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Beschreibung:
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Die Erfindung bezieht sich auf eine Niederfrequenz-Leistungsverstärkeranordnung,
insbesondere für eine Aktiv-Lautsprecherbox, mit mindestens einem Netzteil, einer
wenigstens die Leistungswiderstände und AnschlUsse fr die in wärmeleitender Verbindung
mit Kühlkörpern stehenden Leistungstransistoren aufweisenden Leiterplatte sowie
mit mindestens einer Treiberstufe.
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Bei jeder Niederfrequenz-Leistungsverstärkeranordnung treten im Zusammenhang
mit dem Potentialanschluß und der KUhlung der Leistungstransistoren nicht unerhebliche
Probleme auf, wenn das Ziel verfolgt werden soll, die Leistungsverstärkeranordnung
so auszulegen, daß das Eingangssignal lediglich verstärkt, nicht aber verfälscht
wird. Bei Aktiv-Lautsprecherboxen als elektroakustischen Wandlern bestehen diese
Probleme in erhöhtem Maße, denn von qualitativ hochw(rtigen Lautsprecherboxen wird
verlangt, daß sie keine meß- bzw.
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hörbare Klangverfärbung erzeugen. Auch ist es wün.chenswert, die äußeren
Abmessungen der Gehäuse, die neben den £autsprecherchassis fur jeden Lautsprecher
eine Endstufe aufnehmen müssen, soweit wie möglich zu begrenzen. Herkömmliche Verstärkeranordnungen,
bei denen mehrere Endstufen auf einer Leiterplatte an ein Netzteil angeschlossen
sind, weisen im allgemeinen den Nachteil auf, daß aufgrund der niederquerschnittigen
Leiterbahnanordnung für den Potentialanschluß der Transistoren eine Kopplung der
Endstufen untereinander auftritt, wodurch sich tiefe Frequenzen in hohe einkoppeln
und umgekehrt und der Klirrfaktor in nachteiliger Weise ansteigt. Hochwertige und
entsprechend kostspielige Boxen verwenden daher für jede Endstufe ein eigenes Netzeil,
wodurch
nicht nur die Herstellkosten, sondern auch die Gehäuseabmessungen
wachsen. Insbesondere ist mit der Verwendung mehrerer Netzteile ein erhöhter Montageaufwand
verbunden.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Mittel und Wege aufzuzeigen,
die es ermglichen, Niederfrequenz-Leistungsverstärkeranordnungen in ihrem konstruktiven
und mechanischen Aufwand zu vereinfachen, wobei gleichzeitig eine Verbesserung der
elektrischen Werte erzielt werden soll.
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Diese Aufgabe löst die Erfindung im wesentlichen dadurch, daß die
Leistungstransistoren nach den an ihr Gehäuse angelegten Potentialen gruppenweise
getrennt angeordnet sind und die Leistungstransistoren jeder Gruppe auf je einer
metallischen Profilschiene befestigbar sind, die die Leiterplatte mit einem Kühlkörper
mechanisch und den Potentialanschluß der Leistungstransistoren mit dem Netzteilausgang
elektrisch verbindet.
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Die Trennung der Leistungstransistoren nach den an ihr Gehäuse angelegten
Potentialen (+ bzw. - gegen Erde) macht eine elektrische Isolierung der Transistoren
untereinander entbehrlich, da die Potentiale jetzt getrennt geführt werden.
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Die Anordnung jeder Gruppe der Leistungstransistoren auf je einer
metallischen Profilschiene, die die Leiterplatte mit einem KUhlkörper-mechanisch
und den Potentialanschluß der Leistungstransistoren mit dem Netzteilausgang elektrisch
verbindet, ermöglicht es, den auf der Leiterplatte als niederquerschnittige Leiterbahn
befindlichen Potentialanschluß sehr kurz zu halten, während die Profilschiene einen
großquerschnittigen Leiter zur Verfügung stellt, dessen Widerstand äußerst gering
ist. Die günstige Folge davon ist, daß die Kopplung drastisch reduziert wird. Die
potentialweise Trennung der Leistungstrarlsistoren verhindert außerdem eine gegenseitige
Beeinflussung
der Potentialleitungen durch vt)n diesen erzeugten Magnetfeldern. Die A,ufteilung
der Transistoren ist insbesondere bei sogenannten syrnmetrischen Gegentaktendstufen,
bei denen eine Gruppe aus p-n-p-Trans und storen urici ane r ##dert' Gruppe aus
n-p-n-Transistoren besteht, äußerst vorteilhaft. Da die Profilschiene im Ubrigen
die mechanische Verbindung zwisehen der Leiterplatte und dem KUhlkörper herstellt,
läßt sich ein sehr kompakter Aufbau erzielen, wobei die Länge der Profilschiene
durch entsprechende Ablängung den jeweils vorkommenden Größenverhältnissen leicht
angepaßt werden kann. Dadurch, daß die Leistungstransistoren auf der Profilschiene
befestigbar sind, die mit dem Kühlkörper mechanisch verbunden ist, dient die großquerschnittige
Profilschiene zugleich der verbesserten Wärmeableitung von den Leistungstransistoren
zum KUhlkörper.
