DE3787679T2 - Target aus Kobalt-Basis für Kathodenzerstäubung und Verfahren zu seiner Herstellung. - Google Patents

Target aus Kobalt-Basis für Kathodenzerstäubung und Verfahren zu seiner Herstellung.

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Description

  • Diese Erfindung bezieht sich auf ein Target einer Legierung auf Kobalt-Basis zur Verwendung beim Magnetronsputtern und ein Verfahren zu seiner Herstellung.
  • Ein konventionelles Sputter-Target auf Basis einer Kobalt-Legierung, wie sie bisher benutzt wurde, besteht zum Teil aus einer hcp-Phase und der Rest aus einer fcc-Phase und einer hcp-Phase und ist durch ein solches Verfahren hergestellt, bei dem ein Legierungsmaterial auf Kobalt-Basis, welches aus einer einzigen fcc-Phase besteht, zum Zwecke des Schmelzens aufgeheizt und dann in eine Form gegossen wird und dann von einer hohen Temperatur, bei der es aus einer einzigen fcc-Phase besteht, abgekühlt wird, derart, daß das geformte Teil kaltgestellt wird oder daß das geformte Teil kaltgestellt wird, nachdem es einer Heißbehandlungsphase unterworfen wurde, so daß ein Teil der alleinigen fcc-Phase in einen Martensit umgewandelt wird, der eine hcp-Phase enthält, und die so hergestellte Legierung auf Kobalt-Basis wurde bisher zum Magnetronsputtern benutzt. Eine geeignete Legierung auf Kobalt-Basis ist bekannt aus US-A-3 626 570.
  • Das Magnetronsputtern wird derart ausgeführt, daß auf und über der Oberfläche des Targets ein magnetisches Streufeld erzeugt wird, so daß das Plasma auf der Oberfläche des Targets konzentriert werden kann. Benutzt man als Target eine magnetische Substanz wie die konventionelle Legierung auf Kobalt-Basis, hergestellt wie oben beschrieben, durchdringt der magnetische Fluß leicht das Innere des Targets. Um ein Streufeld auf der Oberfläche des Targets erzeugen zu können, war es notwendig, daß die Dicke des Targets klein gemacht wurde, wobei die Sättigungsmagnetisierung zu berücksichtigen ist.
  • Das oben beschriebene konventionelle Sputter-Target einer Legierung auf Kobalt-Basis besitzt eine kleine Dicke, weshalb sich derartige Defekte ergeben, daß die Betriebslebensdauer vergleichsweise kurz ist und daß entsprechend dem Fortschreiten der Erosion des Sputter-Targets das magnetische Feld in den erodierten Abschnitten vergrößert ist, so daß das Plasma auf diese erodierten Abschnitte konzentriert ist und daher das Target lokal verbraucht wird, was in einem schlechten Nutzungsfaktor resultiert.
  • Daher ist es wünschenswert, die Benutzung eines Sptitter-Targets einer Legierung auf Kobalt-Basis zu ermöglichen, die dicker ist als ein konventionelles Sputter-Target einer Legierung auf Kobalt-Basis.
