronenstrahls als geladener Teilchenstrahl be schrieben; es wird jedoch ersichtlich, daß der verwendete Strahl nicht auf einen Elektronenstrahl limitiert ist, sondern auch andere Strahltypen, wie etwa Ionenstrahlen, verwendet werden können.

Gemäß der Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchen strahl nach der vorliegenden Erfindung kann, wie oben be schrieben wurde, perfekte Synchronisation der Steuerung aller Kolonnen erreicht werden und das gleiche Belich tungsmuster kann somit in allen Kolonnen simultan proji ziert werden. Dadurch wird eine korrekte Belichtung in allen Kolonnen und ein erhöhter Durchsatz erreicht.

Um die oben beschriebenen vorteilhaften Effekte der Er findung zusammenzufassen: die Erfindung liefert eine Be lichtungsapparatur mit geladenem Teilchenstrahl mit einer Vielzahl von Kolonnen, von denen jede Ablenk- und Abta stinstrumente zum Ablenken des geladenen Teilchenstrahls und zum Abtasten einer zur Belichtung vorgesehenen Probe mit diesem Teilchenstrahl enthält und ein Muster auf die Probe schreibt, indem die Ablenk- und Abtastinstrumente in Übereinstimmung mit den Belichtungsmusterdaten in ge eigneter Weise gesteuert werden, die Apparatur umfaßt:
einen Taktgeber zur Erzeugung eines Operationstaktes, mit dem die gesamte Belichtungsapparatur mit geladenem Teil chenstrahl betrieben wird; einen Musterdatenkorrekturreg ler pro Kolonne, wobei jeder Regler einen Korrekturopera tionsblock umfaßt, der Korrekturoperationen an den Be lichtungsmusterdaten gemäß der Charakteristika seiner korrespondierenden Kolonne in Reaktion auf den Operati onstakt ausführt, und um die resultierenden Korrekturda ten an die Ablenk- und Abtastinstrumente in den Korre spondierenden Kolonnen zu leiten, und einen Datenverar beitungsblock für die Berechnung einer Operationszeit, die einem in der entsprechenden Kolonne benötigten Belichtungsverarbeitungszyklus entspricht, aus Daten, wel che eine Belichtungszeit pro Einzelschuß, eine Regenerie rungswartezeit und einem Belichtungszeitkorrekturwert, der basierend auf der Korrekturoperation berechnet wird, angeben; und einen Maximalwertdetektor zur Ermittlung ei nes Maximalwertes unter den von den Datenverarbeitungs blöcken in den entsprechenden Musterdatenkorrekturreglern berechneten Operationszeiten, und worin der Taktgeber den Operationstakt generiert, der auf der Operationszeit des durch den Maximalwertdetektor ermittelten Maximalwertes basiert.

In obiger Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchen strahl enthält der Datenverarbeitungsblock in jedem der Musterdatenkorrekturregler eine Multiplikationsschaltung, um die Daten, welche die Belichtungszeit angeben, mit den Daten, welche den Belichtungszeitkorrekturwert angeben, zu multiplizieren, und eine Additionsschaltung für die Addition der Ausgabedaten der Multiplikationsschaltung zu den Daten, welche die Regenerierungswartezeiten angeben, und für die Weiterleitung der Daten, welche das Ergebnis der Addition darstellen, an den Maximalwertdetektor in Form von Daten, welche die Operationszeit repräsentieren.

In obiger Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchen strahl enthält der Datenverarbeitungsblock in jedem der Musterdatenkorrekturregler ferner eine Subtraktionsschal tung um die Daten, welche das Ergebnis der Multiplikation darstellen, von den Daten zu subtra hieren, welche die Operationszeit des von dem Maximal wertdetektor ermittelten Maximalwertes darstellen, und um die Daten, die das Ergebnis der Subtraktion repräsentie ren, in Form von Daten, welche eine Sperrzeit für die korrespondierende Kolonne darstellen, an den Taktgeber weiterzuleiten, und der Taktgeber erzeugt ein Sperrsignal für die entsprechende Kolonne auf der Basis der Daten, welche die von dem Datenverarbeitungsblock gelieferte Sperrzeit darstellen.

