DE3100330A1 - Vorrichtung zur epitaktischen ablagerung einer halbleitermaterialschicht - Google Patents
Vorrichtung zur epitaktischen ablagerung einer halbleitermaterialschichtInfo
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Description
PHN 9665
"Vorrichtung zur epitaktischen Ablagerung einer Halbleitermaterialschicht"
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur epitaKtischen
Ablagerung einer Halbleitermaterialschicht auf
richtung einen Schlittenmechanismus enthält, der mit einer Behälteraufnahme mit mindestens einem auf der Unterseite
offenen Behälter und mit einem die Unterseite der Behälteraufnahme verschließenden Schieber versehen ist, der mit
mindestens einer öffnung zum Abtrennen einer Schmelze aus einem Behälter der Behälteraufnahme versehen ist, wobei
diese Vorrichtung weiter einen Substrathalter enthält, in dem mindestens eine Aussparung zur Aufnahme eines Substrats
vorgesehen ist.
Eine derartige Vorrichtung ist aus der US-PS 3 690 965 bekannt. Bei dieser beKanten Vorrichtung wird eine definierte
Menge einer Schmelze aus dem verhältnismäßig großen Behälter in der Öffnung des Schiebers abgetrennt und auf
dem sich unter der öffnung befindenden Substrat eine epitaKtische Schicht anwachsen gelassen. Zur reproduzierbaren
Erzeugung einer Schicht auf einem folgenden Substrat wird eine neue Menge Schmelze aus dem Behälter benutzt.
Zunächst muß Jedoch die in der öffnung des Sdlebers vorhandene
verwendete Menge Schmelze entfernt werden. Dazu sind bei der bekannten Vorrichtung in dem Substrathalter
eine Anzahl von Aussparungen vorhanden, in denen die verwendete Schmelze abgelagert werden kann. Dieser bekannten
Vorrichtung haften Nachteile an. Die Aussparungen zur Ablagerung der Schmelze in dem Substrathalter führen dazu,
daß die Abmessungen des Schlittenmechanismus verhältnismäßig groß werden. Dadurch, daß sich zu beiden Seiten einer
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Lagerung für ein Substrat eine derartige Aussparung befindet, muß das Substrat bereits unter der öffnung
in dem Schieber liegen, wenn diese Öffnung aus dem Behälter mLt der Schmelze gefüllt wird. Der Anwachsvorgang
einer Schicht auf dem Substrat fängt dabei sofort an. Beim Erzeugen dicker Schichten, wie bei der bekannten Vorrichtung,
ist dies noch zulässig. Wenn Jedoch eine Schicht mit einer genauen sehr geringen Dicke erzeugt werden soll,
ist die bekannte Vorrichtung nicht geeignet. Die weniger günstige Hantierbarkeit des Schlittenmechanismus führt
weiter dazu, daß sich mit der bekannten Vorrichtung schwer mehrere Schichten auf einem Substrat erzeugen lassen.
Die Erfindung hat die Aufgabe, eine Vorrichtung eingangs erwähnter Art zu schaffen, bei der Maßnahmen getroffen
sind, um zu vermeiden, daß die verwendete Schmelze zu dem Substrathalter abgeleitet wird, wobei die Abmessungen
des Schlittenmechanismus innerhalb zulässiger Grenzen gehalten werden, und wobei eine große Freiheit in der Betätigung
der Vorrichtung erhalten wird, die die Vorrichrung u.a. für die Erzeugung mehrerer Schichten auf einem
Substrat geeignet macht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Schlittenmechanismus ein Schmelzenauffanggefäß enthält,das
sich unter der Behälteraufnahme befindet, wobei der Substrathalter in bezug auf das Schmelzenauffanggefäß verschiebbar
ist und bei Verschiebung eine öffnung in dem
Schmelzenabtrennungsschieber freigeben kai:*;, ur« in
dieseT öffnung vorhandene Schmelze in dem Schmelzenauffanggefäß
sbzulagern.
