DE2833285C2 - Schalter für Magnetblasendomänenvorrichtungen - Google Patents
Schalter für MagnetblasendomänenvorrichtungenInfo
- Publication number
- DE2833285C2 DE2833285C2 DE2833285A DE2833285A DE2833285C2 DE 2833285 C2 DE2833285 C2 DE 2833285C2 DE 2833285 A DE2833285 A DE 2833285A DE 2833285 A DE2833285 A DE 2833285A DE 2833285 C2 DE2833285 C2 DE 2833285C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- switch according
- transmission element
- bubble
- chevron
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000001850 reproductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 241001347978 Major minor Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/80—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using non-linear magnetic devices; using non-linear dielectric devices
- H03K17/84—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using non-linear magnetic devices; using non-linear dielectric devices the devices being thin-film devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Description
65
Die Erfindung bezieht sich auf einen Schalter für Magnetblasendomänenvorrichtungen mit ersten und
zweiten benachbart zueinander abgeschiedenen Fortpflanzungspfaden,
einem Übertragungselement, welches zwei miteinander unter einem Winkel von 90° zueinander vereinigte
Arme aufweist und im ersten Fortpflanzungspfad benachbart zum zweiten Fortpflanzungspfad angeordnet
ist,
und mit einem Paar von sich zwischen den ersten und zweiten Fortpflanzungspfaden erstreckenden Leiterelementen.
Magnetblasendomänenvorrichtungen und uaraus aufgebaute
Speichersysteme sind bekannt. Zur Verbesserung der Betriebseigenschaften dieser Systeme sind
Entwicklungen hinsichtlich der Vorrichtung als solcher, des Materials und der Herstellung im Gange. Diese
Verbesserungen richten sich auf die Optimierung der Systemorganisationen und auch auf eine Erhöhung der
Kapazität (Chip und Speicher) durch die Verwendung von spalttoleranten Fortpflanzungsstrukturen und besseren
Herstellungsverfahren. Verbesserte Herstellungsverfahren
gestatten größere Vorrichtungsdichten, größere Zuverlässigkeit und eine Vereinfachung des
Herstellungsverfahrens.
Die DE-OS 26 13 489 zeigt bereits einen Schalter für Magnetblasendomänenvorrichtungen unter Verwendung
von Fortpflanzungspfaden und einem Übertragungselement, wobei allerdings durch die Anordnung
auf unterschiedlichen Niveaus erhöhte Herstellungskosten auftreten.
Ein stark untersuchtes Gebiet ist auch die Verwendung von Ein-Niveau-Vorrichtungskomponenten, einschließlich
Schaltern. Bislang sind nur zwei Ein-Niveau-Schalter bekannt Einer dieser Schalter wird von T. j.
Nelson in AIP Conference Proceedings, Nr. 18, Teil 1, Seiten 95 bis 99 (1974) beschrieben. In dieser Vorrichtung
ist ein Paar von entgegengesetzt angeordneten Chevronspalten durch einen durch die Scheitel der
Chevronspalten verlaufenden Leiterpfad verbunden. Dieser Schalter arbeitet in zufriedenstellender Weise in
der Übertragungs- oder der Verdopplungs-Betriebsart Dieser Schalter ist jedoch bei einer Haupt-Neben-Schleifenchiporganisation
schwer zu verwenden, da der Aufbau eines mit dem Chiplayout kompatiblen Stromrückführpfads
ein beträchtliches Problem bildet Es wird dabei vorgeschlagen, den Stromrückführungspfad durch
die Verwendung eines zweiten Gesamtmaskierverfahrens zur Erzeugung einer weiteren Leiterlage vorzusehen,
um so den Rückführungspfad zu erzeugen, wobei aber das zweite Maskierverfahren in unvermeidbarer
Weise das Herstellungsverfahren (verglichen mit einem Ein-Masken-Verfahren) kompliziert Dadurch ergibt
sich eine geringere Fabrikationsausbeute. Darüber hinaus ist diese Herstellungsmöglichkeit nicht wesentlich
weniger kompliziert als ein Zwei-Niveau-Verfahren.