Wenn in obiger Belichtungsapparatur mit geladenem Teil chenstrahl jede der Kolonnen als Ablenk- und Abtastin strumente eine Ablenkmaske enthält, die den geladenen Teilchenstrahl an einer Maske ablenkt, die ein hierin eingearbeitetes Aperturmuster zur Formung des geladenen Teilchenstrahls in eine gewünschte Querschnittsform ent hält, und einen Nebenablenker enthält, der den auf die Belichtungsprobe projizierten geladenen Teilchenstrahl über einen schmalen Ablenkbereich ablenkt, enthalten die Daten, welche die Regenerierungswartezeiten angeben, er stens Daten, welche die Regenerierungswartezeit der Ab lenkmaske darstellen, und zweitens Daten, welche die Re generierungswartezeit des Nebenablenkers darstellen.

In obiger Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchen strahl enthält der Datenverarbeitungsblock in jeder der Musterdatenkorrekturregler außerdem eine Vergleichs- Selektions-Schaltung zum Vergleich der Größe der erst- und der letztgenannten Daten und zur Selektion der Daten des größeren Wertes zur Ausgabe an die Additionsschaltung in Form von Daten, welche die Regenerierungswartezeit darstellen.

BEZUGSZEICHENLISTE

10

Belichtungsabschnitt

11

Elektronenkanone

12

Linse

13

Maske

14

Linse

15

Ablenkvorrichtung

16

Linse

17

Linse

18

Blockmaske

19-22

Ablenkmasken

23

dynamische Fokussierspule

24

dynamische Stigmatorspule

25

Ausblendablenker

26

Linse

27

Maske

28

,

29

Projektionslinsen

30

Hauptablenker

31

Nebenablenker

32

Maskenplattform

33

Waferplattform

40

Kontrollabschnitt

41

zentraler Prozessor (CPU)

42

Speichermedium

43

Interface

44

Belichtungssequenz-Steuereinheit

45

Datenspeicher

46

Hauptablenk-Korrekturschaltung

47

Taktgeber

48

Mustergenerator

49

Maskenspeicher

50

Musterkorrektureinheit

51-56

Digital-Analog-Wandler- und Verstärkereinheit

60

CPU

61

Belichtungssequenz-Steuereinheit

62

Datenspeicher

63

Takterzeugungsschaltung

64 _i

Musterdatenkorrekturregler der i-ten Kolonne

65

Maximalwertdetektionsschaltung

71

Hauptablenkkorrekturschaltung

72

Mustererzeugungsschaltung

73

Ablenkmaskenkorrekturschaltung

74

Schußmusterkorrekturschaltung

75

Takterzeugungs-Dätenverarbeitungsschaltungen

81

Vergleichs-Selektions-Schaltung

82

Multiplikationsschaltung

83

Additionsschaltung

84

Subtraktionsschaltung

91

Zähler

92 _i

Zähler
BGD_i

Sperrerzeugungsdaten für die i-te Kolonne
BS_i

Sperrsignal für die i-te Kolonne
BUS Systembus
CLM Kolonne
CK Operationstakt,
MDD_i

Hauptablenkdaten
MDR_i

Ablenkmaskendaten
SCD_i

Schußzeitkorrekturdaten
SDR_i

Nebenablenkdaten
SPD Schußmusterdaten
PCD Operationszyklusdaten
PDC Musterdatencode
WDM_i

