DE2907128C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen Sonnenkollektor zum Konzentrieren
und Richten einfallender Sonnenstrahlung auf einen entlang
einer Brennlinie angeordneten Absorber, mit einer glatten,
ebenen Grundfläche, die unter einem Winkel Φ zur Normalen
auf der einfallenden Strahlung geneigt ist, und mit einer
Fläche, die von einer gestaffelten Gruppenanordnung ebener,
durch Stufensprünge voneinander getrennten Reflektoren gebildet
ist, wobei die einzelnen Reflektoren unterschiedliche
Winkel gegenüber der Horizontalen aufweisen.
Lineare Fresnel- oder Stufenreflektoren werden zunehmend für
das Konzentrieren von Sonnenenergie eingesetzt, da diese
optische Oberflächen sich sehr genau massenproduzieren lassen.
Herkömmliche Sonnenkollektoren, die mit solchen Reflektoren
arbeiten, weisen eine große Apertur auf, da sie so viel
Sonnenstrahlung wie möglich auffangen sollen. Wenn jedoch
die Apertur eines Sonnenkollektors, der eine Fläche aufweist,
die von einer gestaffelten Gruppenanordnung ebener, durch
Stufensprünge voneinander getrennter Reflektoren gebildet
ist, relativ zur Brennlänge des Sonnenkollektors groß wird,
verliert der einzelne Reflektor an Wirkungsgrad infolge
einer partiellen Abschattung der zur Brennlinie gerichteten
Strahlung durch die Stufensprünge. Folglich wird ein Teil
der auf die einzelnen Reflektoren einfallenden Strahlung
nicht auf die Brennlinie gerichtet, und es muß eine unerwünschte
Verringerung des optischen Wirkungsgrads in Kauf genommen
werden.
Dieses Problem wird deutlich bei einem bekannten Sonnenkollektor
der eingangs erwähnten Art (US 36 13 659), bei dem
auf die einzelnen ebenen Reflektoren, die unterschiedliche
Winkel gegenüber der Horizontalen aufweisen, einfallende
Lichtstrahlen auf den entlang einer Brennlinie angeordneten
Absorber gerichtet werden. Bei diesem bekannten Sonnenkollektor
werden jedoch Teile der von den einzelnen Reflektoren reflektierten
Strahlung von den Stufensprüngen abgefangen, so
daß nicht alle auf die gestaffelte Gruppenanordnung der
ebenen, nicht die Stufensprünge voneinander getrennte
Reflektoren einfallende Strahlung zum Absorber gelangt.
Bekannt ist auch aus der DE-PS 2 63 950, den Absorber eines
Sonnenkollektors in der Brennlinie einer Reihe von Spiegeln
anzuordnen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Sonnenkollektor
der eingangs erwähnten Art so zu gestalten, daß
die Reduzierung jeglicher Abschattung der einfallenden oder
reflektierten Sonnenstrahlung vor dem Auftreffen auf die
Brennlinie erzielt wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß jeder
der einzelnen ebenen Reflektoren zur Grundfläche unter einem
Winkel α′ geneigt ist, dessen Größe kleiner oder gleich Null,
aber größer als oder gleich dem negativen Winkel -Φ ist, wodurch
keine Abschattung der einfallenden oder reflektierten Strahlung
durch die Stufensprünge erfolgt.
Der erfindungsgemäße Sonnenkollektor erweist sich insbesondere
dadurch so vorteilhaft, daß aufgrund der gewählten Winkelverhältnisse
sichergestellt ist, daß die gesamte auf den
Reflektor eingestrahlte Sonnenenergie auf den Absorber
reflektiert wird, da die Summe der einzelnen Reflektorflächen
wegen ihrer teilweisen Überdeckung in Richtung
Sonnenachse größer ist als die Gesamtreflektoroberfläche.
Der erfindungsgemäße Sonnenkollektor kann in Form einer
mit einer herkömmlichen Tragplatte kombinierten dünnen
Polymerisatfolie ausgebildet sein, die eine glatte, ebene
Grundfläche, die unter einem Winkel Φ zur Normalen auf der
einfallenden Strahlung geneigt ist, und eine Fläche aufweist,
die von der gestaffelten Gruppenanordnung ebener, durch
Stufensprünge voneinander getrennter Reflektoren gebildet
ist, die jeweils unter einem vorbestimmten Winkel α′ zur
ebenen Grundfläche der Folie geneigt sind. Die Polymerisatfolie
ist auf der Tragplatte aufgeklebt. Die Stufensprünge
sind vertikal zur ebenen Grundfläche gerichtet.
Zur Verdeutlichung der geometrischen Zusammenhänge zwischen
den Neigungswinkeln α′ der einzelnen Reflektoren zur Grundfläche
und dem minimalen Neigungswinkel Φ der Grundfläche zur
Normalen auf die einfallende Strahlung werden zwei rechtwinklige
Koordinatensysteme XY und X′Y′ eingeführt. Im XY-
Koordinatensystem liegt die X-Achse rechtwinklig zur einfallenden
Sonnenstrahlung, die Y-Achse vertikal, parallel
zur einfallenden Strahlung. Im X′Y′-Koordinatensystem liegt
die X′-Achse entlang der ebenen Grundfläche und die Y′-Achse
rechtwinklig zu dieser. Die Grundfläche wird so gedreht,
daß die Neigung des einzelnen ebenen Reflektors im X′Y′-
Koordinatensystem negativ und bezüglich des XY-Koordinatensystems
positiv ist. Diese Änderung der Neigung bringt die
Stufensprünge aus dem Weg der einfallenden und der reflektierten
Strahlung, so daß die Abschattung entfällt. Jeder
Reflektor hat eine negative Neigung bezüglich des X′Y′-Systems
und ist daher als negativer Winkel in diesem Koordiantensystem
definiert. Diese geometrische Bedingung, die den
minimalen Neigungswinkel Φ festlegt, der erforderlich ist,
um die Abschattung durch die Reflektorstufen zu erreichen,
erfordert, daß der Winkel α′ kleiner als oder gleich Null
und größer als oder gleich dem negativen Winkel -Φ ist.
Ein Paar der beschriebenen Sonnenkollektoren kann zu einer
V-Struktur zusammengesetzt werden, in der die Sonnenkollektoren
symmetrisch um die Winkelhalbierende des Scheitelwinkels
der V-Struktur liegen. Bei dieser Ausführungsform
fokussiert jeder Reflektor einfallende Sonnenstrahlung auf
eine Brennlinie, die auf dieser Winkelhalbierenden des
Scheitelwinkels der V-Struktur liegt. Die Platten der
Sonnenkollektoren können in dieser V-Struktur durch einen
starren Lagerrahmen gestützt werden. Es kann auch eine Vielzahl
unmittelbar aneinandergrenzender Platten eingesetzt
werden, die jeweils unter unterschiedlichen minimalen
Neigungswinkeln Φ geneigt sind.
Für eine genaue Fokussierung ist es erforderlich, daß jeder
Winkel α′ bezüglich der Brennlinie genau eingestellt wird.
Ein Fehler von Δα′ des Winkels α′ ergibt eine Strahlabweichung
d. Mit ΔR=2Δα′ erhält man also d=D ΔR. Die
Winkelfehler Δα′ können sich aus Ungenauigkeiten des die
Polymerisatfolie prägenden Mutterstempels, aus Unebenheiten
der Platte und aus Fehlern bei der Plattenausrichtung ergeben.
In guter Näherung ist die Abweichung des Strahls im rechten
Winkel zum Strahl nahe der Brennlinie d=D ΔR, wobei D die
Entfernung vom Reflektor zum Absorber ist. Es ergibt sich
eine Defokussierung nahe des Absorbers. Das Ausmaß der
Dekofokussierung hängt von der Entfernung der Brennlinie zum
jeweiligen Reflektor ab. Beim erfindungsgemäßen Sonnenkollektor
ist in vorteilhafter Weise auch die mittlere Entfernungsänderung
jedes Reflektors von der Brennlinie reduziert, so
daß bezüglich der einfallenden Strahlung eine bessere
Fokussiereinstellung möglich wird.
Ist die gestaffelte Gruppenanordnung der ebenen, durch
Stufensprünge voneinander getrennten Reflektoren des
Sonnenkollektors unmittelbar der einfallenden Strahlung
ausgesetzt, so erfordert die geometrische Bedingung, die
eine Abschattung durch die Stufensprünge durch eine
Neigungsumkehr der ebenen Reflektoren verhindert, daß
Φ α0 oder -Φ α′0 mit α′=α-Φ ist.
Befindet sich die gestaffelte Gruppenanordnung der ebenen,
durch Stufensprünge voneinander getrennten Reflektoren auf
der der einfallenden Strahlung abgewandten Seite der
Polymerisatfolie, so erfordert die geometrische Bedingung,
die die Abschattung durch die Stufensprünge mit einer
Neigungsumkehr eliminiert, daß Φ a0 oder -Φ α′0 mit
α′=α-Φ ist. Die Tatsache, daß α immer größer als 0 ist,
ergibt sich aus der Brechung an der transparenten Oberfläche
dieser Ausführungsform des Sonnenkollektors, die gegen
Witterungseinflüsse geschützt ist.
Bevorzugte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Sonnenkollektors
werden nun anhand der Zeichnungen erläutert. In
diesen sind
Fig. 1 ein schematisierter Aufriß des Sonnenkollektors,
wobei das Koordinatensystem definiert ist, das zur
Beschreibung der Geometrie des Sonnenkollektors
dient,
Fig. 2 ein schematisierter Aufriß des Sonnenkollektors,
wobei die Kontrolle des Fokussierfehlers des
Sonnenkollektors verdeutlicht wird,
Fig. 3 ein schematisierter Aufriß einer Ausführungsform
des Sonnenkollektors, bei der die einzelnen ebenen
Reflektoren der einfallenden Strahlung unmittelbar
ausgesetzt sind,
Fig. 4 ein schematisierter Aufriß einer anderen Ausführungsform
des Sonnenkollektors, bei der die einzelnen
ebenen Reflektoren auf der der einfallenden Strahlung
abgewandten Seite eines transparenten Plattenaufbaus
vorgesehen sind,
Fig. 5 ein schematisierter Aufriß einer weiteren Ausführungsform
des Sonnenkollektors mit einer geeigneten
Lagerung für diesen,
Fig. 6 ein schematisierter Aufriß eines speziellen Beispiels
des Sonnenkollektors, in dem die geometrischen
Parameter zur Darstellung des Kollektorwirkungsgrades
definiert sind, und
Fig. 7 eine graphische Darstellung der effektiven Apertur
und Plattenlänge als Funktion des halben Aufnahmewinkels.
Bei der Ausführungsform des Sonnenkollektors gemäß Fig. 1
weist dieser eine Fläche auf, die von einer gestaffelten
Gruppenanordnung ebener, durch Stufensprünge voneinander
getrennter Reflektoren 21 gebildet ist. Jeder der einzelnen
ebenen Reflektoren 21 der gestaffelten Gruppenanordnung
des Sonnenkollektors ist unter einem Winkel α′ zu einer
ebenen, glatten Grundfläche 20 geneigt, die unter einem
Winkel Φ zur Normalen auf der einfallenden Strahlung geneigt
ist. Der Winkel α′ ist dem Winkel Φ zugewandt, der zwischen
der Grundfläche 20 und der X-Achse liegt, die rechtwinklig
zur einfallenden Sonnenstrahlung verläuft. Zur Definition
der Neigung der ebenen Reflektoren 21 werden zwei Koordinatensysteme
XY und X′Y′ eingeführt. Im XY-System hat jeder ebene
Reflektor 21 eine positive Neigung. Wird die Neigung des
ebenen Reflektors 21 im X′Y′-Koordinatensystem gesehen, so
kehrt sich diese bezüglich des XY-Koordinatensystems um. Dadurch
kann jeder einfallende Lichtstrahl, der auf den ebenen
Reflektor 21 trifft, ohne Abschattung durch die Stufensprünge
auf eine Brennlinie gerichtet werden. Für eine gegebene
Auffangapertur A ist der minimale Winkel Φ derjenige Neigungswinkel,
der für alle ebenen Reflektoren 21 im XY-System eine
positive Steigung ergibt, während einfallendes Licht von jedem
ebenen Reflektor 21 auf einen auf der Brennlinie angeordneten
Absorber 23 gerichtet wird.
Wie in Fig. 2 gezeigt, werden die einfallenden Sonnenstrahlen
24, 25, 26 immer zum Absorber 23 reflektiert, und die die
Reflektoren 21 trennenden Stufensprünge schatten die einfallende
oder reflektierte Sonnenstrahlung nie ab.
Aus Fig. 2 geht die Möglichkeit einer verbesserten Fokussiersteuerung
des Sonnenkollektors hervor, wobei die den ebenen
Reflektoren 31, 32, 33, 34 jeweils entsprechenden Winkel
α′₃₁ bzw. α′₃₂ bzw. α′₃₃ bzw. α′₃₄ so gewählt
sind, daß einfallende Sonnenstrahlung auf einen entlang der
Brennlinie angeordneten Absorber 39 fokussiert wird, wenn
die ebene Grundfläche unter dem minimalen Winkel Φ geneigt
ist. Abweichungen Δα′ jedes Neigungswinkels α′ der einzelnen
ebenen Reflektoren 31, 32, 33, 34 zur Grundfläche 20, die von
einer Platte gebildet sein kann, können durch Ungenauigkeiten
bei der Herstellung des Mutterstempels, durch Unebenheiten
der Platte sowie durch Ausrichtfehler der Platte hervorgerufen
werden. Diese Abweichungen bewirken, daß ein Strahl um ΔR
von der Brennlinie fehlgerichtet wird. Das Ausmaß dieser
Defokussierung läßt sich in guter Näherung zu d=D ΔR
angeben, wobei D die Entfernung zwischen dem Reflektor 33
und dem Absorber 39 auf der Brennlinie ist.
Der geneigte Sonnenkollektor minimiert die mittlere Variation
der Entfernungen D von jedem der ebenen Reflektoren zum
Absorber 39 über die Apertur der gestaffelten Gruppenanordnung
des Sonnenkollektors. Die entfokussierende
Variation über die Apertur der geneigten gestaffelten
Gruppenanordnung der ebenen, durch Stufensprünge voneinander
getrennten Reflektoren des Sonnenkollektors fällt verhältnismäßig
wenig ins Gewicht, und eine mögliche Aufspreizung
der Brennlinie kann unter Kontrolle gehalten werden, was sich
günstig auswirkt, wenn der Wirkungsgrad eines linienförmigen
Absorbers 39 in der Brennlinie stark vom aufgenommenen Energiefluß
abhängt.
Bei der in Fig. 3 dargestellten Ausführungsform des Sonnenkollektors,
bei der die einzelnen ebenen Reflektoren 40
ebenfalls unmittelbar der einfallenden Strahlung ausgesetzt
sind, sind die ebenen Reflektoren 40 in eine Polymerisatfolie 41
eingeformt, die mit einem Kleber 42 auf eine flache Platte 43
aufgeklebt ist. Ein geeigneter reflektierender Belag 44 ist
auf die ebenen Reflektoren 40 aufgebracht. Die Grundfläche
des Sonnenkollektors ist unter dem Winkel Φ zur Normalen
auf der einfallenden Sonnenstrahlung geneigt.
Bei der aus Fig. 4 hervorgehenden Ausführungsform des Sonnenkollektors
sind die einzelnen ebenen Reflektoren 50 auf der
Unterseite einer transparenten Polymerisatfolie 51 ausgebildet
und tragen einen geeigneten reflektierenden Belag 52. Dieser
reflektierende plattenartige Aufbau 53 ist mit geeigneten
Mitteln 54 auf einer flachen Tragplatte 55 befestigt. Diese
Ausführungsform des Sonnenkollektors erweist sich insbesondere
dadurch als vorteilhaft, daß der auf den einzelnen ebenen
Reflektoren 50 befindliche reflektierende Belag 52 vor der
Umwelt geschützt und letzterer nur eine glatte ebene Fläche 57
des plattenartigen Aufbaus 53 ausgesetzt ist, die mit einem
geeigneten verschleißfesten oder reflexionsunterdrückenden
Belag versehen sein kann.
Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform des Sonnenkollektors
mit einer geeigneten Lagerung für gestaffelte Gruppenanordnungen
ebener, durch Stufensprünge voneinander getrennter
Reflektoren, die jeweils in Platten 61 und 62 ausgebildet
und der einfallenden Sonnenstrahlung direkt ausgesetzt sind.
Eine starre Tragvorrichtung 60 hält die Platten 61 und 62
und richtet diese in bezug auf einen linienförmigen Absorber
63 aus. Es ist auch möglich, die entsprechende Halterung
mit Sonnenkollektoren in der Ausführung nach Fig. 4 zu
kombinieren.
