DE407415C - Verfahren zur Herstellung von Einkristalldraehten und -blechen beliebigen Querschnitts - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Einkristalldraehten und -blechen beliebigen Querschnitts

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DE407415C
DE407415C DEA41820D DEA0041820D DE407415C DE 407415 C DE407415 C DE 407415C DE A41820 D DEA41820 D DE A41820D DE A0041820 D DEA0041820 D DE A0041820D DE 407415 C DE407415 C DE 407415C
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/34Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits

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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Einkristalldrähten und -blechen beliebigen Querschnitts. Das zur Herstellung von Einkristallen bisher angewandte Ziehverfahren besteht darin, daß ein Ansatzstab aus der Schmelze des in einem Thermostaten befindlichen zu kristallisierenden Metalls in einer geeigneten Atmosphäre so langsam herausgezogen wird, daß der durch die Oberflächenkräfte über die Oberfläche der Schmelze herausgehobene Tropfen durch die Wärmeableitung des ziehenden Stabes fortlaufend zur .Kristallisation gebracht wird, während er mit seinem untersten Teil noch mit der Schmelze in Berührung bleibt. Das Verfahren hat den Nachteil, daß je nach der Konstanz der Thermostatentemperatur und je nach der Wärmeleitfähigkeit des ziehenden Ansatzstabes und des zu ziehenden Einkristalls erstens die Drähte leicht wechselnden Querschnitt bekommen und zweitens leicht abreißen.
  • Das neue Verfahren ersetzt durch Verwendung eines Ziehgefäßes die von Temperaturkonstanz, Wärmeableitung und Ziehgeschwindigkeitskonstanz gleich empfindlich abhängigen Oberflächenkräfte durch die Hubkraft eines Gefäßes. Man taucht einen Hohlkörper von den für das Kristall gewünschten inneren Ausmaßen, eine Kapillare oder einen solchen von flachem Querschnitt, in die Schmelze und hebt diesen, wenn er sich mit der Schmelze gefüllt hat und oben geschlossen ist, langsam aus der Schmelze heraus. Dabei ist die Konstanz der Hubgeschwindigkeit so wie die der Schmelztemperatur weitgehend belanglos, da das Abreißen des sich bildenden Einkristallwerkstückes beim Kristallisationsvorgang hierbei durch die natürlichen Hubkräfte des eingetauchten Hohlkörpers verhindert wird, so daß es gleichgültig wird, wie hoch jeweils der fortschreitende Kristallisationsort über der Schmelze liegt.
  • Durch das neue Verfahren wird die Herstellbarkeit von Einkristallen beliebig vorgegebener Form und Querschnitts unabhängig von Schmelztemperatur, Wärmeleitfähigkeit und Ziehdauer auf jede beliebige kristallisierende Substanz ausgedehnt.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Einkristalldrähten und -blechen beliebigen Querschnitts, dadurch gekennzeichnet, daß der zu kristallisierende Werkstoff aus der Schmelze von einem in die Schmelze eingetauchten und nach dem Eintauchen oben zu, schließenden Hohlkörper in seinem Volumen begrenzt und fortlaufend aus der Schmelze herausgehoben wird.
DEA41820D 1924-03-18 1924-03-18 Verfahren zur Herstellung von Einkristalldraehten und -blechen beliebigen Querschnitts Expired DE407415C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2549744A1 (fr) * 1983-07-29 1985-02-01 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation de formes metalliques ou semi-metalliques minces ou massives, notamment de silicium

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2549744A1 (fr) * 1983-07-29 1985-02-01 Commissariat Energie Atomique Procede de preparation de formes metalliques ou semi-metalliques minces ou massives, notamment de silicium
EP0136196A1 (de) * 1983-07-29 1985-04-03 Commissariat à l'Energie Atomique Verfahren zur Herstellung von dünnen oder massiven metallischen oder halbmetallischen Gegenständen, insbesondere von Silizium
US4617084A (en) * 1983-07-29 1986-10-14 Commissariat A L'energie Atomique Process for the production of metallic or semimetallic shaped elements

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