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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Drehwerkzeug, beinhaltend
eine Schneidklinge bzw. ein Schneidmesser, und auf eine Schneidvorrichtung,
umfassend dasselbe. Spezifischer bezieht sie sich auf ein Drehwerkzeug,
welches es erfordert, die charakteristischen Eigenschaften der Schneidklinge
des Drehwerkzeugs zum Zeitpunkt eines Schneidens zu erkennen; und
auf eine Schneidvorrichtung, umfassend dasselbe entsprechend dem Oberbegriff
von Anspruch 1 bzw. Anspruch 4. Ein derartiges Werkzeug und eine
Vorrichtung sind als ein Beispiel durch das Dokument
US-A-4 922 591 geoffenbart.
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Beschreibung
des Standes der Technik
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Ein
typisches Beispiel einer Schneidvorrichtung, umfassend ein Drehwerkzeug,
beinhaltend eine Schneidklinge bzw. ein Schneidmesser, ist eine Zerteilvorrichtung
zum Schneiden eines Halbleiterwafers entlang von Schneidlinien,
die in einem Gittermuster auf der Oberfläche des Halbleiterwafers ausgebildet
sind. In dieser Zerteilvorrichtung ist ein rotierendes bzw. Drehwerkzeug,
welches eine dünne (beispielsweise
etwa 15 μm)
ringplattenartige Schneidklinge aufweist, auf eine Drehwelle angepaßt, welche
mit hoher Geschwindigkeit bzw. Drehzahl gedreht wird. Die Schneidklinge
des Drehwerkzeugs, welches mit einer hohen Geschwindigkeit gedreht
wird, wird veranlaßt,
auf dem Halbleiterwafer zu arbeiten, um ihn zu schneiden. Um den
Halbleiterwafer mit einer gewünschten,
ausreichend hohen Genauigkeit zu schnei den, ist es wichtig, die
Schneidklinge bzw. das Schneidmesser und den Halbleiterwafer relativ
zueinander mit ausreichend hoher Genauigkeit zu positionieren. In
größerem Detail
festgehalten, ist es wichtig, die zentrale bzw. Mittellinie in einer
Dickenrichtung der Schneidklinge mit der Mittellinie von jeder der
Schnitt- bzw. Schneidlinien auf der Oberfläche des Halbleiterwafers mit
ausreichend hoher Genauigkeit auszurichten. Es ist auch notwendig, die
Eindring- bzw. Interferenztiefe (Schneidtiefe) der Schneidklinge
in den Halbleiterwafer auf einen vollständig genauen vorbestimmten
Wert festzulegen. Um das relative Positionieren der Schneidklinge
und des Halbleiterwafers mit ausreichend hoher Genauigkeit durchzuführen, ist
es notwendig, die charakteristischen Eigenschaften, wie eine Dicke
und einen Außendurchmesser
der Schneidklinge mit ausreichend hoher Genauigkeit zu erkennen.
Die Schneidklinge des Drehwerkzeugs für ein Schneiden bzw. Zerteilen
des Halbleiterwafers ist allgemein als eine Elektroabscheidungsschicht,
umfassend schleifende Diamantkörner,
die durch ein Elektroabscheidungsmetall gehalten sind, ausgebildet.
Wie dies unter den Fachleuten bekannt ist, kann die Existenz von
einem bestimmten Fehler in der Ausbildung der oben genannten Elektroabscheidungsschicht
nicht vermieden werden und ein gewisser Fehler existiert unvermeidbar
in den charakteristischen Eigenschaften, wie Dicke und Außendurchmesser
der Schneidklinge. Um dem Rechnung zu tragen wird, wenn ein neues
Drehwerkzeug in die Schneidvorrichtung eingesetzt wird, ein Halbleiterwafer
durch das Drehwerkzeug versuchsweise geschnitten und der geschnittene
Zustand des Halbleiters wird im Detail analysiert, um die Schneidcharakteristika
bzw. -eigenschaften der Schneidklinge basierend auf den analytischen Ergebnissen
zu erkennen. Basierend auf dieser Information wird das Positionieren
der Schneidklinge relativ zu dem Halbleiterwafer gesteuert bzw.
geregelt, wenn der Halbleiterwafer tatsächlich zu schneiden bzw. zu
zerteilen ist.
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Daher
ist die detaillierte Analyse des geschnittenen Zustands des Halbleiterwafers
durch ein versuchsweises bzw. provisorisches Schneiden des Halbleiterwafers
jedesmal, wenn ein neues Drehwerkzeug verwendet wird, extrem schwierig
und erfordert große
Kenntnis bzw. Geschicklichkeit.
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Als
ein weiteres Beispiel bezieht sich
US-A-4 922 591 auf ein System und ein Verfahren
zum Speichern und selektiven Übertragen
von Schneidwerkzeugen zu einem Werkzeughalter einer Maschine, umfassend
einen Strichcodierer, um codierte Etiketten zur Verfügung zu
stellen, enthaltend Informationen, wie die Art des Werkzeugs und
ihre Verlagerungen, und ein Festlegen des Etiketts auf den Schneidwerkzeugen.
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US-A-4 411 107 bezieht
sich auf ein Schleifrad, welches mit hoher Geschwindigkeit bzw.
Drehzahl drehen kann, um ebene bzw. flache Platten zu schleifen,
umfassend einen dünnen
konischen Schleifstein, der an das offene Ende einer rotierbaren umgekehrten
Schale festgelegt ist, wobei die Schneidkante nach außen von
und unter einem geneigten Winkel in bezug auf das offene Ende vorragt.
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Zusammenfassung
der Erfindung
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Es
ist das Ziel der vorliegenden Erfindung, es möglich zu machen, die charakteristischen
Eigenschaften einer Schneidklinge bzw. eines Schneidmessers in einem
Drehwerkzeug schnell und leicht ohne das Erfordernis für ein versuchsweises
Schneiden eines Halbleiterwafers zu erkennen.
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Es
wird ein Drehwerkzeug gemäß Anspruch 1
zur Verfügung
gestellt, beinhaltend eine Schneidklinge und einen Indikator, der
die charakteristischen Eigenschaften des Schneidmessers bzw. der Schneidklinge
zeigt. Es wird auch eine Schneidvorrichtung gemäß Anspruch 4 zur Verfügung gestellt, auf
welcher das Drehwerkzeug lösbar
festgelegt ist und welches Mittel zum Lesen des Indikators bzw. der
Anzeige umfaßt.
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Das
Drehwerkzeug umfaßt
bzw. beinhaltet eine Nabe, die mit der Schneidklinge einstückig bzw. integral
ist, und der Indikator bzw. Anzeiger ist auf der Oberfläche der
Nabe vorgesehen. Die Schneidklinge ist ähnlich einer dünnen ringförmigen Platte
geformt, welche sich von der Nabe erstreckt, und die charakteristischen
Eigenschaften beinhalten wenigstens eine aus der Dicke der Schneidklinge,
dem Außendurchmesser
der Schneidklinge und der vorragenden Länge in einer radialen Richtung
der Schneidklinge von dem Umfang der Nabe.
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Der
Indikator ist vorzugsweise ein Strichcode. Der Strichcode ist vorzugsweise
an einem Anhänger
gedruckt, der an dem Drehwerkzeug festgelegt ist. Die Schneidklinge
besteht aus einer Elektrodenpositionsschicht, enthaltend abrasive
bzw. schleifende Diamantkörner
und ist vorzugsweise ähnlich einer
dünnen
Ringplatte geformt. Die Lesemittel können ein Strichcodeleser sein.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist eine perspektivische
Ansicht, die schematisch eine Zerteileinrichtung zeigt;
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2 ist eine perspektivische
Ansicht, die einen Halbleiterwafer zeigt, der durch die Zerteileinrichtung
von 1 zu schneiden ist;
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3 ist eine perspektivische
Explosionsansicht, die Schneidmittel der Zerteileinrichtung von 1 zeigt;
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4 ist eine Schnittansicht,
die ein Drehwerkzeug in den Schneidmitteln von 3 zeigt;
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5 ist ein Diagramm, das
die auf eine Steuerung bzw. Regelung bezogenen Elemente in der Zerteileinrichtung
von 1 zeigt.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausbildungen
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Bevorzugte
Ausbildungen der vorliegenden Erfindung werden im Detail unter Bezugnahme
auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
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1 zeigt einen Halbleiterwafer-Zerteileinrichtung,
welche ein Beispiel der Schneidvorrichtung ist. Die Zerteileinrichtung,
welche vollständig
durch ein Bezugszeichen 2 bezeichnet ist, umfaßt ein Gehäuse 4.
Auf dem Gehäuse 4 sind
ein Ladebereich 6, ein Wartebereich 8, ein Ansaug- bzw. Einspannbereich 10,
ein Ausrichtungsbereich 12, ein Schneidbereich 14 und
ein Endreinigungs- und Trocknungsbereich 16 definiert.
Ein anhebbarer und absenkbarer Tisch 18 ist in dem Ladebereich 6 angeordnet
und eine Kassette C, die eine Mehrzahl von Halbleiterwafern W speichert
(2), welche voneinander
in einer vertikalen Richtung beabstandet sind, ist auf diesem anheb-
und absenkbaren Tisch 18 angeordnet. Wie dies deutlich
in 2 gezeigt ist, ist
jeder der Halbleiterwafer W, die in der Kassette C gespeichert sind,
in einer zentralen Öffnung
in einem Rahmen F durch ein Montageband T festgelegt. Das Montageband
T, wel ches aus einem geeigneten synthetischen Harzfilm gebildet
sein kann, wird über
die zentrale Öffnung
in dem Rahmen F festgelegt und mit der Rückseite des Halbleiterwafers
W und mit der Rückseite
des Rahmens F verbunden. Schnitt- bzw. Schneidlinien L sind in einem
Gittermuster auf der Oberfläche
des Halbleiterwafers W angeordnet. Ein erstes Transportmittel 20 ist
in Wechselwirkung mit dem Ladebereich 6 und dem Wartebereich 8 zur
Verfügung
gestellt. Das erste Transportmittel 20 wird in Antwort
auf die vertikale Bewegung des anhebbaren und absenkbaren Tisches 18 bewegt,
um den Rahmen F, auf welchem der zu schneidende Halbleiterwafer
W angeordnet ist, zu dem Wartebereich 8 von der Kassette
C zu liefern (um den Rahmen F, auf welchem der geschnittene, schließlich gereinigte
und der getrocknete Halbleiterwafer W montiert ist, in die Kassette
C von dem Wartebereich 8 zu liefern, wie dies nachfolgend
beschrieben wird). Ein zweites Transportmittel 22 ist in
Wechselwirkung bzw. Zusammenspiel mit dem Wartebereich 8,
dem Einspannbereich 10 und dem Endreinigungs- und Trocknungsbereich 16 zur
Verfügung
gestellt. Der Rahmen F, der von der Kassette C zu dem Wartebereich 8 geführt bzw.
geliefert ist, wird durch den Einspannbereich 10 durch
die zweiten Transportmittel 22 getragen. In dem Ansaug-
bzw. Einspannbereich 10 wird der Rahmen F, auf welchem
der Halbleiterwafer W, der zu schneiden ist, festgelegt ist, auf
die Oberseite einer Ansaug- bzw.
Einspannvorrichtung 24, die eine kreisförmige Oberfläche aufweist,
durch ein Vakuum angezogen. Der Rahmen F, der auf die Oberseite
des Einspannbereichs bzw. des Ansaugtischs 24 in dem Einspannbereich 10 angezogen
ist, wird in Übereinstimmung
mit der Bewegung der Einspannvorrichtung 24 bewegt und
in dem Ausrichtungsbereich 12 positioniert. Abbildungsmittel 26 sind
in Wechselwirkung mit dem Ausrichtungsbereich 12 zur Aufnahme eines
Bilds der Oberfläche
des Halbleiterwafers W zur Verfügung
gestellt, der auf dem Rahmen F montiert ist. Basierend auf dem Bild
wird die Einspannvorrichtung 24 (dementsprechend der Rahmen
F, der den Halbleiterwafer W darauf montiert aufweist) präzise so
positioniert, daß die
Schnittlinien L, welche auf der Oberfläche des Halbleiterwafers W
angeordnet sind, an den erforderlichen relativen Positionen in bezug
auf ein Schneidmittel 28 (welche nachfolgend detaillierter
beschrieben sind) angeordnet sind, welche gemeinsam bzw. in Zusammenwirkung
mit den Schneidmitteln 14 vorgesehen bzw. zur Verfügung gestellt
sind. Die Oberfläche
des Halbleiterwafers W, dessen Bild durch die Abbildungsmittel 26 aufgenommen
wird, ist auf einem Monitor 30 angezeigt bzw. dargestellt.
Danach wird die Einspannvorrichtung 24 zu dem Schneidbereich 14 bewegt,
wo der Halbleiterwafer W, der auf dem Rahmen F festgelegt ist, entlang
der Schnittlinien L in dem Schneidbereich 14 geschnitten
wird. Dieses Schneiden wird allgemein durch ein vollständiges Schneiden
des Halbleiterwafers W ohne im wesentlichen Schneiden des Montagebands
T durchgeführt.
Nachdem der Halbleiterwafer W geschnitten ist, bleibt der Halbleiterwafer
W an dem Rahmen F durch das Montageband T montiert bzw. festgelegt.
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Nachdem
der Halbleiterwafer W wie gewünscht
in dem Schneidbereich 14 geschnitten ist, wird der Rahmen
F zu dem Einspannbereich 10 durch die Bewegung des Einspanntisches 24 bewegt.
Ein drittes Transportmittel 32 ist im Zusammenhang mit
dem Einspannbereich 10 und dem Endreinigungs- und Trocknungsbereich 16 vorgesehen,
um den Rahmen F zu dem Endreinigungs- und Trocknungsbereich 16 zu
tragen. In dem Endreinigungs- und Trocknungsbereich 16 wird
der geschnittene Halbleiterwafer W durch ein Reinigungs- und Trocknungsmittel
(nicht gezeigt) endgültig
bzw. abschließend
ge reinigt und getrocknet. Danach wird der Rahmen F zu dem Wartebereich 8 durch
die obigen zweiten Transportmittel 22 und dann zu der Kassette
C durch die ersten Transportmittel 20 zurückgeführt.
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Die
oben beschriebene Ausbildung der illustrierten bzw. dargestellten
Zerteilvorrichtung 2 ist bereits einem Fachmann bekannt
und bildet keinen Teil eines neuen Merkmals der vorliegenden Erfindung. Daher
wird die detaillierte Beschreibung der Zerteileinrichtung 2 in
dieser Beschreibung weggelassen.
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Erläuternd unter
Bezugnahme auf 1 und 3 umfassen die Schneidmittel 28,
die in dem obigen Schneidbereich 14 angeordnet sind, eine
rotierende bzw. Drehwelle 34, die sich im wesentlichen
in einer horizontalen Richtung erstreckt, und ein Drehwerkzeug 36 ist
lösbar
an einem freien Endabschnitt der Drehwelle 34 festgelegt.
In der illustrierten Ausbildung ist ein Endabschnitt 38 der
Drehwelle 34 mit einem Gewinde versehen und ein ringförmiger Flansch 40 ist
an dem rückwärtigen Ende
des Gewindeendabschnitts 38 vorgesehen. Indem mit der Erklärung unter
Bezugnahme auf 3 und 4 fortgefahren wird, besteht
das Drehwerkzeug 36 aus einer Nabe 42 und einer
Schneidklinge bzw. einem Schneidmesser 44. Die Nabe 42,
welche aus einem geeigneten Metall, wie Aluminium, geformt sein
kann, hat einen relativ dicken, kreisförmigen zentralen Abschnitt 46 und
einen ringförmigen
Flanschabschnitt, der sich von diesem Zentralabschnitt 46 erstreckt.
Ein kreisförmiges
Durchgangsloch 50 ist in dem zentralen Abschnitt 46 der
Nabe 42 ausgebildet. Der Innendurchmesser des Durchgangslochs 50 ist
im wesentlichen derselbe wie der Außendurchmesser der obigen Drehwelle 34.
Die Dicke des Flanschabschnitts 48 ist zunehmend zu seinem
Umfang verringert. Die Schneidklinge 4 ist an einer Seite,
d.h. der rechten Seite in 4,
des Flanschabschnitts 48 der Nabe 42 angelenkt
bzw. fixiert. Die Schneidklinge 44 ist vorzugsweise aus
einer Elektroabscheidungsschicht, enthaltend schleifende Diamantkörner, zusammengesetzt.
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Wie
dies oben beschrieben ist, kann das Drehwerkzeug 36 gut
durch ein für
sich bekanntes Elektroabscheideverfahren hergestellt werden. Kurz gesagt
werden in einem Beispiel eines Verfahrens zur Herstellung des Drehwerkzeugs 36 ein
Nabenrohmaterial, dessen vorragende Länge eines ringförmigen Flanschabschnitts
größer als
der ringförmige Flanschabschnitt 48 der
Nabe 42 um eine vorbestimmte Länge ist, wie dies durch eine
doppelt strichlierte Linie in 4 gezeigt
ist, und ein Metallstück, welches
ein Nickelstück
sein kann, in einen Elektrolyten eingetaucht, welcher eine Nickel-Sulfat-Lösung sein
kann und eine vorbestimmte Spannung wird zwischen den Nabenrohmaterial
und dem Metallstück angelegt.
Das Nabenrohmaterial ist mit einem Isolierenden Material unter Ausschluß eines
Oberflächenbereichs überdeckt,
wo die Elektroabscheidungsschicht ausgebildet werden sollte. Eine
große
Menge von schleifenden Diamantkörnern
ist in dem Elektrolyten enthalten. Dann werden die schleifenden
Diamantkörner,
die in dem Elektrolyten enthalten sind, akkumuliert und das Metall
wird auf den nicht isolierten Bereich des Nabenrohmaterials elektroabgeschieden,
wodurch eine Elektroabscheidungsschicht, enthaltend die schleifenden
Diamantkörner,
ausgebildet wird. Danach wird ein Bereich verschieden von einem
Abschnitt 51, der durch eine doppelt strichlierte Linie
in 4 gezeigt ist, des
Nabenrohmaterials mit einem nicht löslichen Material überzogen,
und ein Nabenglied, das die Elektroabscheidungs schicht darauf ausgebildet
aufweist, wird in eine Lösung
eingetaucht, welche eine Natrium-Hydroxid-Lösung sein kann, wodurch der
Abschnitt 51, der durch die doppelt strichlierte Linie
in 4 gezeigt ist, gelöst wird, um
das Drehwerkzeug 36, bestehend aus der Nabe 42 und
der Schneidklinge 44 auszubilden, die miteinander einstückig bzw.
integriert ausgebildet sind. Die Schneidklinge bzw. das Schneidmesser 44 des
Drehwerkzeugs 36 hat eine Dicke T von beispielsweise etwa
15 μm, und
einen Außendurchmesser
D von beispielsweise etwa 50 mm und die vorragende Länge X in
einer radialen Richtung der Schneidklinge 44 von dem Umfang
der Nabe 42 kann beispielsweise etwa 2 mm betragen.