Dadurch, daß der Substrathalter in bezug auf den Schmelzenabtrennungsschieber
verschoben wird, kann eine öffnung in dem Schieber freigegeben werden, wobei die in der öffnung
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d en« äehmelae in dein ochmelzenauffangtiegei
abgeführt wird. Dadurch, daß der Substrathalter nicht mit Schmelzenauffangmitteln versehen ist, ist die Hantierbartceit
erheblich verbessert. Der Substrathalter und der Schmelzenabtrennungsschieber Können solange betätigt
werden, daß nacheinander eine Anzahl von Schichten verschiedener Zusammensetzung auf einem Substrat anvachsen.
Dabei Kann das Substrat mit der Schmelze an einer Stelle seitlich des Vorratsbehälters bei einer derartigen Temperatur
in KontaKt gebracht werden, daß das Anwachsen einer Schicht aus der gerade gesättigten Schmelze anfängt, was
zu einer sehr gut definierten SchichtdicKe führt. Die Vorrichtung eignet sich auch dazu, für diesen ZwecK das
"Source-Seed"-Verfahren anzuwenden, bei dem zunächst auf einem Blindelement eine Schicht abgeschieden wird, um
die Schmelze in den Sättigungszustand zu bringen. Dann wird das eigentliche Substrat unter die Schmelze gebracht.
Dadurch, daß das Anwachsen aus der Schmelze erfolgt, die sich gerade im Sattigungszustand befindet, Kann auch eine
sehr geringe SchichtdicKe genau erhalten werden. U.a. dadurch, daß der Substrathalter und die Schmelzenauffangmittel
geschlossen werden, Kann der Substrathalter leicht außerhalb des Epitaxieofens angeordnet werden. Die
Schmelze Kann dann in dem Ofen auf die verlangte Temperatur gebracht und entgast werden, was ziemlich viel Zeit
in Anspruch nimmt. Die Zusammensetzung der sich außerhalb des Ofens befindenden Substrate wird durch diese Temperaturbehandlung
nicht beeinflußt. Ytenn sich die Schmelze in dem richtigen Zustand befindet, wird ein Substrat in
den Ofen geführt und in Kurzer Zeit auf die gewünschte Temperatur gebracht,und es werden eine oder mehrere
Schichten auf dem Substrat abgeschieden. Der Substrathalter Kann dann aus dem Ofen entfernt werden, wonach
ein neues Substrat eingeführt werden Kann, um darauf eine oder mehrere epitaKtische Schichten abzulagern. Es
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ist dabei vorteilhaft, daß nicht stets der ganze Aufheizzyklus des Ofens durchgeführt zu werden braucht.
Bei einer Ausführungsform nach der Erfindung ist in dem Schlittenmechanismus eine Verriegelung zur Verriegelung
der Lage des Schmelzenabtrennungsschiebers in bezug auf die Behälteraufnahme vorhanden. Damit wird erreicht, daß
nicht irrtümlicherweise ein falscher Vorgang durchgeführt werden kann, der das Anwachsen einer Schicht stört.
Außerdem wird der Schieber automatisch in die gewünschte Lage gebracht.
Vorzugsweise besteht die Verriegelung aus einem in senkrechter Richtung bewegbaren Schieber, wobei in dem Schmelzenabtrennungsschieber
ein Schlitz vorhanden ist, in den ein Teil des Verriegelungsschiebers herabsinken kann.
Der Verriegelungsschieber kann auch beim Bestimmen der Lage des Substrathalters verwendet werden. Dazu sind nach
einer weiteren Ausfuhrungsform der Erfindung in dem Substrathalter
Aussparungen geringer Tiefe vorhanden, die mit der Unterseite des VerrLegelungsschiebers in Kontakt geraten
können und dabei als Fühler für die Lage des Substrathalters wirken.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.
