DE2021983B2 - Spannungsabhaengiger widerstand - Google Patents

Spannungsabhaengiger widerstand

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DE2021983B2 DE19702021983 DE2021983A DE2021983B2 DE 2021983 B2 DE2021983 B2 DE 2021983B2 DE 19702021983 DE19702021983 DE 19702021983 DE 2021983 A DE2021983 A DE 2021983A DE 2021983 B2 DE2021983 B2 DE 2021983B2
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    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
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Description

0,1 bis 7,0 Mol
0,3 bis 3,0 Mol
0,5 bis 5,0 Mol-0,1 bis 1,0 Mol-0,1 bis 2,0 Mol-0,1 bis 2,0 Mol-0,1 bis 8,0 Mol-1,0 bis 5,0 Mol-0,1 bis 2,0 Mol-0,1 bis 3,0 Mol-0,3 bis 1,5 MoI-0,8 bis 2,0 MoI-
·% Manganfluorid,
% Magnesiumfluorid,
% Calciumfluorid,
% Cadmiumfluorid,
% Kaliumfluorid,
% Chromfluorid,
% Natriumfluorid,
% Kobaltfluorid,
% Eisen(III)-fluorid,
% Kupferfluorid,
% Lanthanfluorid und
% Lithiumfluorid
bestehenden Gruppe besteht.
3. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz aus 0,1 bis 7,0 Mol-% Manganfluorid und 1,0 bis 5,0 iviol-% Kobaltfluorid besteht.
4. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er außer 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganfluorid als weiteren Zusatz noch 0,5 bis 5,0 Mol-% Magnesiumoxid enthält.
5. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er außer 0,1 bis 2,0 Mol-% Manganfluorid als weiteren Zusatz noch 0,1 bis 1,0 Mol-% Lanthanoxid und 0,5 bis 5,0 Mol-% Magnesiumoxid enthält.
6. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß er zusätzlich noch 0,1 bis 2,0 Mol-% Kobaltoxid enthält.
Die Erfindung betrifft einen spannungsabhängigen Widerstand aus einem Sinterkörper, der selbst spannungsabhängig ist, wobei als Hauptbestandteil Zinkoxid und als Zusätze insgesamt mehr als 0,05 Mol-% eines oder mehrerer Mitglieder einer Gruppe von Verbindungen mit ein-, zwei- und/oder dreiwertigen Kationen, wie z. B. von Mangan, Chrom, Kobalt und dreiwertigen Eisen, vorgesehen sind, mit zwei am Sinterkörper angebrachten ohmschen Elektroden.
ausgedrückt, in der V die Spannung über dem Widerstand, / der durch den Widerstand fließende Strom, C eine Konstante, die der Spannung bei einem gegebenen Strom entspricht, und der Exponent η ein Zahlenwert größer als 1 ist. Der Wert für η wird nach der folgenden Gleichung berechnet:
η =
(2)
in der Vi und Vj die Spannungen bei gegebenen Strömen 1\ und h sind.
Der geeignete Wert für C hängt von der Art der Anwendung ab, für die der Widerstand eingesetzt werden soll. Es ist im allgemeinen vorteilhaft, wenn der Wert η so groß wie möglich ist, weil dieser Exponent das Ausmaß bestimmt, mit dem die Widerstände von den ohmschen Werten abweichen.
Ein derartiger spannungsabhängiger Widerstand ist aus der NL-OS 68 14 462 bekanntgeworden. Dieser bekannte Widerstand ist ein spannungsabhängiger Widerstand vom Massetyp, jedoch besteht er in der Hauptsache aus Zinkoxid sowie weiteren Oxiden etwa des Chroms, des Cobalts und des dreiwertigen Eisens. Mit einer derartigen Zusammensetzung lassen sich jedoch nur Widerstände herstellen, deren Kennlinie eine positive Steigung besitzt.
Ferner beschreibt die GB-PS 1130108 einen spannungsabhängigen Widerstand mit einem gesinterten Körper mit aufgebrannten Silberelektroden, wobei die Grenzfläche zwischen den Elektroden und dem
ίο Sinterkörper die Spannungsabhängigkeit des Widerstands verursacht (Widerstand vom Sperrschicht-Typ). Der Sinterkörper weist als Hauptbestandteil Zinkoxid und als Zusätze Eisen(III)-oxid, Aluminiumoxid, Wismuthoxid, Magnesiumoxid, Calciumoxid, Nickeloxid, Cobaltoxid, Nioboxid, Tantaloxid, Zirconoxid, Wolframoxid und Chromoxid auf. Auch dieser bekannte Widerstand besitzt nur eine Kennlinie mit positiver Steigung.
In der GB-PS 7 31 372 werden Widerstände aus ZnO und Oxiden von Elementen der Gruppe I, IV, V, VII und VIII des Periodensystems für Niederspannungszündungssysteme oder Halbleiterwiderstände, jedoch nicht für spannungsabhängige Widerstände vorgeschlagen. Im einzelnen ist vorgesehen, ein Keramikelement aus ZnO und einem Metalloxid der Gruppe Ib, IVb, Vb, VIIa oder VIII aufzubauen.