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Indem
die Erklärung
unter Bezugnahme auf 3 fortgesetzt
wird, wird das Drehwerkzeug 36 auf die Drehwelle 34 aufgepaßt. Spezifischer
wird die Drehwelle 34 in das Durchgangsloch 50 des
Drehwerkzeugs 36 eingesetzt und dann wird ein Festlegungsglied 52 mit
dem Gewindeendabschnitt 38 der Drehwelle 34 so
zusammengepaßt,
daß das
Drehwerkzeug 36 zwischen dem ringförmigen Flansch 40, der
an der Drehwelle 34 ausgebildet ist, und dem Festlegungsglied 52 gehalten
ist. Es wird somit das Drehwerkzeug 36 auf die Drehwelle 34 aufgepaßt. Das
Festlegungsglied 52 ist ähnlich einem kurzen Zylinder
geformt und seine Innenoberfläche 54 ist
so mit einem Gewinde versehen, daß sie mit dem Gewindeabschnitt 38 der
Drehwelle 34 zusammenpaßt.
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Wie
dies unter Fachleuten bekannt ist, ist es im wesentlichen extrem
schwierig, mit ausreichend hoher Genauigkeit die Schneidklinge 44 auszubilden, welche
aus einer Elektroabscheidungsschicht, enthaltend schleifende Diamantkörner, zusammengesetzt
ist, obwohl es nicht unmöglich
ist, und geringe Änderungen
in der Dicke T, dem Außendurchmesser D
und der vorragenden Länge
X der Schneidklinge 44 unvermeidbar existieren. Änderungen
in der Dicke der Schneidklinge 44 beeinflussen die Ausrichtung zwischen
der Mittellinie in einer Dickenrichtung der Schneidklinge 44 und
der Mittellinie der Schnittlinie L auf der Oberfläche des
Halbleiterwafers W und Änderungen
in dem Außendurchmesser
D der Schneidklinge 44 beeinflussen die Schnitt- bzw. Schneidtiefe des
Halbleiterwafers W. Wenn der Halbleiterwafer w durch die Schneidklinge 44 geschnitten
wird, wird die Schneidklinge 44 dabei stufenweise bzw.
zunehmend verschlissen, wodurch die vorragende Länge X der Schneidklinge 44 die
Lebensdauer des Drehwerkzeugs 36 beeinflußt. Daher
ist es, wenn ein neues Drehwerkzeug 36 auf der Drehwelle 34 festgelegt wird,
notwendig, klar die charakteristischen Eigenschaften zu erkennen,
d.h. die Dicke T, den Außendurchmesser
D und die vorragende Länge
X der Schneidklinge 44 des Drehwerkzeugs 36. In
dem dargestellten bzw. illustrierten Drehwerkzeug 36, das gemäß der vorliegenden
Erfindung ausgebildet ist, weist die Nabe 42 einen Indikator
bzw. eine Anzeigeeinrichtung 56 auf, der (die) die charakteristischen
Eigenschaften der Schneidklinge 44 zeigt. Der Indikator
bzw. Anzeiger 56 in der illustrierten Ausbildung ist ein
Anhänger,
der mit einem Strichcode bedruckt ist, der die charakteristischen
Eigenschaften der Schneidklinge 44 anzeigt, und der Anhänger bzw.
die Kennzeichnung ist an einer geeigneten Stelle auf der Oberfläche der
Nabe 42 festgelegt. Die charakteristischen Eigenschaften,
die durch den Strichcode spezifiziert sind, d.h. die obige Dicke
T, der Außendurchmesser
D und die vorragende Länge
X der Schneidklinge 44 können durch ein Messen der Schneidklinge 44 genau
oder durch versuchsweises Schneiden des Halbleiterwafers W unter
Verwendung des Drehwerkzeugs 36 und dann Analysieren des
geschnittenen Zustands des Halbleiterwafers W an der Produktionsanlage
des Drehwerkzeugs 36 erhalten werden. So kann das Drehwerkzeug 36 mit
dem Indikator 56 versehen werden, bevor es von der Herstellungsanlage
verschifft wird.
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Anstelle
eines Festlegens des Anhängers, der
mit einem Strichcode bedruckt ist, kann die Nabe 42 des
Drehwerkzeugs 36 direkt mit einem Strichcode, falls dies
gewünscht
ist, bedruckt sein. Alternativ kann die Nabe 42 des Drehwerkzeugs 36 mit
einem Strichcode mittels Laserstrahlen graviert sein.
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Indem
unter Bezugnahme auf 1 und 5 erläutert wird, ist die Zerteileinrichtung 2 mit
einem Lesemittel 58 versehen, das aus einem Strichcodeleser
besteht. Das lösbare
bzw. entfernbare Lesemittel 58 ist auf der Vorderseite
des Gehäuses 4 der
Zerteileinrichtung 2 installiert und mit der zentralen
Be- bzw. Verarbeitungseinheit 62 der Steuer- bzw. Regelmittel
der Zerteileinrichtung 2 durch eine Leitung 60 verbunden.
Wenn ein neues Drehwerkzeug 36 verwendet wird, wird das
Lesemittel 58 von dem Gehäuse 4 gelöst, bevor
das Drehwerkzeug 36 auf der Drehwelle 34 festgelegt
wird, und der Indikator 56 auf dem Drehwerkzeug 36 wird
durch das Lesemittel 58 gelesen, wie dies in 5 gezeigt ist. Information,
die von dem Indikator 56 durch das Lesemittel 58 gelesen
wird, d.h. die charakteristischen Eigenschaften der Schneidklinge 44 der
Drehwelle 36 werden zu der zentralen Verarbeitungseinheit 62 gesandt
und in einem Speichermittel 64 gespeichert. Sie werden
temporär
auf dem Monitor 30, falls dies erforderlich ist, angezeigt.
Daher kann ein Betätiger der
Zerteileinrichtung 2 die charakteristischen Eigenschaften
der Schneidklinge 44 des Drehwerkzeugs 36 verstehen.
Wenn das Drehwerkzeug 36 auf der Dreh welle 34 aufgepaßt wird,
wie dies erforderlich ist, um tatsächlich den Halbleiterwafer
W zu schneiden, werden die charakteristischen Eigenschaften, insbesondere
die Dicke T und der Außendurchmesser
D der Schneidklinge 44, die in den Speichermitteln 64 gespeichert
sind, berücksichtigt,
um das Positionieren der Schneidklinge 44 relativ zu der
Schnitt- bzw. Schneidlinie
L des Halbleiterwafers W durchzuführen. Weiters ist es möglich, einen
Betätiger
zu einer vorbestimmten Zeit zu warnen, daß die Lebensdauer der Schneidklinge 44 zu
Ende geht, indem die Anzahl von Malen eines Schneidens bzw. Zerteilens
des Halbleiterwafers W verglichen wird, d.h. das Ausmaß eines
Abriebs der Schneidklinge 44 mit der obigen vorragenden
Länge X
der Schneidklinge 44. Dieses Warnen kann beispielsweise
durch ein Aufleuchten einer Warnlampe (nicht gezeigt) durchgeführt werden.
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Das
Drehwerkzeug 36, das in 3 und 4 gezeigt ist, wird auch
auf den Markt in einem Zustand gebracht, daß es in einem Speicherbehälter (nicht gezeigt)
gespeichert ist. Daher kann in dem Fall des Drehwerkzeugs 36,
bestehend aus der Nabe 42 und der Schneidklinge 44,
welche miteinander einstückig ausgebildet
sind, wie dies in 3 und 4 ist, der Indikator 56 auch
auf dem Speichergehäuse
anstelle des Drehwerkzeugs 36 zur Verfügung gestellt sein, falls dies
gewünscht
ist.
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Obwohl
die bevorzugten Ausbildungen der Erfindung im Detail unter Bezugnahme
auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben wurden, ist es eindeutig
zu verstehen, daß die
Erfindung nicht darauf beschränkt
ist, sondern anders innerhalb des Rahmens der Ansprüche verändert und
modifiziert werden kann.