Ein zweiter Ein-Niveau-Schalter wird von Bobeck u. A. in IEEE Transactions Magnetics, MAG-9, Seiten
474—480 (1973) vorgeschlagen. Bei diesem Schalter sind
entgegengesetzt gerichtete Chevronspalten gegeneinander versetzt angeordnet und ein Paar von Leitern ist
zwischen benachbarte Enden der entsprechenden Chevronspalten geschaltet Obwohl dieser Schalter den
Vorteil eines Stromrückführungspfades besitzt, so hat sich doch gezeigt, daß der zum Strecken einer Blase von
einer Spur zur anderen erforderliche Strom viel zu hoch ist, um für eine Ein-Niveau-Konstruktion praktikabel zu
sein. Dies liegt daran, daß der zum Strecken einer Blase von einer Nebenschleife zu einer Hauptschleife
angelegte Strom auf mehrere Pfade aufgeteilt ist
(bestimmt durch die Anzahl der Chevrons pro Spalte), auf welche V/eise das längs des oberen Chevrons
erzeugte Feld geschwächt wird. Es sei auf Kryder u, A,
in IEEE Transactions on Magnetics, MAG-H, Seiten 1145—1147 (1975) verwiesen, wo die Nachtelle des
Bobeck-Schalters demonstriert sind. Infolgedessen sind
keine Ein-Niveau-Schalter bekannt, die zur Verwendung
in einer praktikablen Baupt-Neben-Schleifenchtporganisation
verwendbar sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Schalter der eingangs genannten Art derart auszubilden,
daß unter Verbilligung des Herstellungsverfahrens ein Ein-Niveau-Schalter geschaffen wird, der mit großer
Produktionsausbeute und guten Betriebseigenschaften verfügbar wird.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung bei einem Schalter der eingangs genannten Art die
Maßnahmsn des Kennzeichens des Anspruchs 1 vor. Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben
sich aus den Unteransprüchen.
Der gemäß der Erfindung vorgesehene Ein-Niveau-Magnetblasendomänenvorrichtungsschalter
gestattet also die Übertragung, die Verdopplung oder die Auslösung von Magnetblasendomänen. Der Schalter ist
zwischen zwei Fortpflanzungspfaden aufgebaut, wobei das Grundelement des Schalters in einem der Pfade
enthalten ist Das Grundelement, d. h. ein bumerangförmiges
Muster, bewirkt keine signifikante Zeitverzögerung und ruft auch keine signifikante Randverschlechterung
hervor, und zwar weder in den Haupi- noch Neben-Schleifen-Fortpflanzungspfaden. Durch die
wahlweise Hinzufügung von Magnetstäben kann die Arbeitsweise des Schalters verbessert werden. Der mit
dem bumerangförmigen Element verbundene Leiterpfad verläuft durch den Hauptschleifenfortpflanzungspfad
praktisch ohne Schaden und gestattet eine leichtere Verbindung.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich insbesondere aus den Ansprüchen sowie
der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung; in der Zeichnung zeigen
Fig. IA-IC den erfindungsgemäßen Schalter, verwendet
in der Verdopplungs-Betriebsart;
Fig.2A—2C die Arbeitsweise des erfindungsgemäßen
Schalters in der Übertragungs-Ein-Betriebsart;
Fig. 3A—3C den Schalter nach der Erfindung beim
Betrieb in der Übertragungs-Aus-Betriebsart.
Fig. IA zeigt einen gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung ausgebildeten Schalter 100. Zum Schalter 100 gehören zwei benachbarte Fortpflanzungspfade
PX bzw. P 2. Der Fortpflanzungspfad Pi wird durch Chevronspalten 17 und 18 repräsentiert, die einen
Teil des Hauptschleifenfortpflanzungspfades bilden. Andere Chevronspalten oder ähnliche Komponenten
können im Rest des Pfades verwendet werden. Der Fortpflanzungspfad P2 weist die Elemente 11, 12, 13,
10,14,15 und 16 auf. Die Elemente 11 und 16 sind Teile
einer einzigen Fortpflanzungskomponente, wie beispielsweise eines H-förmigen Elements Es können
jedoch natürlich gesonderte und alternative Komponenten in der Nebenschleife verwendet werden,
Die besonders interessierende Komponente ist die Komponente 10, die ein bumerangförmiges Element ist.