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Da das Potential über die Profilschiene direkt an das Gehäuse der
Leistungstransistoren geführt werden kann, ertibrigt ~ich die mechanische und elektrische
Verbindung des Potentialanschlußstiftes des Transistors mit der Leiterplatte. Da
eine einzige Endstufe über z.B. zehn Leistungstransistorer verfiigen kann, wird
deutlich, daß sich bereits durch diesen Effekt eine erhebliche Einsparung an Montagearbeit
erzielen läßt.
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Im Rahmen des mit seinen VorzUgen geschilderten Erfingungsprinzips
sind zahlreiche weitere Ausgestaltungen und vorteilhafte Weiterbildungen möglich.
So können entlang der Profilschiene an dieser stufenlos verschieb- und festlegbar
sowohl die Leistungstransistoren jeder Gruppe als auch der Kühlkörper und die Leiterplatte
angeordnet sein. Zur stufenlos verschieb- und festlegbaren Anordnung der Leistungstransistoren,
des KUhlkörpers sowie der Leiterplatte an der Profilschiene sind vorzugsweise T-Nuten
in dieser bzw. im Kühlkörper vorgesehen, in deren verbreiterten Abschnitt kantige
Muttern oder Schraubenköpfe als Befestigungsorgane undrehbar
einlagerbar
sind. Sind die Profilschiene sowie ggf.
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der Kühlkörper aus KUrzungsabschnitten eines Strangpreßprofils aus
insbesondere Leichtmetall - auch Kupfer oder ein anderes Material mit hoher elektrischer
und Wärmeleitfähigkeit käme in Betracht - gebildet, so benötigen diese Profile außer
einer Ablängung auf das gewünschte Format keinerlei Bearbeitung.
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Insbesondere ist es nicht notwendig, an eigens festzulegenden Stellen
Befestigungsbohrungen einschließlich Gewinde anzufertigen. Wenn in den Strangpreßprofilen
die T-Nuten berücksichtigt sind, ist man in der Wahl der Zuordnung zwischen der
Profilschiene, dem Kühlkörper und der Leiterplatte in weiten Grenzen völlig frei,
so daß sich bedarfsweise auch ein asymmetrischer Aufbau einer Leistungsverstärkeranordnung
erreichen läßt, wenn dies aus Platzgründen z.B. in einer Lautsprecherbox von Vorteil
wäre.
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Ein weiteres Merkmal der Erfindung besteht darin, daß die elektrisch
leitende Verbindung zwischen der das Potential führenden Leiterbahn der Leiterplatte
und der Profilschiene durch Direktanlage der Leiterbahn an der Profilschiene oder
durch eine von den Befestigungsorganen gebildete Brücke geschaffen ist. Dies ist
ohne weiteres möglich, da die Profilschiene ohnehin an der Leiterplatte befestigt
ist. Besondere Zuleitungen, namentlich mittels großquerschnittiger Kabel können
dadurch umgangen werden.
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Hinsichtlich der Ausbildung der Profilschiene besteht ein weiteres
vorteilhaftes Merkmal darin, daß sie an der Längsseite eine, eine Einlegestufe für
den Randbereich der Leiterbahn bildende Stegleiste aufweist, in der profilschienenseitigen
Mittel zur Befestigung der Leiterplatte angeordnet sind. Auf diese Weise ist es
z.B. möglich, die Leiterplatte ohne weiteres in einer Ebene oberhalb der Kühikörperebene
anzuordnen, wodurch ein besonders kompakter Aufbau erzielt werden kann.
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Eine vorteilhafte An- und Zuordnung der Leistungstransistoren zur
Leiterplatte ist nach einem weiteren Merkmal dadurch gegeben, daß die Bestückungsseite
der Leiterplatte der Stegleiste zugekehrt ist und auf der bezüglich der Bestückungsseite
nach außen weisenden Fläche der Profilschiene die Transistoren befestigbar sind.
Dann können die parallel zur Leiterplattenebene verlaufenden Anschlußstifte der
Leistungetransistoren über quer zu diesen verlaufende Lötstifte mit den Leiterbahnen
der Leiterplatte verbunden werden. Insbesondere ist es nicht notwendig, die Anschlußstifte
der Leistungstransistoren wie an sich Ubl eh um etw~ 90() 9<> umz#ibiegen.
Auch der Austausch eines z.B. defekten Leistungstransistore wird hierdurch erheblich
erleichtert, da lediglich die Verbindung zwischen seinem Anschlußstift und dem Lötstift
getrennt werden muß, es aber nicht erforderlich ist, räumlichen Zugriff zur Lötseite
der Leiterplatte zu haben, so daß die erforderlichen Lötarbeiten ausschließlich
von der Bestückungsseite der Leiterplatte her erfolgen können.
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Um zu einem besonders variablen Aufbau gelangen zu können, ist weiterhin
vorgesehen, daß die Profilschiene einen quer zu dem die Haltemittel für die Leistungstransistoren
und die Leiterplatte aufweisenden Schenkel verlaufenden Zusatzschenkel für die alternative
Befestigung, des Kühlkörpers aufweist. Auf diese Weise kann eine Anordnung mit jeweils
außenseitig der ieiterplatte befestigten Kühlkörpern erreicht werden; es entsteht
eine Leistungsverstärkeranordnung mit einer sehr flachen Bauweise.
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Die die Transistorengruppen tragenden Profilschienen können an einander
gegenüberliegenden Seitenrändern der Leiterplatte angeordnet und mit je einem oder
gemeinsam mit einem Kühlkörper verbunden sein. Unabhängig davon ist es in der Regel
erforderlich, den oder die Kühlkörper gegen die Profilschienen elektrisch zu isolieren.
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Im Rahmen der Zielrichtung, mit einfachen und wenigen Mitteln nach
Bedarf unterschiedlich große Leistungsverstärkeranordnungen aufbauen zu können,
gewinnen weitere Merkmale der Erfindung erhehlich an Bedeutung. So ist eine Leistungsverstärkeranordnung
gemäß einer Weiterbildung dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Mehrzahl von Verstärkern
mit einem einzigen Netzteil umfaßt, wobei die gleichen Gruppen der Transistoren
aller Verstärker auf einer gemeinsamen Profilschiene angeordnet sind. Bei dieser
Auslegung treten nicht die eingangs erwähnten Probleme der Kopplung und der Potentialmagnetfelder
auf, weil die Potentiale über die voneinwander getrennten großquerschnittigen Profilschienen
geführt sind. Die Profilschienen bieten daher in erster Linie die günstige Voraussetzung
dafür, eine Leistungsverstärkeranordnung mit hoher Leistung, kompaktem Aufbau und
bauteilmäßig geringem Aufwand zu fertigen, ohne elektroakustische Nachteile wie
insbesondere einen hohen Klirrfaktor in Kauf nehmen zu müssen.
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Im Zusammenhang mit dem angestrebten kompakten Aufbau der erfindungsgemäßen
Leistungsverstärkeranordnung ist vorgesehen, daß die Anordnung eine erste Leiterplatte
umfaßt, die mit dem Netzteil, den Leistungstransistoren und den jeistungswiderständen
für mehrere Verstärker bestückbar ist, während die Treiberstufen auf weiteren Leiterplatten
angeordnet sind, die im Anordnungsbereich der Transistoren und Widerstände jedes
Verstärkers mit der ersten Leiterplatte verbindbar, insbesondere steckverbindbar
sind. Hierbei können die Anschlüsse für die Bauelemente der einzelnen Verstärker
auf der ersten Leiterplatte einseitig oder zweiseitig des Netzteils blockweise hintereinander
angeordnet und die Blöcke derart galvanisch miteinander verbunden sein, daß durch
Ablängen der Leiterplatte ein ganzzahllges Vielfaches von Anschlußblöcken abtrennbar
ist. Die Anordnung der Treiberstufen
auf weiteren, namentlich steckbaren
Leiterplatten verkürzt den Raumbedarf der ersten Leiterplatte - die man auch "Mutterkarte"
nennen könnte - erheblich. Die blockweise Aneinanderreihung der Anschlüsse für die
Bauelemente der einzelnen Verstärker auf der ersten Leiterplatte h;&t mit der
Ablän:T£ar keit zur Folge, daß die Leiterplatte ebenso wie die Profilschienen und
der die Kühlkörper auf die jeweiligen Verhältnisse "zurechtgeschnitten" werden können.