Es zeigen:
Fig. 1 bis 6 einen Längsschnitt durch eine Vorrichtung
zum epitaktischen Anwachsen von Schichten in verschiedenen Stufen der Anwachsvorg.ngs,
Fig. 7 einen Querschnitt durch die Vorrichtung, Fig. 8 eine Einrichtung, mit der eine Änderung der
Zusammensetzung eines Substrats beim Auf
heizen verhindert werden kann, im Schnitt,
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Fig. 9 einen Längsschnitt durch eine Vorrichtung nach
der Erfindung mit einem Verriegelungsmechanismus, Fig. 10 eine Draufsicht auf einen T^iI der Vorrichtung
nach Fig. 9, und
Fig. 11 einen Querschnitt durch diese Vorrichtung an der Stelle des Verriegelungsmechanismus.
In den Figuren ist eine Behälteraufnahme mit 1 bezeichnet. Im dargestellten Ausführungsbeispiel befinden sich in
der Behälteraufnahme vier Behälter 2, 3, 4, 5, die je eine Lösung 6, 7, 8 bzw. 9 enthalten. Die Behälter weisen auf
der Unterseite je eine öffnung 10, 11, 12 bzw. 13 auf. Diese öffnungen Können mittels eines Schiebers 14 verschlossen
werden. Der Schieber 14 wird z.B. durch eine Aussparung 20 (Fig. 7) in den Längswänden der Behälteraufnahme 1 geführt;
er weist einen Anschlag 21 und eine Arretierung 27 für einen Substrathalter £äcT)er Schieber 14 weist in der dargestellten
Ausführungsform vier öffnungen 15, 16, 17,13
auf. Unter der Behälteraufnahme 1 befindet sich ein Schmelzenauffanggefäß 19. Zwischen dem Schmelzenauffanggefäß
19 und dem Schieber 14 ist der Substrathalter 22 bewegbar (Fig. 2), in dem sich im dargestellten Ausführungsbeispiel zwei Aussparungen 23, 24 befinden, in denen
Substrate 25 und 26 angebracht werden Können.
Die Behälteraufnähme 1, der Schieber 14, der Substrathalter
22 und das Schmelzenauffanggefäß 19 sind vorzugsweise aus reinem Graphit hergestellt. Sie Können in ein
der ÜbersichtlichKeit halber nicht dargestelltes Cfenrohr,
z.B. aus Quarzglas, aufgenommen werden. Dieses Ofenrohr Kann mit nicht dargestellten Heizelementen, z.B. in Form
außerhalb des Ofens angeordneter Heizwendel, erhitzt werden. Das epitaKtische Anwachsen einer oder mehrerer
Schichten auf einem Substrat kann auf die nachstehend zu beschreibenden Weisen erfolgen. Dabei ist ein Beispfel ge-
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wählt, bei dem eine LaserdiodenstruKtur mit doppeltem
HeteroÜbergang ("DH-Laser") dadurch hergestellt wird, daß auf einem GaAs-Substrat eine Anzahl von Schichten
aus GaAs und GaAlAs abgeschieden werden. Es 1st einleuchtend, daß auch andere Anwendungen möglich sind, z.B.
die Herstellung einer Leuchtdiode. Auch Können andere Verbindungen oder Gemische aus der Grupoe III-V des
periodischen Systems Anwendung finden.
Die Behälteraufnähme 1 wird mit einem Material versehen,
das auf einem Substrat abgeschieden v/erden muß. Dazu Können in den Behältern 2 - 5 Ga, GaAs, Al und Dotierungselemente
in einer derartigen Zusammensetzung angebracht worden, daß bei den betreffenden Anwachstemperaturen Schichten aus
P-leitendem GaAs, P-leitendem GaAlAs, GaAs und N-leitendem
GaAlAs abgeschieden werden Können.