Fig. 6 gibt einen schematisierten Aufriß eines speziellen
Beispiels eines Sonnenkollektors der in Fig. 3 gezeigten
Art wieder, wobei die geometrischen Parameter zur Darstellung
des Kollektorwiderstandes definiert sind. Der die Sonnenenergie
aufnehmende Absorber liegt in der Brennlinie des
Sonnenkollektors in einer Entfernung FD vom Scheitel der
Plattenanordnung entfernt. Der Absorber kann z. B. eine
Photozelle oder ein Wärme aufnehmendes Rohr sein. Der halbe
Aufnahmewinkel γ am Absorber wird vom Konstrukteur abhängig
von der Art des Absorbers gewählt, auf das der Konstrukteur
die einfallende Sonnenenergie bündeln will. Wenn der halbe
Aufnahmewinkel q bestimmt ist, läßt sich der minimale Winkel
Φ des Sonnenkollektors, unter dem dessen Grundfläche zur
Normalen der einfallenden Strahlung geneigt ist und der eine
Abschattung durch die Stufensprünge ausschließt, aus der
Beziehung Φ=γ/2 bestimmen. Die erforderliche Plattenlänge
PL kann dann aus der Beziehung PL=FD · sin γ cos Φ errechnet
werden. Die effektive Apertur des gesamten Sonnenkollektors
wird EA=PL · cos Φ. Im speziellen Fall war FD=1219 mm,
Φ=30°, a=60° und EA=1056 mm. Die nachfolgende Tabelle
gibt repräsentative Werte von X′, α′ und α an, wobei α der
Winkel der ebenen Reflektoren im XY-System und X′ der Ort
jedes ebenen Reflektors entlang der Platte ist.
Eine flache Platte (Φ=0°) der gleichen äquivalenten Apertur
und Brennweite hat infolge der Abschattung durch die Stufensprünge
einen berechneten Verlust von 9,2% (quadratischer
Mittelwert über die gestaffelte Gruppenanordnung). Die Ausführungsform
des Sonnenkollektors, wie sie im Zusammenhang
mit Fig. 6 diskutiert ist, erweist sich daher etwa 9%
wirkungsvoller als die flache Platte, für die Φ=0° ist.
Fig. 7 zeigt im Diagramm die Wirkung des halben Aufnahmewinkels
auf die Plattenlänge und die wirksame Apertur des
Sonnenkollektors mit einer Brennweite FD von 1219 mm. Obgleich
aus dem Diagramm ersichtlich ist, daß halbe Aufnahmewinkel
zwischen 0° und 180° ohne Abschattung theoretisch
möglich sind, fällt die effektive Apertur des Sonnenkollektors
nach diesen Werten fast auf Null ab. Der in der Wertetabelle
und in Fig. 6 dargestellte spezielle Fall ist im Diagramm
markiert. Es ist aus dem Diagramm zu ersehen, daß, je größer
der halbe Aufnahmewinkel ist, desto größer die erforderliche
Plattenlänge wird, um eine gegebene effektive Apertur zu
erreichen. Ein halber Aufnahmewinkel von 90° ist jedoch
praktisch erreichbar, was mit einem herkömmlichen Sonnenkollektor
nicht möglich wäre.
Um größere effektive Aperturen oder Aufnahmewinkel zu erreichen,
können mehrere aneinandergrenzende Sonnenkollektoren vorgesehen
werden, wobei eine Abschattung durch die Stufensprünge
der Sonnenkollektoren vermieden wird und eine
individuelle Einstellung der Neigungswinkel der einzelnen
Sonnenkollektoren möglich ist.
Bei sehr großer Apertur kann eine geringe Abschattung durch
Stufensprünge akzeptabel sein, wobei dann die plattenartigen
Sonnenkollektoren in den Bereich der Abschattung
hinein verlängert werden können.
Claims (1)
- Sonnenkollektor zum Konzentrieren und Richten einfallender Sonnenstrahlung auf einen entlang einer Brennlinie angeordneten Absorber, mit einer glatten, ebenen Grundfläche, die unter einem Winkel Φ zur Normalen auf der einfallenden Strahlung geneigt ist, und mit einer Fläche, die von einer gestaffelten Gruppenanordnung ebener, durch Stufensprünge voneinander getrennten Reflektoren gebildet ist, wobei die einzelnen Reflektoren unterschiedliche Winkel gegenüber der Horizontalen aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der einzelnen ebenen Reflektoren (21; 31, 32, 33, 34; 40; 50) zur Grundfläche (20) unter einem Winkel (α′) geneigt ist, dessen Größe kleiner oder gleich Null, aber größer als oder gleich dem negativen Winkel (-Φ) ist, wodurch keine Abschattung der einfallenden oder reflektierten Strahlung durch die Stufensprünge erfolgt.
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