So genügt z.B. für ein komplettes Programm unterschiedlich großer Aktiv-Lautsprecher
eine einzige erste Leiterplatte, die fl'#r die. Box mit den meisten Endstufen ausgelegt
ist. Zur Bestückung einer kleineren Box werden die nicht benötigten Anschluß-Blöcke
durch einen Trennschnitt einfach entfernt. niese Art der Erzeugung einer Leiterplatte
für kleinere Leistungsverstärkeranordnungen ist erheblich wirtschaftlicher als für
jeden Leistungsverstärkertyp eine eigene Leierplattc anzufertigen.
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Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines in den Zeichnungen dargestellten
Ausführungsbeispiels näher erläutert.
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In den Zeichnungen zeigen: Fig. 1 eine schematische Stirnansicht einer
Leistungsverstärkeranordnung Fig. 2 eine Teil-Aufsicht hierzu und Fig. 3 eine etwa
im Maßstab 4 : 1 vergrößerte Teildarstellung eines Randbereichs der Anordnung nach
Fig. 1.
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Der schematische Aufbau einer Leistungsverstärkeranordnung, die hier
mehrere Verstärker aufweisen soll, ergibt sich wie folgt aus Fig. 1: Es ist eine
erste Leiterplatte 10 vorgesehen, die Leistungswiderstände 11 sowie Anschlüsse 12
für Leistungstransistoren
13, 14 aufweist. Außerdem ist, z.B. an
einem (nicht dargestellten) Ende die Bauteilanordnung für ein Netzteil vorgesehen.
Jeder Verstärker der Verstärkeranordnung besitzt außer Leistungswiderständen 11
und Leistungstransistoren 13, 14 eine Treiberstufe. Diese ist auf einer mit 14 bezeichneten
und schematisch angedeuteten zweiten Leiterplatte 15 angeordnet, die mit der ersten
Leiterplatte 10, auf dieser stehend, verbindbar, insbesondere steckverbindbar ist.
Die Anordnung bewirkt, daß jeder Verstärker einen abgegrenzten Block B bzw.
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bildet. Auf der ersten Leiterplatte 10 sind mithin so viele Blöcke
B, B' ... angeordnet wie Verstärker vorgesehen sind.
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Das dargestellte schematisierte Ausführungsbeispiel umfaßt prä Endverstärker
zwei komplementäre Transistoren 13, 14, von denen einer z.B. in p-n-p-Schaltung
und der andere in n-p-n-Schaltung vorgesehen ist. Je nach der Leistung der Endstufe
kann diese selbstverständlich auch ein ganzzahliges Vielfaches von zwei Transistoren
13, 14 aufweisen. Zur formellen Unterscheidung der Bauteile der in Fig. 2 dargestellten
Verstärker 15 und 15' sind diese mit den gleichen, lediglich durch unterschiedenen
Bezugszeichen versehen.
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I)ie Leistungstransistoren 13, 14 bzw. 13', 14' eines jeden Verstärkers
15 bzw. 15' sind gruppenweise -auf verschiedenen Seiten der ersten Leiterplatte
10 angeordnet. Beim Ausfiihrungsbeispiel umfaßt jede Transistorengruppe allerdings
nur einen Transistor. Wesentlich ist, daß der Transistor 13 (bzw. 13') einen anderen
Potentialanschluß hat als der Transistor 14 (14'). Alle Transistoren 13, 13' - 14,
14' aller Verstärker 16, 16' usw. sind gruppenweise auf einer gemeinsamen Profilschiene
17 bzw. 18 angebracht. Die beiden Profilschienen 17 und 18 sind identisch, lediglich
spiegelbildlich auf der einen und der anderen Seite der ersten Leiterplatte 10 angeordnet
und bestehen aus einem elektrisch leitenden sowie wärmeleitenden Metall, z.B. aus
Aluminium, Kupfer od. dgl. Die
Transistoren 13, 13' bzw. 14, 14'
sind in elektrisch leitender Direktberührung ihres Gehäuses auf der Profilschiene
17 bzw.
