DE68914364T2

DE68914364T2 - Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes.

Info

Publication number: DE68914364T2
Application number: DE68914364T
Authority: DE
Inventors: Tsutou Asakura; Shintaro Nakagaki; Hirohiko Shinonaga; Itsuo Takanashi
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1988-07-28
Filing date: 1989-07-27
Publication date: 1994-07-28
Anticipated expiration: 2009-07-28
Also published as: IL91153A; IL91153A0; KR900002138A; EP0354688A1; US5087539A; JPH0239062A; KR920009978B1; CN1039905A; DE68914364D1; CN1031603C; EP0354688B1; BR8903749A; CA1324183C

Description

Hintergrund der Erfindung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes.
Im Xerographieverfahren, Elektrofaxverfahren und dergleichen, die als typische Verfahren der Abbildung durch Elektrophotograpie geläufig sind, ist der Einsatz eines Verfahrens zur direkten Sichtbarmachung oder Entwicklung des elektrostatischen latenten Bildes unter Verwendung eines Farbtoners allgemein bekannt. Ferner ist es bei elektronischen Kopiermaschinen der Übertragungsart prinzipiell bekannt, das Tonerbild auf ein Übertragungsblatt zu übertragen, um hierdurch eine Reproduktion oder ein Dublikat des Originalbildes zu gewinnen.
Jedoch werden in den elektronischen Kopiermaschinen nach Art einer Übertragung, die so aufgebaut sind, daß sie ein solches Übertragungssystem verwenden, bei dem auf ein Übertragungsblatt ein Tonerbild, das durch Entwickeln eines elektrostatischen latenten Bildes durch einen Farbtoner gewonnen wurde, übertragen wird, jeweilige Arbeitsgänge in Form des Aufladungsprozesses, Expositionsprozesses, Entwicklungsprozesses, Übertragungsprozesses und Reinigungsprozesses wiederholt auf eine lichtempfindliche Trommel angewandt werden, die unter Einsatz eines Photoleiters ausgelegt ist, woraus eine verkürzte Lebensdauer der lichtempfindlichen Trommel resultiert. Um diesen Nachteil zu überwinden, wurde ein Versuch unternommen, ein Verfahren zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes durchzuführen. Bislang sind vielfältige Verfahren zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes vorgeschlagen worden.
Mittlerweile wird im konventionellen System zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes ein elektrostatisches latentes Bild übertragen, dann unter Verwendung eines Farbtoners entwickelt, wenn ein Absolutwert des elektrostatischen Potentials des übertragenen elektrostatischen latenten Bildes nicht erforderlich ist.
Jedoch liegt bei einer hochauflösenden Bildaufnahmevorrichtung wie der in der europäischen Offenlegungsschrift Nr. A- 0 327 236, die von der Anmelderin der vorliegenden Erfindung eingereicht wurde, eine Abhängigkeit vom Absolutwert des Potentials eines elektrostatischen latenten Bildes für das Auslesen des elektrostatischen latenten Bildes als Videosignal vor. Diesbezüglich ist im Stand der Technik kein Verfahren bekannt geworden, das einfach in die Praxis umsetzbar ist.
Ein Verfahren zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes ist aus der DE-B-1937057 bekannt, das die Schritte aufweist:
Vorbereiten eines Master-Aufzeichnungselementes, von dem eine Seite mit einer ersten Elektrode und eine andere Seite mit einer ersten Aufzeichnungsschicht versehen werden, in der eine Bildinformation in Form einer Materialeigenschaftsänderung der ersten Aufzeichnungsschicht vorgebildet wird,
Vorbereiten eines Blanko-Aufzeichnungselementes, das eine zweite Aufzeichnungsschicht aufweist,
Anordnen der ersten Aufzeichnungsschicht des Master-Aufzeichnungselementes gegenüberliegend zur zweiten Aufzeichnungsschicht, und
Erzeugen einer gleichförmigen oder gleichmäßigen Schicht aus Ladungen auf der zweiten Aufzeichnungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes durch eine Ladungserzeugungseinrichtung auf einer Seite der zweiten Aufzeichnungsschicht, die der bevorzugten Bildinformation gegenüberliegt um ein übertragenes elektrostatisches latentes Bild auf der zweiten Aufzeichnungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes entsprechend und in Abhängigkeit der in der ersten Aufzeichnungsschicht des Master-Aufzeichnungselementes vorgebildeten Bildinformation zu erzeugen. Mit diesem Verfahren wird das in der ersten Aufzeichnungsschicht aufgezeichnete Bild auf die zweite Aufzeichnungsschicht entladen und wird zerstört.
Die US-A-3980475 offenbart ein ähnliches Verfahren, bei dem ein Bild von einem Masteroriginal, das eine erste Aufzeichnungsschicht aufweist, mittels einer Rollen- oder Trommelelektrode auf ein Blanko-Aufzeichnungselement übertragen wird. Wieder wird das Bild entladen und zerstört.
Es ist daher ein Gegenstand dieser Erfindung, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes anzugeben, bei denen es möglich ist, ein absolutes Potential eines übertragenen elektrostatischen latenten Bildes klar zu bestimmen bzw. festzulegen.
Gemäß dieser Erfindung wird ein Verfahren zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes vorgesehen, aufweisend die Schritte:
Vorbereiten eines Master-Aufzeichnungselementes (Zwischenoriginals), von dem eine Seite mit einer ersten Elektrode und eine andere Seite mit einer ersten Aufzeichnungsschicht versehen werden, in der eine Bildinformation auf eines solche Weise vorgebildet wird, daß sich die Materialeigenschaft der ersten Aufzeichnungsschicht durch die Wechselwirkung mit der Bildinformation ändert,
Vorbereiten eines Blanko-Aufzeichnungselementes bzw. Leer- oder Blindelementes, das eine zweite Aufzeichnungsschicht aufweist,
Anordnen der ersten Aufzeichnungsschicht des Master-Aufzeichnungselementes gegenüberliegend zur zweiten Aufzeichnungsschicht und diese nicht kontaktierend (d.h. in gegenüberliegender Stellung ohne Berührung), und
Vorsehen einer gleichförmigen Schicht aus Ladungen auf der zweiten Aufzeichnungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes durch eine Ladungserzeugungseinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die gleichförmige oder gleichmäßige Ladungsschicht auf einer der Seite, die der vorgebildeten Bildinformation gegenüberliegt, abgewandten Seite der zweiten Aufzeichnungsschicht vorgesehen bzw. zugeführt wird, um eine übertragenes elektrostatisches, latentes Bild auf der zweiten Aufzeichnungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes entsprechend der, in Abhängigkeit von der und nicht zerstörend bezüglich der Bildinformation zu erzeugen, die in der ersten Aufzeichnungsschicht des Master-Aufzeichnungselementes vorgebildet ist.
Für eine Änderung entsprechend dem elektrostatischen latenten Bild können eine Änderung der Ladungsbeschaffenheit bzw. -art, eine Formänderung und eine Änderung der Leitfähigkeit usw. ausgenutzt werden.
Gemäß einem Verfahren zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes gemäß dieser Erfindung besteht die geringste Möglichkeit, das ein elektrostatisches latentes Bild, das auf dem Aufzeichnungselement oder -träger entsprechend einem optischen Bild ausgebildet ist, durch die Übertragung zerstört, beschädigt oder unterbrochen wird, und es wird ein absolutes Potential eines übertragenen latenten Bildes klar und eindeutig festgelegt oder begründet. Da darüber hinaus eine nicht zerstörende Übertragung erfolgt, können eine Vielzahl von Reproduktionen gemacht werden. Weitere Vorteile sind, daß eine große Menge an für Baugruppenmedien wie Video/Audiovorrichtungen unerläßlichen Reproduktionen gemacht werden können, daß eine Punktwiedergabe von Information einfach erfolgen kann und dergleichen.
Gemäß dieser Erfindung wird auch ein System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes von einem Master- Aufzeichnungselement auf ein Blanko-Aufzeichnungselement vorgesehen, das aufweist:
a) ein Master-Aufzeichnungselement, von dem eine Seite mit einer ersten Elektrode und eine andere Seite mit einer ersten Aufzeichnungsschicht versehen sind, in der eine Bildinformation auf eines solche Weise vorgebildet wird, daß sich die Materialeigenschaft der ersten Aufzeichnungsschicht durch die Wechselwirkung mit der Bildinformation ändert,
b) ein Blanko-Aufzeichnungselement, das eine zweite Aufzeichnungsschicht aufweist, die gegenüberliegend der ersten Aufzeichnungsschicht des Master-Aufzeichnungselementes und diese nicht kontaktierend angeordnet ist, und
c) eine Ladungserzeugungseinrichtung zum Vorsehen einer gleichförmigen Schicht aus Ladungen auf der zweiten Aufzeichnungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungserzeugungseinrichtung dazu ausgelegt ist, die gleichförmige Ladungsschicht auf einer von der Seite, die der vorgebildeten Bildinformation gegenüberliegt, abgewandten oder entgegengesetzten Seite der zweiten Aufzeichnungsschicht zu erzeugen bzw. zuzuführen, um eine übertragenes elektrostatisches, latentes Bild auf der zweiten Aufzeichnungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes entsprechend der, in Abhängigkeit von der und nicht zerstörend bezüglich der Bildinformation zu erzeugen, die in der ersten Aufzeichnungsschicht des Master-Aufzeichnungselementes vorgebildet ist.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