Die Behälter sind verhältnismäßig groß; es paßt eine derartige Menge Material hinein, daß für eine große Anzahl
von Substraten jeweils eine neue Menge Lösung zum epitaK-tischen Anwachsen einer Schicht verwendet werden Kann.
Ein weiterer Vorteil dabei ist der, daß das Abwägen der Materialien genau erfolgen Kann und Keine Abweichung von
der gewünschten Zusammensetzung der aufeinanderfolgenden Füllungen der Behälter auftritt. Die Vorrichtung nach
Fig. 1 wird dann in das nicht dargestellte Ofenrohr gebracht. Das in den Behältern vorhandene Material wird dort
geschmolzen und die Lösungen 6, 7, 8 und 9 wet Jen geraume Zeit auf einer Temperatur oberhalb der Anwo-hstemperatur,
z.B. + 85O0C gehalten, um zu homogenisieren und zu entgasen.
Anschließend wird der Substrathalter 22 in das Ofenrohr geführt, um in den Schlittenmechanismus geführt zu werfen,
wie in Fig. 2 dargestellt ist. In dem Substrathalter 22 befinden sich im dargestellten AusfUhrungsbeispiel zwei
Substrate 25 und ?6 aus GaAs. Das Substrat 25 wird nach
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dem Anwachsen einer Schicht eine DH-LaserstruKtur bilden; das Substrat 26 iab ein sogenanntes Source-Substrat oder
Blindsubstrat, das dazu dient, dafür zu sorgen, daß sich die Lösungen in der KontaKtflache mit dem Blindelement
gerade im Sattigungszustand befinden werden.
Die Substrate 25 und 26 müssen, bevor das epitaKtische Anwachsen der Schichten aus den Lösungen anfängt, auf die
im Ofen herrschende Temperatur gebracht werden, was etwa eine Viertelstunde in Anspruch nimmt. Um zu vermeiden,
daß dabei die Lösungen in den Behältern starK abKilhlen,
J^ wobei AusKristallisation stattfinden Kann, werden die
Substrate vorzugsweise auf Temperatur gebracht, bavor der Substrathalter 22 in den Schlittenmechanismus geschoben
wird. Um beim Aufheizen der Verdampfung von Arsen aus den Substraten entgegenzuwirKen, Können sie abgedecKt werden,
wobei dafür gesorgt wird, daß sich über den Substraten Arsendampf mit einem den GleichgewichtsdampfdrucK von
Arsen überschreitenden oder unterschreitenden DampfdrucK in KontaKt mit GaAs bei der herrschenden Ofentemperatur
befindet. Letzteres Kann dadurch erzielt werden, daß eine GaAs-Scheibe 37 über den Substraten angeordnet wird (vgl.
Fig. 8), aber es ist auch möglich, in einem Kleinen Raum über den Substraten den Arsendampf aus einer seitlich der
f" 25 Substrate angeordneten Arsendampfquelle zu bilden. Wenn der
Substrathalter in den Schlittenmechanismus geführt wird, bis er gegen die Arretierung 27 des Sdlebers 14 stößt,
werden die Substrate 25 und 26 von der unteren Fläche des Schiebers 14 abgedecKt.
30
Fig. 3 zeigt die Situation, in der der Schieber 14 derart in bezug auf die Behälteraufnahme 1 angeordnet ist, daß
die öffnungen 15 - 18 je unter einer öffnung der Behälter
2 bis 5 liegen. Der Anschlag 21 sorgt dabei für die richtige Einstellung der gegenseitigen Lage. In den öffnungen 15 18
fließt eine Menge Lösung mit der Zusammensetzung des im zugehörigen Behälter vorhandenen Materials. Zur Her-
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Stellung flor obengenannten DH-LanerntruKtur Können dips
für die öffnungen 15 - 1ß Lösungen der in don Behältern
.?. - 5 angobrachten Matortnlien sein, nun denen Schichten
äü§ P-löifcefifiiffl QaAs, P-leiteriäfeä GaAiAs, GaAs bzw. N-leitendem
GaAlAs abgeschieden werden Können.