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18 befestigt, während jede Profilschiene mit dem entsprechenden Potential
des Netzteilausganges verbunden ist.
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Außer den Transistoren 13, 13' sowie 14, 14' ist auch die erste Leiterplatte
10 und schließlich mindestens ein Kiihlkörper 19 mit jeder Profil.schiene 17 bzw.
lS verbunden.
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Jede Profilschiene 17 bzw. 18 stellt also die mechanische Verbindung
zwischen Leiterplatte 10 und Kühlkörper 19 her wie auch die elektrische Verbindung
zwischen dem Netzeil ausgang und dem Gehäuse der Leistungstransistoren 13, 13' bzw.
14, 14'. Zur Befestigung aller Teile an der jeweiligen Profilschiene 17 und 18 besitzt
diese T-Nuten 20, 21 und 22, mit denen Schraubbefestigungsorgane 23, 24, 25 zusammenwirken.
In welcher Weise dies vorgesehen ist, veranschaulicht am besten Fig. 3 anhand der
Profilschiene 17. Bei dieser handelt es sich (ebenso wie bei der identischen Profilschiene
18) um ein Strangpreßprofil, in welchem die Nuten 20 und 21 direkt eingeformt sind.
Die Nut 20 dient zur längsverschieblichen iehenaber undrehbaren Aufnahme eines mehrkantigen
Kopfes 26 einer Schraube 27 als Befestigungsorgan 23 zur Halterung der ersten Leiterplatte
10 an der Profilschiene 17. Der Schraubenschaft der Schraube 27 durchgreift dabei
eine entsprechende Bohrung in der Leiterplatte 10, die mittels einer Mutter 28 und
einer Unterlegscheibe 29 am Profilschenkel 17 fixiert wird. Eine analoge Anordnung
ist zur Befestigung der Transistoren 13 (und natürlich 13', 14, 14') vorgesehen.
Bezüglich Fig. 3 ist hier eine auf dem Kopf stehende T-Nut im Profilschenkel 17
vorgesehen. Auch hier lagert undrehbar, aber längsverschieblich, der Kopf 30 einer
Schraube 31 als Befestigungsorgan 24. Von der Oberseite her ist der Befestigungsfuß
32 des Transistors 13 mittels Mutter 33 und Unterlegscheibe 34 auf der der Anlageseite
35 für die Leiterplatte 10
abgewandten und zu ihr parallelen Anlageseite
36 vorgesehen.
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Relativ zur Profilschiene 17 läßt sich also sowohl die Leiterplatte
10 als auch jeder Leistungstransistor 13 unabhängig voneinander stufenlos verschieben
und wo gewünscht befestigen.
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Die elektrisch leitende Verbindungw zwischen der das cntprechende
Potential führenden Leiterbahn 37 zum Transistor 1 geschieht über das als elektrische
Brücke dienende Befestigungsorgan 23. Abweichend hiervon wäre es auch denkbar und
möglich, daß die erste Leiterplatte 10 die Potentialleiterbahn 37 auf der Oberseite
bezüglich Fig. 3 trägt. Dann käme durch Direktanlage dieser Leiterbahn 37 einerseits
und des Gehäuses des Leistungstransistors 13 andererseits an der Profilschiene 17
die elektrisch leitende Verbindung zustande.
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Zur stufenlos verstellbaren Befestigungsanordnung des Kiilkörpers
19 befindet sich eine T-Nut 22 in diesem. An völlir: beliebigen und frei wählbaren
Stellen kann (bezüglich F.. 3 von unten her) eine Gewindebohrung in die Profilschiene
17 eingebracht werden, durch die die mit ihrem Kopf 38 in dswr Nut 22 undrehbar
gehaltene Schraube 3<) mit ihrem Schaft hindurchgreift. Auf der Oberseite 36
der Profilsc'.iene wird dann eine Mutter (Fig. 2) aufgeschraubt. Zur Erleichterung
der erforderlichen Durchbohrung der Profilschiene 17 ist in diese bei der Herstellung
eine Körnernut 41 bereits eingeformt.