  • Um die oben genannten Wünsche zu erfüllen, haben die Erfinder verschiedene Studien und Forschungsarbeiten über die Beziehungen der magnetischen Eigenschaften des Sputter- Targets einer Legierung auf Kobalt-Basis mit dem Oberflächenstreufeld, den Erosionsformen und anderem, durchgeführt. Als Resultat hieraus wurde das unerwartete Ergebnis erzielt, daß die Erzeugung des Oberflächenstreufelds nicht vom Targetmaterial abhängt, wie es die herrschende Meinung ist, sondern es ist Tatsache, daß dieses Streufeld von seiner Permeabilität abhängt. Ausgehend von diesen Ergebnissen wurde bestätigt, daß eine Legierung auf Kobalt-Basis, die eine große Sättigungsmagnetisierung aufweist, eine kleinere Permeabilität aufweisen kann und daß damit das Oberflächenstreufeld verstärkt werden kann. Außerdem wurde gefunden, daß im Fall einer Legierung auf Kobalt-Basis das Mengenverhältnis der fcc-Phase zur hcp-Phase den Haupteinfluß auf die Größe der Permeabilität hat. Es wurde nämlich gefunden, daß die hcp-Phase einer Legierung auf Kobalt-Basis eine sehr große kristalline magnetische Anisotropie besitzt, während seine fcc- Phase eine kleine kristalline magnetische Anisotropie besitzt und daher die Erzeugung eines magnetischen Streufelds an der Oberfläche des Targets dann leichter wird, wenn der Anteil der hcp-Phase erhöht und damit die Permeabilität der Legierung auf Kobalt-Basis verringert wird. Desweiteren wurde herausgefunden, daß, wenn die Menge eines zusätzlichen Elementes wie Ni, Cr, Pt, W, V, Ti oder ähnliches in der Legierung auf Kobalt-Basis erhöht, die Permeabilität der Legierung auf Kobalt-Basis verringert wird und damit die Erzeugung eines magnetischen Streufeldes entsprechend einfacher wird, obwohl die Sättigungs-Magnetisierung verringert ist.
  • Wenn es, unter dem Gesichtspunkt des Mengenverhältnisses der fcc- zur hcp-Phase, möglich ist, daß die fcc-Phase des Sputter-Targets einer Legierung auf Kobalt-Basis, welche durch das konventionelle Verfahren hergestellt ist, verringert ist und seine hcp-Phase erhöht ist, so daß der Wert des Verhältnisses der fcc-Phase zur hcp-Phase klein wird, könnte die Permeabilität des Targets durch diesen verringerten Wert verringert werden, was in einer Zunahme der Erzeugung des Streumagnetfelds auf der Oberfläche des Targets führen würde. Das bedeutet, daß eine Legierung auf Kobalt-Basis benutzt werden könnte, die dicker als die konventionelle Legierung auf Kobalt-Basis ist, was zu einer Verlängerung der Betriebslebensdatier und einer Verbesserung der Nutzungseffizienz führen würde. Auch würde demnach die Nutzung einer Legierung auf Kobalt-Basis mit einem kleineren Mengenverhältnis der fcc-Phase zur hcp-Phase mit einer Dicke, die gleich konventionellen ist, eine Verringerung der Größe des Gerätes zur Erzeugung des magnetischen Feldes und damit eine Einsparung des Stromverbrauchs mit sich bringen.
  • Übrigens ist es schwierig, das Verhältnis der fcc-Phase zur hcp-Phase einer Legierung auf Kobalt-Basis als Volumen-Verhältnis zu erhalten. Entsprechend kann man annehmen, ein Verhältnis der Röntgenstreuintensitäts-Peaks zu erhalten, welches proportional zum Volumenverhältnis ist. In diesem Fall überlappen die Röntgenstreu-Peak der fcc-Phase und der hcp-Phase einer Ebene aber es ist Tatsache, daß ein Röntgenstreu-Peak der (200)-Fläche der fcc-Phase und ein Röntgenstreu-Peaks der (101)-Fläche der hcp-Phase nicht miteinander überlappen. Diese Tatsache wird ausgenutzt, indem das Intensitätsverhältnis der
  • Röntgenstreu-Peaks, d. h. Ifcc(200)/Ihcp(101) genießen wird und dabei das Mischungsverhältnis der beiden Phasen als relativer Wert erhalten werden kann.