Der Schieber 14 wird zusammen mit dem Substrathalter 22 in die Lage nach Fig. 4 gebracht, wobei in den öffnungen 15 18
eine definierte Menge der Lösung 6, 7, 8, 9 aus den Behältern 2-5 abgetrennt ist. Die Temperatur des Ofens
wird dann ziemlich schnell auf eine Temperatur herabgesetzt, bei der die Lösungen in den öffnungen 18 und 17 im
Gleichgewicht oder nahezu im Gleichgewicht mit den Substraten 25 und 26 sein werden.
Das epitaKtische Anwachsen einer ersten Schicht erfolgt
aus einer in Fig. 5 dargestellten Lage, wobei die Substrate 25 und 26 unter die öffnungen 18 und 17 gebracht
sind, dadurch, daß der Substrathalter 22 in bezug auf den Schieber 14 verschoben wird. Die Temperatur im Ofen wird
sehr langsam herabgesetzt, wobei aus den Lösungen in den Öffnungen 18 und 17 eine Schicht auf den Substraten 25 und
26 anwächst. Auf dem Substrat 25 wächst eine erste Schicht aus N-leitendem GaAlAs an; auf dem Blindelement 26 wächst
eine Schicht aus GaAs an. Das Blindelement 26 wird nicht zur Herstellung eines brauchbaren Erzeugnisses benutzt,
sondern dient dazu, sicherzustellen, daß infolge des Anwachsvorgangs die Berührungsoberfläche der Lösung sich
gerade im Sättigungszustand befindet.
Nachdem eine erste Schicht angewachsen ist, wird der Substrathalter
in die Lage nach Fig. 6 verschoben. Die in
"■ der Öffnung 18 vorhandene Lösung wird dabei in das Schmelzenauf
fimggefäß 19 abgeführt und ist dort als Schmelzenrest R
vorhanden. Das Substrat 25 befindet sich nun unter der Öffnvng 17. Die BerührungsoberflMche der Lösung in der
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öffnung 17 mit dem Substrat 25 befindet sich gerade im
SMttigungszustand infolge des Anwachsvorgangs auf dem
Blindelement 26. Die Anwendung des Blindelementes 26 hat
dazu geführt, daß der Beitrag zur AnwachsgeschwindigKeit infolge unerwünschter über- oder Untersättigung in bezug
auf die durch das langsame AbKühlen der Lösung erhaltene AnwachsgeschwindigKeit vernachlässigbar geworden ist. Die
DicKe der abzuscheidenden Schicht kann sehr genau mit Hilfe der AbKühlungsgeschwindigKeit und der Zeitdauer
bestimmt werden. Beider Herstellung der DH-La s er struktur en mit sehr geringer Schichtdicke ist dies von besonderer
Bedeutung. Wie bereits ausgeführt wurde, besteht die zweite auf dem Substrat 25 abzuscheidende Schicht aus GaAs.
Das Blindelement 26 befindet sich unter der öffnung 16 und sorgt dafür, daß die Berührungsoberfläche der Lösung
in diese öffnung gebracht wird.
Nacheinander werden auf dem Substrat 25 vier Schichten epitaktisch abgeschieden. Jeweils wenn der Substrathalter
22 in bezug auf den Schieber 14 verschoben wird, wird die verwendete Lösung in dem Schmelzenauffanggefäß 19 abgelagert.
Durch diese Ableitung der verwendeten Lösung wird die Hantierbarkeit der Vorrichtung erheblich erhöht.
Nach dem Anbringen der Schichten wird der Substrathalter aus dem Ofen herausgeführt; das fertige Substrat wird
daraus entfernt und durch ein neues Substrat ersetzt, das mit Schichten versehen werden muß.