Im wesentlichen ähnelt das Element 10 einem vergrößerten Chevron mit einer wesentlich breiteren
Abmessung am Scheitpl als an den Enden. Zudem ragt in einem bevorzugten Ausführungsbeispiel eine Nase 10/4
vom Scheitel des Elements 10 weg. Leiter 19 und 20 verlaufen durch die benachbarten Enden der Chevronspalten
17 bzw, 18 und vereinigen sich mit den Seiten des Elements 10, Die Verbindungsstellen der Leiter 19
und 20 mit dem Element 10 sind etwas mit Abstand gegenüber dem Scheitel oder der Nase 10Λ des
Elements 10 angeordnet Typischerweise sind die Leiter 19 und 20 mit einem Abstand voneinander angeordnet,
der größer ist als der Durchmesser der in dem Chip verwendeten Blasendomäne.
Zudem sind die Stab- oder Stangenelemente 21 und 22 (gestrichelt gezeigt) wahlweise Elemente, die in der
Schaltvorrichtung vorgesehen sein können, um, wenn gewünscht, die Arbeitsweise zu optimieren. Es wird
jedoch nicht angenommen, daß die Stabelemente 21 und 22 zur Erzeugung des üblichen Betriebs des Schalters
notwendig sind.
Aus Gründen der Vollständigkeit sei bemerkt, daß die
in Fig. IA (und den anderen Figuren) gezeigten Elemente das Permalloymuster oder ein Muster aus
ähnlichem Material darstellen, und zwar definiert auf einer Magnetblasendomänenlage (rV-nt gezeigt), wie
dies bekannt ist Zudem sind die Vorspann- und Drehfelder Haund Hr in üblicher Weise angelegt
Unter gleichzeitiger Bezugnahme auf die F i g. IA und
IB und IC sei die Arbeitsweise des Schalters 100 in der
Verdopphingsbetriebsart beschrieben. Wie gezeigt, ist
ein »Verdopplung-Aus«-Betrieb dargestellt Das heißt, eine sich längs Pfad P2 (beispielsweise eine Nebenschleife)
fortpflanzende Blase wird zu einer Hauptschleife, repräsentiert durch Fortpflanzungspfad Fl,
herausverdoppelt Bei dieser Betriebsart hat sich eine Blase in Pfad P 2 in der üblichen Weise fortgepflanzt
und wurde am Scheitel 10Λ des Elements 10 empfangen. Zu diesem Zeitpunkt ist das Fe!d Hr zwischen
annähernd der 45°- bis 90°-Position, wie in Fig. IA
gezeigt Annähernd zu diesem Zeitpunkt wird ein Signal an den durch die Leiter 19 und 20 definierten Strompfad
angelegt, so daß darinnen ein Strom erzeugt wird. Dieser Strom erzeugt ein Magnetfeld um die Leiter 19
und 20 herum, was die Tendenz hat, die Blase B1 am
Scheitel iOA des Elements 10 zu veranlassen, sich zu den
Enden der Chevronspalten 17 und 18 zu strecken. Zudem werden bei der Verdrehung des Drehfelds Hr
zur 90°-Position hin die Enden der Chevronspalten 17
und 18 anziehende Magnetpole, was die Blase BX
weiterhin zur Streckung veranlaßt wie dies durch die gestrichelte Linie BV dargestellt ist, so daß sich die
Blase von der Nase XQA zu den Enden der Chevronspalten 17 und 18 erstreckt. Wenn das Feld Hr
seine Rotation fortsetzt, bewegen sich natürlich die anziehenden Magnetpole der Chevrons zu den linken
Enden der Chevrons 17 und die Blase BX wird dorthin angezogen. Die Blase B X wird jedoch noch immer von
der N'.s«· 10/4 des Elements 10 angezogen, wie dies
durch den gestrichelten Umriß der Blase B Y gezeigt ist
Bei annähernd der 135° —180°-Position von Mt wird der
Strom auf den Leitern 19 und 20 beendet üie Blase BY,
d. h. die ausgedehnte Blase, bleibt jedoch.
Wenn das Drehfeld M? die Drehung zur 270°-Position
fortsetzt, so erstreckt sich die gedehnte Blase B V vom
Scheitel der Chevronspalte 17 durch (oder nahe) Nase 10/4 zum linken Ende des Elements 10. Auf annähernd
der 270°-Position des Drehfeldes Hr wird ein sehr kurzer, spitzenartiger Stromimpuls an die Leiter 19 und
20 angelegt. Dieses Magnetfeld, welches in entsprechender
Weise ausgewählt ist, bewirkt die Abtrennung der Blase B X' an der durch λ" angedeuteten Stelle. Wenn die
ausgedehnte Blase BY geschnitten ist, schnappt der
Blasenteil am Scheitel der Chevronspalte 17 in eine einzige langgestreckte Blase an dieser Stelle, während
der untere Blasenteil in eine im wesentlichen zylindrische Blase am linken Ende des Elements IO oder am
Boden des Elements 14 abfällt, abhängig von der speziellen Position des Feldes Hr zu dieser Zeit.
