DE2004184B2 - Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Metallen oder Metallverbindungen auf einem Träger im Vakuum mit Hilfe einer Elektronenstrahlkanone - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Metallen oder Metallverbindungen auf einem Träger im Vakuum mit Hilfe einer ElektronenstrahlkanoneInfo
- Publication number
- DE2004184B2 DE2004184B2 DE19702004184 DE2004184A DE2004184B2 DE 2004184 B2 DE2004184 B2 DE 2004184B2 DE 19702004184 DE19702004184 DE 19702004184 DE 2004184 A DE2004184 A DE 2004184A DE 2004184 B2 DE2004184 B2 DE 2004184B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electron beam
- vapor
- density
- energy
- beam gun
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 13
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 title claims description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 title claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 10
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 4
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufdampfen dünner Schichten von Metallen oder Metallverbindungen
auf einen Träger im Vakuum mit Hilfe einer Elektronenstrahlkanone. bei dein die Heizleistung
der F.lektronenstrahlkan^ne entsprechend einem
vorgegebenen Wen eingestellt und gegebenenfalls durch Messung der Dampfdichte nachgeregelt
Es sind Verfahren bekannt, bei denen eine Regelung der Dampfdichte zum Zweck der Sicherstellung
einer gleichmäßigen Aufdampischicht vorgenommen wird (deutsche Auslegeschrift 1295310, britische Pa-
tentschrift 738592 und deutsche Offenlegungsschrift 1515363). Bei diesen bekannten Vorrichtungen wird
eine möglichst große Homogenität der aufgedampften Schicht angestrebt, alle Steuer- und Regelmaßnahmen
dienen dazu, diese Homogenität zu gewährleisten,
ίο d. h. insbesondere während des gesamten Bedampfungsvorganges
konstante Verdampfungsraten zu erzielen.
Das gleiche Ziel liegt auch dem bekannten Verfahren gemäß der USA.-Patentschrift 3347701 zu-
gründe. Bei diesem bekannten Verfahren wird zwar
ein »Programmer« verwendet, welcher jedoch nicht der Änderung der Dampfdichte während des Bedampfungsvorganges
dient. Vielmehr ist in dieses Programmgerät ein Programm eingegeben, welches
die Heizung ein- und ausschaltet und somit die Heizleistung steuert. Die Steuerung der Homogenität der
aufgedampften Schicht erfolgt in herkömmlicher Weise.
Es ist bekannt, daß die Eigenschaften von aufge-
a5 dampften Metallschichten von der Wachstumsgeschwindigkeit
während des Aufdampfens und damit von der Schichtstruktur sowie von der kondensierten
Dampfmenge und damit von der Dicke der aufgedampften Schicht abhängig sind. Bei bekannten Ein-
richtungen zum Bedampfen von Bändern mit Metallen wird daher die Dampfdichte durch Änderung der
Heizleistung des Verdampfers, teilweise von Hand, und die niedergeschlagene Dampfmenge durch Abschalten
der Heizleistung oder Unterbrechen der Dampfzufuhr durch eine Blende gesteuert. Da die
Änderungsgeschwindigkeit der Dampfdichte aber oftmals wegen der Trägheit der Verdampfer zu klein
ist, werden statt der Änderung der Heizleistung dicht über dem Verdampfer angeordnete Blenden verwendet,
durch die der aus dem Verdampfer austretende Dampf mit der gewünschten Dichte und Dauer hindurchtritt
und auf einem zu bedampfenden Gegenstand niedergeschlagen wird. Bei dieser Anordnung
wird die Änderungsgeschwindigkeit der Dampfdichte durch die Massenträgheit der Blenden begrenzt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung dünner Schichten von Metallen
oder Metallverbindungen auf Trägern verschiedenster Art zu entwickeln, bei dem eine veränderliche
Wachstumsgeschwindigkeit und die dadurch beeinflußte Schichtstruktur durch eine möglichst trägheitslos
gesteuerte Änderung der Dampfdichte erzielt wird. Es soll also durch diese Änderung der Dampfdichte eine gezielte Änderung der Schichtstruktur er-
reicht werden.
Dabei geht die Erfindung von der Erkenntnis aus, daß bei Bedampfungseinrichtungen, die mit einem
Elektronenstrahl beheizt werden, das beheizte Badvolumen sehr gering ist, da die Eindringtiefe des Elektronenstrahlsindie
Badoberfläche nur wenige /im betragt.