  • Die Erfinder haben ein Herstellungsverfahren entwickelt, ein Sputter-Target einer Legierung auf Kobalt-Basis herzustellen, bei dem das Intensitätverhältnis der Röntgenstreu-Peaks der fcc-Phase zur hcp-Phase kleiner ist als bei Sputter-Targets aus Legierungen auf Kobalt- Basis, die durch das vorher beschriebene konventionelle Verfahren hergestellt worden sind. Es ist nämlich ein Ziel der Erfindung, ein Herstellungsverfahren für ein Sputter-Target einer Legierung auf Kobalt-Basis zu liefern, wobei an erster Stelle eine konventionelle Legierung auf Kobalt-Basis durch ein Verfahren hergestellt wird, derart, daß eine Legierung auf Kobalt-Basis, welche eine einzige fcc-Phase enthält, zum Zwecke des Schmelzens erhitzt und dann in eine Form gegossen wird und anschließend von der hohen Temperatur, in der es die fcc-Phase enthält, abgekühlt wird, derart, daß das resultierende geformte Target zum Abkühlen auf Normaltemperatur kaltgestellt wird oder daß das geformte Target, nachdem es einem weiteren Heißbehandlungsschritt unterworfen wurde, zum Abkühlen auf Normaltemperatur kaltgestellt wird, so daß ein Teil der einzigen feephase in einen Martensit umgewandelt wird, der eine hcp-Phase enthält und an zweiter Stelle die erhaltene Legierung auf Kobalt-Basis, welche eine hcp-Phase und eine fcc-Phase enthält, einem Kaltbehandlungsschritt unterworfen wird, wobei Druck ausgeübt werden kann, um zusätzlich einen Teil der noch unverändert bestehenden fcc-Phase in einen Martensit, der die hcp-Phase enthält, umzuwandeln.
  • So erhält man erfindungsgemäß Sputter-Targets einer Legierung auf Kobalt-Basis, deren Röntgenstreuintensitätsverhältnis Ifcc(200)/Ihcp(101) kleiner ist als das Röntgenstreuintensitätsverhältnis der vorherigen Kobalt-Legierung, die noch nicht dem Kaltbehandlungsschritt unterworfen war. Entsprechend liefert diese Erfindung ein Sputter- Target einer Legierung auf Kobalt-Basis, deren Permeabilität entsprechend dem kleineren Wert des Intensitätsverhaltnisses der Röntgenstreu-Peaks Ifcc(200)/Ihcp(101) verringert ist.
  • So können mit dem erfindungsgemäßen Sputter-Target einer Legierung auf Kobalt-Basis die beschriebenen Mängel eines konventionellen Targets einer Legierung auf Kobalt-Basis vermieden werden und das erfindungsgemäße Sputter-Target einer Legierung auf Kobalt- Basis kann in dickerer Ausführung benutzt werden als das konventionelle Target, in welchem Fall die Betriebslebensdauer länger und die Nutzungseffizienz erhöht ist im Vergleich mit einem konventionellen Target. Bei einem erfindungsgemäßen Sputter-Target ist nämlich das Mengenverhältnis der fcc-Phase zur hcp-Phase kleiner als bei einem gewöhnlichen Sputter-Target und entsprechend wird die Permeabilität kleiner und damit kann leichter ein Oberflächenstreufeld erzeugt werden, so daß das Sputter-Target dicker gemacht werden kann, womit die Nutzungseffizienz um diesen Wert erhöht werden kann.
  • Für die Kaltbehandlung kann jede der konventionellen Methoden wie Walzen, Ziehen, Hämmern, Schmieden, im allgemeinen Pressen, oder ähnliches benutzt werden. In diesem Fall ist es vorteilhaft, daß die Legierung auf Kobalt-Basis so kaltbehandelt wird, daß das Kompressionsverhältnis 5% oder mehr beträgt.
  • Im folgenden werden Ausführungsbeispiele dieser Erfindung zusammen mit Vergleichsbeispielen und in Bezug zu den Zeichnungen beschrieben, wobei
  • Fig. 1 eine graphische Darstellung des Intensitätsverhältnisses der Röntgenstreu-Peaks Ifcc(200)/Ihcp(101) eines Targets aus einer Legierung auf Kobalt-Basis gegen dessen Dicke ist,
  • Fig. 2 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen dem Intensitätsverhältnis und der Nutzungseffizienz des Sputter-Targets ist und
  • Fig. 3 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen dem Intensitätsverhältnis des Targets und dessen Querschnittskompressionsverhältnisses ist.
  • Als Legierungsmaterial auf Kobalt-Basis kann jede gewünschte Legierung auf Kobalt-Basis ausgewählt werden aus allen Arten von Legierungen auf Kobalt-Basis, die verschiedene Zusammensetzungen enthalten, indem man das Kobalt als Basismaterial benutzt und darin wenigstens eines der Metalle wie Ni, Cr, Pt, W, usw. als Zusatz benutzt. Dem Verfahren entsprechend wird das ausgewählte Material, welches die gewünschte Zusammensetzung aufweist und aus einer einzigen fcc-Phase besteht, zum Schmelzen erhitzt, das geschmolzene Material in eine Form gegossen und zum Abkühlen auf Raumtemperatur kaltgestellt. Oder das schon verfestigte, aber noch heiße Material wird vor dem Abkühlen einem Heißbehandlungsschritt unterworfen, um es zu einem Blech mit einer vorbestimmten Dicke zu pressen, wobei das erhaltene Blech auf Zimmertemperatur abgekühlt wird. In jedem Fall wird ein Teil der fcc-Phase des Materials während des Kühlens in eine hcp- Phase, d. h. einen Martensit umgewandelt. Die resultierende Legierung auf Kobalt-Basis, welche die hcp-Phase und die fcc-Phase enthält, ist ein konventionelles Produkt. In der folgenden Tabelle 1 sind die gewöhnlichen Kobalt-Sputter-Target-Produkte, welche durch den eben beschriebenen Prozeß hergestellt sind, Probe Nr. 1, welche Co-20at. %Ni- 10at.%Cr enthält, Probe 5, welche Co-16at.%Cr enthält, Probe 7, welche Co-20at.%Ni- 10at.%Pt enthält und Probe Nr. 9, welche Co-25at.%Ni enthält, dargestellt. Die entsprechenden Werte des Intensitätsverhältnisses der Röntgenstreu-Peaks Ifcc(200)/Ihcp(101) sind 1,75, 1,90, 1,65 und 2,03.
  • Erfindungsgemäß werden diese vorgenannten konventionellen Legierungen auf Kobalt-Basis einer Kaltwalzbehandlung unterworfen. Durch den Kaltbehandlungsschritt werden diese Proben so komprimiert, daß das Querschnittskompressionsverhältnis, wie in Tabelle 1 gezeigt, 5% oder mehr beträgt. Als Ergebnis erhält man erfindungsgemäße Sputter-Target- Produkte einer Legierung auf Kobalt-Basis, welche als Proben Nr. 2, 3, 4, 6, 8 und 10 in Tabelle l gezeigt sind. Wenn man die Intensitätsverhältnisse Ifcc(200)/Ihcp(101) der
  • Röntgenstreu-Peaks dieser Proben mit den entsprechenden konventionellen Proben vergleicht, so wird damit verständlich, daß das Intensitätsverhältnis 1,75 (der konventionellen Probe Nr. 1) durch den erfindungsgemäßen Kaltbehandlungsschritt auf 1.21 bei einem Querschnittskompressionsverhältnis von 5% verringert ist und daß weiterhin bei einer Erhöhung des Querschnittskompressionsverhältnisses auf 10 bzw. 15% das Intensitätsverhältnis auf 0.39 bzw. 0.30 (Probe Nr. 3 bzw. Probe Nr. 4) verringert wird und daß auch die entsprechenden Intensitätsverhältnisse der Proben Nr. 5, Nr. 7 und Nr. 9 durch Anwendung des Kaltbehandlungsschrittes entsprechend reduziert werden. Im einzelnen wird der Wert 1.90 (Probe Nr. 5) auf 0.45 (Probe Nr. 6), der Wert 1.65 (Probe Nr. 7) auf 0.35 (Probe Nr. 8) und der Wert 2.03 (Probe Nr. 9) auf 0.42 (Probe Nr. 10) verringert. So wurde bestätigt, daß das Intensitätsverhältnis Ifcc(200)/Ihcp(101) der Röntgenstreu-Peaks des konventionellen Legierungsprodukts auf Kobalt-Basis durch Anwendung des Kaltbehandlungsschritts auf das Produkt verringert wird und daß entsprechend, wenn das Kompressionsverhältnis des erfindungsgemäßen Produkts durch Kaltbehandlung zunimmt, der Wert des Intensitätsverhältnisses abnimmt.