In den beiliegenden Zeichnungen:
ist Fig.1 eine schematische Darstellung, die die Anordnung eines im erfindungsgemäßen Verfahren genutzten Aufzeichnungssystem zeigt;
ist Fig. 2 eine schematische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes gemäß dieser Erfindung zeigt,
ist Fig. 3 eine schematische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes auf der Grundlage einer Corona-Entladung zeigt,
ist Fig. 4 eine schematische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Übertragungsverfahrens zeigt;
sind Fig. 5A und 5B zur Erläuterung dienende Ansichten, die jeweils die Verfahrensschritte eines weiteren Ausführungsbeispiels zeigen, das eine Formänderung bzw. Konfigurationsänderung beim erfindungsgemäßen Übertragungsverfahrens zeigt;
sind Fig. 6A und 6D zur Erläuterung dienende Ansichten, die Verfahrensschritte eines noch weiteren Ausführungsbeispiels zeigen, das eine Leitfähigkeitsänderung beim erfindungsgemäßen Übertragungsverfahren nutzt; und
sind Fig. 7A und 7B zur Erläuterung dienende Ansichten, die jeweils Verfahrensschritte eines weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiels zeigen.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele

Aktuelle Ausführungsbeispiele eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes werden detailliert unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen erläutert.
Fig. 1 ist eine seitliche Ansicht, die die Auslegung einer Anordnung eines Ausführungsbeispiels für ein Aufzeichnungssystem zum Ausbilden eines elektrostatischen latenten zu übertragenden Bildes zeigt, wobei das ausgebildete elektrostatische latente Bild in einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes verwendet wird. In Fig.1 wird eine solche Anordnung verwendet, bei der ein optisches Bild eines Objekts O, das der Aufzeichnung/Reproduktion unterzogen wird, durch eine Abbildungslinse L und eine Blende S auf einem Aufzeichnungselement (Aufzeichnungsmedium) RM zum Aufzeichnen einer optischen Abbildung eines Objekts O als ein Ladungsbild erzeugt werden kann. Das Aufzeichnungselement RM ist aus einer Elektrode E, die auch als eine Grundplatte oder ein Substrat für das Aufzeichnungselement dient, und einem Ladungshalteschichtteil oder -element CHL aufgebaut, das aus einem hochgradig isolierenden Material besteht. Darüber hinaus ist ein Aufzeichnungskopf ReH, der eine (nicht dargestellte) Glasbasisplatte umfaßt sowie eine transparente Elektrode Et und ein Photoleitungsschichtelement PLC, vorgesehen. Zwischen die transparente Elektrode Et im Aufzeichnungskopf ReH und die Elektrode E im Aufzeichnungselement RM ist eine Spannungsversorgung Vb geschaltet. Auf diese Weise wird ein eine vorbestimmte Intensität aufweisendes elektrisches Feld zwischen der transparenten Elektrode Et im Aufzeichnungskopf ReH und der Elektrode im Aufzeichnungselement RM ausgebildet.
Wenn die Blende S geöffnet wird, wird ein optisches Bild des Objekts O über die Abbildungsslinse L auf dem Photoleitungsschichtelement PLC im Aufzeichnungskopf ReH erzeugt. Da der elektrische Widerstandswert des Photoleitungsschichtelementes PCL im Aufzeichnungskopf ReH sich entsprechend der Lichtintensität eines optischen Bildes eines Objekts ändert, wird ein elektrostatisches latentes Bild (Ladungsbild) entsprechend dem optischen Bild des Objekts O auf dem Ladungshalteschichtelement CHL im Aufzeichnungselement RM ausgebildet.
Die Ausbildung eines elektrostatischen latenten Bildes (Ladungsbildes) entsprechend einem optischen Bild vom Objekt O auf dem Ladungshalteschichtelement CHL des Aufzeichnungselements RM kann selbst unter der Bedingung zufriedenstellend erfolgen, daß das Photoleitungsschichtelement PLC im Aufzeichnungskopf ReH und die Ladungshalteschicht im Aufzeichnungselement RM in engem Kontakt zueinander stehen.
Es ist zu beachten, daß die Blende S zur Einstellung der Belichtungsmenge dient und daß das Aufzeichnungselement RM jedwede Form und Abmessung annehmen kann, d.h. z.B. in Form einer Scheibe, eines Bandes, einer Tafel, Karte usw. vorliegen kann.
Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes, wobei das Verfahren für eine nicht zerstörende Übertragung auf ein anderes Auszeichnungselement ausgelegt ist, d.h. das ursprüngliche elektrostatische latente Bild geht durch die Übertragung des Bildes (eines elektrostatischen latenten Bildes, das durch das Aufzeichnungssystem des in Fig. 1 gezeigten Aufbaus auf dem Aufzeichnungselement RM erzeugt worden ist) nicht verloren oder wird hierdurch nicht zerstört, sondern bleibt erhalten. In Fig. 2 ist RM1 ein erstes Aufzeichnungselement, das als ein Master oder Zwischenoriginal für die Bildübertragung verwendet wird und ein Ladungshalteschichtelement CHL1, auf dem ein elektrostatisches latentes Bild vorgebildet wird, und eine Elektrode E1 aufweist, die auf die Ladungshalteschicht CHL1 in Laminatform geschichtet ist. Eine Oberfläche des Ladungshalteschichtelementes CHL1 vom ersten Aufzeichnungselement RM1 und eine Oberfläche des Ladungshalteschichtelementes CHL2 vom zweiten Aufzeichnungselement RM2, auf das ein elektrostatisches latentes Bild zu übertragen ist, sind nahe zueinander so angeordnet, daß sie einander gegenüberliegen. Die Elektrode E2, die in der Richtung X2 stationär ist, steht in Kontakt mit der anderen Oberfläche des zweiten Aufzeichnungselementes RM2. Über einen Schalter SW wird zwischen die Elektrode E2 und die gegenüberliegende Gegenelektrode E1 eine Spannung von der Spannungsversorgung Vt gelegt.