Bei derartigen Bedampfungseinrichtungen können dünne Schichten mit den gewünschten Eigenschaften
gemäß der Erfindung dadurch hergestellt werden, daß die Dampfdichte während des Bedampfungsvorganges
durch Änderung der Energie und'Oder der Energiedichte
des Elektronenstrahls programmiert gesteuert wird, um eine .lurch das Steuerprogramm
<f
vorgegebene Wachstumsgeschwindigkeit und Struktur der aufgedampften Schicht zu erzielen.
Die Energiedichte des Elektronenstrahls kann dabei an einer Elektronenstrahlkanone durch mehr oder
weniger starke Bündelung bzw. die Gesamtenergie durch Änderung der Anodenspannung, d.h. durch
Änderung der Elektronengescnwindigkeit beeinflußt werden. Dies wird in vorteilhafter Weise durch ein
auf die Elektronenstrahlkanone einwirkendes Steuergerät erreicht, wobei das Programm mit einer Frequenz
qrößer 1 Hz, vorzugsweise mit einer Frequenz größer 150Hz bis zu mehreren kHz geändert wird.
Da auch eine unbeabsichtigte Änderung der Dampfdichte durch Verschlechterung des Vakuums
in der Bedampfungsanlage sowie durch andere Störgrößen möglich ist, wird außerdem vorgeschlagen, die
Dampfdichte trägheitslos mit einer Sonde zu messen, welche zwischen dem Verdampfer und dem zu verdampfenden
Träger in den Metalldampf hineinragt und mit einem Regler verbunden h>t; die Sonde führt
beim Anlegen einer Gleichspannung einen der Dampfdichte proportionalen Strom und ist mit einem
Regler verbunden, der bei unerwünschten Änderungen der Dampfdichte ebenfalls auf die Energie und/
oder Energiedichte des Elektronenstrahls einwirkt und diese Änderungen ausregelt.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes dargestellt. Es zeigt
Fig. 1 eine Vakuumbedampfungseinricht.ung mit einem elektronenstrahlbeheizten Verdampfer und
eine die Energiedichte des Elektronenstrahls beeinflussende Steuer- und Regeleinrichtung,
Fig. 2 ein Diagramm über den zeitlichen Verlauf der Heizleistung der Elektronenkanone und der
Dampfstrahldichte zur Herstellung einer dünnen Schicht mit großen inneren Spannungen,
Fig. 3 die Kristallstruktur einer mit konstanter Dampf dichte auf einen Träger aufgedampften Metallschicht
mit zunehmender Kristallitgröße,
Fig. 4 die Kristallstruktur einer mit gesteuerter Dampfdichte aufgedampften Schicht mit gleichbleibender
Kristallitgröße.
Die in Fig. 1 dargestellte Vakuumbedampf ungseinrichtung besteht aus einem Behälter 10, in dessen
unterem Bereich ein Tiegel 11 angeordnet ist, in dem sich ein zu verdampfendes Metall 12 befindet. Im oberen
Bereich des Behälters 10 ist ein Körper 13 befestigt,
dessen Unterseite mit einem Metallbelag 14 zu bedampfen ist. Das zu verdampfende Metall 12 wird
durch den Elektronenstrahl 15 einer Elektronenkanone 16 aufgeheizt. Dabei dringt der Elektronenstrahl
15 im Bereich von einigen mm! nur wenige μηι in
das zu verdampfende Metall 12 ein, so daß die gesamte Elektronenstrahlenergie in einem Metallbad 17 von
weniger als 0,1 mm' in Wärme umgesetzt wird.
Die Grundleistung für die Heizenergie wird der Elektronenkanone 16 als Gleichstromenergie von einem
Hochspannungsaggregat 18 über ein Koppelglied 19 zugeführt. Der Grundleistung wird im Koppelglied
19 eine Steuerleistung überlagert, die durch ein Steuergerät 20 nach einem ihm eingegebenen Programm
teändert wird. Die Steuerleistung wird einer mit den.
teuergerät 20 verbundenen elektrischen Energie-Juelle 21 entnommen. Zwischen dem Tiegel Il und
em zu bedampfenden Körper 13 ist eine Sonde angeordnet, die eine Gleichspannung führt und in den von
4er Oberfläche des Bades 17 ausgehenden Metalldampf 23 hineinragt. Da der Elektronenstrahl 15 den
Metalldampf 23 teilweise durchdringt, wird dieser ionisiert. Dadurch werden Ladungsträger freigesetzt,
welche von der Sonde 22 aufgenommen werden. Es hat sich gezeigt, daß die Sonde 22 dabei zumindest
in einem ausreichend großen Meßbereich einen der Dampfdichte annähernd proportionalen Strom führt.