Wenn das Feld Hr die Drehung fortsetzt zur 0° bis 45°-Position, so setzen die abgetrennten Blasen die
Fortpflanzung durch das Muster fort. Anders ausgedrückt setzt die ursprüngliche Blase B1 die Fortpflanzung
durch Pfad P2 fort, während die neu verdoppelte Blase B2 am rechten Ende der Chevronspalte 17
angeordnet ist. Man erkennt somit, daß zwei Blasen aus der einzigen Blase, d. h. der ursprünglich vorhandenen
Blase Bi, gebildet wurden. Diese Blasen pflanzen sich nun durch Pfad Pl und P2 unabhängig voneinander
fort.
In Fig.2A ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der
Erfindung gezeigt. Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2A gleicht im wesentlichen dem Ausführungsbeispiel
der Fig. 1A, mit der Ausnahme der Anordnung der
Chevronspalten. Das heißt, die Chevronspalten 25 und 26 weisen mit ihren Scheiteln in die entgegengesetzte
Richtung bezüglich der Spalten 17 und 18 in Fig. IA.
Die anderen Elemente der Ausführungsbeispiele sind im wesentlichen die gleichen und sind mit gleichen
Bezugszeichen versehen.
Unter gleichzeitiger Bezugnahme auf die F i g. 2A, 2B und 2C sei nunmehr die Übertragungs-Ein-Betriebsart
beschrieben. Bei der Ein-Transport-Betriebsart wird angenommen, daß eine sich durch Pfad P1 fortpflanzende
Blase zum Pfad P 2 übertragen werden soll. Die Fortpflanzung durch den Pfad PI gleicht dem üblichen
Betrieb. Wenn somit das Feld Hr die 315°-Position erreicht, so ist die Blase B X an den rechten Enden der
Chevronspalte 26 angeordnet. Kurz danach wird ein Signal an die Leiter 19 und 20 geliefert, um ein
Magnetfeld zu erzeugen, welches in effektiver Weise das Fortschreiten der Blase B 1 am Leiter 19 vorbei
blockiert. Zudem bewirkt das Feld das Strecken der Blase BX zur Nase 10,4 im Element 10 hin, wie dies
durch die Blase 8 Γ (gestrichelt gezeigt) dargestellt ist.
Die gestreckte oder gedehnte Blase ist in effektiver Weise zwischen Leiter 19 und 20 eingefangen, wenn das
Feld Hr die Rotation fortsetzt. Wenn das Feld Hr die 90°-Pcsition erreicht, so erzeugt die Nase 10Λ einen
starken Magnetpol, der in effektiver Weise die Blase derart anzieht, daß eine im wesentlichen zylindrische
Blase Bi an der Nase 10,4 positioniert ist. Die
Anziehung dieses Pols und auch die Abstcßung durch die Chevronpole bewirkt das Schrumpfen der Blase B 1,
wie dies durch den Pfeil im gestrichelten Umriß dargestellt ist. Sobald die Blase B 1 von der Nase iOA
angezogen ist, wird der Strom in Leitern 19 und 20 beendet, so daß die Blase B1 dann über die Leiter in die
Nebenschleife in normalem Ansprechen auf Feld Hr > laufen kann. Wenn infolgedessen das Feld Hr durch die
180°-Position zur 225a-Position rotiert, so bewegt sich
die Blase B i zum linken Ende des Elements 10 und von dort zum Boden des Elements 14, usw. Auf diese Weise
ist eine Blase vom Pfad Pi in den Pfad Pl transferiert
ίο oder transportiert worden.
Es sei nunmehr auf die F i g. 3A, 3B und 3C Bezug genommen, wo eine Übertragungs-Aus-Transportbetriebsart
für das Ausführungsbeispiel des Schalters 101 beschrieben ist, der ähnlich dem in Fig. 2Λ gezeigten
Schalter ausgebildet ist. Wiederum tragen gleichartige Komponenten gleiche Bezugszeichen. Bei dieser Betriebsart
wird jedoch eine Blase aus einem Pfad P2 heraus und in einen Pfad Pl transportiert. Bei diesem
Beispiel wird die Blase BX durch Elemente M, 12, 13
2" fortgepflanzt und an einem Element 10 empfangen.
Wenn das Feld Hr die 90°-Position erreicht, so ruht die Bkse B 1 an Nase 10,4 des Elements 10. Nachdem diese
Position erreicht ist, wird ein Steuersignal an Leiter 19 und 20 geliefert. Wiederum hat dieses Signal eine
geeignete Größe, Dauer und dergleichen, um die Blase B i zu veranlassen, sich längs der Leiter auszustrecken,
wie dies durch den gestrichelten Umriß B Y in F i g. 3A
und 3B gezeigt ist. Die langgestreckte Blase überlappt und steht in Berührung mit den Enden der Chevronspal-
JO ten 25 und 26 zwischen Leitern 19 und 20.
Wenn das Feld Hr annähernd die 225°-Position erreicht, so werden die linken Enden der Chevronspalten
25 starke Magnetpole, was das Anziehen der Blase B 1 daran und weg von Nase 10/4 bewirkt. Kurz danach
wird das Steuersignal an Leitern 19 und 20 beendet und die Blase B 1 schrumpft auf die in F i g. 3B angedeutete
Größe an den Enden der Chevronspalte 25. Wenn das Feld Hr die Rotation zur 315e-Position hin fortsetzt, so
bewegt sich die Blase Bi zum rechten Ende der
4P Chevronspalte 26 in üblicher Weise. Auf diese Weise
•.wurde eine Blase aus dem Pfad P 2 heraus zum Pfad Pl
übertragen.
Es wurde somit ein Ein-Niveau-Schalter gezeigt und beschrieben, bei dem ein Leiter integral im gleichen
«3 Muster wie die Fortpflanzungspfadelemente einer
Magnetblasendomänenvorrichtung ausgebildet ist. Die Leiter sind angrenzend an und integriert mit den
Komponenten in jedem der Fortpflanzungspfade. Dieser Ein-Niveau-Schalter gestattet die Einzelniveau-
;-o herstellung, kann leicht verbunden werden und benötigt
nicht unpraktikabel hohe Schaltströme.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentansprüche;1, Schaiv-f für Magnetblasendomänenvorrichtungen mit ersten und zweiten benachbart zueinander abgeschiedenen Fortpflanzungspfaden (P 2, P1), einem Übertragungselement (10), welches zwei miteinander unter einem Winkel von 90" zueinander vereinigte Arme aufweist und im ersten Fortpflanzungspfad (P2) benachbart zum zweiten Fortpflanzungspfad (P 1) angeordnet ist, ι ο und mit einem Paar von sich zwischen den ersten und zweiten Fortpflanzungspfaden erstreckenden Leiterelementen (19,20),dadurch gekennzeichnet, daß das Paar von Leiterelementen (19, 20) integral mit dem Übertragungselement (10) und mit Bestandteilen des zweiten Fortpflanzungspfades (Pl) ausgebildet ist, und das Anlegen von Stromsignalen an die ersten und zweiten Fortpflanzungspfade (P 2, PV) gestattet.Z Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, Jaß die Leiterelemente (19,20) sich mit den entsprechenden Armen des Übertragungselements (10) an einer Stelle zwischen der Armlänge schneiden.3. Schalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Übertragungselement (10) einen Vorsprung [WA) aufweist, und zwar ausgehend vom Scheitel des durch die beiden Arme gebildeten Winkels.4. Schalter nach einem der Ansprüche 1 —3, dadurch gekennzeichnet, daß das Übertragungselement (10) rine bumerangförmige Gestalt besitzt5. Schalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen an der Innenseite des Winkels befestigten Stab (22) zur Erzeugung eines verbesserten Magnetpols an diesem Winkel.6. Schalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Fortpflanzungspfad (Pi) Chevron-Spalten (17, 18; 25, 26) aufweist, die die integral mit den Leiterelementen (19,20) ausgebildeten Bestandteile sind.7. Schalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungs- oder Verdopplungsoperationen als Funktion der Lage der Chevron-Spalten bezüglich des Übertragungselements vorgenommen werden.8. Schalter nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Chevron-Spalten (25, 26) und die Übertragungselemente (10) in die gleiche Richtung weisende Scheitel besitzen.9. Schalter nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Chevron-Spalten (17, 18) gegenüber dem Übertragungselement (10) versetzt sind.10. Schalter nach einem der Ansprüche 1—9, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterelemente (19, 20) über das Übertragungselement in Serie geschaltet sind.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/820,079 US4138736A (en) | 1977-07-28 | 1977-07-28 | One level switch for magnetic bubble domain devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2833285A1 DE2833285A1 (de) | 1979-02-01 |
| DE2833285C2 true DE2833285C2 (de) | 1983-06-23 |
Family
ID=25229827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2833285A Expired DE2833285C2 (de) | 1977-07-28 | 1978-07-28 | Schalter für Magnetblasendomänenvorrichtungen |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4138736A (de) |
| JP (1) | JPS5812674B2 (de) |
| DE (1) | DE2833285C2 (de) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4370734A (en) * | 1981-04-13 | 1983-01-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Switching method for effecting replication in magnetic bubble devices |
| JPS59120632A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-12 | Toshiba Corp | ポリエステルイミド誘導体の製造方法 |
| JPS62294766A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 内燃機関点火装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3781833A (en) * | 1972-08-29 | 1973-12-25 | Bell Telephone Labor Inc | Single wall magnetic domain generator |
| JPS5441181B2 (de) * | 1973-11-08 | 1979-12-07 | ||
| JPS5548390B2 (de) * | 1974-03-11 | 1980-12-05 | ||
| JPS566067B2 (de) * | 1974-07-17 | 1981-02-09 | ||
| US4007453A (en) * | 1975-03-31 | 1977-02-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic bubble memory organization |
-
1977
- 1977-07-28 US US05/820,079 patent/US4138736A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-07-18 JP JP53088247A patent/JPS5812674B2/ja not_active Expired
- 1978-07-28 DE DE2833285A patent/DE2833285C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2833285A1 (de) | 1979-02-01 |
| US4138736A (en) | 1979-02-06 |
| JPS5432035A (en) | 1979-03-09 |
| JPS5812674B2 (ja) | 1983-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2343398A1 (de) | Magnetische schaltung | |
| DE2717254C3 (de) | Elektrische Gewebe-Schaltungsmatrix | |
| DE2232922B2 (de) | Magnetische Domänen-Übertragungsanordnung | |
| EP1391900A1 (de) | Signaltransformator sowie Verfahren zum Betrieb eines solchen Signaltransformers | |
| DE2833285C2 (de) | Schalter für Magnetblasendomänenvorrichtungen | |
| DE2734027C3 (de) | Fortbewegungselement magnetische Blasendomänen | |
| DE69120136T2 (de) | Eingangssicherstellung für magnetischen Zustand | |
| DE1258893B (de) | Einrichtung zur UEbertragung von Information von einem ersten Magnetschichtelement auf ein zweites Magnetschichtelement | |
| DE2451842A1 (de) | System zum transportieren von durch magnetfelder beeinflusste zylinderdomaenen | |
| DE1268674B (de) | Magnetspeicher mit mindestens einem roehrenfoermigen Magnetkern aus einem Material mit nahezu rechteckiger Hystereseschleife | |
| DE2223245C3 (de) | Informationsspeicher | |
| DE2539795C3 (de) | Generator zur Erzeugung magnetischer Blasendomänen | |
| DE1524770A1 (de) | Magnetischer Duennschichtspeicher | |
| DE2626496B2 (de) | Einrichtung für magnetische Blasendomänen | |
| DE1303462B (de) | ||
| DE2159443B2 (de) | Verfahren zur Formierung zylindrischer Bläschendomänen | |
| DE2833284C2 (de) | Schalter für Magnetblasendomänenvorrichtungen | |
| DE2436991A1 (de) | Weiche fuer magnetische zylinderdomaenen | |
| DE2354120C2 (de) | Anordnung zur Erzeugung einwandiger Domänen | |
| DE2654714B2 (de) | Kreuzpunkt-Schaltmatrix | |
| DE2619041A1 (de) | Elektromagnetische vorrichtung | |
| DE2317326A1 (de) | Blasendomaenen-generator mit mehreren stegen | |
| DE3611557A1 (de) | In integrierter technik hergestellter logik-array-baustein zur erstellung integrierter schaltungen | |
| DE7628065U1 (de) | Geraet zur erzeugung von domaenen mit einer einzigen wand als magnetische blasenquelle | |
| DE3133620C2 (de) | Sperrmagnetauslöser |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAP | Request for examination filed | ||
| OD | Request for examination | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |