DE2009358A1 - Halbleiterbauelement mit einer integrierten Impulstorschaltung und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einer integrierten Impulstorschaltung und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements

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DE2009358A1
DE2009358A1 DE19702009358 DE2009358A DE2009358A1 DE 2009358 A1 DE2009358 A1 DE 2009358A1 DE 19702009358 DE19702009358 DE 19702009358 DE 2009358 A DE2009358 A DE 2009358A DE 2009358 A1 DE2009358 A1 DE 2009358A1
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    • H10D84/201—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits
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    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
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Description

0 0 98A1/1112
F. PHN. k2k-].
AUSZUG .
Halbleiterbauelement mit integrierter Impulstorschaltung, das ein vorzugsweise geerdetes erstes Gebiet von einem ersten Leitungstyp enthält, in dem eine Insel vom zweiten Leitungstyp angebracht ist, die vorzugsweise an die höchste Speisespannung angeschlossen ist und in der nach der Erfindung eine Oberflächenzone vom ersten Leitungstyp angebracht ist. Diese Oberflächenzone bildet eine Platte eines Kondensators, der auf der anderen Seite mit dem Triggereingang verbunden ist. Die Oberflächenzone ist weiter gleichstrommässig mit dem Ausgang des Impulstores und mit einem Widerstand verbunden, dessen anderes Ende mit dem Konditicnierungseingang verbunden ist. Dadurch wird der Nachteil der sich in ungewünschtem Sinne mit der Spannung ändernden Kapazität des pn-Ubergangs zwischen dem ersten Gebiet und der Insel behoben.
009841/1112
Leersei te

Claims (9)

F.PHN. - 15 - .■.-■■■.■..■■■■ P A T E N TANSPRU C HE ,
1. j Halbleiterbauelement mit einer integrierten Halbleiterschaltung, die mindestens ein Impulstor enthält, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement einen Halbleiterkörper mit einer wenigstens teilweise mit einer Isolierschicht überzogenen Oberfläche enthält mit einem an diese Oberflache grenzenden ersten Gebiet von einem ersten Leitungstyp, das mit einem Anschlussleiter versehen ist, einem an diese Oberfläche grenzenden inseiförmigen Gebiet vom zweiten Leitungstyp, das innerhalb des Körpers völlig von dem ersten Gebiet umgeben ist und mit diesem einen ersten pn-Ubergang' bildet, wobei dieses inselförmige Gebiet mit einem Anschlussleiter versehen ist, einer Oberflächenzone vom ersten Leitungstyp, die innerhalb des Körpers völlig von dem inselförmigen Gebiet umgeben ist und mit diesem einen zweiten pn-Ubergang bildet, welche Oberflächenzone eine der Platten eines Kondensators bildet und mit einem Anschlussleiter versehen ist, der gleichstrommässig mit dem Ausgang des Impulstores und über einen Widerstand mit dem Kondltionierungseingang des Impulstores verbunden ist, während die andere Seite des erwähnten Kondensators über einen Anschlussleiter mit dem Triggereingang des Impulstores verbunden ist. ..-■■■*
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Dielektrikum des erwähnten Kondensators durch die Isolierschicht gebildet wird, während die zweite Kondensatorplatte durch eine auf der Isolierschicht
009841/1112
F.PHN. 4241.
200P358
über der Oberflächenzone vom ersten Leitungstyp liegende leitende Schicht, vorzugsweise eine Metallschicht, gebildet wird, die gleichstrommässig mit dem Triggereingang des Impuls tores verbunden ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlussleiter des inselförmigen Gebietes an die höchste Speisespannung angeschlossen ist, und dass der Anschlussleiter des ersten Gebietes geerdet ist.
4. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand durch eine zweite Oberflächenzone vom zweiten Leitungstyp gebildet wird, die innerhalb des Körpers völlig von einem zweiten inseiförmigen Gebiet vom zweiten Leitungstyp umgeben ist, das völlig von dem erwähnten ersten Gebiet umgeben ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die inseiförmigen Zonen Teile einer auf dem ersten Gebiet liegenden epitaktischen Schicht vom zweiten Leitungstyp bilden und durch diffundierte Trennzonen vom ersten Leitungstyp begrenzt werden, die sich von der Oberfläche her über die ganze Dicke der epitaktischen Schicht erstrecken,
6. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die vorhandenen inselförmigen Gebiete und Oberflächenzonen alle durch in den Halbloiterkörper pindiffundierte Zonen gebildet wo i'<\on,
0 098 A 1 /1112
F.PHN.
7· Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Anschlussleiter der inseif, örmigen Gebiete und der Oberf lächenz.onen wenigstens teilweise durch auf der Isolierschicht angebrachte Metallschichten gebildet werden, die sich über Kontaktfenster in der Isolierschicht an den Halbleiterkörper anschliessen.
8. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch k, bei dem in einem ersten Gebiet vom ersten Leitungstyp die inseiförmigen Gebiete und die Oberflächenzonen angebracht werden, wonach der Halbleiterkörper mit Anschlussleitern versehen wird, dadurch gekennzeichnet, dass die inseiförmigen Gebiete und/oder die Oberflächenzonmgleichzeitig in dem Körper angebracht werden.'
9. Verfahren nach Anspruch 8 zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Ansprüchen k und 5» dadurch gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Oberflächenzone und die Trennzonen gleichzeitig in dem Körper angebracht werden.
DE2009358A 1969-03-24 1970-02-27 Integrierte Halbleiteranordnung mit einer integrierten Impulstorschaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung Expired DE2009358C3 (de)

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DE2009358B2 DE2009358B2 (de) 1980-01-03
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GB1311966A (en) 1973-03-28
BE747834A (fr) 1970-09-23
NL7003899A (de) 1970-09-28
FR2036530A5 (de) 1970-12-24
SE357288B (de) 1973-06-18
DE2009358C3 (de) 1980-09-11
DE2009358B2 (de) 1980-01-03
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JPS5021212B1 (de) 1975-07-21

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