Der Ionisationsstrom und damit die Dichte des Dampfes 23 wird folglich durch ein in den Sondenstromkreis
eingeschaltetes Strommeßgerät 24 unmittelbar überwacht. Unerwünschte Dampfdichteschwankungen,
die z.B. durch Spannungsschwankungen im Netz, Verschlechterung des Vakuums oder andere Störgrößen auftreten können, werden am
Meßgerät 24 angezeigt und durch einen Regler 25 ausgeglichen, dem der Sondenstrom als Istwert zugeführt
wird. Der Regler 25 ist in die Verbindungsleitung 26 zwischen dem Koppelglied 19 und dem Steuergerät
20 eingeschaltet. Er erhält damit vom Steuergerät 20 den aus der programmierten Steuerlei-
ao stung sich ergebenden Sollwert der Dampfdichte.
Fig. 2 zeigt in einem Diagramm den zeitlichen Ablauf
der Heizleistung NH und der Dampfdichie Dd in
einer Vakuumbedampf ungsanlage nach Fig. 1 gemäß
einem in das Steuergerät 20 eingegebenen Programm.
Nach diesem Programm soll auf den Träger 13 eine Palladiumschicht mit hohen inneren Spannungen aufgedampft
werden, die nach dem Erkalten aufreißt. Aufgerissene Metallschichten lassen sich z.B. als Katalysatoren
u. a. für Elektroden von Brennstoffzellen verwenden, da durch die Risse in der Schicht eine extrem
große Oberfläche erzeugt wird. Das Programm sieht eine ständig eingeschaltete Grundleistung N. von
z.B. 1,4 kW vor, die der Elektronenkanone 16 aus dem Hochspannungsaggregat 18 zugeführt wird. Dieser
Grundleistung Ng wird im Koppelglied 19 eine Steuerleistung /V1 von etwa 0,8 kW überlagert, die das
Steuergerät 20 mit einer Frequenz von 1 kHz ein- und ausschaltet. Eine Schaltperiode T beträgt daher 10"λ
sec. Einschalt- und Ausschaltdaueir sind gleich groß.
Die programmierte Änderung der Energiedichte des Elektronenstrahls 15 erzeugt einen Palladiumdampf
23, dessen Diche Dä sich ebenfalls mit einer Frequenz von 1 kHz ändert. Sie wird durch die Sonde
22 gemessen, deren Strom der Dampfdichte in dem
Bereich der hier auftretenden Dampfdichteschwankungen annähernd proportional ist. Die Dampfdichte
Dd kann daher am Strommeßgerät 24 abgelesen oder
von ihm aufgezeichnet werden. Durch die hochfrequenten Änderungen der Dampfdichte Dd um etwa
40% wird auf dem Träger 13 eine Palladiumschicht niedergeschlagen, deren Kristallite und Wachstumsgeschwindigkeit je nach der augenblicklichen Dampfdichte größer oder kleiner sind. Es entsteht auf diese
Weise auf dem Träger 13 eine Metallschicht 14 mit
über die Schichtdicke stark schwankender Kristallitgröße. Die dadurch in der aufgedampften Schicht 14
verursachten inneren mechanischen Spannungen werden nach dem Aufdampfen beim Erkalten der
Schicht 14 so groß, daß ihr Kristallgefuge aufreißt.
Während der Bedampfung wird von der Sonde 22 der Istwert der Dampf dichte gemessen und im Regler
25 mit dem Sollwert verglichen, der sich aus dem in das Steuergerät 20 eingegebenen Programm der
Elektronenstrahlheizung ergibt, so daß der Regler 25
lediglich durch Störgrößen verursachte Änderungen und nicht die programmierten Änderungen der
Dampfdichte ausregelt. Die Dicke der aufgedampften Schicht hangt von der Bedampfungszeit ab; sie kann
sowohl durch das Steuergerät 20, durch einen besonderen Zeitschalter für die Elektronenkanone 16 oder
durch Schließen von im Metalldampf 23 angeordneten Blenden begrenzt werden.
Zur weiteren Ausgestaltung der Erfindung sei erwähnt, daß sich Schichten mit inneren Spannungen
nicht nur auf einzelne Tragkörper, sondern auch auf fortlaufende Bänder aufdampfen lassen, wobei die
Schichtdicke bevorzugt durch die Bandgeschwindigkeit beeinflußt wird.