Wenn ein elektrisches Feld entsprechend einer Ladungsverteilung eines elektrostatischen latenten Bildes, das auf dem Ladungshalteschichtelement CHL1 des ersten Aufzeichnungselementes RM1 erzeugt worden ist, an das Ladungshalteschichtelement CHL2 des zweiten Aufzeichnungselementes RH2 an dem Abschnitt angelegt bzw. auferlegt wird, den die beiden Elektroden E1 und E2 zwischen sich einschließen bzw. der zwischen die beiden Elektroden gelegt ist, wird eine Polarisation entsprechend der Ladungsverteilung des elektrostatischen latenten Bildes auf dem Ladungshalteschichtelement CHL2 des zweiten Aufzeichnungselements RM2 aufgebaut.
Das erste Aufzeichnungselement RM1 und das Ladungshalteschichtelement CHL2 des zweiten Aufzeichnungselements RM2, die in Fig. 2 gezeigt sind, bewegen sich inkrementell, während die Elektrode E2 so gesteuert wird, daß sie außer Kontakt mit dem Ladungshalteschichtelement CHL2 liegt, mit derselben Bewegungsgeschwindigkeit in die durch die Pfeile X1 bzw. X2 angezeigten Richtungen. Das erste Aufzeichnungselement RM1 wird mittels einer Rolle RL1 in eine durch den Pfeil X1 angezeigte Richtung gebogen. Wenn das Ladungshalteschichtelement CHL2 im zweiten Aufzeichnungselement RM2 aus dem Bereich, in dem die Elektroden E1 und E2 sich gegenüberstehen, heraus ist, fuhrt das auf dem Ladungshalteschichtelement CHL1 des Aufzeichnungselements RM1 ausgebildete elektrostatische latente Bild im Resultat zu einer nicht zerstörenden Übertragung des Bildes auf das Ladungshalteschichtelement CHL2 des zweiten Aufzeichnungselements RM2.
Eine neue Elektrode E3 wird über eine Rolle RL2 an der der Oberfläche, auf der das übertragene elektrostatische latente Bild ausgebildet wird, entgegengesetzten Oberfläche befestigt. In Fig. 2 zeigt der Pfeil X3 die Zufuhrrichtung der neuen Elektrode E3 an.
Diese neue Elektrode E3 bewegt sich natürlich nach ihrer Befestigung mit dem sich in die durch den Pfeil X2 angezeigten Richtung bewegenden Ladungshalteschichtelement CHL2 des zweiten Aufzeichnungselements RM2 als eine Einheit. Folglich kann bin Schema zum Auslesen eines absoluten Potentials des auf das zweite Aufzeichnungselement RM2 übertragenen elektrostatischen latenten Bildes angewandt werden, bei dem ein Potential der Elektrode E3 als Referenz benutzt wird, um ein elektrisches Signal wie ein Videosignal zu erzeugen.
Die Fig. 3 zeigt eine Anordnung zum Laden des Aufzeichnungselements RM2 durch eine Corona-Entladung unter Verwendung eines Corona-Laders CC, der der Ladungshalteschicht CHL2 auf einer Seite gegenüberliegt, die von der der Ladungshalteschicht CHL1 gegenüberliegenden Seite abgewandt ist, wobei die Corona-Ladung anstelle des Einsatzes der Elektroden E2 und der Spannungsversorgung Vt der Fig. 2 verwendet wird. Durch eine solche Anordnung kann die Übertragung auf dieselbe Weise wie in Fig. 2 erfolgen. Es ist zu beachten, daß die im Fall der Fig. 2 eingesetzte Elektrode E2 und die Spannungsversorgung Vt für die Ausführung der Fig.3 nicht erforderlich sind.
In Fig.4, auf die nun Bezug genommen wird, ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes gezeigt, bei dem das auf dem Aufzeichnungselement RM durch das Aufzeichnungssystem des in Fig. 1 gezeigten Aufbaus ausgebildete elektrostatische latente Bild zerstörungsfrei auf ein anderes Aufzeichnungselement übertragen wird. In der in Fig. 4 gezeigten Anordnung ist RM1 ein erstes Aufzeichnungselement mit einem Ladungshalteschichtelement CHL1, auf dem bereits ein elektrostatisches latentes Bild erzeugt worden ist, und E1 ist eine Elektrode des ersten Aufzeichnungselements RM1.
Gegenüber einer Oberfläche des Ladungshalteschichtelements CHL1 des ersten Aufzeichnungselements RM1 ist eine Oberfläche des Ladungshalteschichtelements CHL3 eines weiteren Aufzeichnungselements RM3 angeordnet, auf das ein elektrostatisches latentes Bild zu übertragen ist. Auf die andere Oberfläche des Aufzeichnungselements RM3 ist eine Elektrode E4 als Schicht aufgebracht. Über den Schalter SW wird von der Spannungsversorgung Vt eine Spannung Vt zwischen die Elektroden E1 und E4 gelegt.
Das Ladungshalteschichtelement CHL3 des Aufzeichnungselements RM3 wird als laminierte, Schicht- oder Verbundstruktur (z.B. als Doppelschichtstruktur) ausgebildet, die eine Schicht CS, die einen Tunneleffekt (z.B. einen Siliziumoxidfilm) zeigt, der das Hindurchtreten von Ladungen bei einer angelegten elektrischen Feldstärke, die höher als seine Schwellwertspannung ist, ermöglicht, und eine Schicht CH (e.b. einen Siliziumnitridfilm), die die Wirkung, Ladungen zu halten, aufweist, umfaßt.
Zuerst werden eine Oberfläche des Ladungshalteschichtelements CHL1 des ersten Aufzeichnungselements RM1 und eine Oberfläche des Ladungshalteschichtelements CHL3 des anderen Aufzeichnungselements RH3, auf das das elektrostatische latente Bild zu übertragen ist, gegenüberliegend angeordnet. Dann wird die von der Spannungsversorgung Vt zwischen die Elektroden zu legende Spannung Vt auf die Schwellwertspannung gesetzt.
Da das Potential der Elektrode E4 bezüglich des Potentials E1 in Bereichen, wo auf dem Ladungshalteschichtelement CHl1 negative Ladungen vorhanden sind, höher als die Schwellwertspannung ist, werden die positiven Ladungen in der Elektrode E4 von den negativen Ladungen angezogen bzw. angebunden und durch Bereiche der Schicht CS, die direkt gegenüber den negativen Ladungen auf dem Ladungshalteschichtelement CHL1 liegen, zu diesen Ladungen hinbewegt. Daher werden beim Schließen des Schalters SW Ladungen im im Ladungshalteschichtelement CHL1 des ersten Aufzeichnungselements PM1 ausgebildeten elektrostatischen latenten Bild über Tunneleffekt durch die Schicht CS im Ladungshalteschichtelement CHL3 gelassen. Dann werden sie an der Grenze zwischen der Schicht CS und der Schicht CH eingefangen und dort testgehalten.
Demgemäß wird ein elektrostatisches latentes Bild, das ein Potential der Elektrode E4 als Referenz aufweist, auf dem Ladungshalteschichtelement CHL3 des Aufzeichnungselements RM3 der Fig. 4 gebildet. Es ist zu beachten, daß die Löschung von an der Grenzschicht zwischen den Schichten CS und CH im Ladungshalteschichtelement CHL3 des Aufzeichnungselements RM3 eingefangenen und gehaltenen Ladungen durch Bestrahlung mit ultravioletter Strahlung bei Anlegen einer Spannung, die eine zur beim Übertragen des elektrostatischen latenten Bildes angelegten Spannung entgegengesetzte Polarität aufweist, oder Realisierung ähnlicher Verfahren erfolgen kann.
Die Fig. 5A und 5B sind zur Erläuterung dienende Ansichten für den Fall der Realisierung eines weiteren Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes. Ein durch das Aufzeichnungssystem gemäß der in Fig.1 gezeigten Struktur auf dem Aufzeichnungselement aufgezeichnetes elektrostatisches latentes Bild des Aufzeichnungselements RM1 wird zuerst auf ein Aufzeichnungselement RMt übertragen, das mit einer Aufzeichnungsschicht TPL versehen ist, die aus einer Art in der Industrie bekannten thermoplastischem Material besteht, wobei sich bei dieser Art das Material abhängig von der zugeführten Wärme und einem angelegten elektrischen Feld so deformiert, daß das elektrostatische latente Bild als auf der Oberfläche der Aufzeichnungsschicht TPL im Aufzeichnungselement RMt erzeugte Deformation (negatives Relief) gespeichert wird. Dann wird unter Verwendung des Aufzeichnungselements RM1 mit der deformierten Schicht TPL als Master eine Kopie des latenten elektrostatischen Bildes auf einem Ladungshalteschichtelement CHL4 eines neuen Aufzeichnungselements RM4 regeneriert, das ein Blanko-Aufzeichnungselement ist, welches in der in Fig. 5B gezeigten Weise an die Stelle des Aufzeichnungselements RM1 gebracht wird.
Wie in Fig. 5A gezeigt, umfaßt die erste Stufe dieses Ausführungsbeispiels die Schritte der Vorbereitung des ersten die Elektrode E1 und das Ladunghalteschichtelement CHL1 aufweisenden Aufzeichnungselements RM1, auf dem ein elektrostatisches latentes Bild vorgebildet wird; und der Vorbereitung des zweiten Aufzeichnungselements RMt, das die Elektrode E5 und die Aufzeichnungsschicht TPL aufweist, des nachfolgenden Aufsetzens des zweiten Aufzeichnungselements RMt auf die Oberseite des ersten Aufzeichnungselements RM1, so daß die Aufzeichnungsschicht TPL des zweiten Aufzeichnungselements RMt das Ladungshalteschichtelement CHL1 des ersten Aufzeichnungselements RM1 kontaktiert; des darauffolgenden Zusammenlegens der Potentiale der jeweiligen Elektroden 5 und E1, indem diese beispielsweise über einen Draht verbunden werden (wobei die Elektroden auf ein gemeinsames Potential gelegt werden); und der darauffolgenden Zuführung von Wärme auf die übereinander geschichteten Aufzeichnungselemente RMt und RM1, um die Aufzeichnungsschicht TPL des Aufzeichnungselements RMt dazu zu bringen, eine Deformation entsprechend dem elektrostatischen latenten Bild auf dem Ladungshalteschichtelement CHL1 des ersten Aufzeichnungselements RM1 zu erzeugen.
Das in der ersten Stufe vorbereitete Aufzeichnungselement RMt wird als Master oder Zwischenoriginal zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes gemäß der in Fig. 5B gezeigten Weise benutzt, wobei die zweite Stufe diese Ausführungsbeispiels die Schritte aufweist: Ersetzen des ersten Auufzeichnungselements RM1 durch ein neues Blanko-Aufzeichnungselement RM4, wobei man die Oberfläche der mit Aufzeichnung versehenen Aufzeichnungsschicht TPL des Aufzeichnungselements RMtr, auf der sich die deformierte Oberfläche befindet, der Aufzeichnungsfläche des Ladungshalteschichtelements CHL4 vom Aufzeichnungselement RM4 gemäß der Darstellung gegenübertreten läßt; Anlegen einer Spannung Vt von der Spannungsversorgung Vt zwischen einer auf das Aufzeichnungselement RM4 geschichteten Elektrode E6 und der am zweiten Aufzeichnungselement RMtr vorgesehenen Elektrode E5. Die Deformation auf der Aufzeichnungsschicht TPL sieht Abstandsvariationen zwischen der Aufzeichnungsschicht TPL und dem Ladungshalteschichtelement CHL4 vor, wobei hierdurch Variationen der elektrischen Feldstärke zwischen diesen hervorgerufen werden und durch diesen Effekt dafür gesorgt wird, daß auf dem Ladungshalteschichtelement CHL4 des Aufzeichnungselements RM4 ein neues elektrostatisches latentes Bild ausgebildet wird.
So können demgemäß unter Verwendung des Aufzeichnumgselements RMtr als Master aufeinanderfolgend in der in Fig. 5B gezeigten Weise auf mehrere Blanko-Aufzeichnungselemente elektrostatische latente Bilder übertragen werden.
Es ist zu beachten, daß, wenn eine Zurückbildung der deformierten thermoplastischen Aufzeichnungsschicht TPL in den ursprünglichen aufzeichnungsfreien Zustand gewünscht wird, es möglich ist, dies durch Erwärmen der thermoplastischen Schicht auf eine für das thermoplastische Material spezifische Temperatur zu erzielen.
Fig. 6 ist eine zur Erläuterung dienende Ansicht, die noch ein weiteres Ausführungsbeispiel zum Übertragen eines elektrostatischen latenten Bildes zeigt, das auf dem Ladungsschichthalteelement CHL1 des Aufzeichnungselements RM1 durch das Aufzeichnungssystem der in Fig. 1 gezeigten Struktur ausgebildet Worden ist. Wie in dieser Figur gezeigt, wird ein Aufzeichnungselement RMsw mit einer Elektrode E7 und einer Schaltschicht SWL versehen, die eine Leitfähigkeit aufweist, welche in Abhängigkeit von einem angelegten elektrischen Feld variiert. Ein Ladungsmuster entsprechend einem elektrostatischen latenten Bild im Ladungshalteschichtelement CHL1 des ersten Aufzeichnungselements RM1 wird zuerst in der Schaltschicht SWL im Aufzeichnungselement RMsw als ein Verteilungsmuster gespeichert, das Widerstandsänderungen der Schaltschicht SWL im Aufzeichnungselement RMsw (Verteilungsmuster, das Ein- und Aus-Zustände des Schalters annimmt) (Fig. 6A) zeigt bzw. einträgt.
Ferner liegt ein Blanko-Aufzeichnungselement RM4 in Schichtstruktur vor, das zumindest ein Ladungshalteschichtelement CHL4 und eine Elektrode E6 aufweist. Das Ladungshalteschichtelement CHL4 des Aufzeichnungselements RM4 wird unter Verwendung eines Corona-Laders CC (Fig. 6B) gleichmäßig aufgeladen.
Dann wird durch Ersetzen des ersten Aufzeichnungselements RM1 in der in Fig.6A gezeigten Anordnung durch ein Blanko- Aufzeichnungselement RM4, dessen Oberfläche vom Ladungshalteschichtelement CHL4 gleichmäßig geladen ist, dafür gesorgt, daß diese Oberfläche nah oder dicht gegenüber der Schaltschicht SWL des Aufzeichnungselements RMsw angeordnet wird, auf der ein Ladungsmuster entsprechend dem elektrostatischen latenten Bild, das ursprünglich im Ladungshalteschichtelement CHL1 des Aufzeichnungselements RM1 war, übertragen und eingetragen worden ist. Ferner werden die Elektrode E7 auf dem Aufzeichnungselement RMsw und die Elektrode E6, die auf dem Blanko-Aufzeichnungselement RM4 vorgesehen ist, verbunden, um so ein elektrostatisches latentes Bild entsprechend dem eingetragenen Zustand des Ladungsmusters in der Schaltschicht SWL (Fig. 6C) auf die Ladungshalteschicht CHL4 zu übertragen, indem hierzu die Ladungen, die Ein-Schaltzustandsbereichen der Schaltschicht SWL gegenüberliegen, entladen werden. So ist beim Entfernen des Aufzeichnungselements RMsw das elektrostatische latente Bild auf das Ladungshalteschichtelement des Aufzeichnungselements RM4 übertragen (Fig. 6D).
Für die eine in Abhängigkeit des angelegten elektrischen Feldes variierende Leitfähigkeit aufweisende Schaltschicht SWL wird beispielsweise ein Cu TCNQ (Kupfer-Tetracyanochinodimethan) Komplexkristallfilm (bzw. Schicht) verwendet.
In Fig. 6A variiert die Leitfähigkeit der Schaltschicht SWL im Aufzeichnungselement RMsw entsprechend einer Verteilung der elektrischen Feldstärke wiederum entsprechend der Ladungsverteilung des elektrostatischen latenten Bildes des Ladungshalteschichtelements CHL1 vom Aufzeichnungselement RM1, das der Schaltschicht SWL gegenüber angeordnet wird. In dieser Figur zeigen die mit EIN gekennzeichneten Bereiche der Schaltschicht SWL des Aufzeichnungselements RMsw Bereiche niedrigen Widerstandes in der Schaltschicht SWL an. Demgegenüber zeigen die mit AUS gekennzeichneten Bereiche der Schaltschicht SWL Bereiche mit hohem Widerstand in der Schaltschicht SWL an (Dies trifft für andere Ausführungsbeispiele zu, in denen ein Aufzeichnungselement mit einer Schaltschicht SWL benutzt wird).
In Fig. 6A werden die Elektrode E1 der ersten Aufzeichnungselements RM1 und die Elektrode E7 des Aufzeichnungselements RMsw verbunden, so daß sie das gemeinsame Potential aufweisen. Dann wird ein Ladungsmuster entsprechend dem elektrostatischen latenten Bild des Ladungshalteschichtelements CHL1 im Aufzeichnungselement RM1, auf dem ein elektrostatische latentes Bild erzeugt ist, als ein Verteilungsmuster gespeichert, das Widerstandsänderungen in Richtung der Dicke der Schaltschicht SWL im Aufzeichnungselement RMsw einträgt (ein Verteilungsmuster, das EIN- und AUS-Zustände des Schalters) einträgt bzw. aufzeichnet. Als eine Alternative dazu, beide Elektroden E1 und E7 auf ein gemeinsames Potential zu legen, kann stattdessen das Hervorrufen des Widerstandsverteilungsmusters in der Schaltschicht SWL unter der Bedingung bewirkt werden, daß die Elektrode E7 so vorgespannt wird, daß sie bezüglich der Elektrode E1 ein Potential aufweist, so daß das Ladungsmuster entsprechend dem elektrostatischen latenten Bild des Ladungshalteschichtelements CHL1 vom ersten Aufzeichnungselement RM1 als ein Verteilungsmuster gespeichert wird, das Widerstandsänderungen der Schaltschicht SWL im Aufzeichnungselement RMsw einträgt (ein Verteilungsmuster, das EIN- und AUS-Zustände des Schalters annimmt).
Für den Fall einer Übertragung auf ein weiteres Aufzeichnungselement kann das Aufzeichnungselement RMsw, auf dem ein Ladungsmuster des elektrostatischen latenten Bildes, das als ein Verteilungsmuster gespeichert ist, welches Widerstandsänderungen der Schaltschicht SWL im Aufzeichnungselement RMsw in einer oben dargelegten Weise einträgt, als ein Master verwendet wird, im im folgenden beschriebenen Verfahren eingesetzt werden, das die Verwendung des Elements RHsw als Master für die Übertragung auf andere Aufzeichnungselemente beschreibt. Zunächst wird, wie in Fig. 6B gezeigt, die Oberfläche eines Ladungshalteschichtelements CHL4 eines Blanko-Aufzeichnungselements RM4 vorab gleichmäßig geladen, wobei z.B. ein Corona-Lader nahe gegenüber der Oberfläche der Schaltschicht SWL des Aufzeichnungselements RMsw angeordnet wird. Wenn die auf dem Aufzeichnungselement RMsw vorgesehene Elektrode E7 und die auf dem Blanko-Aufzeichnungselement RM4 vorgesehene Elektrode E6 verbunden werden, werden die Ladungen auf dem Ladungshalteschichteleinent CHL4 des Aufzeichnungselements RM4, die den Bereichen gegenüberstehen, in denen der Schalter sich in der Schaltschicht SWL im EIN-Zustand befindet (die Bereiche niedrigen Widerstandes), neutralisiert. Infolgedessen werden nur Ladungen, die Bereichen, wo der Schalter sich in der Schaltschicht SWL im AUS-Zustand befindet (die Bereiche hohen Widerstandes), gegenüberliegen, zurückgelassen. Demgemäß wird ein elektrostatische latentes Bild, das ein Ladungsmuster entsprechend dem elektrostatischen latenten Bild des Ladungshalteschichtelements CHL1 im ersten Aufzeichnungselement RM1 aufweist, auf das Ladungshalteschichtelement CHL4 des Blanko-Aufzeichnungselements RM4 übertragen, wie in Fig. 6D gezeigt ist.
Fig.7 ist eine der Erläuterung dienende Darstellung der Anordnung und der Funktion eines Aufzeichnungselements RMa, das einen vom Aufzeichnungselement in Fig. 1 verschiedenen Aufbau aufweist, jedoch in Fig.1 stattdessen zur Wirkung kommt. Wie in Fig. gezeigt, weist das Aufzeichnungselement RMa eine Laminatstruktur auf, die eine Elektrode E, eine Schaltschicht SWL, deren Leitfähigkeit abhängig von einem angelegten elektrischen variiert (z.B. eine CU TCNQ-Komplexkristallschicht), und ein photoleitendes Schichtelement PCLa umfaßt, das eine Charakteristik derart aufweist, daß es sich, wenn es Licht unter einer bestimmten Intensität ausgesetzt wird, als dielektrische Schicht verhält, jedoch photoleitend wird, wenn es Licht einer höheren Intensität ausgesetzt wird.
In Fig. 1 wird das Aufzeichnungselement RMa anstelle des Aufzeichnungselements RM in einer solchen Weise angeordnet, daß die exponierte Seite des photoleitenden Schichtelements PCLa das photoleitende Schichtelement PCL des Aufzeichnungskopfes ReH des in Fig. 1 gezeigten Aufzeichnungssystems konfrontiert, d.h. diesem gegenüberliegt. Wenn die Versorgungsspannung Vb zwischen eine transparente Elektrode Et auf dem Aufzeichnungskopf ReH und eine Elektrode E auf dem Aufzeichnungselement RMa gelegt wird, wird ein eine vorbestimmte Stärke aufweisendes elektrisches Feld zwischen der transparenten Elektrode Et des Aufzeichnungskopfes ReH und der Elektrode E des Aufzeichnungselementes RMa angelegt. In diesem Zustand wird, wenn die Öffnungs/Schließfunktion der Blende erfolgt, ein optisches Bild des Objekts O auf dem photoleitenden Schichtelement PCL des Aufzeichnungskopfes ReH ausgebildet. So wird ein elektrostatisches latentes Bild (Ladungsbild) entsprechend dem optischen Bild des Objekts O auf dem photoleitenden Schichtelement PCLa im Aufzeichnungselement RMa ausgebildet, da sich das photoleitende Schichtelement unter dieser Bedingung als eine dielektrische Schicht verhält.
Die Fig. 7A ist eine Darstellung, die einen weiteren Prozeß zeigt, in dem eine Maßnahme ergriffen wird, um die gesamte Oberfläche des photoleitenden Schichtelements PCLa, auf der ein elektrostatisches latentes Bild entsprechend einer optischen Abbildung des Objekts O ausgebildet ist, gleichmäßig mit Licht hoher Intensität zu bestrahlen. Wegen der zuvor erläuterten Charakteristik des photoleitenden Schichtelements PCLa verursacht die gleichmäßige Bestrahlung mit Licht hoher Intensität die Absenkung des elektrischen Widerstandes des photoleitenden Schichtelements PCLa, wobei ermöglicht wird, negative Ladungen des darauf ausgebildeten Ladungsbildes so zu bewegen, daß sie durch das photoleitende Schichtelement PCLa des Aufzeichnungselements RMa gehen, und so die negativen Ladungen an der Grenze zwischen dem photoleitenden Schichtelement PCLa und der Schaltschicht SWL des Aufzeichnungselements RMa gesammelt werden.
Die an der Grenze zwischen dem photoleitenden Schichtelement PCLa und der Schaltschicht SWL des Aufzeichnungselements RMa gesammelten negativen Ladungen erzeugen ein elektrischt Feld mit einer Feldstärke, die einer Ladungsverteilung des zuvor erwähnten elektrostatischen latenten Bildes entspricht, und das elektrische Feld wird an die Schaltschicht SWL angelegt. Infolgedessen wird, wie in Fig. 7B gezeigt, ein Verteilungsmuster, das Widerstandsänderungen (ein EIN- und AUS-Zustände des Schalters anzeigendes Verteilungsmuster) einträgt, speichert bzw. zeigt, entsprechend der Ladungsverteilung des elektrostatischen latenten Bilde erzeugt.
Wie in Fig. 7C gezeigt ist, wird dann auf die Oberfläche des photoleitenden Schichtelements PCLa des Aufzeichnungselements RMa z.B. unter Verwendung eines Corona-Laders CC eine gleichmäßige Schicht positiver Ladungen aufgebracht. Dies führt dazu, daß gleichförmig auf die Oberfläche des photoleitenden Schichtelements PCLa aufgebrachte Ladungen lokal durch negative Ladungen neutralisiert werden, die sich von der Elektrode E durch die Bereiche bewegen, wo der Schalter in der Schaltschicht SWL sich im EIN-Zustand befindet (die Bereiche niedrigen Widerstandes). Infolgedessen bleiben nur Ladungen entsprechend den Bereichen, in denen der Schalter in der Schaltschicht SWL sich im AUS-Zustand befindet (den Bereichen hohen Widerstandes) auf der Oberfläche des photoleitenden Schichtelements PCLa des Aufzeichnungselements RMa zurück (Fig. 7D).
Wie in Fig. 7D gezeigt, kann das auf der Oberfläche des photoleitenden Schichtelements PCLa vom Aufzeichnungselement RMa ausgebildete elektrostatische latente Bild durch vielfältige Übertragungsmittel, wie zuvor anhand der Figuren 2 bis 6 erläutert, auf andere Aufzeichnungselemente übertragen werden. Das Aufzeichnungselement des in Fig. 7 gezeigten Aufbaus speichert in der Schaltschicht Information, die die Ladungsverteilung im elektrostatischen latenten Bild anzeigt. So ist es, selbst wenn ein elektrostatisches latentes Bild auf der Oberfläche des photoleitenden Schichtelements PCLa des Aufzeichnungselements RMa verlorengeht, möglich, auf der Schaltschicht SWL des Aufzeichnungselements RMa wiederholt bedartsweise ein elektrostatisches latentes Bild auf der Grundlage der Information der Ladungsverteilung des elektrostatischen latenten Bildes wiederherzustellen das als Verteilung von EIN- und AUS-Zuständen des Schalter gespeichert ist, indem die Oberfläche des photoleitenden Schichtelements PCLa des Aufzeichnungselements RMa z.B. unter Verwendung eines Corona-Laders CC usw. wie in Fig. 7C gezeigt gleichmäßig geladen wird.
Das in Fig. 7 gezeigte Aufzeichnungselement RMa kann jedwede Form annehmen. Darüber hinaus kann die auf dem Aufzeichnungselement RM der Fig. 1 und dem Aufzeichnungselement der Fig. 6 aufzuzeichnende Information eine beliebige Information von einem optischen Bild, Zeichen, einer Graphik und einem Muster sowohl eines analogen als auch digitalen Signals sein sowie auch Kombinationen verschiedener Arten von Information oder Signalen umfassen.
Ferner kann die Bildübertragung gleichzeitig für den gesamten Bildbereich oder für einen Teil hiervon durchgeführt werden oder kann auch fortgesetzt bzw. fortlaufend oder wiederholt für einen Bereich des Bildes erfolgen.

