DE407415C - Verfahren zur Herstellung von Einkristalldraehten und -blechen beliebigen Querschnitts - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Einkristalldraehten und -blechen beliebigen QuerschnittsInfo
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- DE407415C DE407415C DEA41820D DEA0041820D DE407415C DE 407415 C DE407415 C DE 407415C DE A41820 D DEA41820 D DE A41820D DE A0041820 D DEA0041820 D DE A0041820D DE 407415 C DE407415 C DE 407415C
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/34—Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Einkristalldrähten und -blechen beliebigen Querschnitts. Das zur Herstellung von Einkristallen bisher angewandte Ziehverfahren besteht darin, daß ein Ansatzstab aus der Schmelze des in einem Thermostaten befindlichen zu kristallisierenden Metalls in einer geeigneten Atmosphäre so langsam herausgezogen wird, daß der durch die Oberflächenkräfte über die Oberfläche der Schmelze herausgehobene Tropfen durch die Wärmeableitung des ziehenden Stabes fortlaufend zur .Kristallisation gebracht wird, während er mit seinem untersten Teil noch mit der Schmelze in Berührung bleibt. Das Verfahren hat den Nachteil, daß je nach der Konstanz der Thermostatentemperatur und je nach der Wärmeleitfähigkeit des ziehenden Ansatzstabes und des zu ziehenden Einkristalls erstens die Drähte leicht wechselnden Querschnitt bekommen und zweitens leicht abreißen.
- Das neue Verfahren ersetzt durch Verwendung eines Ziehgefäßes die von Temperaturkonstanz, Wärmeableitung und Ziehgeschwindigkeitskonstanz gleich empfindlich abhängigen Oberflächenkräfte durch die Hubkraft eines Gefäßes. Man taucht einen Hohlkörper von den für das Kristall gewünschten inneren Ausmaßen, eine Kapillare oder einen solchen von flachem Querschnitt, in die Schmelze und hebt diesen, wenn er sich mit der Schmelze gefüllt hat und oben geschlossen ist, langsam aus der Schmelze heraus. Dabei ist die Konstanz der Hubgeschwindigkeit so wie die der Schmelztemperatur weitgehend belanglos, da das Abreißen des sich bildenden Einkristallwerkstückes beim Kristallisationsvorgang hierbei durch die natürlichen Hubkräfte des eingetauchten Hohlkörpers verhindert wird, so daß es gleichgültig wird, wie hoch jeweils der fortschreitende Kristallisationsort über der Schmelze liegt.
- Durch das neue Verfahren wird die Herstellbarkeit von Einkristallen beliebig vorgegebener Form und Querschnitts unabhängig von Schmelztemperatur, Wärmeleitfähigkeit und Ziehdauer auf jede beliebige kristallisierende Substanz ausgedehnt.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Einkristalldrähten und -blechen beliebigen Querschnitts, dadurch gekennzeichnet, daß der zu kristallisierende Werkstoff aus der Schmelze von einem in die Schmelze eingetauchten und nach dem Eintauchen oben zu, schließenden Hohlkörper in seinem Volumen begrenzt und fortlaufend aus der Schmelze herausgehoben wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEA41820D DE407415C (de) | 1924-03-18 | 1924-03-18 | Verfahren zur Herstellung von Einkristalldraehten und -blechen beliebigen Querschnitts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEA41820D DE407415C (de) | 1924-03-18 | 1924-03-18 | Verfahren zur Herstellung von Einkristalldraehten und -blechen beliebigen Querschnitts |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE407415C true DE407415C (de) | 1924-12-16 |
Family
ID=6932754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEA41820D Expired DE407415C (de) | 1924-03-18 | 1924-03-18 | Verfahren zur Herstellung von Einkristalldraehten und -blechen beliebigen Querschnitts |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE407415C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2549744A1 (fr) * | 1983-07-29 | 1985-02-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation de formes metalliques ou semi-metalliques minces ou massives, notamment de silicium |
-
1924
- 1924-03-18 DE DEA41820D patent/DE407415C/de not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2549744A1 (fr) * | 1983-07-29 | 1985-02-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation de formes metalliques ou semi-metalliques minces ou massives, notamment de silicium |
| EP0136196A1 (de) * | 1983-07-29 | 1985-04-03 | Commissariat à l'Energie Atomique | Verfahren zur Herstellung von dünnen oder massiven metallischen oder halbmetallischen Gegenständen, insbesondere von Silizium |
| US4617084A (en) * | 1983-07-29 | 1986-10-14 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for the production of metallic or semimetallic shaped elements |
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