Zur Erzielung einer besseren Haftfestigkeit der aufgedampften Schicht auf ihren Träger, z. B. bei Reflektoren
von Scheinwerfern u.dgl., ist es erwünscht, Spannungen in der Schicht zu vermeiden. Derartige
Schichten lassen sich jedoch mit einer konstanten Dampfdichte nicht herstellen. Es ist vielmehr bekannt,
daß eine mit konstanter Dampfdichte auf einen in F i g. 3 dargestellten Träger 30 aufgedampfte Schicht
31 durch die dabei freiwerdende Kondensationswärme den Träger 30 zunehmend erhitzt und daß die
dadurch verursachte zunehmende Beweglichkeit der Metallatome auf der Trägeroberfläche zunächst zur
Bildung kleiner und mit zunehmender Schichtdicke größerer Kristallite 32 führt, die beim Erkalten innere
Spannungen verursachen. Die Kristallitgröße hängt dabei von der Keünbildungshäufigkeit ab, die bei
konstanter Dampfdiehte auf Grund der mit steigender Temperatur größer werdenden Atombeweglichkeit
abnimmt.
Schichten ohne innere Spannungen können jedoch in Anwendung der Erfindung durch eine programmierte
Änderung der Elektronenstrahlheizung hergestellt werden, indem die Dampfdiehte mit zunehmender
Bedampfungsdauer so weit erhöht wird, daß die Keimbildungshäufigkeit der auf den in Fig. 4 gezeigten
Träger 40 aufgedampften Schicht 41 annähernd gleich bleibt, so daß die Kristallite 42 über die gesamte
Schichtdicke etwa gleich groß sind. Hier wird also eine bei steigender Temperatur der Schicht im Normalfall
abnehmende Keimbildungshäufigkeit durch die programmgesteuerte Erhöhung der Dampfdiehte konstant
gehalten. Beim Erkalten der Schicht 41 treten in ihr keine Spannungen auf.
ίο Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele
beschränkt, sondern umfaßt alle Möglichkeiten zur Erzielung bestimmter Wachstumsgeschwindigkeiten und Strukturen von aufgedampften
Schichten durch programmierte Änderung der Energie bzw. Energiedichte des zur Verdampfung verwendeten
Elektronenstrahls. In diesem Rahmen ist es auch möglich, in einer Bedampfungsvorrichtung mit
z.B. zwei Tiegeln mit verschiedenen Materialien eine Schicht auf einen Träger aufzudampfen, die vorwiegend
aus einem Material besteht, das mit gleichbleibender Dampfdiehte aus dem einen Tiegel verdampft
und diese Schicht mit einem anderen aus dem zweiten Tiegel verdampfenden Material nach einem die Energie
des entsprechenden Elektronenstrahls steuernden
»5 Programm zu dotieren. Eine trägheitslose Dampfdichtesteuerung
durch die Elektronenstrahlheizung ist einerseits durch die programmierte Änderung der
Steuerspannung einer Fokussierungselektrode zut mehr oder weniger starken Bündelung des Elektro-
nenstrahls und andererseits durch entsprechende Änderung einer Steuerspannung am Wehnelt-Zylindei
oder der Anodenspannung der Elektronenkanone zur Beeinflussung der gesamten Heizenergie mög
Hch.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
QQA
Claims (8)
1. Verfahren zum Aufdampfen dünner Schichten von Metallen oder Metallverbindungen auf einen
Träger im Vakuum mit Hilfe einer Elektronenstrahlkanone, bei dem die Heizleistung der
Elektronenstrahlkanone entsprechend einem vorgegebenen Wert eingestellt und gegebenenfalls
durch Messung der Dampfdichte nachgeregelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die
Dampfdichte während des Bedampfungsvorganges durch Änderung der Energie und/oder der
Energiedichte des Elektronenstrahls programmiert gesteuert wird, um eine durch das Steuerprogramm
vorgegebene Wachstumsgeschwindigkeit und Struktur der aufzudampfenden Schicht zu erzielen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Programm mit einer Frequenz größer 1 Hz geändert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahlkanone
(16) eine Grundleistung (NG) mit einer überlagerten,
vom Steuergerät (20) veränderbaren Steuerleistung (Nj) zugeführt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Energie des
Elektronenstrahls (15) durch Änderung der Anodenspannung der Elektronenstrahlkanone (16)
gesteuert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Energiedichte des Elektronenstrahls
(15) durch Änderung der Steuerspannung einer Fokussierungselektrode gesteuert wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dampfdichte
gemessen wird, um die Energie und/oder die Energiedichte des Elektronenstrahls (15) zu regeln.
7. Bedampfungsvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Regler (25) in der Verbindungsleitung (26) zwischen der Elektronenstrahlkanone
(16) und einem Steuergerät (20) angeordnet ist.
8. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Verdampfer
(11) und dem zu bedampfenden Träger (13) eine in den Metalldampf (23) hineinragende,
mit dem Regler (25) verbundene Sonde (22) angeordnet ist, die beim Anlegen einer Gleichspannung
einen der Dampfdichte proportionalen Strom führt.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702004184 DE2004184C3 (de) | 1970-01-30 | Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Metallen oder Metallverbindungen auf einem Träger im Vakuum mit Hilfe einer Elektronenstrahlkanone | |
| JP9797470A JPS5123950B1 (de) | 1970-01-30 | 1970-11-09 | |
| CH1862970A CH544157A (de) | 1970-01-30 | 1970-12-16 | Verfahren zum Aufdampfen von Metallen oder Metallverbindungen auf einen Träger mit Hilfe einer Elektronenstrahlheizung, sowie Bedampfungseinrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| FR7045865A FR2075059A5 (de) | 1970-01-30 | 1970-12-18 | |
| NL7101237A NL7101237A (de) | 1970-01-30 | 1971-01-29 | |
| GB2022771A GB1334599A (en) | 1970-01-30 | 1971-04-19 | Vacuum deposition of vapourized metals or metal compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702004184 DE2004184C3 (de) | 1970-01-30 | Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Metallen oder Metallverbindungen auf einem Träger im Vakuum mit Hilfe einer Elektronenstrahlkanone |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2004184A1 DE2004184A1 (de) | 1971-08-05 |
| DE2004184B2 true DE2004184B2 (de) | 1975-07-03 |
| DE2004184C3 DE2004184C3 (de) | 1977-08-11 |
Family
ID=
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2075059A5 (de) | 1971-10-08 |
| GB1334599A (en) | 1973-10-24 |
| CH544157A (de) | 1973-11-15 |
| JPS5123950B1 (de) | 1976-07-20 |
| NL7101237A (de) | 1971-08-03 |
| DE2004184A1 (de) | 1971-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69117998T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Steuern eines Schweisszyklus | |
| DE3502902C2 (de) | ||
| DE1053691B (de) | Verfahren und Einrichtung zur Materialbearbeitung mittels Ladungstraegerstrahl | |
| DE1446270B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer dünnen, freitragenden Folie durch Vakuumaufdampfen | |
| DE1515295B1 (de) | Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten aus dem Material einer Zerstäubungskathode auf eine senkrecht zu einer Anode angeordnete Unterlage | |
| DE2004184C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Metallen oder Metallverbindungen auf einem Träger im Vakuum mit Hilfe einer Elektronenstrahlkanone | |
| DE4404550C2 (de) | Anordnung zur Regelung der Verdampferrate von Tiegeln | |
| DE2004184B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen von Metallen oder Metallverbindungen auf einem Träger im Vakuum mit Hilfe einer Elektronenstrahlkanone | |
| DE1521272A1 (de) | Verfahren zum Ausformen supraleitender Materialien | |
| DE2820183C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Überziehen der Oberfläche eines elektrisch leitenden Werkstücks | |
| EP0282540A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum metallisieren von folienoberflächen. | |
| DE19605335C1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbedampfungsprozesses | |
| DE68920741T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines leitenden, durchsichtigen Films. | |
| WO2000016373A1 (de) | Targetanordnung für eine arc-verdampfungs-kammer | |
| DE19605315C1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbeschichtungsprozesses | |
| DE1218411B (de) | Verfahren zur Herstellung eines duennen einkristallinen Plaettchens | |
| DE102009005297B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels Vakuumbedampfung | |
| DE907322C (de) | Verfahren zur Metallbedampfung eines Dielektrikums, insbesondere zur Herstellung von Belagschichten fuer elektrische Kondensatoren | |
| CH627790A5 (en) | Electron beam evaporator and container for holding evaporable material | |
| DE895086C (de) | Verfahren zur Herstellung metallischer Niederschlaege durch thermische Verdampfung | |
| DE2429854C3 (de) | Vorrichtung zum Schmelzen und anschließenden Verdampfen von Substanzen | |
| DE2528108B2 (de) | Verfahren zum aufbringen von elektrisch leitenden schichten auf eine unterlage | |
| DE1915933A1 (de) | Einrichtung zum Aufdampfen von Metallbelaegen auf laufende Isolierstoffbaender im Vakuum | |
| DE1278194B (de) | Verfahren zum Vakuumaufdampfen von stabilen duennen Siliciummonoxyd-Schichten | |
| WO2011151165A2 (de) | Steuer- und/ oder regeleinrichtung, steuerstrecke, computerprogramm, computerlesbares speichermedium und verfahren des herunterladens des computerprogramms |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |