DE4314341C2 - Schleifmittel aus polykristallinem kubischen Bornitrid - Google Patents
Schleifmittel aus polykristallinem kubischen BornitridInfo
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- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 21
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 title claims description 15
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 title description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 50
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 7
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000763 evoking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003808 methanol extraction Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/583—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride
- C04B35/5831—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on boron nitride based on cubic boron nitrides or Wurtzitic boron nitrides, including crystal structure transformation of powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein Schleifmittel aus polykristal
linem kubischen Bornitrid (cBN). Als Schleifscheiben, für
die das erfindungsgemäße Schleifmittel verwendet wird,
sind vor allem metallgebundene Schleifscheiben, elektro
plattierte Schleifscheiben und glasartige Schleifscheiben
zum Schleifen unter hoher Last oder mit hoher Geschwindig
keit zu erwähnen.
Da cBN - eine Hochdruckphase von Bornitrid - eine dem Dia
mant vergleichbare Härte und thermische Leitfähigkeit auf
weist und die Eigenschaft besitzt, nicht mit Eisenmetallen
zu reagieren - eine Eigenschaft, die dem Diamanten
fehlt -, wird es als Schleifmittel zum Schleifen von Eisen
metallen verwendet. Die jüngste Entwicklung der Schleif
verfahren geht zur Automatisierung und Arbeitskräfteein
sparung. Zu diesem Zweck führt man das Schleifen unter
hoher Belastung und mit hoher Geschwindigkeit aus. Unter
diesen extremen Schleifbedingungen wird jedoch die
Schleifscheibe und vor allem das Schleifmittel einer hohen
Belastung ausgesetzt, so daß eine größere Belastbarkeit
des Schleifmittels erforderlich wird.
Unter den hochbelastbaren cBN-Schleifmitteln sind Schleif
mittel mit einer polykristallinen Struktur bekannt, die
zum Teil bereits gewerblich verwendet werden. Das polykri
stalline Schleifmittel hat eine polykristalline Struktur,
in der feine Kristallkörner stark aneinander gebunden
sind, so daß es hart ist und deshalb, im Gegensatz zu ei
nem monokristallinen Schleifmittel, bei dem ein einzelnes
Korn durch einen Einkristall gebildet wird, eine hohe
Widerstandsfähigkeit aufweist. Das polykristalline
Schleifmittel wird durch Pulverisierung eines durch ein
nicht-katalytisches direktes Umwandlungsverfahren erhalte
nen gesinterten Körpers zur gewünschten Korngröße herge
stellt und unterscheidet sich somit von dem katalytisch
hergestellten monokristallinen Schleifmittel, wie es in
der US-PS 4 289 503 beschrieben wird. Obwohl das polykri
stalline Schleifmittel härter als das monokristalline ist,
werden die Schleifmittel, wenn sie auf einer Schleif
scheibe unter extremen Bedingungen, einschließlich dem
Schleifen unter hoher Belastung oder mit hoher Geschwin
digkeit, verwendet werden, auf der Schleifscheibe teil
weise zerstört oder abgenutzt, wodurch eine grobe
Arbeitsoberfläche entsteht oder die Schnittkraft ver
ringert wird, so daß häufig ein Polieren oder eine Nach
behandlung durchgeführt werden müssen.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
Schleifmittel bereitzustellen, das eine überlegene Ver
schleißbeständigkeit und eine hohe Widerstandsfähigkeit
aufweist und in der Lage ist, extremen Verfahrensbeding
ungen einschließlich des Schleifens unter hoher Belastung
und mit hoher Geschwindigkeit zu widerstehen.
Erfindungsgemäß wird ein Schleifmittel aus polykristalli
nem kubischen Bornitrid bereitgestellt, das dadurch ge
kennzeichnet ist, daß die mittlere Größe jedes, das
Schleifmittel bildenden, primären Kristallkorns nicht über
1,0 µm liegt, ihre Standardabweichung nicht mehr als 0,5
beträgt und das Molverhältnis von Bor zu Stickstoff nicht
weniger als 0,95 und weniger als 1,00 beträgt.
Die Fig. 1 ist eine Photographie eines mit einem Trans
missions-Elektronenmikroskop mit einem Vergrößerungsfaktor
von 8000 aufgenommenen Dunkelfeldbilds, das die Korn
struktur eines in Beispiel 1 hergestellten polykristalli
nen cBN veranschaulicht.
Die vorliegende Erfindung wird im folgenden im Detail er
läutert.
Erfindungsgemäß sollte die mittlere Größe jedes, das cBN-
Schleifmittel bildenden, primären Kristallkorns 1,0 µm
oder weniger betragen. Wenn die mittlere Größe des primä
ren Kristallkorns 1,0 µm überschreitet, wird die Härte des
resultierenden gesinterten Körpers herabgesetzt, und die
Verschleißbeständigkeit eines Schleifwerkzeugs, in dem das
Schleifmittel verwendet wird, wird beträchtlich herabge
setzt. Der Grund warum die Standardabweichung der Korn
größe auf nicht mehr als 0,5 bemessen wird, ist, daß eine
Standardabweichung der Größe des primären Kristallkorns,
die 0,5 überschreitet, infolge der in der feinen Struktur
hervorgerufenen Ungleichförmigkeit zu einer niedrigeren
Widerstandsfähigkeit und zu Verschleißanfälligkeit führt.
Die mittlere Größe des primären, das erfindungsgemäße cBN-
Schleifmittel bildenden Kristallkorns bezeichnet die mitt
lere Größe jedes einzelnen cBN-Kristallkorns, das das po
lykristalline Schleifmittel bildet. Die oben erwähnte
mittlere Größe des primären Kristallkorns kann auch als
mittlere primäre Kristallitgröße des Schleifmittels be
zeichnet werden. Obwohl die Untergrenze der mittleren
Größe jedes primären Kristallkorns nicht kritisch ist,
liegt sie im allgemeinen in der Größenordnung von 0,4 µm.
Obwohl der Wert für die Untergrenze der Standardabweichung
ebenfalls nicht kritisch ist, liegt er im allgemeinen in
der Größenordnung von 0,2.
Der oben erwähnte Bereich für die mittlere Größe jedes
primären Kristallkorns gründet sich auf die Entdeckung,
daß die Größe jedes primären, das polykristalline Schleif
mittel bildenden Kristallkorns die Widerstandsfähigkeit
und die Verschleißbeständigkeit erheblich beeinflußt, wie
das unter (1) bis (4) im folgenden diskutiert wird.
- 1) Unter Verwendung einer Anzahl von Schleifscheiben, die verschiedene, aus primären Kristallkörnern unter schiedlicher Größe bestehende Schleifmittel aufwiesen, wurde unter hoher Belastung geschliffen, und der Zustand der einzelnen Schleifmittel auf der Oberfläche der Schleifscheiben wurde vor und nach dem Schleifen begutach tet. Auf diese Weise wurde gefunden, daß die Schleif mittel, die eine 1 µm überschreitende, mittlere Größe je des primären Kristallkorns aufwiesen, auf ihrer Oberfläche stärker verschlissen waren, während die Schleifmittel mit einer zufälligen Größenverteilung der primären Kristall körner weitgehend zerfielen, ohne überhaupt als Schleif punkte während des Schleifens zu wirken.
- 2) Die Schleifscheiben, die nur Schleifmittel aufweisen, bei denen die Größe jedes primären Kristallkorns niedriger als ein vorher bestimmter Wert ist und die relativ gleich förmig ist, sind gegenüber Abrieb oder dem oben erwähnten größeren Zerfall der Schleifmittel nicht empfänglich, wo durch die Nutzungsdauer der Schleifscheibe beträchtlich erhöht wird.
- 3) Wie im Detail in den nachfolgenden Beispielen be schrieben, weist das im Handel erhältliche polykristalline cBN-Schleifmittel eine mittlere Größe jedes einzelnen, das Schleifmittel bildenden, primären Kristallkorns von 2,3 µm und eine Standardabweichung von 0,9 auf, so daß Schleif scheiben, bei denen die Schleifmittel direkt verwendet werden, stark abgenutzt werden, so daß mit den Schleif scheiben bearbeitete Werkstücke nur eine rohgeschliffene Oberfläche aufweisen. Im Gegensatz dazu erfährt eine Schleifscheibe, bei der die erfindungsgemäßen Schleifmit tel verwendet werden, nur einen sehr geringen Abrieb, wäh rend gleichzeitig die auf der bearbeiteten Oberfläche beobachtete Rauhheit erheblich herabgesetzt ist.
- 4) Wenn unter den Verfahren zur Herstellung der cBN-Po lykristalle das direkte Umwandlungsverfahren verwendet wird und geeignete Herstellungsbedingungen gewählt werden, kann ein Schleifmittel hergestellt werden, das eine kon stante Größe der primären, das Schleifmittel bildenden cBN-Kristallkörner und eine gleichförmige feine Struktur aufweist.
Zur Messung der mittleren Größe der primären, das cBN-
Schleifmittel bildenden Kristallkörner kann jedes der fol
genden Verfahren (1) bis (3) verwendet werden. Da bei die
sen Verfahren die Analyse eines extrem kleinen Bereichs
durchgeführt wird, ist es bevorzugt, an mehreren Stellen
Messungen vorzunehmen, damit die Struktur des Schleif
mittels gleichförmiger in ihrer Gesamtheit analysiert wer
den kann.
- 1) Das Schleifmittel wird zu einer dünnen Schicht ge schliffen. Unter Verwendung eines Transmissions-Elektro nenmikroskops wird ein Dunkelfeldbild, das einen der Größe der primären Kristallkörner entsprechenden Kontrast auf weist, durch eine Bilderzeugung, zu der nur besondere Dif fraktionslinien verwendet werden, angefertigt. An schließend wird eine Analyse einer Photographie davon mit einer großen Anzahl an Bildern der primären Kristallkörner durchgeführt.
- 2) Ein Schleifmittel wird zertrümmert, und die Struktur der gebrochenen Oberfläche wird direkt mit einem Raster- Elektronenmikroskop an der Korngrenze beobachtet. Es wird eine Photographie aufgenommen, die einer Bildanalyse zur Messung unterworfen wird.
- 3) Die Oberfläche eines Schleifmittels wird mit einer Natriumcarbonatschmelze erhitzt. Der Bereich der Korngren zen wird selektiv angeätzt, um Oberflächenunregelmäßigkei ten zu bilden. Die Größe dieser Oberflächenunregelmäßig keiten wird mit einem Oberflächen-Rauhheits-Tester ge messen, wodurch die mittlere Größe und die Standardabwei chung der primären Kristallkörner erhalten wird.
Der Grund, warum die mittlere Größe und die Standardabwei
chung als statistische Werte in der vorliegenden Erfindung
verwendet werden, um die Größe der primären Kristallkörner
zu spezifizieren, liegt darin, daß es notwendig wird, da
die polykristallinen Schleifmittel jeweils durch eine
große Zahl an primären Kristallkörnern gebildet werden,
statistische Werte zu verwenden, um die durchschnittlichen
Eigenschaften jedes Schleifmittels in seiner Gesamtheit zu
definieren. Da andererseits eine Abweichung unter den ver
schiedenen Schleifmitteln vorliegen kann, ist ein Verfah
ren zur Durchführung von Stichproben durch Inkrementreduk
tion kritisch, wenn es darum geht, die Eigenschaften der
Schleifmittel in ihrer Gesamtheit richtig zu interpretie
ren. Es ist empfehlenswert, das Stichprobenverfahren anzu
wenden, das in der JIS-Norm R 6003 "Verfahren zur Durch
führung von Stichprobenkontrollen bei Schleifkörnern" be
schrieben ist.
Die Schleifscheibe, bei der das verwendete Schleifmittel
eine mittlere Größe jedes primären Kristallkorns von nicht
mehr als 1 µm und ein Bor/Stickstoff-/(B/N)-Molverhält
nis von nicht weniger als 0,95 und weniger als 1,00 auf
weist, ist besonders bevorzugt, da die Schleifscheibe in
einem geringeren Ausmaß dem Verschleiß unterliegt und die
anfängliche Schleifleistung über einen längeren Zeitraum
aufrechterhalten werden kann.
Im folgenden wird begründet, warum das B/N-Molverhältnis
im polykristallinen cBN erfindungsgemäß nicht weniger als
0,95 und weniger als 1,00 beträgt. Wenn Schleifscheiben
unter Verwendung der polykristallinen cBN-Schleifmittel
mit variablen Werten der B/N-Molverhältnisse hergestellt
werden und die Änderungen in der Form der Schleifmittel
während des Schleifens im Detail unter Verwendung eines
Metalloskops oder eines Raster-Elektronenmikroskops beobachtet
werden, stellt man fest, daß das Schleifmittel mit
einem B/N-Molverhältnis von nicht weniger als 1 mit fortschreitendem
Schleifen einem beträchtlichen Verschleiß und
Zerfall am Kopfende des Korns unterliegt, so daß das
Schleifmittel in seiner Form erheblich verändert wird.
Eine genauere Beobachtung des Bruchgefüges zeigte, daß das
Schleifmittel in erheblichem Umfang abgenutzt war, weil
sich eine große Zahl von cBN-Körnern abgelöst hatten und
zusätzlich von selbst zerfallen waren. Während das
Schleifmittel gleichfalls bei einem B/N-Molverhältnis von
weniger als 0,95 in erheblichem Umfang abgenutzt wird, hat
man gefunden, daß der Zerfall innerhalb der das Schleifmittel
bildenden cBN-Körner die Hauptursache für den Zerfall
des Schleifmittels darstellt. Im Gegensatz dazu wird
im Fall des polykristallinen cBN-Schleifmittels, das ein
B/N-Verhältnis von nicht weniger als 0,95 und weniger als
1,00 aufweist, der Abrieb des Schleifmittels aufgrund des
deutlich verringerten Abriebs und der deutlich verringerten
Ablösung der die Schleifscheibe bildenden cBN-Körner
auf ein geringeres Ausmaß reduziert. Deshalb zeigt die
Schleifscheibe eine höhere Schleifleistung.
Das folgende Verfahren kann angewendet werden, um das B/N-
Molverhältnis des polykristallinen cBN zu messen. Der
Stickstoffgehalt in dem polykristallinen cBN kann dadurch
bestimmt werden, daß man das polykristalline cBN in einem
Impulsofen in einer Inertgasatmosphäre auflöst und zer
setzt und die Zusammensetzung des dabei entwickelten
Stickstoffgases analysiert. Andererseits kann der Borge
halt dadurch bestimmt werden, daß man eine Probe durch al
kalische Neutralisations-Titration analysiert, die durch
Methanolextraktion einer salzsauren Lösung des poly
kristallinen cBN, das vorher mit Alkali vermischt und
durch Erhitzen geschmolzen worden war, erhalten wurde.
Das erfindungsgemäße polykristalline cBN-Schleifmittel
kann beispielsweise durch das folgende Verfahren her
gestellt werden. Wie obenstehend erwähnt, kann das poly
kristalline cBN-Schleifmittel dadurch hergestellt werden,
daß man einen gesinterten, durch eine nicht-katalytische
direkte Umwandlung erhaltenen Körper zu der gewünschten
Korngröße pulverisiert. Der durch das direkte Umwandlungs
verfahren erhaltene, gesinterte Körper kann dadurch herge
stellt werden, daß man pyrolytisches Bornitrid innerhalb
eines Bereiches höherer Temperaturen und Drücke, bei denen
cBN stabil ist, verarbeitet, wie das in der US-PS
4 188 194 beschrieben wird.
Die Ausgangsmaterialien, die Reaktionskammer, in der die
höheren Temperaturen und die höheren Drücke erzeugt wer
den, die aufrechtzuerhaltende Temperatur und die Dauer der
Reaktionszeit werden zur Herstellung eines gesinterten
cBN-Körpers mit kontrollierter Reinheit, primärer Kri
stallkorngröße und B/N-Verhältnis streng überwacht.
Die Ausgangsmaterialien und die Reaktionskammer müssen
eine hohe Reinheit aufweisen. Der Grund dafür ist, daß
kein gesinterter Körper mit homogener Struktur hergestellt
werden kann, wenn irgendwelche Fremdsubstanzen in dem ge
sinterten Körper während der cBN-Herstellung vorhanden
sind, da ein von der Norm abweichendes Kornwachstum an der
Stelle hervorgerufen wird, wo die Fremdsubstanzen vorhan
den sind. Deshalb muß ein hochreines Niederdruck-Bor
nitrid, wie pyrolytisches Bornitrid, als Ausgangsmaterial
verwendet werden. Das Niederdruck-Bornitrid weist bevor
zugt eine Reinheit von nicht weniger als 99% auf. Das
Niederdruck-Bornitrid, das in der vorliegenden Erfindung
verwendet werden kann, bezeichnet eine Substanz mit einer
Kristallstruktur, in der ebene, miteinander über ihre Sei
ten verbundene Sechsecke, die durch alternierende Bin
dungen von Bor und Stickstoffatomen gebildet werden, über
einandergestapelt sind. Beispiele für Niederdruck-Bor
nitrid sind hexagonales Bornitrid (hBN), Bornitrid mit ei
ner turbostratischen Schichtstruktur (tBN), rhomboedri
sches Bornitrid (rBN) oder Gemische davon.
Andererseits kann das polykristalline cBN mit dem oben
spezifizierten B/N-Molverhältnis durch das folgende Ver
fahren hergestellt werden. Das B/N-Molverhältnis des als
Ausgangsmaterial verwendeten Niederdruck-Bornitrids wird
bevorzugt auf nicht weniger als 0,900 und nicht mehr als
0,970 eingestellt, da der Borgehalt infolge der Dissipa
tion von Stickstoff als flüchtige Komponente, die von der
cBN-Zersetzung während der cBN-Herstellung herrührt, über
schüssig wird. Das Ausgangsmaterial wird in eine Re
aktionskammer in einer Stickstoffatmosphäre einge
schlossen, nachdem es sechs Stunden lang bei 200°C in ei
ner Stickstoffatmosphäre ohne Luftzutritt aufbewahrt wor
den war.
Die Reaktionskammer muß von höherer Reinheit und gegenüber
dem cBN inert sein, um eine Verunreinigung im Laufe des
bei hohen Temperaturen und hohen Drücken verlaufenden Re
aktionsverfahrens zu verhindern. Es ist besonders bevor
zugt, einen halbleitenden hochreinen Kohlenstoff mit einer
Reinheit von 99,9 Gew.-% oder höher als Heizelement zu
verwenden und eine aus einem Formkörper aus hochreinen
NaCl-Pulvern gebildete Ummantelung in das Heizelement ein
zupassen. Es ist auch bevorzugt, Niederdruck-Bornitrid als
Ausgangsmaterial in eine Metallfolie, wie eine Folie aus
Tantal (Ta), gewickelt in die Ummantelung einzupassen. Bei
einer solchen Bauweise der Reaktionskammer wirkt das Tan
tal als Fänger für die Fremdsubstanzen, so daß die Fremd
substanzen aufgrund der Tantalfolie nicht aus dem aus Koh
lenstoff bestehenden Heizelement oder von außerhalb di
spergiert werden. Da Natriumchlorid nur eine sehr geringe
elektrische Leitfähigkeit aufweist, kann es als Ver
kleidung zwischen dem Kohlenstoff und dem Tantal als elek
trisch leitende Materialien zur Gewährleistung eines
gleichbleibenden Erhitzens ohne die Gefahr eines möglichen
Kontakts zwischen Ta und Kohlenstoff vorgesehen werden.
Die hohe Temperatur und der hohe Druck, die aufrechterhal
ten werden müssen, sowie die Zeit ihrer Aufrechterhaltung
sind kritisch, da diese Faktoren die Reinheit des herzu
stellenden gesinterten Körpers und die Größe der primären
Kristallkörner erheblich beeinflussen. Um das Schleif
mittel, dessen primäre Kristallkörner eine mittlere Größe
von nicht mehr als 1,0 µm und eine Standardabweichung von
nicht mehr als 0,5 besitzen, herzustellen, sollte die Tem
peratur und der Druck so bemessen werden, daß das cBN
thermodynamisch stabil bleibt. Außerdem sollte die Tempe
ratur nicht unter 1900°C und nicht über 2100°C liegen.
Liegt die Temperatur unter 1900°C, wird das als Ausgangs
material verwendete Niederdruck-Bornitrid nicht vollstän
dig in cBN umgewandelt, so daß kein gesinterter Körper mit
einer Reinheit über 99 Gew.-% erhalten werden kann. Liegt
die Temperatur über 2100°C, vergröbert sich ein Teil der
primären Kristallkörner, möglicherweise aufgrund ein
setzenden Kornwachstums, wodurch die Struktur nicht
gleichförmig wird und die Standardabweichung der Größe der
primären Kristallkörner 0,5 überschreitet. Vor allem über
schreitet bei einer Temperatur oberhalb von 2200°C, mög
licherweise aufgrund des fortschreitenden Wachstums der
Kristallkörner, die mittlere Größe der primären Kristall
körner 1,0 µm.
Die Zeitdauer, in der die obigen Bedingungen aufrechter
halten werden, beträgt vorzugsweise nicht mehr als 120 Mi
nuten. Wenn diese Zeit 120 Minuten überschreitet, schrei
tet das Sintern der einmal gebildeten, nicht mehr als
1,0 µm großen primären Kristallkörner fort, was zu einem
Kornwachstum führt, das die Größe der primären Kristall
körner vergröbert oder nicht-gleichförmig macht.
Das Folgende begründet die erhöhte Widerstandsfähigkeit
und Verschleißbeständigkeit eines aus polykristallinem cBN
bestehenden Schleifmittels, bei dem die mittlere Größe der
das Schleifmittel bildenden, primären Kristallkörner und
ihre Standardabweichung nicht mehr als 1,0 µm bzw. nicht
mehr als 0,5 betragen.
Während des Schleifens wirkt eine starke impulsartige
Scherkraft auf die Schleifmittel. Wenn also die primären
Kristallkörner, die das polykristalline cBN-Schleifmittel
bilden, eine feinere Korngröße und eine gleichförmige
feine Struktur besitzen, dergestalt daß die mittlere Größe
der primären Kristallkörner nicht mehr als 1,0 µm und ihre
Standardabweichung nicht mehr als 0,5 beträgt, dann ist
das Korn aufgrund seiner erhöhten Festigkeit und seiner
erhöhten Beständigkeit gegenüber der Fortpflanzung von
Rissen weniger brüchig. Wenn, im Gegensatz dazu, die pri
mären Kristallkörner nicht von gleichförmiger Größe sind,
konzentriert sich die Belastung bei Anwendung eines äuße
ren Drucks auf den Teil der Körner, die nicht von gleich
förmiger Größe sind, und führt so zu einer verringerten
Widerstandsfähigkeit der Körner und zum Kornzerfall wäh
rend des Schleifens.
Das Folgende erklärt außerdem möglicherweise die niedrige
Abriebrate des erfindungsgemäßen Schleifmittels. Man nimmt
an, daß der Abrieb am Kopfende des Schleifmittels durch
die Ablösung von primären Kristallkörnern unter Einwirkung
einer impulsartigen Scherkraft hervorgerufen wird. Ver
ständlicherweise ist die Menge der während eines Schleif
vorgangs abgelösten Körner bei dem erfindungsgemäßen
Schleifmittel gering, da die mittlere Größe der primären
Kristallkörner, die das Schleifmittel bilden, 1,0 µm oder
weniger beträgt und auf diese Weise zu einer geringeren
Abriebrate führt.
Andererseits erklärt das Folgende möglicherweise den ver
ringerten Abrieb der Schleifscheibe und die Aufrechterhal
tung der anfänglichen Schleifleistung über einen längeren
Zeitraum, wenn das polykristalline cBN-Schleifmittel, das
ein B/N-Molverhältnis von nicht weniger als 0,95 und weni
ger als 1,00 aufweist, verwendet wird. Stickstoff neigt
bei seiner Freisetzung im Vergleich zu Bor leicht zur Dis
sipation, so daß unreine Verbindungen mit höherer Wahr
scheinlichkeit gebildet werden, wenn Bor im Überschuß vor
liegt, so daß sich die Widerstandsfähigkeit des Schleif
mittels deutlich verringert, wenn das B/N-Molverhältnis
1,00 überschreitet. Ein weiterer möglicher Faktor, der zur
Abweichung vom B/N-Molverhältnis von 1,00 führt, sind die
Defekte im cBN-Korn. Es kann vermutet werden, daß eine
große Abweichung des B/N-Molverhältnisses von dem obigen
Bereich mit Zunahme der Defekte zu einer verringerten Wi
derstandsfähigkeit des cBN-Korns selbst führt. Die vor
liegende Erfindung besteht darin, ein Schleifmittel von
hoher Widerstandsfähigkeit und langer Nutzungsdauer be
reitzustellen, indem verhindert wird, daß die Widerstands
fähigkeit des Schleifmittels sowohl durch unreine Verbin
dungen als auch durch Defekte verringert wird.
Die vorliegende Erfindung wird unter Bezug auf Beispiele
und Vergleichsbeispiele näher erläutert.
Das einzige im Handel erhältliche polykristalline cBN-
Schleifmittel "BORAZON BZ550®" mit einer Korngröße von
60/80 Mesh (180/250 µm), hergestellt und vertrieben von
der GENERAL ELECTRIC COMPANY, wurde bezogen und gemäß dem
in der JIS-Norm R 6003 beschriebenen Verfahren geprüft.
Mit Hilfe eines Transmissions-Elektronenmikroskops wurde
ein Bild erzeugt, wobei nur ein Teil der (111)-Diffraktionslinien
verwendet wurde. Es wurde ein Dunkelfeldbild
erzeugt, das einen der Größe der primären Kristallkörner
entsprechenden Kontrast aufwies.
Durch Analyse der Photographie des hergestellten Dunkel
feldbildes, das eine große Zahl von Bildern primärer Kri
stallkörner enthielt, mit Hilfe eines von PIAS CO. LTD.
hergestellten Geräts zur Bildanalyse "LA555" wurde die
mittlere Größe und die Standardabweichung der Größe der
primären Kristallkörner, die das Schleifmittel bilden, ge
messen. Die Messung wurde an zehn willkürlich ausgewählten
Sichtfeldern durchgeführt, um einen das gesamte Schleif
mittel kennzeichnenden Durchschnittswert zu erhalten. Die
Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
1,2 g der Schleifmittel wurden andererseits mit Alkali ge
mischt und durch Erhitzen geschmolzen. Das geschmolzene
Produkt ließ man bei Raumtemperatur koaleszieren und löste
es durch Zugabe von Salzsäure auf. Eine Probe der resul
tierenden Lösung wurde unter Verwendung einer Methanol-De
stillations-Methode extrahiert. Die extrahierte Lösung
wurde mit Alkali titriert, um eine Gewichtsanalyse des in
dem Schleifmittel enthaltenen Bors durchzuführen.
1,2 g des Schleifmittels wurden andererseits unter einer
Inertgasatmosphäre in einem Impulsofen aufgelöst und zer
setzt, und das dabei gebildete Stickstoffgas wurde gas
chromatographisch auf den Stickstoffgehalt des Schleif
mittels hin analysiert. Das Ergebnis der Analyse zeigte
ein B/N-Molverhältnis des polykristallinen cBN-Schleif
mittels von 1,03.
200 Karat der cBN-Kristallkörner wurden entnommen, um eine
keramisch gebundene Schleifscheibe herzustellen, die einen
Durchmesser von 200 mm, eine Dicke von 10 mm und einen
Konzentrationsgrad von 200 aufwies. Die Schleifscheibe
wurde durch Einstech-Schleifen getestet, und die Abrieb
menge der Schleifscheibe und die Oberflächenrauheit der
geschliffenen Teststücke wurden gemessen. Die Ergebnisse
sind in Tabelle 1 gezeigt.
Die in dem Schleiftest verwendeten Teststücke waren aus
Lagerstahl SUJ2, und die Schleifbedingungen waren so ge
wählt, daß die Umfangsgeschwindigkeit der Schleifscheibe
3600 m/min, die Zuführungsgeschwindigkeit der Teststücke 9
m/min, die Schnittiefe der Schleifscheibe 15 µm und die
Schleifdauer 60 min betrugen.
Unter Verwendung von pyrolytischem Bornitrid mit einem
B/N-Molverhältnis von 0,98 und verschiedenen, von 98,0 bis
99,9 Gew.-% reichenden Reinheitsgraden als Ausgangsma
terial und unter Verwendung von halbleitendem, hochreinen
Kohlenstoff mit einer Reinheit von nicht weniger als 99,9
Gew.-% als Heizelement, wurde eine Reaktionszelle konstru
iert, bei der eine aus einem Formkörper aus hochreinen
NaCl-Pulvern gebildete Ummantelung in das Heizelement ein
gesetzt wurde und ein Stück eines in eine Tantalfolie ein
gewickelten, pyrolytischen Bornitrids als Ausgangsmaterial
in die Ummantelung eingepaßt wurde. Beim Zusammenbau der
Reaktionszelle ließ man das Stück des Ausgangsmaterials in
einer Stickstoffatmosphäre sechs Stunden bei 200°C stehen
und schloß es anschließend in eine Reaktionskammer unter
Stickstoffatmosphäre ohne Luftzutritt ein. Die Reaktions
zelle wurde in einen Generator vom Flachriementyp zur Er
zeugung von hohen Temperaturen und extrem hohen Drücken
eingebracht und bei der in Tabelle 1 gezeigten Temperatur
und einem Druck von 8,0 GPa 100 Minuten lang behandelt,
wodurch direkt in cBN umgewandelte, polykristalline Pro
dukte hergestellt wurden, die dann gewonnen wurden. Jedes
der so gewonnenen polykristallinen Produkte wurde mit ei
ner Walzenmühle gemahlen und zur Aussortierung der
Schleifmittel mit einer Korngröße von 60 bis 80 Mesh (180
bis 250 µ) klassifiziert. Die Schleifmittel wurden gemäß
der JIS-Norm R 6003 getestet. Mittels eines Transmissions-
Elektronenmikroskops wurde ein Dunkelfeldbild angefertigt,
das einen der Größe der primären Kristallkörner entsprechenden
Kontrast aufwies, wobei nur ein Teil der (111)-
Diffraktionslinien verwendet wurde.
Durch Analyse jeder Photographie des hergestellten Dunkel
feldbildes, das eine große Zahl von Bildern primärer
Kristallkörner enthielt, mit Hilfe eines von PIAS CO. LTD.
hergestellten Geräts zur Bildanalyse "LA555" wurde die
mittlere Größe und die Standardabweichung der Größe der
primären Kristallkörner, die den gesinterten Körper bil
den, gemessen. Die Messung wurde an zehn willkürlich aus
gewählten Sichtfeldern durchgeführt, um einen das gesamte
Schleifmittel kennzeichnenden Durchschnittswert zu erhal
ten. Die mittleren Größen der primären Kristallkörner, die
die Schleifmittel bilden, und die Standardabweichungen,
wie sie durch die Bildanalysen erhalten werden, sind in
Tabelle 1 gezeigt. Das mit einem Transmissions-Elektronen
mikroskop mit einem Vergrößerungsfaktor von 8000 aufgenom
mene Dunkelfeldbild, das den Aufbau der primären Kristall
körner des in Beispiel 1 hergestellten cBN-
Schleifmittels zeigt, ist in Fig. 1 gezeigt.
Das B/N-Molverhältnis von jedem der Schleifmittel, die ge
mäß den Referenzbeispielen 1 bis 5 und den Vergleichsbeispielen
2 bis 4 hergestellt worden waren, wurde in der
gleichen Weise wie im Vergleichsbeispiel 1 gemessen.
Unter Verwendung der gemäß den Referenzbeispielen 1 bis 5
und den Vergleichsbeispielen 2 bis 4 erhaltenen Schleifmitteln
wurden Schleifscheiben nach dem gleichen Verfahren,
wie in Zusammenhang mit Vergleichsbeispiel 1 erklärt,
hergestellt. Deren Schleifleistung wurde unter denselben
Bedingungen gemessen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 ge
zeigt.
Die direkt umgewandelten polykristallinen cBN-Produkte
wurden unter denselben Bedingungen wie in den obigen Bei
spielen hergestellt, mit der Ausnahme, daß als Ausgangsma
terial pyrolytisches Bornitrid mit einer Reinheit von 99,9 Gew.-%
und einer Vielzahl von verschiedenen Werten für das
B/N-Molverhältnis, das von 0,93 bis 1,01 reichte, verwen
det wurde. Jedes der hergestellten polykristallinen Pro
dukte wurde pulverisiert, um Schleifmittel zu erhalten.
Die mittlere Größe und die Standardabweichung der primären
Kristallkörner, die das Schleifmittel bilden, sowie das
B/N-Molverhältnis des Schleifmittels wurden in der glei
chen Weise wie in Beispiel 1 gemessen.
Dann wurden in der gleichen Weise wie in Vergleichsbei
spiel 1 unter Verwendung der in den Beispielen 6
und 9 sowie den Beispielen 7 und 8 erhaltenen Schleifmittel
Schleifscheiben angefertigt, deren Schleifleistung unter
den gleichen Bedingungen wie im Vergleichsbeispiel 1
gemessen wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
Claims (1)
- Schleifmittel aus einem polykristallinen kubischen Bornitrid, dadurch gekennzeichnet, daß die mittlere Größe jedes, das Schleifmittel bildenden, primären Kristallkorns nicht über 1,0 µm liegt, ihre Standardabweichung nicht mehr als 0,5 beträgt und das Molverhältnis von Bor zu Stickstoff nicht weniger als 0,95 und weniger als 1,00 beträgt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4135593A JP2744732B2 (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 砥 粒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE4314341A1 DE4314341A1 (de) | 1993-11-04 |
| DE4314341C2 true DE4314341C2 (de) | 1995-05-04 |
Family
ID=15155451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE4314341A Expired - Fee Related DE4314341C2 (de) | 1992-04-30 | 1993-04-30 | Schleifmittel aus polykristallinem kubischen Bornitrid |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5443605A (de) |
| JP (1) | JP2744732B2 (de) |
| DE (1) | DE4314341C2 (de) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618509A (en) * | 1993-07-09 | 1997-04-08 | Showa Denko K.K. | Method for producing cubic boron nitride |
| US5691260A (en) * | 1994-12-30 | 1997-11-25 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Cubic system boron nitride sintered body for a cutting tool |
| EP1006091A4 (de) * | 1998-05-22 | 2004-08-04 | Sumitomo Electric Industries | Gesinterter schneidwerzeugkörper aus bornitrid des kubischen systems |
| US20050081456A1 (en) * | 2003-01-06 | 2005-04-21 | Showa Denko K.K. | Cubic boron nitride abrasive grain, production method therefor, and grinding wheel and coated abrasive using the same |
| JP4677665B2 (ja) * | 2000-11-21 | 2011-04-27 | 日油株式会社 | 高圧相物質の製造方法 |
| US7404832B2 (en) * | 2001-05-21 | 2008-07-29 | Showa Denko K.K. | Method for producing cubic boron nitride abrasive grains |
| TWI330672B (en) * | 2002-05-28 | 2010-09-21 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Method for forming ultrafine particle brittle material at low temperature |
| JP5554052B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2014-07-23 | 株式会社アドマテックス | 研磨用組成物および研磨方法 |
| CN103831737A (zh) * | 2014-02-11 | 2014-06-04 | 当涂县南方红月磨具磨料有限公司 | 一种含贝壳粉的立方氮化硼砂轮 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2500515A1 (de) * | 1974-01-23 | 1975-07-24 | Hitachi Ltd | Verfahren zur herstellung von kubischem bornitrid |
| US4188194A (en) * | 1976-10-29 | 1980-02-12 | General Electric Company | Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride |
| US4289503A (en) * | 1979-06-11 | 1981-09-15 | General Electric Company | Polycrystalline cubic boron nitride abrasive and process for preparing same in the absence of catalyst |
| JPS5939362B2 (ja) * | 1981-11-12 | 1984-09-22 | 昭和電工株式会社 | 窒化ホウ素系化合物およびその製造方法 |
| DE3868451D1 (de) * | 1987-07-29 | 1992-03-26 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zur verbindung eines sinterkoerpers aus kubischem bornitrid. |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP4135593A patent/JP2744732B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-30 DE DE4314341A patent/DE4314341C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-01 US US08/253,196 patent/US5443605A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05311154A (ja) | 1993-11-22 |
| US5443605A (en) | 1995-08-22 |
| DE4314341A1 (de) | 1993-11-04 |
| JP2744732B2 (ja) | 1998-04-28 |
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Legal Events
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| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
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