Regenerierungswartezeitdaten (Hauptablenker)
WDS_i

Regenerierungswartezeitdaten (Nebenablenker)
W Werkstück, Wafer

Claims

1. Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchenstrahl mit einer Vielzahl von Kolonnen, von denen jede Ablenk- und Abtastinstrumente zur Ablenkung des geladenen Teilchenstrahls und zum Abtasten einer zur Belichtung vorgesehenen Probe mit dem Teilchenstrahl enthält und ein Muster auf die Probe schreibt, indem die Ablenk- und Abtastinstrumente in Überein stimmung mit den Belichtungsmusterdaten gesteuert werden, wobei die Apparatur umfaßt:
einen Taktgeber zur Erzeugung eines Operationstaktes, mit welchem die gesamte Belichtungsapparatur mit ge ladenem Teilchenstrahl gesteuert wird;
einen Musterdatenkorrekturregler pro Kolonne, wobei jeder Regler einen Korrekturoperationsblock enthält, um die Korrekturoperation der Belichtungsmusterdaten gemäß der Charakteristika seiner entsprechenden Ko lonne unter Ansprechung auf die Operationstakte durch zuführen und um die in der entsprechenden Kolonne enthaltenen Ablenk- und Abtastinstrumente mit den entstehenden Korrekturdaten zu versorgen, und einen Datenverarbeitungsblock für die Berechnung einer Ope rationszeit, die einem für die korrespondierende Ko lonne benötigten Belichtungsverarbeitungszyklus ent spricht, aus Daten, die eine Belichtungszeit pro Ein zelschuß, eine Regenerierungswartezeit pro Einzel schuß und einen Belichtungszeitkorrekturwert, der ba sierend auf der Korrekturoperation berechnet wird, darstellen, und
einen Maximalwertdetektor zur Detektion eines Maxi malwertes unter den Operationszeiten, die von den Da tenverarbeitungsblöcken in den entsprechenden Mu sterdatenkorrekturreglern berechnet werden, und worin
der Taktgeber den Operationstakt basierend auf der Operationszeit des maximalen Wertes erzeugt, welcher durch den Maximalwertdetektor ermittelt wurde.

2. Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchenstrahl nach Anspruch 1, worin der Datenverarbeitungsblock in jedem der Musterdatenkorrekturregler eine Multiplika tionsschaltung enthält, um die Daten, welche die Be lichtungszeit angeben, mit den Daten, welche den Belichtungszeitkorrekturwert angeben, zu multiplizie ren, und eine Additionsschaltung zur Addition der Ausgabedaten der Multiplikationsschaltung zu den Da ten, welche die Regenerierungswartezeit angeben, und um die Daten, welche das Ergebnis der Addition dar stellen, als Daten, welche die Operationszeit reprä sentieren, an den Maximalwertdetektor weiterzuleiten.

3. Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchenstrahl nach Anspruch 2, worin der Datenverarbeitungsblock in jedem der Musterdatenkorrekturregler außerdem eine Subtraktionsschaltung enthält, um die Daten, welche das Ergebnis der Multiplikation darstellen, von den Daten, welche die Operationszeit des durch den Maxi malwertdetektor ermittelten Maximalwertes darstellen, zu subtrahieren, und um die Daten, welche das Ergeb nis der Subtraktion darstellen, als Daten, welche ei ne Sperrzeit für die entsprechende Kolonne anzeigen, an den Taktgeber weiterzuleiten, und worin der Takt geber ein Sperrsignal zur Weiterleitung an die ent sprechende Kolonne erzeugt, das auf Daten basiert, welche die von dem Datenverarbeitungsblock gelieferte Sperrzeit angeben.

4. Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchenstrahl nach Anspruch 3, worin für den Fall, daß jede der Ko lonnen als Ablenk- und Abtastinstrumente eine Ablenk maske enthält, um den geladenen Teilchenstrahl auf eine Maske mit einem darin eingearbeiteten Muster aus Aperturen, welche den Querschnitts des geladenen Teilchenstrahls in eine gewünschte Gestalt formen, abzulenken, und einen Nebenablenker enthält, um den geladenen und auf die zur Belichtung vorgesehene Pro be projizierten Teilchenstrahls über einen kleinen Ablenkbereich abzulenken, die Daten, welche die Rege nerierungswartezeit angeben, erstens Daten zur Be zeichnung der Regenerierungswartezeit der Ablenkmaske und zweitens Daten zur Bezeichnung der Regenerie rungswartezeit des Nebenablenkers enthalten.

5. Belichtungsapparatur mit geladenem Teilchenstrahl nach Anspruch 4, worin der Datenverarbeitungsblock in jedem der Musterdatenkorrekturregler außerdem eine Vergleichs-Selektions-Schaltung enthält, um die Grö ßen der erst- und der zweitgenannten Daten zu ver gleichen und um die Daten der größeren Werte für die Ausgabe an die Additionsschaltung in Form von Daten, welche die Regenerierungswartezeit darstellen, zu se lektieren.