Claims

1. Verfahren zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes, aufweisend die Schritte:

Vorbereiten eines Master-Aufzeichnungselementes (RM1), von dem eine Seite mit einer ersten Elektrode (E1) und eine andere Seite mit einer ersten Aufzeichnungsschicht (CHL1) versehen werden, in der eine Bildinformation auf eines solche Weise vorgebildet wird, das sich die Eigenschaft eines Materials der ersten Aufzeichnungsschicht durch die Wechselwirkung mit der Bildinformation ändert,

Vorbereiten eines Blanko-Aufzeichnungselementes (RM2), das eine zweite Aufzeichnungsschicht (CHL2) aufweist,

Anordnen der ersten Aufzeichnungsschicht (CHL1) des Master-Aufzeichnungselementes (RM1) gegenüberliegend zur zweiten Aufzeichnungsschicht (CHL2) und diese nicht kontaktierend, und

Vorsehen einer gleichförmigen Schicht aus Ladungen auf der zweiten Aufzeichnungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes durch eine Ladungserzeugungseinrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die gleichförmige Ladungsschicht auf einer der Seite, die der vorgebildeten Bildinformation gegenüberliegt, abgewandten Seite der zweiten Aufzeichnungsschicht (CHL2), zugeführt wird, um ein übertragenes elektrostatisches, latentes Bild auf der zweiten Aufzeichnungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes entsprechend der, in Abhängigkeit von der und nicht zerstörend bezüglich der Bildinformation zu erzeugen, die in der ersten Aufzeichnungsschicht des Master-Aufzeichnungselementes vorgebildet ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, in welchem die erste und zweite Aufzeichnungsschicht eine erste bzw. eine zweite Ladungshalteschicht sind, wodurch es möglich ist, daß die zweite Ladungshalteschicht das übertragene elektrostatische latente Bild auf sich als Reaktion auf das Zuführen der gleichförmigen Ladungsschicht zu der zweiten Ladungshalteschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes erzeugt.

3. Verfahren nach Anspruch 2, in welchen die Ladungserzeugungseinrichtung eine stationäre Elektrode (E2), die die zweite Ladungshalteschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes kontaktiert, und einer Quelle vorbestimmter Spannung (Vt) aufweist, die zwischen die erste (E1) und de stationäre (E2) Elektrode geschaltet ist, und in welchem sich das erste und das Blanko-Aufzeichnungselement (RM1, RM2) synchron gemeinsam in Bezug auf die stationäre Elektrode (E2) bewegen.

4. Verfahren nach Anspruch 2 in welchem die Ladungserzeugungseinrichtung einen Corona-Auflader (CC) aufweist, der der zweiten Ladungshalteschicht (CHL2) des Blanko-Aufzeichnungselementes (RM2) gegenüberliegt, und in welchem sich das erste und das Blanko-Aufzeichnungselement synchron gemeinsam in Bezug auf den Corona-Auflader (CC) bewegen.

5. Verfahren nach Anspruch 3, in welchem sich das erste Aufzeichnungselement (RM1) vom Blanko-Aufzeichnungselement (RM2) wegbewegt, nachdem das erste und zweite Blanko-Aufzeichnungselement zwischen der ersten und stationären Elektrode angeordnet worden sind, wobei anschließend eine weitere Elektrode (E3) an der zweiten Ladungshalteschicht (CHL2) des Blanko-Aufzeichnungslelements (RM2) auf einer von der in Kontakt mit der stationären Elektrode (E2) befindlichen Seite abgewandten Seite befestigt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 2, in welchem die zweite Ladungshalteschicht (CHL2) aus einer Schwellwertschicht (CS), die eine Schwellenspannung zum Hindurchlassen von Ladungen mit Potentialen über dieser Schwellenspannung aufweist, und einer Schicht (CH) aufgebaut ist, die zum Festhalten von durch die Schwellwertschicht hindurchgelassenen Ladungen auf die Schwellwertschicht geschichtet ist, und in welchem die Ladungserzeugungseinrichtung eine zweite auf die Schwellwertschicht (CS) geschichtete Elekrode (E4) und eine Quelle vorbestimmter Spannung (Vt) aufweist, die zwischen die erste und zweite Elektrode (E1, E4) geschaltet ist und die vorbestimmte Spannung in Übereinstimmung mit der Schwellenspannung erzeugt.

7. Verfahren nach Anspruch 6, in welchem die Schwellwertschicht (CS) ein Siliziumoxidfilm ist und die Schicht (CH) zum Festhalten der Ladungen ein Siliziumnitridfilm ist.

8. Verfahren nach Anspruch 1, in welchem die erste Aufzeichnungsschicht ein thermoplastiches in Abhängigkeit von Wärme und einem daran angelegten eletrischen Feld deformierbares Material (TLP) aufweist, und die Bildinformation in der ersten Aufzeichnungsschicht in Form einer Deformation von dieser vorgebildet wird, und in welchem die Ladungserzeugungseinrichtung eine zweite Elektrode (E6), die auf das zweite Aufzeichnungselement (RM4) geschichtet ist, und eine Quelle vorbestimmter Spannung aufweist, die mit der ersten und zweiten Elektrode (E5, E6) verbunden ist.

9. Verfarhen nach Anspruch 1, in welchem die erste Aufzeichnungsschicht ein Material (SWL) aufweist, dessen Leitfähigkeit abhängig von einem daran angelegten elektrischen Feld veränderbar ist, und in welchem die Bildinformation in der ersten Aufzeichnungsschicht in Form einer Variation der elektrischen Leitfähigkeit vorgebildet wird, und das Blanko-Aufzeichnungselement derat vorbereitet wird, daß auf eine Seite der zweiten Aufzeichungsschicht eine zweite Elektrode (E6) als die Ladungserzeugungseinrichtung geschichtet wird und die andere Seite dieser Aufzeichnungsschicht mit einer gleichmäßigen Schicht von Ladungen versehen wird, und in welchem die Ladungserzeugungseinrichtung ferner eine Einrichtung zum Legen der ersten und zweiten Elektrode auf ein gemeinsames Potential aufweist.

10. Verfahren nach Anspruch 9, in welchem das Material veränderbarer Leitfähigkeit ein Kupfertetracyanochinodimethan- Komplexkristall ist.

11. Verfahren nach Anspruch 1, welches Verfahren ferner die Schritte aufweist:

a) Herstellen des Master-Aufzeichnungselementes (RM1) als Laminatstruktur, in der die erste Aufzeichnungsschicht eine Schaltschicht (SWL) aufweist, deren elektrische Leitfähigkeit abhängig von einem angelegten elektischen Feld veränderbar ist, und photoleitfähige Schicht (PCLa) aufweist, die auf eine Seite der Schaltschicht geschichtet ist, wobei die photoleitfähige Schicht sich, wenn sie einem ersten Lichtpegel ausgesetzt wird, als dielektrische Schicht verhält, und wenn sie einem zweiten Lichtpegel ausgesetzt wird, der eine höhere Intensität als der erste Lichtpegel aufweist, eine photoleitende Schicht wird, wobei die erste Elektrode (E) auf die andere Seite der Schaltschicht geschichtet wird;

b) Ausbilden eines elektrostatischen latenten Bildes auf einer exponierten Seite der photoleitenden Schicht, wobei diese Seite von einer auf die Schaltschicht gerichteten Seite abgewandt ist; und

c) gleichmäßiges Aussetzen der exponierten Seite der photoleitenden Schicht dem zweiten Lichtpegel, so daß Ladungen des gebildeten elektrostatischen latenten Bildes durch die photoleitenden Schicht treten und sich zwischen der photoleitenden Schicht und der Schaltschicht sammeln, wobei die Schaltschicht dazu veranlaßt wird, ein Muster einer Widerstandsvariation entsprechend dem auf der exponierten Seite der photoleitenden Schicht ausgebildeten elektrostatischen latenten Bild zu erzeugen.

12. Verfahren nach Anspruch 11, welches Verfahren ferner die Schritte aufweist:

d) Zuführen einer gleichmäßigen Schicht aus Ladungen zu der exponierten Seite der photoleitenden Schicht durch eine Ladungserzeugungseinrichtung (CC) derart, daß die auf der exponierten Seite der photoleitenden Schicht gleichmäßig vorgesehenen Ladungen abhängig vom Widerstands-Variationsmuster entsprechend dem elektrostatischen latenten Bild einer Neutralisation unterworfen werden, woraus ein neu ausgebildetes elektrostatisches Bild erzeugt wird, das auf der exponierten Seite der photoleitenden Schicht zurückbleibt.

13. System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes von einem Master-Aufzeichnungselement auf ein Blanko-Aufzeichungslelement, aufweisend:

a) ein Master-Aufzeichnungselement, von dem eine Seite mit einer ersten Elektrode und eine andere Seite mit einer ersten Aufzeichnungsschicht versehen sind, in der eine Bildinformation auf eines solche Weise vorgebildet wird, daß sich die Eigenschaft des Materials der ersten Aufzeichnungsschicht durch die Wechselwirkung mit der Bildinformation ändert,

b) ein Blanko-Aufzeichnungselement, das eine zweite Aufzeichungsschicht aufweist, die gegenüberliegend der ersten Aufzeichnungsschicht des Master-Aufzeichungselementes und diese nicht kontaktierend angeordnet ist, und

c) eine Ladungserzeugungseinrichtung zum Vorsehen einer gleichförmigen Schicht aus Ladungen auf der zweiten Aufzeichnungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungserzeugungseinrichtung dazu ausgelegt ist, die gleichförmige Ladungsschicht auf einer von der Seite, die der vorgebildeten Bildinformation gegenüberliegt, abgewandten Seite der zweiten Aufzeichnungsschicht zuzuführen, um eine übertragenes elektrostatisches, latentes Bild auf der zweiten Aufzeichungsschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes entsprechend der, in Abhängigkeit von der und nicht zerstörend bezüglich der Bildinformation zu erzeugen, die in der ersten Aufzeichnungsschicht des Master-Aufzeichnungselementes vorgebildet ist.

14. System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes nach Anspruch 13, in welchem die erste und zweite Aufzeichnungsschicht eine erste bzw. eine zweite Ladungshalteschicht sind, wodurch es möglich ist, daß die zweite Ladungshalteschicht das übertragene elektrostatische latente Bild auf sich als Reaktion auf das Zuführen der gleichförmigen Ladungsschicht zu der zweiten Ladungshalteschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes erzeugt.

15. System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes nach Anspruch 14, in welchem die Ladungserzeugungseinrichtung eine stationäre Elektrode, die die zweite Ladungshalteschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes kontaktiert, und eine Quelle für vorbestimmte Spannung aufweist, die zwischen die erste und die stationäre Elektrode geschaltet ist, und in welchem sich das erste und das Blanko- Aufzeichnungselement synchron gemeinsam in Bezug auf die stationäre Elektrode bewegen.

16. System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes nach Anspruch 14, in welchem die Ladungserzeugungseinrichtung einen Corona-Auflader aufweist, der der zweiten Ladungshalteschicht des Blanko-Aufzeichungselementes gegenüberliegt, und in welchem sich das erste und das Blanko- Aufzeichnungselement synchron in Bezug auf den Corona-Auflader bewegen.

17. System zur Übertragung eines eletrostatischen latenten Bildes nach Anspruch 15, in welchem sich das erste Aufzeichnungselement vom Blanko-Aufzeichungselement wegbewegt, nachdem das erste und zweite Blanko-Aufzeichnungselement zwischen der ersten und stationären Elektrode angeordnet worden sind, wobei anschließend eine zweite Elektrode an der zweiten Ladungshalteschicht des Blanko-Aufzeichnungselementes auf einer von der in Kontakt mit der stationären Elektrode befindlichen Seite abgewandten Seite befestigt wird.

18. System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes nach Anspruch 14, in welchem die zweite Ladungshalteschicht aus einer Schwellwertschicht, die eine Schwellenspannung zum Hindurchlassen von Ladungen mit Potentialen über dieser Schwellenspannung aufweist, und einer Schicht aufgebaut ist, die zum Festhalten von durch die Schwellwertschicht hindurchgelassenen Ladungen auf die Schwellwertschicht geschichtet ist, und in welchem die Ladungserzeugungseinrichtung eine zweite auf die Schwellwertschicht geschichtete Elektrode und eine Quelle vorbestimmter Spannung aufweist, die mit der ersten und zweiten Elektrode verbunden ist und die vorbestimmte Spannung in Übereinstimmung mit der Schwellenspannung erzeugt.

19. System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes nach Anspruch 18, in welchem die Schwellwertschicht ein Siliziumoxidfilm ist und die Schicht zum Festhalten der Ladungen ein Siliziumnitridfilm ist.

20. System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes nach Anspruch 13, in welchem die erste Aufzeichnungsschicht ein thermoplastisches in Abhängigkeit von Wärme und einem daran angelegten elektrischen Feld deformierbares Material aufweist, und die Bildinformation in der ersten Aufzeichnungsschicht in Form einer Deformation von dieser vorgebildet wird, und in welchem die Ladungserzeugungseinrichtung eine zweite Elektrode, die auf das zweite Aufzeichnungselement geschichtet ist, und eine Quelle vorbestimmter Spannung aufweist, die mit der ersten und zweiten Elektrode verbunden ist.

21. System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes nach Anspruch 13, in welchem die erste Aufzeichnungsschicht ein Material aufweist, dessen Leitfähigkeit abhängig von einem daran angelegten elektrischen Feld veränderbar ist, und in welchem die Bildinformation in der ersten Aufzeichungungsschicht in Form einer Variation der elektrischen Leitfähigkeit vorgebildet wird, und das Blanko- Aufzeichungselement derart vorbereitet wird, daß auf eine Seite der zweiten Aufzeichnungsschicht eine zweite Elektrode als die Ladungserzeugungseinrichtung geschichtet wird, und die andere Seite dieser Aufzeichnungsschicht mit einer gleichmäßigen Schicht von Ladungen versehen wird und in welchem die Ladungserzeugungseinrichtung ferner eine Einrichtung zum Legen der ersten und zwieten Elektrode auf ein gemeinsames Potential aufweist.

22. System zur Übertragung eines elektrostatischen latenten Bildes nach Anspruch 21, in welchem das Material veränderbarer Leitfähigkeit ein Kupfertetracyanochinodimethan-Komplexkristall ist.