Die Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines spannungsabhängigen Widerstandes vom Massetyp der eingangs genannten Art, dessen i/-/-Kennlinie in ihrem Verlauf sowohl einen Abschnitt mit positiven Widerstandswerten als auch einen Abschnitt mit negativen Widerstandswerten besitzt.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß der Sinterkörper als Zusätze 0,05 bis 15,0 Mol-% von bis zu 4 Fluoriden der Gruppe Manganfluorid, Magnesiumfluorid, Calciumfluorid, Cadmiumfluorid, Kaliumfluorid, Chromfluorid, Natriumfluorid, Kobaltfluorid, Eisen( 111)- fluorid, Kupferfluorid, Lanthanfluorid
und Lithiumfluorid enthält und der so hergestellte Sinterkörper auf der [/-/-Kennlinie nur im Bereich kleiner Spannungen immer einen positiven Widerstand besitzt.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen herausgestellt.
Die erfindungsgemäß als Zusatz zu verwendenden Fluoride des Mg, Mn, Ca, K, Na, Cu, La und Li verbleiben nach dem Sintern, selbst bei hohen Temperaturen, als Fluoride in der Masse, während die Fluoride des Cd, Cr, Co und Fe beim Sintern in die entsprechenden Oxide übergeführt werden; das entsprechende Fluoräquivalent wird jedoch infolge Reaktion mit dem ZnO in der Masse zurückgehalten, so daß sich die gewünschten Mol-%-Anteile an Fluorzusätzen verwirklichen lassen.
Bei dem erfindungsgemäßen Widerstand sind Betrag und Vorzeichen des Widerstandswertes sowohl von Art und Menge der Zusätze als auch von der Höhe der angelegten Spannung abhängig. Dadurch wird durch die Erfindung erreicht, daß sich das Verhalten des Widerstandes hinsichtlich des Verlaufs seiner U-/-Kennlinie, insbesondere anhand von Art und Menge der Zusätze, beeinflussen läßt.
Anhand der Zeichnungen werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert. In den Zeichnungen ist die
F i g. 1 ein teilweiser Querschnitt eines spannungsabhängigen Widerstandes und
Fig.2 eine typische [/-/-Kennlinie eines erfindungsgemäßen Widerstandes.
Mit 10 ist ein spannungsabhängiger Widerstand bezeichnet, der als wirksames Element einen Sinterkörper 1 mit einem Elektrodenpaar 2 und 3 enthält, wobei diese Elektroden an den gegenüberliegenden Oberflächen des Sinterkörpers angebracht sind. Der Sinterkörper 1 wird auf eine nachfolgend beschriebene Art und Weise hergestellt und ist zum Beispiel eine runde, quadratische oder rechteckige Platte. Leitungsdrähte 5 und 6 sind mit den Elektroden 2 und 3 durch ein Verbindungsmittel 4, wie zum Beispiel ein Lötmittel od. dgl., leitend verbunden.
Ein spannungsabhängiger Widerstand hat einen nichtohmschen Widerstand, wie durch die Kurve OP von Fig.2 dargestellt ist. Die [/-/-Kennlinien des erfindungsgemäßen spannungsabhängigen Widerstands werden in zwei Klassen eingeteilt, und zwar(l) mit einer Kurve OPS und (2) mit einer Kurve OPQR. Das elektrische Verhalten bei einem PQ-Bereich entspricht einem sogenannten negativen Widerstand. Der PQ-Bereich des spannungsabhängigen Widerstands der zweiten Klasse macht ihn zum Schaltelement mit negativem Widerstand. Es ist auch möglich, den OP-Bereich des spannungsabhängigen Widerstands in der zweiten Klasse als einen üblichen Varistor zu verwenden, der keinen negativen Widerstand hat. Die Einstellung der ersten Klasse oder der zweiten Klasse hängt von dem Anteil der Zusätze ab. Das nichtlineare Verhalten in dem OP-Bereich kann in Ausdrücken von C und η der Gleichung (1) wiedergegeben werden. Das negative Widerstandsverhalten, das in dem PO-Bereich besteht, kann durch den negativen Widerstandsfaktor ausgedrückt werden, der durch die folgende Gleichung definiert wird:
Punkt Pund VQ und /ydie Spannung und der Strom bei dem Punkt Q sind. Es ist erwünscht, daß der Wert für ό so groß wie möglich ist, weil dieser Faktor das Maß der Steigung der PO-Kurve bestimmt.
Ein spannungsabhängiger Widerstand enthält einen gesinterten Körper aus einer Frittenmasse, die im wesentlichen als Hauptteil aus 85,0 bis 99,95 Mol-% Zinkoxid und als Zusatz aus 0,05 bis 15,0 Mol-% mindestens einer der unten genannten Verbindungen besteht.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung besteht der Zusatz aus bis zu 4 Fluoride der aus
0,1 bis 7,0 Mol
0,3 bis 3,0 Mol-0,5 bis 5,0 Mol·
0,1 bis 1,0 Mol
0,1 bis 2,0 Mol-0,1 bis 2,0 Mol-0,1 bis 8,0 Mol-1,0 bis 5,0 MoI-0,1 bis 2,0 Mol-0,1 bis 3,0 Mol-0,3 bis 1,5 Mol-0,8 bis 2,0 Mol-
% Manganfluorid,
% Magnesiumfluorid,
% Calciumfluorid.
% Cadmiumfluorid,
·% Kaliumfluorid,
% Chromfluorid,
% Natriumfluorid,
% Kobaltfluorid,
%Eisen(III)-fluorid,
% Kupferfluorid,
% Lanthanfluorid und
% Lithiumfluorid
Λ=
(3)
in der Vp und Ip die Spannung und der Strom bei dem bestehenden Gruppe. Ein solcher Widerstand zeigt einen nichtohmschen Widerstand, was auf die Masse selbst zurückzuführen ist. Daher kann sein C-Wert ohne
JO Beeinträchtigung des η-Wertes durch Änderung des Abstands zwischen den gegenüberliegenden Oberflächen geändert werden. Der kürzere Abstand führt zu einem niedrigeren C-Wert.