  • Messungen des Intensitätsverhältnisses und der Permeabilität jeder dieser vorangegangenen Proben wurden an Scheiben dieser Proben ausgeführt, die mit Königswasser behandelt worden waren.
  • Die Resultate der Permeabilitätsmessungen dieser Proben sind auch in Tabelle 1 dargestellt. Damit wurde bestätigt, daß die Permeabilitäten der konventionellen Proben durch diese Kaltbehandlung bemerkenswert reduziert werden können.
  • Anschließend wurden die Target-Eigenschaften der entsprechenden Proben untersucht, indem eine Gleichstrom-Magnetronkathode der Dimension 127mm · 203,2mm (5inch · 8inch) benutzt wurde, wobei die Resultate in Tabelle 1 dargestellt sind. Hier repräsentiert der Ausdruck "relative Target-Dicke" eine Target-Dicke, wenn auf dessen Oberfläche ein magnetisches Streufeld von 250 G erzeugt wird unter der Bedingung, daß jede Probe des Targets sich auf der Kathode befindet, in der ein paralleles magnetisches Feld von 600 G im Zentrum zwischen den magnetischen Polen herrscht.
  • Wie aus den Werten der relativen Dicken der entsprechenden Proben aus Tabelle 1 klar wird, können die Target-Proben einer der Legierung auf Kobalt-Basis, die erfindungsgemäß kaltbehandelt wurden, deutlich dicker gemacht werden als die entsprechenden konventionellen Target-Prohen einer Legierung auf Kobalt-Basis, die nicht kaltbehandelt wurden, d. h. bevor sie kaltbehandelt wurden. Weiterhin wurde für die Target-Proben die jeweilige Nutzungseffizienz untersucht, wobei die jeweiligen 5mm dicken Target-Proben in eine Position als Target gebracht werden, die Kathode so eingestellt wird, daß das Oberflächenstreufeld 250 G beträgt, das Sputterverfahren ausgeführt wird, währenddessen das Plasma in der Kammer auf den erodierten Bereich des Targets konzentriert ist und daher das Target lokal erodiert wurde, bis die Dicke des am meisten erodierten Teils der Probe null wurde, wobei dann der Sputterprozeß unterbrochen wurde und die genutzte Menge des Targets gemessen wurde. Die so erhaltenen Resultate sind in Tabelle 1 dargestellt. Daraus kann entnommen werden, daß die Nutzungseffizienzen der erfindungsgemäßen kaltbehandelten Proben gegenüber den nicht kaltbehandelten Proben deutlich verbessert sind. Tabelle 1 Nr. Probe Zusammensetzung Teilflächen-Kompressionsverhältnis bei Kaltbearbeitungsschritt Röntgenstreu-Peaks-Intensitätsverhältnis Permeabilität Relative Target-Dicke Nutzungseffizienz Konventionelles Produkt Erfindungsgemäßes Produkt
  • Fig. 1 und Fig. 2 zeigen die Beziehung zwischen dem Intensitätsverhältnis der Röntgensteu- Peaks Ifcc(200)/Ihcp(101) und der relativen Target-Dicke bzw. der Target- Nutzungseffizienz in dem Fall, wenn man als typisches Beispiel ein Target, das Co-20at.%Ni-10at.%Cr enthält, und es kann daraus entnommen werden, daß die Target- Dicke und die Target-Nutzungseffizienz mit abnehmenden Intensitätsverhältnis entsprechend zunimmt.
  • Fig. 3 zeigt die Beziehung zwischen dem Intensitätsverhältnis der Röntgen-Peaks Ifcc(200)/Ihcp (101) und dem Querschnittskompressionsverhältnis des Targets im Falle eines typischen Targets, das Co-20at.%Ni-10at.%Cr enthält und daraus kann entnommen werden, daß das Intensitätsverhältnis mit steigendem Kompressionsverhältnis abnimmt.