Die Behälteraufnahmei befindet sich nach wie vor im Ofen
und braucht nur ifl geringem Maß ρ erh^gt zu werdßn, um den
Lösungen wieder die für epitaKtlsches Anwachsen gewünschte Anfängstemperatür zu erteilen. Das neue Substrat wird in
den Ofen geführt und ein neuer Anwachsvorgang Kann auf die beschriebene Weise durchgeführt werden.
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Die Anwendung verhältnismäßig größerer Behälter und eines außerhalb des Substrathalters liegenden Auffangbehälters
für die verwendeten Lösungen hat es ermöglicht, ohne daß die Behälteraufnähme aus dem Ofen entfernt
wird, um ihn mit neuen Lösungen zu versehen, auf einer Vielzahl, z.B. fünfzehn, Substraten epitaKtische Schichten
abzuscheiden. Für jedes Substrat werden dabei frische Lösungen verwendet. Da die Lösungen nach wie vor die Ofentemperatur
aufweisen, ist die gesamte Prozeßdauer erheblieh Kürzer als bei üblichen Vorrichtungen zum epitaKtischen
Anwachsen von Schichten.
Der Gebrauch der Vorrichtung ist anhand der Abscheidung von vier epitaKtischen Schichten zur Ausbildung einer DH-LaserstruKtur
beschrieben. Es ist einleuchtend, daß die Erfindung auch Vorrichtungen umfaßt, bei denen mehr oder
weniger als vier Behälter vorhanden sind, die mit je einer gewünschten Lösung versehen werden Können. Für die Abscheidung
von Schichten sehr geringer DicKe mit sehr großer GenauigKeit Kann ein Anwachsvorgang durchgeführt werden,
bei dem zwei Blindsubstrate verwendet werden. Bei weniger strenpn Anforderungen in bezug auf die SchichtdicKe Kann
das Blindsubstrat weggelassen werden.
Fig. 8 zeigt, daß das Substrat 25 beim Aufheizen im Ofen mit einer GaAs-Scheibe 37 abgedecKt wird, um, wie bereits
erwähnt wurde, zu vermeiden, daß aus dem Substrat Arsen verdampft. Die Scheibe 37 befindet sich in einem Halter
aus Kohlenstoff und wird mit Hilfe eines BlccKe^ 29 auf
das Substrat 25 hin gedrücKt.
Die Figuren 9 bis 11 zeigen im Längsschnitt, in Draufsicht
bzw. im Querschnitt eine Vorrichtung nach der Erfindung, wobei Mittel vorhanden sind, mit deren Hilfe die
Lage des Schiebers 14 in bezug auf die Behälteraufnahme 1
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verriegelt werden Kann, so daß auch bei falscher Betätigung der Vorrichtung die Lösungen in den Behältern 2
bis 5 nicht verloren gehen Können, infolge der Tatsache, daß sie unverbraucht zum Auffangbehälter 19 fließen. Die
Behälteraufnahme 1 ist mit Armen 30 versehen, die zusammen mit der Wand 31 einen Schlitz bilden, in dom ein
Verriegelungsschieber 32 bewegbar 1st. In dem Schieber 14 für die Lösungen ist ein Schlitz 33 vorgesehen, in den der
Verriegelungsschieber 32 herabgesenKt werden Kann, bis er die Lage erreicht, in der die öffnungen 15 bis 18 des
Schiebers 14 sich unter der unteren Wand der Behälteraufnahme 1 befinden.
Zur Betätigung der Vorrichtung außerhalb des Ofens braucht nun nur ein einziger Betätigungsstab 34 benutzt werden.
Dieser ist in dem Substrathalter 22 angebracht und enthält einen Arm 35, der in einer Aussparung 36 des Substrathalters
22 liegt. Wenn der Substrathalter 22 in den Schlittenmechanismus geschoben ist, bis er gegen die Arretierung
27 stößt (vgl. Fig. 2), liegt der Arm 35 gerade unter dem Verriegelungsschieber 32. Dadurch, daß der Stab 34
über einen Viertelhub gedreht wird, Kann der Verriegelungsschieber 32 gehoben werden. Da der Arm 35 in dem Schlitz
des Schiebers 14 für die Lösungen liegt, Kann bei einer Translationsbewegung des Betätigungsstabes 34 eine Lage
nach Fig. 3 erreicht werden. Nachdem er in die Lage nach Fig. 4 gebracht worden ist, wird der Schieber 14 wieder
mit Hilfe des Verriegelungsschiebers 32 dadurch verriegelt, daß der Arm 35 wieder in die Aussparung 36 des Substrat-
30halters 22 bewegt wird. Dieser Kann nun in jede gewünschte
Lage gebracht werden. In dem Substrathalter 22 Können auf der dem Verriegelungsschieber 32 zugeKehrten Seite an
*" charaKteristischen Stellen Aussparungen geringer Tiefe angebracht
werden. Wenn eine solche Aussparung den Verriege-
35lungsschieber 32 passiert, ist dies an dem Betätigungsstab
3^ fühlbar, was eine Anzeige ist, daß eine bestimmte Lage
des Substrathalters 22 in bezug auf den Schieber 14 für die Lösungen erreicht ist.
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"ia/
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Bezugs zeichenlist p?
Behält eraufnähme
Behälter
Lösung
' Öffnung
Schieber
Öffnung im Schieber
Schmelzenauffanggefäß Aussparung Anschlag
Substrathalter
Aussparung im Substrathalter
Substrat
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| 27 | Arretierung |
| 28 | Halter |
| 29 | BlocK |
| 30 | Arm an 1 |
| 31 | Wand |
| 32 | Verriegelungsschieber |
| 33 | Schlitz in 14 |
| 34 | Betätigungsstab |
| 35 | Arm an 34 |
| 36 | Aussparung in 22 |
| 37 | GaAs-Scheibe |
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Leerseite
Claims (4)
- PHN 9665PATENTANSPRÜCHE:Vorrichtung zur epitaKtischen Ablagerung einor Halbleitermaterinischicht auf einer flachen Seite eines Substrats, die einen Schlittenmechanismus enthält, der mit einer Behälteraufnahme mit mindestens einem auf der Unterseite offenen Behälter und mit einem die Unterseite der Behälteraufnahme verschließenden Schieber versehen ist, der mit mindestens einer Öffnung zur Abtrennung einer Schmelze aus den Behältern der Behälteraufnahme versehen ist, wobei diese Vorrichtung weiter mit einem Substrathalter versehen ist, in dem mindestens eine Aussparung zur Aufnahme eines Substrats angebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Schlittenmechanismus ein Schmelzenauffanggefäß enthält, das sich unter der Behälteraufnahme befindet, wobei der Substrathalter in bezug auf das Schmelzenauffanggefäß verschiebbar ist und bei Verschiebung eine öffnung in dem Schmelzenabtrennungsschieber freigeben Kann, um die in dieser öffnung vorhandene Schmelze in dem Schmelzenauffanggefäß abziagern.
- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, da3 in dem Schlittenmechanismus eine Vorrichtung zur VerriogpLung der Lage des Schmelzenabtrennungsschiebers in bezug auf die Behälteraufnahme vorhanden ist.
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 2,dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zur Verriegelung*" aus einem in senkrechter Richtung bewegbaren Schieber besteht, wobei in dem Schmelzenabtrennungsschieber ein Schlitz vorhanden ist, in den ein Teil des Verriegelungsschiebers1300S1/0392PHN 9665herabgesenKt werden Kann.
- 4. Vorrichtung nach Anspruch 3,dadurch gekennzeichnet, daß in dem Substrathalter Aus-5 sparungen geringer Tiefe vorhanden sind, die mit der Unterseite des Verriegelungsschiebers in Kontakt geraten Können und dabei als Fühlglied für die Lage des Substrathalters wirken.130051/0392
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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