Der in der F i g. 2 dargestellte negative Widerstandsverlauf kann erhalten werden, wenn der Sinterkörper im wesentlichen aus einer Masse mit der nachfolgenden, in der Tabelle I aufgeführten Zusammensetzung besteht.
Der größere ό-Wert kann erhalten werden, wenn der Zusatz aus 0,1 bis 7,0 Mol-% Manganfluorid und 1,0 bis 5,0 Mol-% Kobaltfluorid besteht.
Nach der Erfindung kann der negative Widerstandswert hinsichtlich der Beständigkeit bei Umgebungstemperatur und bei dem elektrischen Belastungsdauertest verbessert werden, wenn der spannungsabhängige Widerstand außer 0,1 bis 3,0 Mol-% Manganfluorid als weiteren Zusatz 0,5 bis 5,0 Mol-% Magnesiumoxid enthält.
Der ό-Wert wird erhöht, und gleichzeitig wird die Beständigkeit bei Umgebungstemperatur und dem elektrischen Belastungsdauertest verbessert, wenn der spannungsabhängige Widerstand außer 0,1 bis 2,0 Mol-% Manganfluorid als weiteren Zusatz noch 0,1 bis 1,0 Mol-% Lanthanoxid und 0,5 bis 5,0 Mol-% Magnesiumoxid enthält.
Nach der Erfindung kann der ό-Wert weiter erhöht werden und die Beständigkeit in bemerkenswerter Weise verbessert werden, wenn der spannungsabhängige Widerstand zusätzlich noch 0,1 bis 2,0 Mol-% Kobaltoxid enthält.
to Der Sinterkörper 1 kann nach einer auf dem Gebiet der Keramik an sich bekannten Verfahrensweise hergestellt werden. Die Ausgangsstoffe für die vorstehend beschriebenen Frittenmassen werden in einer Naßmühle unter Ausbildung honiogener Mischungen f>5 gemischt. Die Gemische werden getrocknet und in einer Preßform mit einem Druck von 9,8 bis 98 MPa (lOOkp/cm2 bis lOOOkp/cm2) zu den gewünschten Körperformen gepreßt. Die Preßkörper werden in Luft
bei einer geeigneten Temperatur 1 bis 3 Stunden lang gesintert und dann im Ofen auf Raumtemperatur (etwa 15 bis etwa 300C) abgekühlt.
Die geeignete Sintertemperatur wird im Hinblick auf den spezifischen elektrischen Widerstand, die Spannungsabhängigkeit und die Beständigkeit bestimmt und reicht von 1000 bis 14500C.
Die Gemische können zur leichteren Handhabung beim nachfolgenden Preßvorgang zunächst bei etwa 7000C kalziniert und dann gepulvert werden. Das Gemisch, das verpreßt werden soll, kann mit einem geeigneten Bindemittel, wie z. B. Wasser, Polyvinylalkohol usw., vermischt werden.
Die Sinterkörper werden an den gegenüberliegenden Oberflächen nach einer geeigneten Verfahrensweise, wie z. B. durch Elektroplattierung, nach dem Vakuumaufdampfverfahren, dem Metallspritzverfahren oder dem Silberfarbenstrichverfahren, mit Elektroden verschen.
Der spannungsabhängige Widerstand wird praktisch nicht durch die Arten der verwendeten Elektroden, sondern durch die Dicke der Sinterkörper beeinflußt. Insbesondere ändern sich der C-Wert, der Vy Wert und der Vp-Wert im Verhältnis zur Dicke der gesinterten Körper, während der η-Wert und der (5-Wert praktisch von der Dicke unabhängig sind.
Leitungsdrähte können nach an sich bekannter Art und Weise unter Verwendung eines üblichen Lötmittels mit einem niedrigen Schmelzpunkt an den Elektroden angebracht werden. Es ist zweckmäßig, einen leitfähigen Klebstoff, der Silberpulver und Harz in einem organischen Lösungsmittel enthält, zum Verbinden der Leitungsdrähte mit den Elektroden zu verwenden.
Die erfindungsgemäßen spannungsabhängigen Widerstände weisen eine große Beständigkeit gegenüber der Temperatur und bei einem Belastungsdauertest auf, der bei 700C bei einer Betriebsdauer von 500 Stunden ausgeführt wird. Der n-Wert, C-Wert, VrWert und ό-Wert ändern sich nach den Erwärmungsfolgen und dem Belastungsdauertest nicht merklich. Es ist zur Erzielung einer großen Beständigkeit gegenüber Feuchtigkeit vorteilhaft, wenn die erhaltenen Widerstände in ein feuchtigkeitsfestes Harz, wie z. B. Epoxyharz und Phenolharz, nach an sich bekannter Weise eingebettet werden.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung.
Beispiel 1
Ein Gemisch aus Zinkoxid und Zusätzen mit einer in der Tabelle Il angegebenen Zusammensetzung wird in einer Naßmühle 3 Stunden lang gemischt. (In der Tabelle Il besteht der Rest aus Zinkoxid.) Das Gemisch wird getrocknet und dann 1 Stunde lang bei 700"C kalziniert. Das kalzinierte Gemisch wird mit einem motorgetriebenen Kcrainikmörscr innerhalb von 30 Minuten pulverisiert und dann in einer Preßform zu einer Körperform mit einem Durchmesser von 17,5 mm im Durchmesser von 2,0 mm Dicke mit einem Druck von 4,9 MPa (500 kp/cm2) zusammengepreßt.
Der zusammengepreßte Körper wird in Luft bei 1150"C I Stunde lang gesintert und dann im Ofen auf Raumtemperatur (etwa 15 bis etwa 300C) abgekühlt. Die gesinterte Scheibe wird auf den gegenüberliegenden Oberflächen mit Hilfe von Siliciumcarbid mit einer Teilchengröße von etwa 28 μηι geschliffen. Die erhaltene gesinterte Scheibe hat einen Durchmesser von 16 mm und eine Dicke von 1,5 mm. Die gesinterte Scheibe wird an den gegenüberliegenden Oberflächen mit den im Handel erhältlichen Silberfarbelektroden mit Hilfe eines Farbanstrichs verbunden. Die Leitungsdrähte werden mit den Silberelektroden durch Verlöten verbunden. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Widerstände werden in der Tabelle Il wiedergegeben. Es ist leicht zu erkennen, daß der Sinterkörper aus Zinkoxid, der die in der Tabelle I aufgeführten Zusätze
ίο enthält, ein ausgezeichnetes spannungsabhängiges Verhalten aufweist, und daß insbesondere eine bestimmte Menge von Zusätzen zu einem negativen Widcrstandsverhalten führt.
Beispiel 2
Zinkoxid und in der Tabelle IH aufgeführte Zusätze werden entsprechend der in dem Beispiel 1 beschriebenen Art und Weise gemischt, getrocknet, kalziniert und gepulvert. Das gepulverte Gemisch wird in einer Preßform mit einem Druck von 4,9 MPa (500 kp/cm2) zu einer Scheibe mit einem Durchmesser von 17,5 mm und einer Dicke von 5 mm zusammengepreßt.
Der zusammengepreßte Körper wird in Luft bei 13500C 1 Stunde lang gesintert und dann im Ofen au! Raumtemperatur abgekühlt. Die gesinterte Scheibe wird auf den gegenüberliegenden Oberflächen mittels Siliciumcarbid mit einer Teilchengröße von etwa 28 μιη zu der in der Tabelle III angegebenen Dicke geschliffen.
Die geschliffenen Scheiben werden auf den gegenüberliegenden Oberflächen entsprechend der Verfahrensweise des Beispiels 1 mit den Elektroden und Leitungsdrähten versehen. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Widerstände werden in der Tabelle III wiedergegeben; der V>Wert und der Vy-Wert sowie der C-Wert ändern sich annähernd im Verhältnis zu der Dicke der gesinterten Scheibe, während der η-Wert, der /rWert und der ό-Wert im wesentlichen von der Dicke unabhängig sind. Es ist leicht zu erkennen, daß die spannungsabhängigen Eigenschaften der Widerstände dem Sinterkörper selbst zuzuschreiben sind.
Beispiel 3
Aus Zinkoxid, das Zusätze entsprechend der in der Tabelle IV angegebenen Zusammensetzung enthält werden nach dem Verfahren des Beispiels 1 Widerstände mit variabler Spannung hergestellt. Die elektrischer Eigenschaften der erhaltenen Widerstände werden ir der Tabelle IV wiedergegeben. Es ist leicht zu erkennen daß der Zusatz von wenigstens einem Mitglied der au; 0,1 bis 7,0 Mol-% Manganfluorid, 0,1 bis 3,0 MoI-0A Kupferfluorid und 1,0 bis 5,0 Mol-% Kobaltfluoric bestehenden Gruppe, zu einem größeren ö-Wert führt.
Beispiel 4
Aus Zinkoxid, das Zusätze entsprechend der in de Tabelle V angegebenen Zusammensetzung enthält
W) werden nach dem Verfahren des Beispiels 1 Widerstän de mit variabler Spannung hergestellt. Die erhaltene! Widerstände werden nach den Methoden getestet, dii bei Bauteilen mit elektronischen Bestandteilen benutz werden. Die Bclastungsdauerprobc wird bei 70"(
M Umgebungstemperatur und bei 0,5 Watt innerhalb eine l.eistungsdaticr von 500 Stunden durchgeführt. Dc periodische Erwärmungstest wird durch fünfmalige Wiederholen einer Folge, bei der die Widerstände bc
85°C Umgebungstemperatur 30 Minuten lang gehalten, dann schnell auf -20°C abgekühlt und dann bei dieser Temperatur 30 Minuten lang gehalten werden, durchgeführt. Die Tabelle V gibt eine bei den WWerten, Ky-Werten und Λ-Werten nach der Belastungsdaucrprobe erhaltene Differenz wieder. Es kann leicht ersehen werden, daß die Kombination von Manganfluorid und Magnesiumoxid r.ls Zusatz in bezug auf die elektrische Beständigkeit und die Beständigkeit gegenüber der Umgebung wirksam ist.
Beispiel 5
Aus Zinkoxid, das Zusätze entsprechend der Tabelle Vl enthält, werden nach dem Verfahren des Beispiels 1 spannungsabhängige Widerstände hergestellt. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Widerstände werden in der Tabelle VI wiedergegeben. Es ist leicht zu ersehen, daß die Kombination von Manganfluorid, Lanthanoxid und Magnesiumoxid, insbesondere wenn Kobaltoxid der Kombination zugesetzt wird, als Zusatz
Tabelle II
hinsichtlich des negativen Widerstandsverhallcns und der elektrischen Beständigkeit sowie der Beständigkeit gegenüber der Umgebung ausgezeichnet ist.
Tabelle I
Zinkoxid
(M 01-%)
Zusatz
(MoI-0/,,)
99,9 -93,0 -98,5 Manganfluorid 0,1-
99,7 -97,0 -98,0 Magnesiumfluorid -7,0
99,5 -95,0 Calciumfluorid 0,3-3,0
99,9 -99,0 Kadmiumfluorid 0,5-
99,9 -98,0 Kaliumfluorid 0,1-
99,9 -98,0 Chromfluorid 0,1-
99,9 -92,0 Natriumfluorid -5,0
99,0 -95,0 Kobaltfluorid -1,0
99,9 -98,0 Eisen(III)-fluorid -2,0
99,9-97,0 Kupferfluorid 0,1-2,0
99,7 Lanthanfluorid 0,1-
99,2 Lithiumfluorid 1,0-
-8,0
-5,0
0,1-2,0
0,1"
-3,0
0,3-1,5
0,8-2,0
Zusatz
(M 01-%)
(bei 1 mA) ρ
(V)
•p
(mA)
(V)
Manganfluorid 0,05 15,8 - - 4,2
0,1 - - - - 400 40 200 3,3
0,5 - - - - 360 30 120 5,7
1,0 - 68 52 - 260 20 60 5,9
2,0 - 146 98 - 250 15 90 5,5
3,0 - 40 139 - 160 20 70 4,2
7,0 - 52 380 - 350 30 150 3,1
10,0 130 - 5,3 - - - -
15,0 494 - 2,5 - - - -
Magnesiumfluorid 0,05 8,2 - 3,3 - - - -
0,3 - -' 300 72 215 3,9
1,0 107 - 330 63 203 5,8
3,0 96 - 396 40 145 3,1
10,0 11,2 6,2 - - - -
15,0 3,9 - - - -
Calciumfluorid 0,05 3,8 - - - -
0,1 5,2 - - - -
0,5 - 220 48 110 3,1
1,0 - 283 30 132 5,9
2,0 - 295 49 144 5,8
5,0 - 275 53 125 3,7
10,0 7,0 - - - -
15,0 2,8 -- - - -
Kadmiumfluorid 0,05 5,2 - - - -
0,1 - 75 42 38 2,7
0,5 - 187 59 46 5,8
1,0 - 230 45 115 3,2
2,0 5,8 - - - -
5,0 3,3 - - - -
10,0 2,9 - - - -
15.0 2.8 _ - - -
9 C - .- 2021 mA) 3,5 983 10 I1. 10 7,5 - 2,6 - (V) ä I
(bei 1 - - - (mA) 110 7,5 5,2 _ - - 3,8 :
7,5 - - - - 150 7,5 9,0 75 2,8 6,3
Fortsetzung (Mol-%) 28 - H - - 7,5 8,2 48 5,9 5,4
Zusatz 0,05 49 - 5,9 (V) - 53 3,1 3,3
0,1 295 38,5 4,1 - - - - - ι
Kaliumfluorid 1,0 38 82 3,2 100 - - _ i
2,0 - 98 3,8 90 95 - -
5,0 - 135 - 170 70 _
10,0 - - - - 43 220 5,8
15,0 92 - - - - 290 5,9
0,05 153 - 5,0 - - 340 5,2
0,1 450 195 2,9 _ - -
Chromfluorid 1,0 4,2 290 2,6 312 _ -
2,0 35 2,9 350 53 - -
5,0 - - 420 82 _ _
10,0 - - - 100 103 3,0
15,0 - - - 80 103 5,4
0,05 - - - 77 95 6,2
0,1 28 - _ 108 5,6
Natriumfluorid 1,0 280 2,6 132 _ 210 2,3
2,0 28 3,1 160 - - -
5,0 - 2,9 170 - _ _
8,0 - 5,2 235 47 - -
15,0 - - 320 90 - -
0,05 - - 87 34 2,4
0,1 99 - _ - 10 6,7
Kobaltfluorid 0,5 350 4,5 - 28 5,1
1,0 3,1 - _ - -
2,0 3,2 108 - -
5,0 - 43 _ -
10,0 - 96 268 6,5
15,0 - - 120 6,5 s
0,05 - 115 6,0
0,1 4,3 _ 110 4,2
Kupferlluorid 0,5 2,5 478 - -
1,0 3,1 470
3,0 - 469 _
10,0 - 420 42
15,0 - - 25
0,05 - 42
0,1 5,0 _ _ 35
IZiscn(III)-lluorid 0,5 2.1 72 -
1,0 61 _
2,0 50
10,0 38
15.0 -
_
11 Dicke C C 20 21 Il (bei 1 mA) 4,5 983 (mA) 12 Vq Vq ö ö
Fortsetzung (mm) (bei 1 mA) 209 4,3 _ (mA) (V) (V) _ 8,0
Zusatz 3,0 950 Il 172 4,2 - 11,0 _ 359 - 8,1
(Mol-%) 2,5 750 139 4,0 (V) 45 10,5 - 295 3,2 8,1
Lanthanfluorid 0,05 2,0 - 2,0 104 4,2 - 45 10,6 430 242 6,2 8,2
0,1 1,5 - 4,8 69 4,3 - 45 10,5 425 179 4,0 8,0
0,3 1,0 - - 34 4,9 830 - 10,3 429 120 - 8,0
0,8 0,5 530 - 316 4,8 808 - 10,5 - 60 - -
1,5 3,0 694 - 264 4,7 757 - - - - - -
5,0 2,5 732 5,3 212 4,5 - - - - - - -
10,0 2,0 27 2,7 160 4,2 - - - - - - -
15,0 1,5 20 2,4 105 5.0 - 30 - - - 5,3 -
Lithiumfluorid 0,05 1,0 - 2,0 53 - 50 - 193 - 4,5 _
0,1 0.5 - 2,3 - - 73 -
0,8 40 - 243 - - -
2,0 120 - 115 - - -
5,0 203 4,8 - 18 - 9,7
10,0 - 4,5 - 240
15,0 4,0 - 40 9,3
Manganfluorid 1,0 - - 340 38 37 9,0
Lanthanfluorid 1,0 - 24 59 8,5
Natriumfluorid
Calciumfluorid
1,0 - - 130 42 140 8,2
Manganfluorid
Eisen(III)-fluorid
1,0
UO
- - 190 75
Kupferfluorid
Kadmiumfluorid
1,0
1,0
- 240
Lithiumfluorid
Kobaltfluorid
1,0
1,0
- 143
Tabelle III
Zusatz
(Mol-%) (V)
Lithiumfluorid 1,5 972
810
653
495
320
161
Lithiumfluorid 12,0 -
-
-
-
-
_
13 I 20 A 'VQ 21 983 14 <5
(%) (mA) 14,2
Tabelle IV -15,3 22 15,9
Zusatz (MoI-Vo) Kupferfluorid -13,5 '7, 24 (V) 14,4
Manganfluorid 0,1 Kobaltfluorid -14,4 (V) 25 330 14,5
0,1 1,0 1,0 -13,5 450 18 380 15,1
0,1 3,0 1,0 -12,5 474 17 300 14,2
0,1 0,1 1,0 -14,9 493 22 330 17,0
2,0 1,0 1,0 -13,1 496 39 256 16,0
2,0 3,0 1,0 -13,4 513 43 298 15,3
2,0 0,1 1,0 -12,9 549 46 356 15,2
7,0 1,0 1,0 -12,4 693 23 512 16,8
7,0 3,0 1,0 -12,1 707 30 498 16,0
7,0 0,1 1,0 -13,3 723 39 321 17,0
0,1 1,0 5,0 -12,5 512 19 330 17,0
0,1 3,0 5,0 -12,3 543 23 427 16,5
0,1 0,1 5,0 -11,9 568 26 210 16,4
2,0 1,0 5,0 -12,6 553 40 193 17,0
2,0 3,0 5,0 - 9,9 J84 48 204 18,0
2,0 0,1 5,0 598 54 412 18,1
7,0 1,0 5,0 684 35 408 18,3
7,0 3,0 5,0 702 42 408 17,2
7,0 0,1 5,0 738 46 396 18,7
0,1 1,0 2,0 486 20 252 19,1
0,1 3,0 2,0 506 24 304 19,4
0,1 0,1 2,0 520 30 193 19,0
2,0 3,0 2,0 542 50 204 19,0
2,0 0,1 2,0 593 69 402 22,3
7,0 1,0 2,0 802 15 414
7,0 3,0 2,0 830 438
7,0 1,0 2,0 842 Periodischer 115
2,0 2,0 320 A V1, (%)
Tabelle V (%) Erwärmungstest -20,2
Zusatz (Mol-%) Magnesium Belaslungsdauertest -16,5 A. V0 -19,9
Manganfluorid oxid A Vn -15,3 (%) -18,4
0,5 (%) (%) -15,1 -14,2 -17,7
0,1 0,5 -15,7 -22,1 -13,3 -13,8 -18,4
2,0 0,5 -13,3 -18,5 -13,2 -13,8 -17,2
3,0 2,0 -12,7 -17,9 -13,5 -12,3 -16,5
0,1 2,0 -14,3 -18,3 -12,1 -13,4 "17,1
3,0 5,0 -13,7 -16,5 -12,5 -12,7 -15,:
0,1 5,0 -13,2 -19,8 -11,3 -12,1 -15,:
2,0 5,0 -12,4 -18,9 -11,9 -12,3 -14,
3,0 1,0 -14,1 -15,7 -10,8 -11,9 -15,(
1,0 1,0 -12,3 -15,8 -10,7 -10,4 -π,:
2,0 1,0 -11,1 -14,0 -10,3 -11,2 -12,:
2,5 2,0 -10,6 -14,0 - 9,0 -10,9 -12,
1,0 2,0 -10,5 -14,1 - 8,2 -11,9 -li,:
2,5 2,5 - 9,8 -13,3 - 7,9 - 9,8 Q
O,
1,0 2,5 - 9,2 -13,4 - 5,5 - 9,0
2,0 2,5 - 9,8 -12,2 - 9,9
2,5 2,0 - 9,4 -12,9 - 7,2
2,0 - 6,4 - 9,9
ί5
Tabelle VI
Zusatz (Mol-%) Lanthan Magnesium Koball- (V) (mA) Vq δ Belastungsdauertest Δ V1, Δδ Periodischer d V0 Δ δ
Magne- oxid oxid ox id 503 27 Erwärmungstest
sium- 475 29 .1 Vn (%) (%) Δ Vn (%) (%)
lluorid 433 30 -6,8 -7,7 -4,1 -6,3
0,1 0,5 _ 499 25 (V) (%) -6,6 -7,5 (%) -3,6 -5,9
0,1 0,1 0,5 - 384 25 271 24,5 -6,1 -6,8 -7,9 -4,4 -4,1 -5,4
1,0 0,1 0,5 - 511 26 215 25,0 -6,0 -7,1 -7,9 -3,9 -3,1 -5,3
2,0 0,5 0,5 - 504 24 310 25,0 -6,9 -6,8 -7,8 -3,7 -2,5 -5,7
0,1 0,5 0,5 - 472 24 221 25,0 -6,5 -6,7 -7ml -3,5 -4,0 -5,7
1,0 0,5 0,5 - 495 24 195 26,7 -6,1 -5,9 -7,5 -3,9 -2,9 -5,1
2,0 1,0 0,5 - 525 27 273 26,5 -6,4 -4,3 -7,1 -3,8 -3,1 -5,6
0,1 1,0 0,5 - 500 26 207 25,3 -6,3 -6,5 -7,1 -4,1 -3,5 -4,9
1,0 1,0 0,5 - 482 26 245 25,5 -6,3 -7,8 -7,1 -4,0 -4,1 -5,1
2,0 0,1 2,0 - 513 24 233 25,4 -6,5 -8,1 -7,0 -3,9 -3,8 -5,1
0,1 0,1 2,0 - 432 23 259 25,1 -6,0 -7,4 -5,9 -3,1 -1,7 -4,9
1,0 0,1 2,0 - 472 20 291 25,7 -5,9 -6,0 -6,3 -3,5 -2,3 -4,1
2,0 0,5 2,0 - 395 19 230 26,3 -5,3 -6,3 -7,5 -3,5 -2,5 -4,0
0,1 0,5 2,0 - 380 19 241 26,4 -5,3 -7,0 -7,1 -2,9 -2,5 -4,9
2,0 1,0 2,0 - 572 20 239 27,7 -5,2 -7,1 -6,8 -2,3 -3,3 -4,7
0,1 1,0 2,0 - 533 27 222 28,6 -5,4 -6,7 -7,4 -3,8 -2,6 -4,4
1,0 1,0 2,0 - 442 26 198 25,6 -5,9 -6,5 -8,1 -3,0 -2,9 -4,4
2,0 0,1 5,0 - 507 26 142 27,5 -5,1 -7,4 -7,9 -3,6 -3,3 -5,0
0,1 0,1 5,0 - 420 28 286 29,1 -5,9 -6,8 -8,0 -3,9 -3,1 -3,7
1,0 0,1 5,0 - 395 28 252 24,5 -5,8 -6,1 -6,1 -3,9 -3,3 -5,0
2,0 0,5 5,0 - 380 28 222 25,3 -5,1 -7,5 -8,1 -3,1 -2,9 -4,5
0,1 0,5 5,0 - 415 31 304 25,1 -5,1 -8,1 -6,9 -4,1 -3,5 -4,6
2,0 0,5 5,0 - 403 30 154 28,3 -5,3 -7,2 -6,3 -3,5 -3,3 -4,8
1,0 1,0 5,0- - 340 12 185 27,5 -5,6 -7,1 -6,4 -3,2 -3,3 -4,6
0,1 1,0 5,0 - 472 10 191 29,7 -5,1 -6,3 -6,5 -3,7 -3,4 -4,8
1,0 1,0 5,0 - 453 10 211 27,9 -5,4 -5,1 -5,0 -3,5 -2,7 -3,7
2,0 0,5 2,0 - 407 11 203 27,8 -5,1 -3,9 -3,0 -2,9 -1,9 -2,8
1,0 0,1 0,5 0,1 379 10 112 30,0 -3,8 -3,7 -2,9 -2,5 -1,4 -2,5
0,1 0,1 0,5 1,0 352 10 220 33,4 -2,3 -3,6 -3,3 -1,8 -1,4 -2,9
0,1 0,1 0,5 2,0 332 10 144 33,0 -2,5 -3,9 -3,1 -2,1 -1,7 -2,8
0,1 1,0 0,5 0,1 381 11 195 33,4 ■ -2,1 -3,8 -2,9 -2,0 -1,6 -2,8
0,1 1,0 0,5 1,0 305 11 138 33,3 -2,6 -3,9 -3,3 -1,9 -1,6 -2,7
0,1 1,0 0,5 2,0 298 10 160 33,2 -2,1 -3,7 -3,2 -1,4 -1,6 -2,9
0,1 0,1 0,5 0,1 370 9 176 33,3 -2,4 -3,7 -2,9 -1,9 -1,9 -2,6
2,0 0,1 0,5 1,0 315 9 145 34,7 -2,3 -2,6 -2,9 -1,7 -1,3 -2,8
2,0 0,1 0,5 2,0 298 9 145 34,4 -2,2 -2,3 -3,1 -2,1 -1,6 -2,7
2,0 1,0 0,5 0,1 413 10 141 33,7 -2,9 -2,8 -2,5 -2,3 -1,7 -2,4
2,0 1,0 0,5 1,0 397 10 180 34,3 -2,3 -3,6 -2,6 -2,4 -1,5 -2,7
2,0 1,0 0,5 2,0 255 11 171 34,2 -2,4 -2,6 -2,7 -2,4 -1,8 -2,5
2,0 0,1 5,0 0,1 295 12 131 33,4 -2,4 -3,8 -3,1 -2,3 -1,6 -2,6
0,1 0,1 5,0 1,0 272 9 205 34,1 -2,3. -3,3 -2,8 -2,4 -1,4 -2,5
0,1 0,1 5,0 2,0 244 8 139 35,8 -2,3 -3,8 -2,9 -2,4 -1,5 -2,1
0,1 1,0 5,0 0,1 305 7 112 35,4 -3,3 -3,7 -2,7 -2,4 -1,6 -2,9
0,1 1,0 5,0 1,0 272 7 115 . 36,3 -2,2 -3,3 -2,8 -2,3 -1,6 -2,6
0,1 1,0 5,0 2,0 97 37,4 -.2,4 -3,6 -2,0 -2,4 -1,9 -2,3
0,1 0,1 5,0 0,1 127 36,7 -2,1 -2.5 -2,4 -2,2 -1.4 -2.6
2,0 0.1 5.0 1.0 170 37,4 -1,8 -2,3
2.0 112 37.4 -1.4 -1.8
0,1 17 Kobalt
oxid
(V) 20 21 983 18 -3,8 -2,0 Periodischer
Etvtärmungsttsi
Δ V1, Δ νΰ
-1,4 Δο
1,0 2,0 213 -2,1 -1,9 -1,9 -1,6 -2,4
Fortsetzung 1,0 Magnesium
oxid
0,1 299 (mA) (V) δ Belaslungsdauertesl
Δ V1, Δ V1, Δ δ
-3,5 -1,9 -2,0 -1,5 -2,7
Zusatz (Mol-%)
Magne- Lanthan-
sium- oxid
fluorid
1,0 5,0 1,0 266 6 199 38,3 -1,6 -2,3 -1,9 -2,3 -1,7 -2,7
2,0 0,5 5,0 2,0 253 9 148 37,4 -2,1 -3,1 -2,1 -1,8 -1,5 -2,8
2,0 0,5 5,0 0,1 145 9 124 37,7 -1,8 -2,1 -1,5 -1,9 -1,9 -2,1
2,0 0,5 5,0 2,0 103 8 138 37,3 -1,9 -0,6 -0,8 -2,0 -0,6 -2,2
2,0 2,0 1,0 83 10 43 38,8 -1,7 -0,7 -0,8
1,0 2,0 9 35 37,2 -1,5
1,0 2,0 5,1 21 42,5 -0,8
1,0 Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Spannungsabhängiger Widerstand aus einem Sinterkörper, der selbst spannungsabhängig ist, wobei als Hauptbestandteil Zinkoxid und als Zusätze insgesamt mehr als 0,05 Mol-% eines oder mehrerer Mitglieder einer Gruppe von Verbindungen mit ein-, zwei- und/oder dreiwertigen Kationen, wie z. B. von Mangan, Chrom, Kobalt und dreiwertigem Eisen, vorgesehen sind, mit zwei am Sinterkörper angebrachten ohmschen Elektroden, dadurch gekennzeichnet, daß der Sinterkörper als Zusätze 0,05 ... 15,0Mol-% von bis zu 4 Fluoriden der Gruppe Manganfluorid, Magnesiumfluorid, Calciumfluorid, Cadmiumfluorid, Kaliumfluorid, Chromfluorid, Natriumfluorid, Kobaltfluorid, Eisen(III)-fluorid, Kupferfluorid, Lanthanfluorid und Lithiumfluorid enthält und der so hergestellte Sinterkörper auf der LJ- /-Kennlinie nur im Bereich kleiner Spannungen immer einen positiven Widerstand besitzt.
2. Spannungsabhängiger Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz aus bis zu 4 Fluoride der aus
Die elektrischen Eigenschaften spannungsabhängiger Widerstände werden durch die Gleichung
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3805114A (en) * 1972-03-01 1974-04-16 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Voltage-nonlinear resistors
US3806765A (en) * 1972-03-01 1974-04-23 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Voltage-nonlinear resistors
DE2342172C3 (de) * 1972-09-20 1979-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Spannungsabhängiger Widerstand mit Zinkoxid als Hauptbestandteil
JPS539397B2 (de) * 1973-07-09 1978-04-05
GB1461116A (en) * 1973-07-18 1977-01-13 Conradty Fa C Voltage dependant resistors of sintered ceramic material
CA1029133A (en) * 1974-02-20 1978-04-04 Mikio Matsuura Voltage-dependent resistor
US4042535A (en) * 1975-09-25 1977-08-16 General Electric Company Metal oxide varistor with improved electrical properties
US4103274A (en) * 1976-09-13 1978-07-25 General Electric Company Reconstituted metal oxide varistor
US4338223A (en) * 1979-05-30 1982-07-06 Marcon Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a voltage-nonlinear resistor
US4327349A (en) * 1980-03-19 1982-04-27 General Electric Company Transformer core having charge dissipation facility
US4436650A (en) * 1982-07-14 1984-03-13 Gte Laboratories Incorporated Low voltage ceramic varistor
US5294374A (en) * 1992-03-20 1994-03-15 Leviton Manufacturing Co., Inc. Electrical overstress materials and method of manufacture
US6198377B1 (en) * 1994-07-13 2001-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plastic thermistor and thermosensitive device comprising the same
US5854586A (en) * 1997-09-17 1998-12-29 Lockheed Martin Energy Research Corporation Rare earth doped zinc oxide varistors
JP5865711B2 (ja) * 2012-01-13 2016-02-17 Jx日鉱日石金属株式会社 低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料及び低屈折率膜
WO2013146448A1 (ja) * 2012-03-28 2013-10-03 Jx日鉱日石金属株式会社 低屈折率膜形成用焼結体及びその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3089856A (en) * 1960-11-10 1963-05-14 New Jersey Zinc Co Production of conductive zinc oxide
FR1510286A (de) * 1966-01-13 1968-04-03

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