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Mit 42 ist ein Isolierstreifen bezeichnet, der die Leiste 17 gegentiber
dem Kiihlkörper elektrisch isoliert.
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Wie ersichtlich, weist die Profilschiene 17 in Nachbarschaft zur
Leiterplatte 10 eine Stegleiste 42 verjüngten Querschnittes auf, so daß eine Einlegestufe
43 für die Leiterplatte 10 cinschließllch der Schraubmittelanordnung 27, 28
und
29 entsteht. Hierdurch ist es insbesondere möglich, daß sich der Kühlkörper 19 in
einer parallelen HUerle unterhalb der Leiterplatte 10 - in dichter Zuordnung zu
(dieser - erstrecken kann.
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Beim in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbiespiel ist daran
gedacht, für die gesamte Lf 1 Leistungsverstärkeranordnung einen Kühlkörper zu verwenden,
auf~ dem beide Profilschienen 17 und 18 angeordnet sind. Selbstverständlich aber
lassen sich auch zwei getrennte Kühlkörper an gleicher Stelle verwenden. Da jede
Profilschiene 17 mit einem Zusatzschenkel 44 versehen ist, kann jeweils ein Kühlkörper
auch auf der Außenseite dieses Zusatzschenkels (auch hier ist eine Körnernut 41'
vorbereitet) alternativ angebracht sein. Es entsteht dann, wie ersichtlich, eine
sehr niedrige Bauart.
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Zur elektrisch leitenden Verbindung der Anschlußstifte 45 und 46
jedes Leistungstransistors 1:3, 13', 14, 14' ist auf der ersten Leiterplatte 10
jeweils ein Lötstift 47 mit einem Lötauge 48 befestigt. Die Lötverbindung 49 zwischen
dem Anschlußstift 45 (bzw. 46) und dem Lötstift 47 kann daher auf der Bestückungsseite
der ersten Leiterplatte 10 vorgenommen werden. Aus dem gleichen Grunde ist auch
der everltuelle Austausch eines Transistors leicht möglich, weil lediglich die von
der Bestückungsseite der Leiterplatte 10 her frei zugänglichen Lötstellen 49 gelöst
werden müssen. Da jede Profilschiene 17 bzw. 18 das transistorgruppenspezifische
Potential führt, entfällt der elektrische Anschluß des jeweils dritten Anschlußstiftes
50 der Transistoren. Diese Anschlufistifte 50 können daher auch entfernt werden.
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Es ist nun ohne weiteres ersichtlich, daß auf einfache Weise bei
Verwendung gleicher Grundelemente fertigungstechnisch einfach Leistungsverstärkeranordnungen
unterschiedlicher
Größe herstellbar sind. Je nach der Anzahl der
benötigten E:ntl:;tufen wertlen ztlnächìt für den Fall, daß weniger Endstufen vorgesehen
sind als es der Maximal auslegung des Grund-Leiterplatte 10 entspricht, von dieser
entlang einer geraden Linie 51 so viele Blöcke B abgetrennt, wie Verstärker nicht
benötigt werden. Entsprechend dem benötigten Platzbedarf der einzelnen Transistorengruppen
werden die Abschnitte für die Profilschienen 17 und 18 von einem langen Profilstab
abgelängt, ebenso die benötigte Länge des Profiles für den Kühlkörper 19.
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Zur Befestigung dieser Teile untereinander einschließlich der stungstransistoren
brauchen lediglich die Schraubverbindungen in die daftir vorgesehenen T-Nuten 20-22
eingeführt zu werden. Durch stufenlose Verschiebbarkeit der an die Befestigungsmittel
angeschlossenen Elemente werden diese in einfacher Weise zueinander ausgerichtet
und sodann die Befestigungsorgane fixiert.
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Somit ist es mit den Mitteln der Erfindung gelungen, ein einfaches
~Baukastensystem" zum Aufbau kompakter Leistungsverstärkeranordnungen in Vorschlag
zu bringen. Maßgeblichen Anteil daran hat die konstruktive Auslegung sowie mechanische
unti elektrische AnordnunlJ, der Profilschiene 17 (bzw. 18), d:trl deren Verwendung
jedoch nicht nur der baulich konstruktive Aufwand in platzsparender Weise gering
gehalten werden kann, sondern wodurch sich auch die elektrischen Eigenschaften der
Leistunsvertärkeranordnung wesentlich verbessern lassen.
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