  • Weiterhin wurden die vorangegangenen Ausführungsbeispiele für den Fall der Nutzung eines Gleichstrom-Magnetronsputtergerätes erklärt, aber diese Erfindung kann jedem gewünschten Sputterverfahren angepaßt werden, wobei das Plasma durch das magnetische Feld eines Radiofrequenzmagnetrons, eines koaxialen Magnetrons, eines Triodenmagnetrons oder ähnliches gesteuert wird.
  • Erfindungsgemäß wird das Legierungsmaterial auf Kobalt-Basis, welches eine einzige fcc- Phase enthält, durch Erhitzen geschmolzen und dann von einer hohen Temperatur auf Raumtemperatur abgekühlt, so daß ein Teil der Probe in eine hcp-Phase transformiert werden kann, d. h. eine Martensit-Tranformation stattfinden kann, anschließend kaltbehandelt, indem Druck ausgeübt wird, so daß deren Intensitätsverhältnis der Röntgenstreu-Peaks Ifcc(200)/Ihcp(101) verringert ist, wobei man so die erfindungsgemäße kaltbehandelte Legierung auf Kobalt-Basis erhält. Wenn das Produkt für ein Sputter-Target benutzt wird, so kann leicht ein Oberflächenstreufeld erzeugt werden, auch dann, wenn dessen Dicke größer als die eines konventionellen Targets einer Legierung auf Kobalt-Basis, die noch nicht kaltbehandelt wurde, ist und auch dessen Nutzungseffizienz kann erhöht werden, und in dem Fall in dem die Dicke des Targets gleich groß ist wie diejenige eines Targets, das noch nicht kaltbehandelt wurde, kann die Vorrichtung zur Erzeugung des magnetischen Feldes eine geringe Größe aufweisen und kann der Verbrauch elektrischer Energie verringert werden, wenn dies als zusätzliche Möglichkeit gewünscht wird.

Claims (2)

1. Sputter-Target einer Legierung auf Kobaltbasis, die eine fcc-Phase und eine hcp- Phase aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Verhältnis der Intensitäten des fcc- (200)-Peaks und des hcp-(101)-Peaks der Röntgenstreuung des Sputter-Targets, d. h. ein Intensitätsverhältnis Ifcc(200)/Ihcp(101) der Röntgenstreu-Peaks kleiner ist als das Intensitätsverhältnis Ifcc(200)/Ihcp(101) der Röntgenstreu-Peaks einer Referenzlegierung auf Kobaltbasis, die bei hoher Temperatur bei der Herstellung eine einzige fcc-Phase besitzt und die dieselbe Zusammensetzung wie das Sputter-Target aufweist, und welche Referenzlegierung auf Kobaltbasis von dieser hohen Temperatur auf Raumtemperatur abgegekühlt worden ist.
2. Verfahren zur Herstellung eines Sputter-Targets einer Legierung auf Kobaltbasis, dadurch gekennzeichnet, daß eine Legierung auf Kobaltbasis, die bei einer hohen Temperatur bei der Herstellung eine einzige fcc-Phase besitzt und von dieser hohen Temperatur auf Raumtemperatur abgekühlt wird, so daß eine Martensit-Umwandlung stattfindet, einem Kaltbearbeitungsschritt unterworfen wird, derart, daß ein Verhältnis der Intensitäten des fcc-(200)-Peaks und des hcp-(101)-Peaks der Röntgenstreuung der Legierung auf Kobaltbasis nach dem Kaltbearbeitungsschritt d. h. ein Intensitätsverhältnis Ifcc(200)/Ihcp(101) der Röntgenstreu-Peaks davon kleiner ist als das Intensitätsverhältnis Ifcc(200)/Ihcp(101) der Röntgenstreu-Peaks der Legierung auf Kobaltbasis, wenn die Legierung auf Kobaltbasis von der fcc-Phase bei hohen Temperaturen auf Raumtemperatur abgekühlt wurde.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3819906C1 (de) * 1988-06-11 1989-08-03 Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De
US5282946A (en) * 1991-08-30 1994-02-01 Mitsubishi Materials Corporation Platinum-cobalt alloy sputtering target and method for manufacturing same
ES2110094T3 (es) * 1992-05-11 1998-02-01 Sumitomo Electric Industries Material de deposicion en forma de vapor y metodo para la produccion del mismo.
EP0659901B1 (de) * 1993-12-20 1998-04-15 LEYBOLD MATERIALS GmbH Target für Magnetron-Kathodenzerstäubungsanlage aus einer Kobalt-Basislegierung
DE19508535A1 (de) 1995-03-10 1996-09-12 Leybold Materials Gmbh Sputtertarget aus einer Kobalt-Basislegierung mit hohem Magnetfelddurchgriff
JPH09272970A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Japan Energy Corp 高純度コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法
US6391172B2 (en) 1997-08-26 2002-05-21 The Alta Group, Inc. High purity cobalt sputter target and process of manufacturing the same
US6086725A (en) * 1998-04-02 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Target for use in magnetron sputtering of nickel for forming metallization films having consistent uniformity through life
US6190516B1 (en) * 1999-10-06 2001-02-20 Praxair S.T. Technology, Inc. High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions
US6176944B1 (en) * 1999-11-01 2001-01-23 Praxair S.T. Technology, Inc. Method of making low magnetic permeability cobalt sputter targets
US6514358B1 (en) 2000-04-05 2003-02-04 Heraeus, Inc. Stretching of magnetic materials to increase pass-through-flux (PTF)
CN1218071C (zh) 2000-06-30 2005-09-07 霍尼韦尔国际公司 用于加工金属的方法和设备以及由此生产出的金属
US7041204B1 (en) 2000-10-27 2006-05-09 Honeywell International Inc. Physical vapor deposition components and methods of formation
US6472867B1 (en) 2001-02-21 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Target for use in magnetron sputtering of nickel for forming metallization films having consistent uniformity through life
US20040129559A1 (en) * 2002-04-12 2004-07-08 Misner Josh W. Diffusion bonded assemblies and fabrication methods
KR20050053742A (ko) * 2002-10-08 2005-06-08 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 스퍼터-증착된 박막에 이용되는 균일한 고용체 합금
WO2005093124A1 (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ-Ｂ系合金スパッタリングターゲット
EP1785505B1 (de) * 2004-08-10 2009-09-02 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Barrierefilm für flexbilbes kupfersubstrat und sputtertarget zur bildung eines barrierefilms
JPWO2007066555A1 (ja) * 2005-12-05 2009-05-14 独立行政法人科学技術振興機構 Ｃｏ基合金及びその製造方法
JP5204460B2 (ja) * 2007-10-24 2013-06-05 三井金属鉱業株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US20100108503A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Applied Quantum Technology, Llc Chalcogenide alloy sputter targets for photovoltaic applications and methods of manufacturing the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3390443A (en) * 1964-10-20 1968-07-02 Bell Telephone Labor Inc Magnetic material and devices utilizing same
US3356542A (en) * 1967-04-10 1967-12-05 Du Pont Cobalt-nickel base alloys containing chromium and molybdenum
US3494807A (en) * 1968-06-11 1970-02-10 Fansteel Inc Dispersion hardened cobalt alloy sheet and production thereof
CA892488A (en) * 1968-11-15 1972-02-08 Sherritt Gordon Mines Limited Two-phase cobalt-iron alloys prepared by powder metallurgy
US3695944A (en) * 1970-06-17 1972-10-03 Allegheny Ludlum Ind Inc Iron cobalt vanadium alloy
US3755796A (en) * 1971-06-30 1973-08-28 Ibm Cobalt-platinum group alloys whose anisotrophy is greater than their demagnetizable field for use as cylindrical memory elements
JPS57100627A (en) * 1980-12-12 1982-06-22 Teijin Ltd Manufacture of vertical magnetic recording medium
US4414087A (en) * 1983-01-31 1983-11-08 Meckel Benjamin B Magnetically-assisted sputtering method for producing vertical recording media
JPS61113759A (ja) * 1984-11-09 1986-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパツタリング用タ−ゲツト
JPS61257473A (ja) * 1985-05-08 1986-11-14 Sumitomo Special Metals Co Ltd スパツタリング用タ−ゲツト材

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